JP2013251505A - 光半導体集積回路装置及びその製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 (100)面を主面とするIII-V族化合物半導体からなる半導体基板上に形成したメサ構造の近傍の平坦面に、メサ構造に対向するマスク端がメサ構造に沿って[011]方向に延びる平行部と、前記平行部から[0−11]方向に傾斜して伸びる傾斜部とを有するマスクを設けて選択成長を行いメサ構造を半導体埋込層で埋め込む。
【選択図】 図1
Description
(付記1)
(100)面を主面とするIII-V族化合物半導体からなる半導体基板上に、少なくとも[011]方向に延在する光能動領域と該光能動領域の上方に設けた第1マスクとを含むメサ構造を形成する工程と、
前記メサ構造の上方に前記第1マスクを残したまま、前記メサ構造の近傍の平坦面に第2マスクを形成する工程と、
前記第1マスク及び前記第2マスクを選択成長マスクとして、前記メサ構造を半導体埋込層で埋め込む工程と、を有し、
前記平坦面に形成する前記第2マスクの前記メサ構造に対向するマスク端は、前記メサ構造に沿って[011]方向に延びる平行部と、前記平行部から[0−11]方向に傾斜して伸びる傾斜部とを有し、
前記メサ構造を半導体埋込層で埋め込む工程において、前記半導体埋込層の厚さが、前記メサ構造の近傍では厚く、前記第2マスクの[011]方向から[0−11]方向に向かって傾斜した延伸方向の部分で薄くなる成長量で埋め込むことを特徴とする光半導体集積回路装置の製造方法。
(付記2)
前記マスク端の傾斜部の[110]方向から[0−11]方向に向かう傾斜角が、15°〜50°であることを特徴とする付記1に記載の光半導体集積回路装置の製造方法。
(付記3)
前記マスク端の傾斜部は、前記平行部の両端に接続していることを特徴とする付記1または付記2に記載の光半導体集積回路装置の製造方法。
(付記4)
前記メサ構造は、前記光能動領域に接続する受動光導波路領域を有し、
前記マスク端の傾斜部は、前記受動光導波路領域側のみにあることを特徴とする付記1または付記2に記載の光半導体集積回路装置の製造方法。
(付記5)
メサ構造を半導体埋込層で埋め込む工程において、半導体埋込層を形成する原料の他に構成元素に塩素を含む原料からなるガスを添加したプロセスガスを用いることを特徴とする付記1乃至付記4のいずれか1に記載の光半導体集積回路装置の製造方法。
(付記6)
(100)面を主面とするIII-V族化合物半導体からなる半導体基板と、
前記半導体基板上に形成された、少なくとも[011]方向に延在する光能動領域を含むメサ構造と、
前記メサ構造を該メサ構造の近傍では厚く、且つ、該メサ構造を離れるにつれて薄くなる半導体埋込層と、
前記メサ構造の近傍の平坦部で、且つ、前記半導体埋込層の存在しない電極形成用開口部と、
前記メサ構造の頂面の少なくとも一部に形成された第1の電極と
前記電極形成用開口部内の少なくとも一部に形成された第2の電極と、
を有し、
前記電極形成用開口部の前記メサ構造に対向する端面は、前記メサ構造に沿って[011]方向に延びる平行部と、前記平行部から[0−11]方向に傾斜して伸びる傾斜部とを有していることを特徴とする光半導体集積回路装置。
(付記7)
前記電極形成用開口部の端面の傾斜部の[110]方向から[0−11]方向に向かう傾斜角が、15°〜50°であることを特徴とする付記6に記載の光半導体集積回路装置。
(付記8)
前記メサ構造が、フォトダイオードとなる光能動領域と、
前記光能動領域に接続する受動光導波路領域と
前記受動光導波路領域に接続する多モード干渉カプラと、
前記多モード干渉カプラに接続する入力導波路と
を有していることを特徴とする付記6または付記7に記載の光半導体集積回路装置。
12 バッファ層
13 光能動領域
14 半導体埋込層
15 第1の電極
16 電極形成用開口部
17 第2の電極
21 半絶縁性InP基板
22 n型InPクラッド層
23 i型InGaAs光吸収層
24 p型InPクラッド層
25 p型InGaAsコンタクト層
26 SiO2マスク
27 i型InGaAsPコア層
28 i型InPクラッド層
29 SiO2マスク
30 SiNマスク
31 FeドープInP埋込層
32 SiO2保護膜
33 p側電極
34 n側電極
35 フォトダイオード
36 PD接続導波路
37 4×4MMI
38 入力導波路
40 SiNマスク
51 半絶縁性InP基板
52 n型InPクラッド層
53 MQW活性層
54 p型InPクラッド層
55 p型InGaAsコンタクト層
56 SiO2マスク
57 SiNマスク
58 n側電極形成領域
59 FeドープInP埋込層
60 p側電極
61 n側電極
71 フォトダイオード
72 PD接続導波路
73 4×4MMI
74 入力導波路
75 p側電極
76 n側電極
81 半絶縁性InP基板
82 n型InPクラッド層
83 i型InGaAs光吸収層
84 p型InPクラッド層
85 p型InGaAsコンタクト層
86 SiO2マスク
87 SiNマスク
88 FeドープInP埋込層
Claims (5)
- (100)面を主面とするIII-V族化合物半導体からなる半導体基板上に、少なくとも[011]方向に延在する光能動領域と該光能動領域の上方に設けた第1マスクとを含むメサ構造を形成する工程と、
前記メサ構造の上方に第1マスクを残したまま、前記メサ構造の近傍の平坦面に第2マスクを形成する工程と、
前記第1マスク及び前記第2マスクを選択成長マスクとして、前記メサ構造を半導体埋込層で埋め込む工程と、を有し、
前記平坦面に形成する前記第2マスクの前記メサ構造に対向するマスク端は、前記メサ構造に沿って[011]方向に延びる平行部と、前記平行部から[0−11]方向に傾斜して伸びる傾斜部とを有し、
前記メサ構造を半導体埋込層で埋め込む工程において、前記半導体埋込層の厚さが、前記メサ構造の近傍では厚く、前記第2マスクの[011]方向から[0−11]方向に向かって傾斜した延伸方向の部分で薄くなる成長量で埋め込むことを特徴とする光半導体集積回路装置の製造方法。 - 前記マスク端の傾斜部の[110]方向から[0−11]方向に向かう傾斜角が、15°〜50°であることを特徴とする請求項1に記載の光半導体集積回路装置の製造方法。
- メサ構造を半導体埋込層で埋め込む工程において、半導体埋込層を形成する原料の他に構成元素に塩素を含む原料からなるガスを添加したプロセスガスを用いることを特徴とする請求項1または請求項2に記載の光半導体集積回路装置の製造方法。
- (100)面を主面とするIII-V族化合物半導体からなる半導体基板と、
前記半導体基板上に形成された、少なくとも[011]方向に延在する光能動領域を含むメサ構造と、
前記メサ構造を該メサ構造の近傍では厚く、且つ、該メサ構造を離れるにつれて薄くなる半導体埋込層と、
前記メサ構造の近傍の平坦部で、且つ、前記半導体埋込層の存在しない電極形成用開口部と、
前記メサ構造の頂面の少なくとも一部に形成された第1の電極と
前記電極形成用開口部内の少なくとも一部に形成された第2の電極と、
を有し、
前記電極形成用開口部の前記メサ構造に対向する端面は、前記メサ構造に沿って[011]方向に延びる平行部と、前記平行部から[0−11]方向に傾斜して伸びる傾斜部とを有していることを特徴とする光半導体集積回路装置。 - 前記メサ構造が、フォトダイオードとなる光能動領域と、
前記光能動領域に接続する受動光導波路領域と
前記受動光導波路領域に接続する多モード干渉カプラと、
前記多モード干渉カプラに接続する入力導波路と
を有していることを特徴とする請求項4に記載の光半導体集積回路装置。
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---|---|---|---|---|
JP2019192918A (ja) * | 2019-05-27 | 2019-10-31 | 三菱電機株式会社 | 半導体光集積素子 |
US11211768B2 (en) | 2017-10-03 | 2021-12-28 | Mitsubishi Electric Corporation | Semiconductor optical integrated device |
Citations (3)
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JP2001196695A (ja) * | 2000-01-17 | 2001-07-19 | Fujitsu Ltd | 光半導体装置の製造方法 |
JP2010097174A (ja) * | 2008-09-19 | 2010-04-30 | Fujitsu Ltd | 光導波路の製造方法及び光導波路 |
JP2011249423A (ja) * | 2010-05-24 | 2011-12-08 | Fujitsu Ltd | 半導体光素子及びその製造方法 |
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