JP2017138554A - アレイ型光導波路、および半導体光集積素子 - Google Patents
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Abstract
Description
特許文献3にはS字曲線型の光導波路として、リッジ型の光導波路部の両脇を半導体層で埋め込んだ埋込型の光導波路が開示されている。
この発明は上記の問題点を解決するためになされたもので、S字曲線部を有する埋込型の光導波路において、ラピッドイヤー状の埋込み異常成長を生じることなく、埋込み成長をおこなうことができる光導波路を提供することを目的とする。
図1は、本発明の実施の形態1における波長可変レーザを模式的に表す図であり、1は複数のDFBレーザ2からなるレーザ領域、3は複数のS字曲線型の光導波路4からなる光導波路領域、5は複数のレーザ光を合波するMMI型(Multi Mode Interference型)の光合波器、6はレーザ光を増幅する光増幅器(SOA:Semiconductor Optical Amplifier)である。
この波長可変レーザでは、レーザ領域1の中から必要な発振波長を有する一つのDFBレーザ2が選択・駆動され、その出力光がDFBレーザ2に接続された光導波路4と光合波器5を導波して光増幅器6に入り、増幅されて出射される。
なお、上記の結晶方位は代表的な方位を表し、等価な方位を含むものとする。
図2(a)に示すように、一つの光導波路4とそれと隣り合う光導波路4の直線部8の間隔は、Twである。光導波路4が直線部8から曲線部に移る点を折れ曲がり開始点9と呼ぶことにすると、曲線部は折れ曲り開始点9において接線方向の傾きをθとして傾斜している。
一つの折れ曲り開始点9は、隣接する折れ曲がり開始点9に対し、順次、直線部8の長手方向に、ずらし量Lの長さずらして形成される。
一つの折れ曲り開始点9と、隣接する曲線部との間の距離:Tx(直線部の短手方向)は、
Tx = Tw+L・tanθ (1)
であり、実施の形態1では、光導波路同士が狭い間隔で隣接しないように、
4μm≦ Tw+L・tanθ (2)
とする。
曲線部での光の損失を抑えるため、その曲率半径を100μm以上とする必要がある。そのため、折れ曲がり開始点9の傾きθは、
θ≦5°
とする必要がある。
また、折れ曲がり開始点9の傾きθが小さくなると、光導波路領域3の長さが長くなるため、折れ曲がり開始点9の傾きθの下限は2°程度とする必要があり、本実施の形態では、
2°≦θ≦5° (3)
である。
3μm≦Tw≦3.5μm (4)
とする必要がある。
Tw+L・tanθ=4μm (5)
を満たすLの範囲を示す図である。
L=(4−Tw)/tanθ
であるので、直線部の間隔Twが最も狭い3μmで、かつ、折れ曲がり開始点の傾きθが最も小さい2°の場合、Lを最も長くする必要があり、その場合の値が28.6μmであることが分かる。 また、Twが広く傾きθが大きい(θ=5°、Tw=3.5μm)と、Lは最も短く、その場合の値が5.7μmである。
式(5)に、式(3)と式(4)の上限と下限の値を当てはめると、
θ=5°、Tw=3.5μmのとき、L= 5.7μm
θ=2°、Tw=3.5μmのとき、L=14.3μm
θ=5°、Tw=3.0μmのとき、L=11.4μm
θ=2°、Tw=3.0μmのとき、L=28.6μm
となる。
Tw+L・tanθ=5μm
を満たすLの範囲を示す図である。
式に、式(3)と式(4)の上限と下限の値を当てはめると、
θ=5°、Tw=3.5μmのとき、L=17.2μm
θ=2°、Tw=3.5μmのとき、L=43.0μm
θ=5°、Tw=3.0μmのとき、L=22.9μm
θ=2°、Tw=3.0μmのとき、L=57.3μm
となる。
なお、式(3)と式(4)を満たす範囲で、Lの下限は、Tx=4μmにおけるθ=5°、かつTw=3.5μmとしたときの値の5.7であるので、式(2)の条件の下で、
L≧5.7μm (6)
が成り立つ。
まず、図4(a)のようにn−InP基板14の上の全面に、n−InPクラッド層15、光導波路層16、第1のp−InPクラッド層17となる層を順に成長したウエハを準備する。次に、図4(b)のように絶縁膜22を形成し、絶縁膜22をマスクとしてエッチングすることにより、リッジ部12を形成する。続いて、図4(c)にようにリッジ部12の両脇に、順にp−InP埋込層19、n−InP埋込層20、p−InP埋込層21を成長し、埋込部13を形成する。続いて、絶縁膜22を除去し、全面に第2のp−InPクラッド層18を成長して、光導波路4を完成する。
図3(a)は、比較例における光導波路4の接続領域7の上面図であり、図3(b)はB−B’部の断面図である。図2(a)と図3(a)を比較すると分かるように、比較例においては、直線部の長手方向の長さが全て同一、つまり、ずらし量Lが0であり、直線部8の間隔Tw、曲線部の傾きθは、実施の形態1と同一である。その結果、一つの折れ曲り開始点9と隣接する曲線部との間の距離(直線部の短手方向)は、
Tw
となる。
一方、本実施の形態では曲線部における導波路の間隔が広いため場合、図4(c)および図2(b)に示すように、埋込部13の埋込成長の際に、ラピッドイヤー状の異常成長が発生することなく、リッジ12の間を平坦に埋め込むことができる。その結果、光の伝搬損失の少ない光導波路を得ることができる。
実施の形態1では、光導波路4の直線部8を長手方向に長さLずらして、式(1)で示される距離Txを4μm以上とすることにより、埋込成長の際の異常成長を改善した。Txの下限は4μmであり、異常成長の改善という意味では、Txは大きいほど良く、上限は特にない。
しかし、直線部8を長手方向にずらすため、導波路領域3を長くする必要がある。アレイ型の光導波路の本数は、たとえば20本であり、図1のように左右対処に配置するため、一本の導波路のずらし量Lの値を30μmとすると、全体(片側10本)では、
30μm x 20本/2 = 300μm
となり、L=0の比較例にくらべ、導波路領域を300μm長くする必要がある。
実施の形態2では、光導波路の小型化の観点から、導波路領域の長さの増加量の許容値を500μmまで、かつ、光導波路の本数が最大20本(片側10本)とし、一つの導波路のずらし量Lの許容値の上限を50μm以内とする。つまり、
L ≦50μm
であり、式(6)と合わせて、
5.7μm ≦L ≦50μm (7)
である。
式(3)、式(4)、および式(7)を満たすため、Txの上限は以下のように制限される。
Tw+L・tanθ=3+50・tan2°=4.74
となる。
したがって、式(3)と式(4)の範囲の全てのTwとθに対して、
4μm≦Tw+L・tanθ≦4.7μm、かつL ≦50μm
を満たすLが存在する。
たとえば、図6はTx=5μmの例で、ほぼ全てのTwとθに対して、L≦50μmであることが分かる。
Tw+L・tanθ=3.5+50・tan5°=7.9
の場合である。
Tw+L・tanθ=7.9μm、かつL ≦50μm
となるのは、式(3)と式(4)の範囲の内、
Tw=3.5μm、かつθ=5°
の場合のみで、これ以外のTwとθに対しては、50μm<L となる。
たとえば、図7はTx=8μmの例で、全てのTwとθに対して、50μm<Lであることが分かる。
したがって、式(3)と式(4)の範囲の一部のTwとθに対して、
4.74μm<Tw+L・tanθ≦7.9μm、
かつ L ≦50μm
を満たすLが存在する。
また、式(3)と式(4)の範囲のTwとθに対しては、
7.9μm<Tw+L・tanθ、かつL ≦50μm
を満たすLは存在しない。
4μm≦Tw+L・tanθ≦7.9μm、
かつ、 3μm≦Tw≦3.5μm、
かつ、 2°≦θ ≦5°
とし、このとき、
5.7μm≦L ≦50μm
が成り立つ。
この条件により、光導波路領域の長さの増加量を、許容値の500μm以内に抑えることができ、小型の光素子を得ることができる。
上記の実施の形態では、半導体レーザ、アレイ型光導波路、光合波器、及び光増幅器を備えた波長可変レーザの例を示したが、本願の発明は、図2(a)に示される光導波路領域3単独の構成があれば効果を奏し、その前後に接続する個々の光素子には依存しない。
たとえば、図1の構成に光変調器を加えた光集積素子としても良く、図1の光増幅器の代わりに光変調器を用いた光集積素子や、光増幅器を省いた光集積素子とすることもできる。
また、図2(a)では、全てのθとLが同一の例を示したが、一つの折れ曲り開始点と、隣接する曲線部との間の距離の内、最小のものが式(2)を満たすものでも良い。他の折れ曲がり開始点において距離Txが4μm以上となり、異常成長は発生しない。
2 DFBレーザ
3 光導波路領域
4 光導波路
5 光合波器
6 光増幅器
7 接続領域
8 直線部
9 折れ曲がり開始点
12 リッジ部
13 埋込部
Claims (5)
- (100)面を主面とする半導体基板上に形成され、
リッジ部の両脇が埋込層で埋め込まれた複数の光導波路を備え、
前記複数の光導波路は、半導体結晶方位<0−11>方向、または<011>方向のどちらか一方を長手方向とし、他の一方を短手方向とする直線部と、
前記直線部と前記長手方向の一端で接続し、折れ曲り開始点の接線の傾きをθとして傾斜を開始する曲線部と、を有し、
前記直線部は、隣接する直線部同士の前記短手方向の間隔をTwとし、
前記折れ曲り開始点は、隣接する折れ曲がり開始点に対し、順次、前記長手方向に長さLずらして形成され、
前記Twと前記θは、それぞれ、
3μm≦Tw≦3.5μm、
2°≦θ ≦5°、
であり、
前記折れ曲り開始点と、前記折れ曲り開始点に隣接する前記曲線部との間の前記短手方向の距離である(Tw+L・tanθ)が、
4μm≦Tw+L・tanθ≦7.9μm、
を満たすことを特徴とするアレイ型光導波路。 - 前記Lが、5.7μm≦L ≦50μm であることを特徴とするアレイ型光導波路。
- 前記半導体基板上が、InPであることを特徴とする請求項1に記載のアレイ型光導波路。
- 前記埋込層がInPであることを特徴とする請求項1に記載のアレイ型光導波路。
- アレイ型に配置された複数の半導体レーザと、
前記複数の半導体レーザと接続する請求項1に記載のアレイ型光導波路と、
前記アレイ型光導波路の前記直線部が接続された光合波器と、
を備え、
前記半導体レーザ、前記アレイ型光導波路、および前記光合波器が
前記半導体基板上に形成されたことを特徴とする半導体光集積素子。
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