JP2013162085A - 光半導体素子及び光半導体素子の製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】光半導体集積素子10は、(100)面を有する半導体基板上に形成され、光を伝搬するコア層を有する導波路部34と、半導体基板上に形成され、導波路部34と光学的に接続しており、伝搬する光の径を変換するスポットサイズ変換部11aと、半導体基板上に形成され、スポットサイズ変換部11aを対向して挟む一対のテラス部11bと、を備え、一対のテラス部11bにおけるスポットサイズ変換部11aを挟んで対向する対向部11cは、その間隔が変化しており、且つ[011]方向に対して[0−11]方向に傾斜した向きの部分を有しており、スポットサイズ変換部11aの上端の位置は、導波路部34の上端の位置よりも高くなっている。
【選択図】図3
Description
(100)面を有する半導体基板上に形成され、光を伝搬するコア層を有する導波路部と、
前記半導体基板上に形成され、前記導波路部と光学的に接続しており、伝搬する光の径を変換するスポットサイズ変換部と、
前記半導体基板上に形成され、前記スポットサイズ変換部を対向して挟む一対のテラス部と、
を備え、
前記一対のテラス部における前記スポットサイズ変換部を挟んで対向する対向部は、その間隔が変化しており、且つ[011]方向に対して[0−11]方向に傾斜した向きの部分を有しており、
前記スポットサイズ変換部の上端の位置は、前記導波路部の上端の位置よりも高くなっている光半導体素子。
前記一対のテラス部の間隔が拡大及び縮小を繰り返している付記1に記載の光半導体素子。
前記スポットサイズ変換部における前記導波路部の上端よりも高い部分が、前記対向部における[011]方向に対して[0−11]方向に傾斜した向きの部分に対応する形状を有している付記1又は2に記載の光半導体素子。
前記一対のテラス部の前記対向部は、[011]方向から[0−11]方向に向かって、30度〜85度の間に傾斜した部分を有する付記1〜3の何れか一項に記載の光半導体素子。
前記一対のテラス部の前記対向部は、[011]方向から[0−11]方向に向かって、40度〜50度の間に傾斜した部分を有する付記4に記載の光半導体素子。
前記一対のテラス部の前記対向部は、[011]方向から[0−11]方向に向かって、45度に傾斜した部分を有する付記4又は5に記載の光半導体素子。
前記スポットサイズ変換部は、前記コア層が延びた第2のコア層を有している付記1〜6の何れか一項に記載の光半導体素子。
前記第2のコア層は、前記導波路部側の端部の幅が前記導波路部とは反対側の端部の幅よりも広い付記7に記載の光半導体素子。
前記第2のコア層は、前記スポットサイズ変換内で、前記導波路部側から前記スポットサイズ変換部の前記導波路部側とは反対の方向の端まで延びている付記7又は8に記載の光半導体素子。
前記一対のテラス部における前記対向部の間の最短の距離が、20μm以下である付記1〜9の何れか一項に記載の光半導体素子。
前記コア層の延びる向きは、[011]方向成分及び[0−11]方向成分を有する付記1〜10の何れか一項に記載の光半導体素子。
(100)面を有する半導体基板上に、一方向に延びる形状を有するメサ部と、前記メサ部から前記メサ部とは反対の方向に向かって前記メサ部の長手方向に沿って延びる領域を挟んだ一対のテラス部とを形成する工程であって、前記一対のテラス部における前記領域を挟んで対向する対向部が、[011]方向に対して[0−11]方向に傾斜した向きの部分を有するように、メサ部と一対のテラス部とを形成する工程と、
前記一対のテラス部の間の前記領域に第1半導体層を形成すると共に、前記メサ部の少なくとも一部の両側に前記メサ部を埋め込む第2半導体層を形成する工程であって、前記第1半導体層の上端の位置を前記メサ部の上端の位置よりも高く形成する、第1及び第2半導体層を形成する工程と、
を備える光半導体素子の製造方法。
前記メサ部と前記一対のテラス部とを形成する工程では、前記対向部の間隔が変化するように前記一対のテラス部を形成する付記12に記載の光半導体素子の製造方法。
前記メサ部と前記一対のテラス部とを形成する工程では、前記メサ部及び前記一対のテラス部の上にマスクを形成し且つ前記メサ部が前記領域内に延びるように、マスクを用いて前記メサ部及び前記一対のテラス部を形成し、
更に、前記メサ部と前記一対のテラス部とを形成する工程と、前記第1及び第2半導体層を形成する工程との間に、前記領域内に延びる前記メサ部の部分の上のマスクを除去する工程を備える付記12又は13に記載の光半導体素子の製造方法。
更に、前記メサ部と前記一対のテラス部とを形成する工程と、前記第1及び第2半導体層を形成する工程との間に、前記一対のテラス部における前記対向部側の所定の範囲を除いてマスクを除去する工程を備える付記12〜14の何れか一項に記載の光半導体素子の製造方法。
前記第1及び第2半導体層を形成する工程では、塩素を含むガスを用いて前記第1半導体層及び前記第2半導体層を形成する付記12〜15の何れか一項に記載の光半導体素子の製造方法。
11 入力部
11a スポットサイズ変換部
11b テラス部
11c 対向部
11d メサ部
12 導波路部
12a メサ部
13 光検出部
13a メサ部
20 基板
21 下クラッド層
22 コア層
23 第1上クラッド層
24 第2の埋め込み層
25 光吸収層
26 第3上クラッド層
27 コンタクト層
28a 第1電極
28b 第2電極
29 第1の埋め込み層
30a、30b 面
31 マスク
32 マスク
33 マスク
34 光導波路
40 光半導体素子
41 入力部
41a 第1スポットサイズ変換部
41b テラス部
41c 対向部
41d メサ部
41e 埋め込み半導体層
42 第1光増幅部
42a メサ部
43 光結合器部
43a 光導波路
43b 結合器本体部
43c 光導波路
44 第2光増幅部
44a メサ部
45 出力部
45a 第2スポットサイズ変換部
45b テラス部
45c 対向部
45e 埋め込み半導体層
50 基板
51 下クラッド層
52 下SCH層
53 活性層
54 上SCH層
55 第1上クラッド層
56 第2上クラッド層
57 コンタクト層
58 コア層
59 第3上クラッド層
60 埋め込み層
61a、61b 面
62 マスク
63 マスク
64 マスク
F モードフィールド径
C1、C2 カーブ
W マスクの幅
L テラス部とコア層との間の距離
J1 スポットサイズ変換部が形成される領域
J2 導波路接続部が形成される領域
J3 光検出部が形成される領域
R 領域
V 空間
K1 第1スポットサイズ変換部が形成される領域
K2 第1光増幅部が形成される領域
K3 光結合部が形成される領域
K4 第2光増幅部が形成される領域
K5 第2スポットサイズ変換部が形成される領域
Claims (12)
- (100)面を有する半導体基板上に形成され、光を伝搬するコア層を有する導波路部と、
前記半導体基板上に形成され、前記導波路部と光学的に接続しており、伝搬する光の径を変換するスポットサイズ変換部と、
前記半導体基板上に形成され、前記スポットサイズ変換部を対向して挟む一対のテラス部と、
を備え、
前記一対のテラス部における前記スポットサイズ変換部を挟んで対向する対向部は、その間隔が変化しており、且つ[011]方向に対して[0−11]方向に傾斜した向きの部分を有しており、
前記スポットサイズ変換部の上端の位置は、前記導波路部の上端の位置よりも高くなっている光半導体素子。 - 前記一対のテラス部の間隔が拡大及び縮小を繰り返している請求項1に記載の光半導体素子。
- 前記スポットサイズ変換部における前記導波路部の上端よりも高い部分が、前記対向部における[011]方向に対して[0−11]方向に傾斜した向きの部分に対応する形状を有している請求項1又は2に記載の光半導体素子。
- 前記一対のテラス部の前記対向部は、[011]方向から[0−11]方向に向かって、30度〜85度の間に傾斜した部分を有する請求項1〜3の何れか一項に記載の光半導体素子。
- 前記スポットサイズ変換部は、前記コア層が延びた第2のコア層を有している請求項1〜4の何れか一項に記載の光半導体素子。
- 前記第2のコア層は、前記導波路部側の端部の幅が前記導波路部とは反対側の端部の幅よりも広い請求項5に記載の光半導体素子。
- 前記一対のテラス部における前記対向部の間の最短の距離が20μm以下である請求項1〜6の何れか一項に記載の光半導体素子。
- (100)面を有する半導体基板上に、一方向に延びる形状を有するメサ部と、前記メサ部から前記メサ部とは反対の方向に向かって前記メサ部の長手方向に沿って延びる領域を挟んだ一対のテラス部とを形成する工程であって、前記一対のテラス部における前記領域を挟んで対向する対向部が、[011]方向に対して[0−11]方向に傾斜した向きの部分を有するように、メサ部と一対のテラス部とを形成する工程と、
前記一対のテラス部の間の前記領域に第1半導体層を形成すると共に、前記メサ部の少なくとも一部の両側に前記メサ部を埋め込む第2半導体層を形成する工程であって、前記第1半導体層の上端の位置を前記メサ部の上端の位置よりも高く形成する、第1及び第2半導体層を形成する工程と、
を備える光半導体素子の製造方法。 - 前記メサ部と前記一対のテラス部とを形成する工程では、前記対向部の間隔が変化するように前記一対のテラス部を形成する請求項8に記載の光半導体素子の製造方法。
- 前記メサ部と前記一対のテラス部とを形成する工程では、前記メサ部及び前記一対のテラス部の上にマスクを形成し且つ前記メサ部が前記領域内に延びるように、マスクを用いて前記メサ部及び前記一対のテラス部を形成し、
更に、前記メサ部と前記一対のテラス部とを形成する工程と、前記第1及び第2半導体層を形成する工程との間に、前記領域内に延びる前記メサ部の部分の上のマスクを除去する工程を備える請求項8又は9に記載の光半導体素子の製造方法。 - 更に、前記メサ部と前記一対のテラス部とを形成する工程と、前記第1及び第2半導体層を形成する工程との間に、前記一対のテラス部における前記対向部側の所定の範囲を除いてマスクを除去する工程を備える請求項8〜10の何れか一項に記載の光半導体素子の製造方法。
- 前記第1及び第2半導体層を形成する工程では、塩素を含むガスを用いて前記第1半導体層及び前記第2半導体層を形成する請求項8〜11の何れか一項に記載の光半導体素子の製造方法。
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