JP2014041889A - 光半導体装置 - Google Patents

光半導体装置 Download PDF

Info

Publication number
JP2014041889A
JP2014041889A JP2012182906A JP2012182906A JP2014041889A JP 2014041889 A JP2014041889 A JP 2014041889A JP 2012182906 A JP2012182906 A JP 2012182906A JP 2012182906 A JP2012182906 A JP 2012182906A JP 2014041889 A JP2014041889 A JP 2014041889A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
waveguides
semiconductor lasers
semiconductor device
optical
curvature
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2012182906A
Other languages
English (en)
Inventor
Keiji Sasahata
圭史 笹畑
Toru Takiguchi
透 瀧口
Keisuke Matsumoto
啓資 松本
Masakazu Takabayashi
正和 高林
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Mitsubishi Electric Corp
Original Assignee
Mitsubishi Electric Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Mitsubishi Electric Corp filed Critical Mitsubishi Electric Corp
Priority to JP2012182906A priority Critical patent/JP2014041889A/ja
Priority to US13/832,559 priority patent/US20140056556A1/en
Priority to CN201310307818.3A priority patent/CN103633555A/zh
Publication of JP2014041889A publication Critical patent/JP2014041889A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B6/00—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings
    • G02B6/0001—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings specially adapted for lighting devices or systems
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B6/00—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings
    • G02B6/10—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings of the optical waveguide type
    • G02B6/12—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings of the optical waveguide type of the integrated circuit kind
    • G02B6/122—Basic optical elements, e.g. light-guiding paths
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B82—NANOTECHNOLOGY
    • B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
    • B82Y20/00—Nanooptics, e.g. quantum optics or photonic crystals
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/02—Structural details or components not essential to laser action
    • H01S5/026—Monolithically integrated components, e.g. waveguides, monitoring photo-detectors, drivers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/40—Arrangement of two or more semiconductor lasers, not provided for in groups H01S5/02 - H01S5/30
    • H01S5/4025—Array arrangements, e.g. constituted by discrete laser diodes or laser bar
    • H01S5/4031—Edge-emitting structures
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B6/00—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings
    • G02B6/10—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings of the optical waveguide type
    • G02B6/12—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings of the optical waveguide type of the integrated circuit kind
    • G02B2006/12133—Functions
    • G02B2006/1215—Splitter
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B6/00—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings
    • G02B6/24—Coupling light guides
    • G02B6/26—Optical coupling means
    • G02B6/28—Optical coupling means having data bus means, i.e. plural waveguides interconnected and providing an inherently bidirectional system by mixing and splitting signals
    • G02B6/2804—Optical coupling means having data bus means, i.e. plural waveguides interconnected and providing an inherently bidirectional system by mixing and splitting signals forming multipart couplers without wavelength selective elements, e.g. "T" couplers, star couplers
    • G02B6/2808—Optical coupling means having data bus means, i.e. plural waveguides interconnected and providing an inherently bidirectional system by mixing and splitting signals forming multipart couplers without wavelength selective elements, e.g. "T" couplers, star couplers using a mixing element which evenly distributes an input signal over a number of outputs
    • G02B6/2813—Optical coupling means having data bus means, i.e. plural waveguides interconnected and providing an inherently bidirectional system by mixing and splitting signals forming multipart couplers without wavelength selective elements, e.g. "T" couplers, star couplers using a mixing element which evenly distributes an input signal over a number of outputs based on multimode interference effect, i.e. self-imaging
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/02—Structural details or components not essential to laser action
    • H01S5/026—Monolithically integrated components, e.g. waveguides, monitoring photo-detectors, drivers
    • H01S5/0265—Intensity modulators
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/20—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers
    • H01S5/22—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers having a ridge or stripe structure
    • H01S5/227—Buried mesa structure ; Striped active layer
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/30—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region
    • H01S5/34—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region comprising quantum well or superlattice structures, e.g. single quantum well [SQW] lasers, multiple quantum well [MQW] lasers or graded index separate confinement heterostructure [GRINSCH] lasers
    • H01S5/343—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region comprising quantum well or superlattice structures, e.g. single quantum well [SQW] lasers, multiple quantum well [MQW] lasers or graded index separate confinement heterostructure [GRINSCH] lasers in AIIIBV compounds, e.g. AlGaAs-laser, InP-based laser
    • H01S5/34306—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region comprising quantum well or superlattice structures, e.g. single quantum well [SQW] lasers, multiple quantum well [MQW] lasers or graded index separate confinement heterostructure [GRINSCH] lasers in AIIIBV compounds, e.g. AlGaAs-laser, InP-based laser emitting light at a wavelength longer than 1000nm, e.g. InP based 1300 and 1500nm lasers

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Nanotechnology (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Biophysics (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Semiconductor Lasers (AREA)
  • Optical Integrated Circuits (AREA)

Abstract

【課題】複数の半導体レーザをそれぞれ駆動したときの出力光の線幅のばらつきを低減することができる光半導体装置を得る。
【解決手段】離れて配置された二群の半導体レーザ１ａ〜１ｌからの出力光をＭＭＩカプラ２が結合する。ＭＭＩカプラ２からの出力光をＳＯＡ３が増幅する。複数の曲がり導波路４ａ〜４ｌが二群の半導体レーザ１ａ〜１ｌをＭＭＩカプラ２にそれぞれ接続する。複数の曲がり導波路４ａ〜４ｌの曲率半径が全て同じである。
【選択図】図１

Description

本発明は、複数の半導体レーザがそれぞれ複数の曲がり導波路により光結合器に接続される光半導体装置に関し、特に複数の半導体レーザをそれぞれ駆動したときの出力光の線幅のばらつきを低減することができる光半導体装置に関する。
複数の半導体レーザからの出力光をＭＭＩ（Multi-Mode Interference）カプラで結合して半導体光増幅器（semiconductor optical amplifier：SOA）で増幅する光半導体装置において、複数の半導体レーザはそれぞれ複数の曲がり導波路により光結合器に接続される（例えば、特許文献１〜３参照）。
特開２００９−１０９７０４号公報 特開２００４−３１９８９３号公報 特許第４４４４３６８号公報
従来の半導体光増幅器では複数の曲がり導波路の曲率半径が異なるため、ロスのばらつきが大きい。この結果、複数の半導体レーザへの戻り光量が異なり、複数の半導体レーザの出力光の線幅にばらつきが生じるという問題があった。
本発明は、上述のような課題を解決するためになされたもので、その目的は複数の半導体レーザをそれぞれ駆動したときの出力光の線幅のばらつきを低減することができる光半導体装置を得るものである。
本発明に係る光半導体装置は、離れて配置された二群の半導体レーザと、前記二群の半導体レーザからの出力光を結合する光結合器と、前記光結合器からの出力光を増幅する光増幅器と、前記二群の半導体レーザを前記光結合器にそれぞれ接続する複数の導波路とを備え、前記複数の導波路はそれぞれ曲がり導波路を有し、前記複数の導波路の前記曲がり導波路の曲率半径が全て同じであることを特徴とする。
本発明により、複数の半導体レーザをそれぞれ駆動したときの出力光の線幅のばらつきを低減することができる。
本発明の実施の形態１に係る光半導体装置を示す上面図である。 図１の一部を拡大した上面図である。 本発明の実施の形態１に係る曲がり導波路を示す上面図である。 図１のＩ−ＩＩに沿った半導体レーザの断面図である。 図１のＩＩＩ−ＩＶに沿ったＭＭＩカプラの断面図である。 図１のＶ−ＶＩに沿ったＳＯＡの断面図である。 本発明の実施の形態１に係る光半導体装置の製造工程を示す断面図である。 本発明の実施の形態１に係る光半導体装置の製造工程を示す断面図である。 本発明の実施の形態１に係る光半導体装置の製造工程を示す断面図である。 本発明の実施の形態１に係る光半導体装置の製造工程を示す断面図である。 比較例に係る光半導体装置を示す上面図である。 図１１の一部を拡大した上面図である。 本発明の実施の形態２に係る光半導体装置を示す上面図である。 図１３の一部を拡大した上面図である。 本発明の実施の形態３に係る光半導体装置を示す上面図である。 図１５の一部を拡大した上面図である。
本発明の実施の形態に係る光半導体装置について図面を参照して説明する。同じ又は対応する構成要素には同じ符号を付し、説明の繰り返しを省略する場合がある。
実施の形態１．
図１は、本発明の実施の形態１に係る光半導体装置を示す上面図である。図２は、図１の一部を拡大した上面図である。複数の半導体レーザ１ａ〜１ｌは二群に離れて配置されている。複数の半導体レーザ１ａ〜１ｌからの出力光をＭＭＩカプラ２が結合する。ＭＭＩカプラ２からの出力光をＳＯＡ３が増幅する。複数の曲がり導波路４ａ〜４ｌが複数の半導体レーザ１ａ〜１ｌをＭＭＩカプラ２にそれぞれ接続する。複数の曲がり導波路４ａ〜４ｌは同じ曲率半径１０００μｍを持つ。
図３は、本発明の実施の形態１に係る曲がり導波路を示す上面図である。複数の曲がり導波路４ａ〜４ｌの各々は、曲率半径が同じ１０００μｍで曲率中心が異なる２つの円弧からなる。
図４は、図１のＩ−ＩＩに沿った半導体レーザの断面図である。ｎ型ＩｎＰ基板５上にｎ型ＩｎＰクラッド層６、ＩｎＧａＡｓＰ量子井戸活性層７、ｐ型ＩｎＰクラッド層８、回折格子９、ｐ型ＩｎＰ層１０が順に積層されている。これらの層はリッジになっており、その両サイドがｐ型ＩｎＰ埋め込み層１１、ｎ型ＩｎＰブロック層１２、ｐ型ＩｎＰ電流ブロック層１３で埋め込まれている。
ｐ型ＩｎＰ層１０及びｐ型ＩｎＰ電流ブロック層１３上にｐ型ＩｎＰ層１４とｐ型ＩｎＧａＡｓコンタクト層１５が順に積層されている。リッジの外側においてメサ１６が設けられている。表面が絶縁膜１７で覆われ、その絶縁膜１７には電極コンタクト用部分に開口１８が設けられている。ｐ型ＩｎＧａＡｓコンタクト層１５上にｐ型電極１９が設けられ、ｎ型ＩｎＰ基板５の下面にｎ型電極２０が設けられている。なお、波長可変レーザとして使用するため複数の半導体レーザ１ａ〜１ｌの回折格子９の間隔は異なる。
図５は、図１のＩＩＩ−ＩＶに沿ったＭＭＩカプラの断面図である。ｎ型ＩｎＰ基板５上にｎ型ＩｎＰクラッド層６、ＩｎＧａＡｓＰ導波路層２１、アンドープＩｎＰ層２２が順に積層されている。これらの層はリッジになっている。その他の構成は半導体レーザと同様である。また、曲がり導波路４ａ〜４ｌの構造もリッジ幅が狭いこと以外はＭＭＩカプラ２と同様である。図６は、図１のＶ−ＶＩに沿ったＳＯＡの断面図である。ＳＯＡ３の構造は回折格子９が無い点以外は半導体レーザと同様である。
続いて、本実施の形態に係る光半導体装置の製造工程を説明する。図７から図１０は、本発明の実施の形態１に係る光半導体装置の製造工程を示す断面図である。図８は曲がり半導体レーザ１ａ〜１ｌと導波路４ａ〜４ｌの連結部に対応し、図９はＭＭＩカプラ２とＳＯＡ３の連結部に対応し、図１０はＭＭＩカプラ２部分に対応する。
まず、図７に示すように、ｎ型ＩｎＰ基板５上にｎ型ＩｎＰクラッド層６、ＩｎＧａＡｓＰ量子井戸活性層７、ｐ型ＩｎＰクラッド層８、ｐ型ＩｎＧａＡｓＰ回折格子層２３をＭＯＣＶＤ（Metal Organic Chemical Vapor Deposition）法で結晶成長させる。
次に、図８に示すように、半導体レーザを形成する位置に絶縁膜で回折格子パターンを形成し、その絶縁膜をマスクとしてｐ型ＩｎＧａＡｓＰ回折格子層２３をエッチングして回折格子９を形成する。この際に半導体レーザの形成位置以外のｐ型ＩｎＧａＡｓＰ回折格子層２３を除去する。絶縁膜を除去した後にｐ型ＩｎＰ層１０を成長させる。
次に、図９に示すように、半導体レーザ１ａ〜１ｌとＳＯＡ３の形成位置を絶縁膜で覆い、その絶縁膜をマスクとしてドライエッチング等でＩｎＧａＡｓＰ量子井戸活性層７までエッチングし、更にｎ型ＩｎＰクラッド層６を少し除去する。次に、ＩｎＧａＡｓＰ導波路層２１、アンドープＩｎＰ層２２を選択成長した後、絶縁膜を除去する。
次に、図１０に示すように、絶縁膜１７をパターンニングし、この絶縁膜２４をマスクとしてｎ型ＩｎＰ基板５の途中までエッチングしリッジを形成する。次に、ｐ型ＩｎＰ埋め込み層１１、ｎ型ＩｎＰブロック層１２、ｐ型ＩｎＰ電流ブロック層１３を成長する。絶縁膜２４を除去した後、ｐ型ＩｎＰ層１４とｐ型ＩｎＧａＡｓコンタクト層１５を成長する。
次に、半導体レーザ１ａ〜１ｌとＳＯＡ３以外を覆う絶縁膜を形成し、この絶縁膜をマスクとしてｐ型ＩｎＧａＡｓコンタクト層１５をエッチングする。絶縁膜を除去した後に、新たに絶縁膜を形成してパターンニングし、この絶縁膜をマスクとして半導体レーザ１ａ〜１ｌとＳＯＡ３をエッチングしてメサ１６を形成する。その後、絶縁膜を除去する。次に、絶縁膜１７を形成し、電極コンタクト用部分に絶縁膜の開口１８を形成し、ｐ型電極１９とｎ型電極２０を形成する。
続いて、本実施の形態に係る光半導体装置の動作を説明する。複数の半導体レーザ１ａ〜１ｌの中から必要な発振波長が得られる１個の半導体レーザが選択されて駆動する。この半導体レーザからの出力光は、この半導体レーザに接続されている曲がり導波路とＭＭＩカプラ２を導波してＳＯＡ３に入る。この出力光をＳＯＡ３が増幅する。ただし、レーザ光は、例えば端面、バットジョイント、ＭＭＩカプラなどの反射点で反射される。この反射点からの戻り光は曲がり導波路を通り半導体レーザに入る。
続いて本実施の形態の効果を比較例と比較して説明する。図１１は、比較例に係る光半導体装置を示す上面図である。図１２は、図１１の一部を拡大した上面図である。比較例では複数の曲がり導波路４ａ〜４ｌの曲率半径が異なるため、ロスのばらつきが大きい。この結果、複数の半導体レーザ１ａ〜１ｌへの戻り光量が異なり、複数の半導体レーザ１ａ〜１ｌの出力光の線幅にばらつきが生じる。
これに対して、本実施の形態では、複数の曲がり導波路４ａ〜４ｌの曲率半径が同じであるため、ロスのばらつきが小さくなる。この結果、複数の半導体レーザ１ａ〜１ｌへの戻り光量の差を小さくし、複数の半導体レーザ１ａ〜１ｌをそれぞれ駆動したときの出力光の線幅のばらつきを低減することができる。
ここで、一番外側の曲がり導波路４ａ，４ｌでロスが最大となり、一番内側の曲がり導波路４ｆ，４ｇでロスが最小となる。一番外側の曲がり導波路４ａ，４ｌのΔｘを７６０μｍ、Δｙを１５０μｍ、曲率半径を１０００μｍとしてロスのばらつきを計算した。計算の結果、比較例ではロスのばらつきが３．３ｄＢとなったが、本実施の形態では２．１ｄＢとなった。よって、本実施の形態では比較例に比べてロスのばらつきを１．２ｄＢ小さくできる。
実施の形態２．
図１３は、本発明の実施の形態２に係る光半導体装置を示す上面図である。図１４は、図１３の一部を拡大した上面図である。複数の半導体レーザ１ａ〜１ｌとＭＭＩカプラ２との間の各導波路の長さが同じになるように、同じ曲率半径を持つ複数の曲がり導波路４ｂ〜４ｋと複数の半導体レーザ１ｂ〜１ｋとの間にそれぞれ直線導波路２５ａ〜２５ｊを挿入している。
これにより、ロスのばらつきを実施の形態１よりも更に小さくすることができる。この結果、複数の半導体レーザ１ａ〜１ｌへの戻り光量の差を更に小さくし、複数の半導体レーザ１ａ〜１ｌをそれぞれ駆動したときの出力光の線幅のばらつきを更に低減することができる。
ロスが最大となる一番外側の曲がり導波路４ａ，４ｌのΔｘを７６０μｍ、Δｙを１５０μｍ、曲率半径を１０００μｍとしてロスのばらつきを計算した。計算の結果、本実施の形態では実施の形態１に比べてロスのばらつきを更に０．３５ｄＢ小さくできる。
実施の形態３．
図１５は、本発明の実施の形態３に係る光半導体装置を示す上面図である。図１６は、図１５の一部を拡大した上面図である。複数の半導体レーザ１ａ〜１ｌとＭＭＩカプラ２との間の各導波路の長さが同じになるように、同じ曲率半径を持つ複数の曲がり導波路４ｂ〜４ｋとＭＭＩカプラ２との間にそれぞれ直線導波路２５ａ〜２５ｊを挿入している。
これにより、ロスのばらつきを実施の形態１よりも更に小さくすることができる。この結果、複数の半導体レーザ１ａ〜１ｌへの戻り光量の差を更に小さくし、複数の半導体レーザ１ａ〜１ｌをそれぞれ駆動したときの出力光の線幅のばらつきを更に低減することができる。
ロスが最大となる一番外側の曲がり導波路４ａ，４ｌのΔｘを７６０μｍ、Δｙを１５０μｍ、曲率半径を１０００μｍとしてロスのばらつきを計算した。計算の結果、本実施の形態では実施の形態１に比べてロスのばらつきを更に０．３５ｄＢ小さくできる。
なお、実施の形態１〜３において量子井戸活性層はＩｎＧａＡｓＰであるが、これに限らず例えばＩｎＡｌＧａＡｓでもよい。曲率半径は１０００μｍに限らず例えば５００μｍや２０００μｍでもよい。半導体レーザは１２個に限らず例えば１２個以上でもよい。曲がり導波路４ａ〜４ｌは埋め込み構造に限らず、メサ構造でもよい。
１ａ〜１ｌ 複数の半導体レーザ（二群の半導体レーザ）、２ ＭＭＩカプラ（光結合器）、３ ＳＯＡ（光増幅器）、４ａ〜４ｌ 曲がり導波路、２５ａ〜２５ｊ 直線導波路

Claims (3)

  1. 離れて配置された二群の半導体レーザと、
    前記二群の半導体レーザからの出力光を結合する光結合器と、
    前記光結合器からの出力光を増幅する光増幅器と、
    前記二群の半導体レーザを前記光結合器にそれぞれ接続する複数の導波路とを備え、
    前記複数の導波路はそれぞれ曲がり導波路を有し、
    前記複数の導波路の前記曲がり導波路の曲率半径が全て同じであることを特徴とする光半導体装置。
  2. 前記複数の導波路の前記曲がり導波路の各々は、曲率半径が同じで曲率中心が異なる２つの円弧からなることを特徴とする請求項１に記載の光半導体装置。
  3. 前記複数の導波路はそれぞれ直線導波路を更に有し、
    前記複数の導波路の長さは同じであることを特徴とする請求項１又は２に記載の光半導体装置。
JP2012182906A 2012-08-22 2012-08-22 光半導体装置 Pending JP2014041889A (ja)

Priority Applications (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2012182906A JP2014041889A (ja) 2012-08-22 2012-08-22 光半導体装置
US13/832,559 US20140056556A1 (en) 2012-08-22 2013-03-15 Optical semiconductor device
CN201310307818.3A CN103633555A (zh) 2012-08-22 2013-07-22 光半导体装置

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2012182906A JP2014041889A (ja) 2012-08-22 2012-08-22 光半導体装置

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2014041889A true JP2014041889A (ja) 2014-03-06

Family

ID=50148053

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2012182906A Pending JP2014041889A (ja) 2012-08-22 2012-08-22 光半導体装置

Country Status (3)

Country Link
US (1) US20140056556A1 (ja)
JP (1) JP2014041889A (ja)
CN (1) CN103633555A (ja)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2017138554A (ja) * 2016-02-05 2017-08-10 三菱電機株式会社 アレイ型光導波路、および半導体光集積素子

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US10852478B1 (en) 2019-05-28 2020-12-01 Ciena Corporation Monolithically integrated gain element
JP2022536040A (ja) * 2019-05-28 2022-08-12 シエナ コーポレーション モノリシック集積利得素子

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100310086B1 (ko) * 1998-11-17 2002-11-27 삼성전자 주식회사 광결합기및그제작방법
US7302135B2 (en) * 2001-06-05 2007-11-27 Pirelli & C. S.P.A. Waveguide bends and devices including waveguide bends
JP4849915B2 (ja) * 2006-03-15 2012-01-11 富士通株式会社 光集積素子及び光モジュール
JP2009109704A (ja) * 2007-10-30 2009-05-21 Nec Corp 光導波路
JP4444368B1 (ja) * 2009-07-30 2010-03-31 古河電気工業株式会社 集積型半導体レーザ素子および半導体レーザモジュールならびに光伝送システム

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2017138554A (ja) * 2016-02-05 2017-08-10 三菱電機株式会社 アレイ型光導波路、および半導体光集積素子

Also Published As

Publication number Publication date
CN103633555A (zh) 2014-03-12
US20140056556A1 (en) 2014-02-27

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US10534131B2 (en) Semiconductor optical integrated device having buried hetero structure waveguide and deep ridge waveguide
US9711939B2 (en) Semiconductor optical device
JP5686347B2 (ja) 双安定素子
JP5888883B2 (ja) スポットサイズ変換器、半導体光素子、及びそれらの製造方法
JP6623073B2 (ja) 光導波路構造、光集積素子、および光導波路構造の製造方法
US7920322B2 (en) Reflective semiconductor optical amplifier (R-SOA) with dual buried heterostructure
JP6487195B2 (ja) 半導体光集積素子、半導体光集積素子の製造方法及び光モジュール
JP6961621B2 (ja) 光集積素子および光送信機モジュール
JP2018006440A (ja) 半導体レーザ
JP2012004441A (ja) 光増幅装置
JP2007109896A (ja) 集積型光半導体装置とその製造方法
JP2011233829A (ja) 集積型半導体光素子および集積型半導体光素子モジュール
JP6247960B2 (ja) 集積型半導体光素子、及び集積型半導体光素子の製造方法
JP2014041889A (ja) 光半導体装置
WO2003100924A2 (en) Index guided laser structure
JP2018088456A (ja) 量子カスケード半導体レーザ
US20060120428A1 (en) Distributed feedback (DFB) semiconductor laser and fabrication method thereof
JP2021128981A (ja) 半導体光素子およびその製造方法
JP4825150B2 (ja) 光半導体集積素子及びその製造方法
EP1936412B1 (en) Optoelectronic component comprising a diffraction grating with a transverse structure
JP2013236067A (ja) 光半導体装置及びその製造方法
JP2012235069A (ja) 光集積素子の製造方法
JP6513412B2 (ja) 半導体光集積素子
JP2002043688A (ja) リッジ型分布帰還半導体レーザ素子
JP5530229B2 (ja) 半導体発光素子およびそれを用いた光パルス試験器