JP2010098200A

JP2010098200A - 分布帰還型半導体レーザ素子およびその製造方法

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Publication number: JP2010098200A
Application number: JP2008269285A
Authority: JP
Inventors: Atsushi Nakamura; 厚中村
Original assignee: Opnext Japan Inc
Current assignee: Opnext Japan Inc
Priority date: 2008-10-20
Filing date: 2008-10-20
Publication date: 2010-04-30

Abstract

【課題】位相シフト量の変動が少ないλ／４位相シフト分布帰還型半導体レーザ素子の製造方法を提供する。
【解決手段】半導体基板１上に設けられたレーザ共振器内の第１領域（回折格子形成領域）と第２領域（位相シフト領域）の実効屈折率が異なるλ／４位相シフト分布帰還型半導体レーザ素子を製造するに際し、活性層３上に２層の回折格子層（第１回折格子層５、第２回折格子層７）を形成し、回折格子９を形成するためのエッチング工程に先だって、第１領域の第２回折格子層７を除去することによって、回折格子形成領域の表面と位相シフト領域の表面とを実質的に同一の構造とし、エッチングのばらつきに起因する位相シフト量の変動を抑制する。
【選択図】図４

Description

本発明は、分布帰還型半導体レーザ素子およびその製造技術に関し、特に、位相シフト型の回折格子構造を有する分布帰還型半導体レーザ素子およびその製造に適用して有効な技術に関するものである。

半導体基板上に形成したレーザ共振器の共振器長方向に沿って、光の屈折率が周期的に変化する回折格子を設けた分布帰還(ＤＦＢ：distributed feedback)型半導体レーザ素子は、単一縦モード動作が可能なことから、光通信システムの光源用デバイスとして実用化が進められている。特に、４分の１波長（λ／４）の位相シフトを発生させる位相シフト領域をレーザ共振器の中央近傍に形成したλ／４位相シフト分布帰還型半導体レーザ素子は、高速・長距離光通信用光源デバイスの主流になるものと期待されている。

しかし、上記λ／４位相シフト分布帰還型半導体レーザ素子は、回折格子の位相シフトを精度よく形成することが困難であることから、λ／４位相シフト分布帰還型半導体レーザ素子の改良された製造技術がいくつか提案されている。

例えば、特許文献１（特開平０９−３０７１７９号公報）に記載された製造技術は、レーザ共振器内部において、共振器長方向に回折格子を形成した領域を回折格子非形成領域（位相シフト領域）を挟んで設け、これら２種類の領域での光波の伝搬定数が互いに異なるように構成した部分回折格子構造を採用している。そして、これら２種類の領域の伝搬定数の差（Δβ）と回折格子非形成領域の共振器長方向の長さ（Ｌｓ）とが、０．４π＜Δβ・Ｌｓ＜０．６πなる関係を満たすように構成することにより、等価的なλ／４位相シフト型回折格子の実現を図っている。

また、特許文献２（特開平０７−１３１１０４号公報）には、回折格子のピッチを位相シフト領域と他の領域とで変えることによって、等価的なλ／４位相シフト型回折格子の実現を図る技術が開示されている。
特開平０９−３０７１７９号公報特開平０７−１３１１０４号公報

特許文献１に記載された分布帰還型半導体レーザ素子の製造工程では、活性層の上部に形成した回折格子層の一部（位相シフト領域）をエッチングして除去した後、回折格子形成領域に残った回折格子層をエッチングして回折格子を形成する。

そのため、エッチング工程でエッチング量にばらつきが生じた場合、回折格子形成領域と位相シフト領域の相対的な伝搬定数差（Δβ）が変動し、位相シフト量が変動するという問題がある。

また、位相シフト領域に回折格子が存在しないことから、位相シフト領域内の温度やキャリア密度の変動による位相シフト量の変動が大きいという問題もある。

本発明の目的は、位相シフト量の変動が少ないλ／４位相シフト分布帰還型半導体レーザ素子の製造技術を提供することにある。

本発明の前記ならびにその他の目的と新規な特徴は、本明細書の記述および添付図面から明らかになるであろう。

本願において開示される発明のうち、代表的なものの概要を簡単に説明すれば、次のとおりである。

（１）第１導電型の半導体基板の主面上に形成された、光を発生する活性層と、前記活性層の上層に形成された回折格子を有する第１回折格子層とを備え、光共器長方向に沿って前記回折格子がある領域を第１領域とし、前記第１回折格子層がない領域を第２領域とした場合に、第１領域と第２領域における伝搬定数の差（Δβ）と前記共振器長方向に沿った前記第２領域の長さ（Ｌｓ）との間に０．４π＜Δβ・Ｌｓ＜０．６πなる関係を有する分布帰還型半導体レーザ素子の製造方法であって、
（ａ）第１回折格子層を形成する工程と、
（ｂ）前記（ａ）工程の後、前記第１回折格子層の上層に第２回折格子層を形成する工程と、
（ｃ）前記（ｂ）工程の後、前記第２領域の前記第２回折格子層を除去せずに、前記第１領域の前記第２回折格子層を除去する工程と、
（ｄ）前記（ｃ）工程の後、エッチングにより、前記第１領域の前記第１回折格子層と前記第２領域の第２回折格子層に対して回折格子を形成する工程と、
（ｅ）前記（ｄ）工程の後、前記第１回折格子層および第２回折格子層とは異なる材料で前記回折格子を埋め込む工程と、
を備えることを特徴とする分布帰還型半導体レーザ素子の製造方法。

（２）第１導電型の半導体基板の主面上に光を発生する活性層が形成され、前記活性層の上部に回折格子層が形成され、前記活性層と前記回折格子層とを含んで構成されるレーザ共振器内の第１領域および第２領域には、前記レーザ共振器の共振器長方向に沿って周期的な回折格子が形成され、前記第１領域と前記第２領域の伝搬定数の差（Δβ）と、前記共振器長方向に沿った前記第２領域の長さ（Ｌｓ）との間に、０．４π＜Δβ・Ｌｓ＜０．６πなる関係を有する分布帰還型半導体レーザ素子の製造方法であって、
（ａ）前記半導体基板の主面上に前記活性層を形成する工程と、
（ｂ）前記活性層上の上部に第１回折格子層を形成し、前記第１回折格子層の上部に第２回折格子層を形成する工程と、
（ｃ）前記第１領域の前記第２回折格子層を除去し、前記第２領域に前記第２回折格子層を残す工程と、
（ｄ）前記（ｃ）工程の後、前記第１領域と前記第２領域を同時にエッチングすることで回折格子を形成する工程と、
（ｅ）前記（ｄ）工程の後、前記第１回折格子層および第２回折格子層とは異なる材料で前記回折格子を埋め込む工程と、
を含むことを特徴とする分布帰還型半導体レーザ素子の製造方法。

（３）（１）または（２）において、前記第１領域は、前記第２領域を挟んで配置される分布帰還型半導体レーザ素子の製造方法。

（４）（１）または（２）において、前記第２領域は、前記第１領域を挟んで配置される分布帰還型半導体レーザ素子の製造方法。

（５）（１）または（２）において、前記第１回折格子層と前記第２回折格子層を同一の材料で形成する分布帰還型半導体レーザ素子の製造方法。

（６）（５）において、前記第１回折格子層と前記第２回折格子層を同一の膜厚で形成する分布帰還型半導体レーザ素子の製造方法。

（７）（１）または（２）において、前記第２領域は、位相シフト領域である分布帰還型半導体レーザ素子の製造方法。

（８）第１導電型の半導体基板の主面上に形成された活性層と、前記活性層の上層に形成された第１回折格子層と、前記第１回折格子層の上層に形成された第２回折格子層と、を備え、前記活性層と前記第１回折格子層とを含んで構成されるレーザ共振器内の第１領域および第２領域には、前記レーザ共振器の共振器長方向に沿って周期的な回折格子が形成され、前記第１領域と前記第２領域の伝搬定数の差（Δβ）と、前記共振器長方向に沿った前記第２領域の長さ（Ｌｓ）との間に、０．４π＜Δβ・Ｌｓ＜０．６πなる関係を有する分布帰還型半導体レーザ素子であって、前記第１領域が、前記第１回折格子層で構成された第１回折格子を備え、前記第２領域が、回折格子が形成されていない前記第１回折格子層の上に前記第２回折格子層で構成された第２回折格子を備えることを特徴とする請求項７に記載の分布帰還型半導体レーザ素子。

（９）（８）において、前記第１領域における第１回折格子層の上層は、前記第２回折格子層の上層と同じ材料の層が形成されている分布帰還型半導体レーザ素子。

（１０）（８）において、前記第１領域を、前記第２領域を挟んで配置する分布帰還型半導体レーザ素子。

（１１）（１０）において、前記第１領域は、前記半導体基板の端部近傍まで配置されている分布帰還型半導体レーザ素子。

（１２）（８）において、前記第２領域は、前記第１領域を挟んで配置されている分布帰還型半導体レーザ素子。

（１３）（１２）において、前記第２領域は、前記半導体基板の端部近傍まで配置されている分布帰還型半導体レーザ素子。

（１４）（８）において、前記第１回折格子層と前記第２回折格子層は、同一の材料である分布帰還型半導体レーザ素子。

（１５）（８）において、前記第１回折格子層と前記第２回折格子層は、同一の膜厚である分布帰還型半導体レーザ素子。

本願において開示される発明のうち、代表的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば以下のとおりである。

回折格子形成領域と位相シフト領域の相対的な伝搬定数差（Δβ）の変動を抑制することができる。また、位相シフト領域に回折格子を形成しない場合に比べて、位相シフト領域内の温度やキャリア密度の変動による位相シフト量の変動も抑制される。これにより、位相シフト量の変動が少ないλ／４位相シフト分布帰還型半導体レーザ素子を製造することができる。

以下、本発明の実施例を図面に基づいて詳細に説明する。なお、実施例を説明するための全図において、同一の機能を有する部材には同一の符号を付し、その繰り返しの説明は省略する。また、以下の実施例では、特に必要なときを除き、同一または同様な部分の説明を原則として繰り返さない。

（実施例１）
本実施例は、波長１．３μｍ帯のλ／４位相シフト分布帰還型半導体レーザ素子の製造に適用したものである。以下、図１〜図６を参照しながら、この半導体レーザ素子の製造方法を説明する。

まず、図１に示すように、ｎ型ＩｎＰからなる面方位（１００）の半導体基板１の主面上に有機金属気相成長法を用いてｎ型ＩｎＰからなるバッファ層２を形成した後、バッファ層２の上部に活性層３を形成する。活性層３は、例えばｎ型ＩｎＧａＡｌＡｓからなる光閉じ込め層と、ＩｎＧａＡｌＡｓからなる歪多重量子井戸層と、ｐ型ＩｎＧａＡｌＡｓからなる光閉じ込め層とからなる積層構造で構成する。続いて、活性層３の上部にｐ型ＩｎＰからなる第１クラッド層４を形成した後、第１クラッド層４の上部にアンドープＩｎＧａＡｓＰからなる第１回折格子層５を形成する。

次に、図２に示すように、第１回折格子層５の上部にｐ型ＩｎＰからなるスペーサ層６を形成した後、スペーサ層６の上部にアンドープＩｎＧａＡｓＰからなる第２回折格子層７を形成し、続いて第２回折格子層７の上部にｐ型ＩｎＰからなるキャップ層８を形成する。

上記キャップ層８は、下層のスペーサ層６と同一の条件で形成し、膜厚も同一とすることが望ましい。また、第２回折格子層７は、下層の第１回折格子層５と同一の条件で形成し、膜厚も同一とすることが望ましい。これは、第１回折格子層５とスペーサ層６とからなる積層構造の上部に、第１回折格子層５とスペーサ層６とからなる積層構造をもう一回形成したことと等価であることを意味する。

次に、図３に示すように、フォトリソグラフィと選択的ウェットエッチングにより、半導体基板１の両端近傍（回折格子形成領域）のキャップ層８および第２回折格子層７を除去し、半導体基板１の中央近傍（位相シフト領域）にキャップ層８および第２回折格子層７を残す。この結果、回折格子形成領域の表面（スペーサ層６／第１回折格子層５）と位相シフト領域の表面（キャップ層８／第２回折格子層７）は、実質的に同一の構造となる。

次に、図４に示すように、干渉露光法とウェットエッチングを用いて半導体基板１の上面全域に凹凸状の回折格子９を形成する。回折格子９の深さは、例えば約８０ｎｍ、周期は２４１ｎｍとする。また、位相シフト領域では回折格子９が第２回折格子層７を貫通してスペーサ層６に達するようにし、回折格子形成領域では回折格子９が第１回折格子層５を貫通して第１クラッド層４に達するようにする。

この結果、回折格子形成領域の第１回折格子層５には回折格子９が形成され、位相シフト領域の第１回折格子層５には回折格子９が形成されないような部分回折格子構造が得られる。ここで、回折格子９が存在する領域と回折格子９が存在しない領域とでは、光波の伝搬定数が僅かに異なる。そこで、これら２種類の領域の伝搬定数差（Δβ）と位相シフト領域の共振器長方向の長さ（Ｌｓ）とが、０．４π＜Δβ・Ｌｓ＜０．６πなる関係を満たすように構成することにより、等価的なλ／４位相シフト型回折格子を実現することができる。

また、本実施例では、回折格子９を形成する工程の直前において、回折格子形成領域の表面（スペーサ層６／第１回折格子層５）と位相シフト領域の表面（キャップ層８／第２回折格子層７）とが異なる層ではあるが、実質的に同一の構造となっている。従って、回折格子９を形成するためのエッチング工程では、回折格子形成領域の表面と位相シフト領域の表面が同程度にエッチングされるので、これら２種類の領域の間の相対的な伝搬定数差（Δβ）は、ほとんど変動しない。

また、本実施例では、回折格子形成領域における活性層３と回折格子９との距離よりも上層に離れた位置ではあるが、位相シフト領域の表面にも回折格子９が形成されるので、位相シフト領域に回折格子９を形成しない従来技術に比べて、位相シフト領域内の温度やキャリア密度の変動による位相シフト量の変動も抑制される。

次に、図５に示すように、回折格子９の上部に有機金属気相成長法を用いてｐ型ＩｎＰからなる第２クラッド層１０を形成することにより、回折格子９をクラッド層（第１クラッド層４および第２クラッド層１０）の内部に埋め込む。

次に、図６に示すように、半導体基板１の表面と裏面に上部電極１１と下部電極１２を形成し、続いて、半導体基板１を劈開して素子長４００μｍの素子に切り出した後、素子の両端面に反射率約１％の低反射膜１３を例えばスパッタリング法により形成する。

このように、本実施例の製造方法によれば、回折格子形成領域と位相シフト領域の相対的な伝搬定数差（Δβ）の変動を抑制することができるので、位相シフト量の変動が少ないλ／４位相シフト分布帰還型半導体レーザ素子を製造することができる。

（実施例２）
実施例１では、レーザ共振器の中央近傍に位相シフト領域を設け、その両側に回折格子形成領域を設けたが、本実施例では、レーザ共振器の中央近傍に回折格子形成領域を設け、その両側に位相シフト領域を設ける。

まず、図７に示すように、実施例１の図１および図２で説明した工程に従い、半導体基板１の主面上にバッファ層２、活性層３、第１クラッド層４、第１回折格子層５、スペーサ層６、第２回折格子層７およびキャップ層８をこの順に形成する。各層の膜厚は実施例１と同じでよい。

次に、図８に示すように、フォトリソグラフィと選択的ウェットエッチングにより、半導体基板１の中央近傍（回折格子形成領域）のキャップ層８および第２回折格子層７を除去し、半導体基板１の両端近傍（位相シフト領域）にキャップ層８および第２回折格子層７を残す。この結果、回折格子形成領域の表面（スペーサ層６／第１回折格子層５）と位相シフト領域の表面（キャップ層８／第２回折格子層７）は、実質的に同一の構造となる。

次に、図９に示すように、干渉露光法とウェットエッチングを用いて半導体基板１の上面全域に凹凸状の回折格子９を形成する。回折格子９の深さは、例えば約８０ｎｍ、周期は２４１ｎｍとする。また、位相シフト領域では回折格子９が第２回折格子層７を貫通してスペーサ層６に達するようにし、回折格子形成領域では回折格子９が第１回折格子層５を貫通して第１クラッド層４に達するようにする。

また、本実施例では、回折格子９を形成する工程の直前において、回折格子形成領域の表面（スペーサ層６／第１回折格子層５）と位相シフト領域の表面（キャップ層８／第２回折格子層７）とが実質的に同一の構造となっている。従って、回折格子９を形成するためのエッチング工程では、回折格子形成領域の表面と位相シフト領域の表面が同程度にエッチングされるので、これら２種類の領域の間の相対的な伝搬定数差（Δβ）は、ほとんど変動しない。

また、本実施例では、位相シフト領域の表面にも回折格子９が形成されるので、位相シフト領域に回折格子９を形成しない従来技術に比べて、位相シフト領域内の温度やキャリア密度の変動による位相シフト量の変動も抑制される。

次に、図１０に示すように、回折格子９の上部に有機金属気相成長法を用いてｐ型ＩｎＰからなる第２クラッド層１０を形成することにより、回折格子９をクラッド層（第１クラッド層４および第２クラッド層１０）の内部に埋め込む。

次に、図１１に示すように、半導体基板１の表面と裏面に上部電極１１と下部電極１２を形成し、続いて、半導体基板１を劈開して素子長４００μｍの素子に切り出した後、素子の両端面に反射率約１％の低反射膜１３を例えばスパッタリング法により形成する。

このように、本実施例の製造方法によれば、回折格子形成領域と位相シフト領域の相対的な伝搬定数差（Δβ）の変動を抑制することができるので、実施例１と同様、位相シフト量の変動が少ないλ／４位相シフト分布帰還型半導体レーザ素子を製造することができる。

以上、本発明者によってなされた発明を実施例に基づき具体的に説明したが、本発明は実施例に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能であることはいうまでもない。

実施例１、２では、第２回折格子層７を第１回折格子層５と同一の材料で構成したが、第２回折格子層７は、第１回折格子層５と異種の材料で構成してもよい。また、基板材料、活性層材料、発振波長などは、実施例１、２で示した例に限定されるものではない。

本発明は、分布帰還型半導体レーザ素子に適用することができる。

本発明の実施例１であるλ／４位相シフト分布帰還型半導体レーザ素子の製造方法を示す半導体基板の要部断面図である。図１に続くλ／４位相シフト分布帰還型半導体レーザ素子の製造方法を示す半導体基板の要部断面図である。図２に続くλ／４位相シフト分布帰還型半導体レーザ素子の製造方法を示す半導体基板の要部断面図である。図３に続くλ／４位相シフト分布帰還型半導体レーザ素子の製造方法を示す半導体基板の要部断面図である。図４に続くλ／４位相シフト分布帰還型半導体レーザ素子の製造方法を示す半導体基板の要部断面図である。図５に続くλ／４位相シフト分布帰還型半導体レーザ素子の製造方法を示す半導体基板の要部断面図である。本発明の実施例２であるλ／４位相シフト分布帰還型半導体レーザ素子の製造方法を示す半導体基板の要部断面図である。図７に続くλ／４位相シフト分布帰還型半導体レーザ素子の製造方法を示す半導体基板の要部断面図である。図８に続くλ／４位相シフト分布帰還型半導体レーザ素子の製造方法を示す半導体基板の要部断面図である。図９に続くλ／４位相シフト分布帰還型半導体レーザ素子の製造方法を示す半導体基板の要部断面図である。図１０に続くλ／４位相シフト分布帰還型半導体レーザ素子の製造方法を示す半導体基板の要部断面図である。

符号の説明

１半導体基板
２バッファ層
３活性層
４第１クラッド層
５第１回折格子層
６スペーサ層
７第２回折格子層
８キャップ層
９回折格子
１０第２クラッド層
１１上部電極
１２下部電極
１３低反射膜

Claims

第１導電型の半導体基板の主面上に形成された、光を発生する活性層と、
前記活性層の上層に形成された回折格子を有する第１回折格子層とを備え、
光共器長方向に沿って前記回折格子がある領域を第１領域とし、前記第１回折格子層がない領域を第２領域とした場合に、第１領域と第２領域における伝搬定数の差（Δβ）と前記共振器長方向に沿った前記第２領域の長さ（Ｌｓ）との間に０．４π＜Δβ・Ｌｓ＜０．６πなる関係を有する分布帰還型半導体レーザ素子の製造方法であって、
（ａ）第１回折格子層を形成する工程と、
（ｂ）前記（ａ）工程の後、前記第１回折格子層の上層に第２回折格子層を形成する工程と、
（ｃ）前記（ｂ）工程の後、前記第２領域の前記第２回折格子層を除去せずに、前記第１領域の前記第２回折格子層を除去する工程と、
（ｄ）前記（ｃ）工程の後、エッチングにより、前記第１領域の前記第１回折格子層と前記第２領域の第２回折格子層に対して回折格子を形成する工程と、
（ｅ）前記（ｄ）工程の後、前記第１回折格子層および第２回折格子層とは異なる材料で前記回折格子を埋め込む工程と、
を備えることを特徴とする分布帰還型半導体レーザ素子の製造方法。
第１導電型の半導体基板の主面上に光を発生する活性層が形成され、
前記活性層の上部に回折格子層が形成され、
前記活性層と前記回折格子層とを含んで構成されるレーザ共振器内の第１領域および第２領域には、前記レーザ共振器の共振器長方向に沿って周期的な回折格子が形成され、
前記第１領域と前記第２領域の伝搬定数の差（Δβ）と、前記共振器長方向に沿った前記第２領域の長さ（Ｌｓ）との間に、０．４π＜Δβ・Ｌｓ＜０．６πなる関係を有する分布帰還型半導体レーザ素子の製造方法であって、
（ａ）前記半導体基板の主面上に前記活性層を形成する工程と、
（ｂ）前記活性層上の上部に第１回折格子層を形成し、前記第１回折格子層の上部に第２回折格子層を形成する工程と、
（ｃ）前記第１領域の前記第２回折格子層を除去し、前記第２領域に前記第２回折格子層を残す工程と、
（ｄ）前記（ｃ）工程の後、前記第１領域と前記第２領域を同時にエッチングすることで回折格子を形成する工程と、
（ｅ）前記（ｄ）工程の後、前記第１回折格子層および第２回折格子層とは異なる材料で前記回折格子を埋め込む工程と、
を含むことを特徴とする分布帰還型半導体レーザ素子の製造方法。
前記第１領域は、前記第２領域を挟んで配置されることを特徴とする請求項１または２記載の分布帰還型半導体レーザ素子の製造方法。
前記第２領域は、前記第１領域を挟んで配置されることを特徴とする請求項１または２記載の分布帰還型半導体レーザ素子の製造方法。
前記第１回折格子層と前記第２回折格子層を同一の材料で形成することを特徴とする請求項１または２記載の分布帰還型半導体レーザ素子の製造方法。
前記第１回折格子層と前記第２回折格子層を同一の膜厚で形成することを特徴とする請求項５記載の分布帰還型半導体レーザ素子の製造方法。
前記第２領域は、位相シフト領域であることを特徴とする請求項１または２記載の分布帰還型半導体レーザ素子の製造方法。
第１導電型の半導体基板の主面上に形成された活性層と、
前記活性層の上層に形成された第１回折格子層と、
前記第１回折格子層の上層に形成された第２回折格子層と、を備え、
光共器長方向に沿って前記第１回折格子がある領域を第１領域とし、前記第１回折格子がない領域を第２領域とした場合に、前記第１領域と前記第２領域の伝搬定数の差（Δβ）と、前記共振器長方向に沿った前記第２領域の長さ（Ｌｓ）との間に、０．４π＜Δβ・Ｌｓ＜０．６πなる関係を有する分布帰還型半導体レーザ素子であって、
前記第２領域は、回折格子が形成されていない前記第１回折格子層の上に、前記第２回折格子層で構成された第２回折格子を備えることを特徴とする分布帰還型半導体レーザ素子。
前記第１領域における第１回折格子層の上層は、前記第２回折格子層の上層と同じ材料の層が形成されていることを特徴とする請求項８記載の分布帰還型半導体レーザ素子。
前記第１領域は、前記第２領域を挟んで配置されることを特徴とする請求項８記載の分布帰還型半導体レーザ素子。
前記第１領域は、前記半導体基板の端部近傍まで配置されていることを特徴とする請求項１０記載の分布帰還型半導体レーザ素子。
前記第２領域は、前記第１領域を挟んで配置されていることを特徴とする請求項８記載の分布帰還型半導体レーザ素子。
前記第２領域は、前記半導体基板の端部近傍まで配置されていることを特徴とする請求項１２記載の分布帰還型半導体レーザ素子。
前記第１回折格子層と前記第２回折格子層は、同一の材料であることを特徴とする請求項８記載の分布帰還型半導体レーザ素子。
前記第１回折格子層と前記第２回折格子層は、同一の膜厚であることを特徴とする請求項８記載の分布帰還型半導体レーザ素子。