JP2009109704A - 光導波路 - Google Patents
光導波路 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2009109704A JP2009109704A JP2007281383A JP2007281383A JP2009109704A JP 2009109704 A JP2009109704 A JP 2009109704A JP 2007281383 A JP2007281383 A JP 2007281383A JP 2007281383 A JP2007281383 A JP 2007281383A JP 2009109704 A JP2009109704 A JP 2009109704A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- optical waveguide
- shaped curved
- curved optical
- curvature
- curve
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Images
Landscapes
- Optical Integrated Circuits (AREA)
Abstract
【課題】小型で、導波光損失が小さく、簡易に設計でき、かつ、接続点にオフセットのないS字型曲線光導波路を提供すること。
【解決手段】本発明に係るS字型曲線光導波路は、始点と終点とにおける接線方向が平行なS字型曲線光導波路であって、当該S字型曲線光導波路を構成する曲線が、1次関数と三角関数のべき乗の多項式との和で表されるものである。当該S字型曲線光導波路の前記接線方向の長さをL、前記接線に垂直な方向の長さをDとした場合、前記曲線の曲率の絶対値の最大値が、4.5D/(L2+D2)以上、6D/(L2+D2)以下であり、前記曲率の前記接線方向の距離に対する変化率の絶対値の最大値が、4.5π2D/L3以上、9π2D/L3以下であることが好ましい。
【選択図】図1
【解決手段】本発明に係るS字型曲線光導波路は、始点と終点とにおける接線方向が平行なS字型曲線光導波路であって、当該S字型曲線光導波路を構成する曲線が、1次関数と三角関数のべき乗の多項式との和で表されるものである。当該S字型曲線光導波路の前記接線方向の長さをL、前記接線に垂直な方向の長さをDとした場合、前記曲線の曲率の絶対値の最大値が、4.5D/(L2+D2)以上、6D/(L2+D2)以下であり、前記曲率の前記接線方向の距離に対する変化率の絶対値の最大値が、4.5π2D/L3以上、9π2D/L3以下であることが好ましい。
【選択図】図1
Description
本発明は、光導波路に関し、例えば、光デバイスに用いられるS字型曲線光導波路に関する。
光ファイバー通信においては、波長分割多重方式(WDM:Wavelength Division Multiplex)により伝送容量の拡大が図られてきた。さらに、その限界を突破する手段として、近年、位相変調による多値化技術の開発が活発に行われている。この技術では、複数のマッハ・ツェンダー変調器が用いられる。現在主流のマッハ・ツェンダー変調器は、ニオブ酸リチウム(LiNbO3)系であり、大型で集積化が困難である。一方、InP系マッハ・ツェンダー変調器は、小型でモノリシック集積が可能なため、今後の進展が期待されている。
モノリシックに複数のマッハ・ツェンダー変調器を集積する場合、マッハ・ツェンダー変調器と合分波器の間に、かなり大規模なS字型曲線光導波路を配置する必要がある。この結果、S字型曲線光導波路によりチップサイズが大型化し、コストが増大する。従って、低コスト化のためには、S字型曲線光導波路の小型化が重要である。単純にS字型曲線光導波路の長さを短縮すれば、曲率半径の縮小により光導波路の損失が増大する。そのため、トレードオフを考慮した最適化設計が必要である。
また、WDM光通信では、任意の波長の光を出力できる光源デバイスが必須である。そのため、異なる波長の光を出力する半導体レーザをアレイ集積し、光合波器を設けた波長選択光源の場合、アレイ数の増大とともに、大規模サイズのS字型曲線光導波路が必要となる。この場合も、S字型曲線光導波路の小型化がチップ低コスト化のための鍵となる。
一般に、S字型曲線光導波路は、2つの円弧で構成される。図9に示すように、直線導波路101、円弧導波路102、円弧導波路103、直線導波路104を接続させるが、導波光の強度分布の中心軸105がずれないように接続されることが望まれる。曲がり導波路においては、導波光の強度分布の中心が、円弧の外側に偏心するため、導波光の中心軸105が連続になるためには、導波路の物理的な中心軸は不連続に接続させる必要がある。この不連続量をオフセットと呼ぶ。
特許文献1には、このオフセット量を設計するための計算時間を短縮する方法が記載されているが、それでもなお、設計に時間を要する。また、例えば、特許文献2に述べられているように、オフセット量の最適値は、光の波長により異なる。このため、WDM光通信で広帯域の波長範囲を扱う場合、波長によっては光の損失が生じるという問題がある。さらに、埋込み半導体結晶成長を用いた導波路形成方法では、不連続点において異常成長を起こしやすいという問題もある。
このような問題に対しては、オフセットを設けないS字型曲線光導波路が用いられる。曲がり導波路における導波光強度分布の偏心は、導波路の曲率に依存する。ここで、曲率半径Rとすると、曲率は1/Rである。2つの円弧を接続する場合、接続点で曲率が不連続に変化するため、導波光の結合が悪化する。そこで、曲率が連続的に変化するレイズドサインカーブなどのS字曲線導波路が広く用いられている。
S字型曲線光導波路の損失は曲率が大きいほど増加する。図10に示すように、このS字型曲線光導波路を記述するために座標系(z,x)を導入する。z座標は、S字型曲線光導波路の始点、終点の接線方向に平行な方向とし、x座標はそれと垂直な方向とする。S字型曲線光導波路のz方向のサイズ、x方向のサイズを、それぞれ、L、Dとする。
S字型曲線光導波路を2個の円弧で構成する場合、その曲率半径RはR=(L2+D2)/(4D)と表される。Rを用いると、この曲線の関数は、次式で表される。
円弧の場合、z=0、z=L/2、z=Lにおいて、曲率が不連続に変化し、それぞれ、0から1/R、1/Rから−1/R、−1/Rから0へと不連続に変化する。
これに対し、曲率が連続的に変化する曲線としてレイズドサインカーブがよく用いられる。この曲線の関数は、次式で表される。
この曲線は、曲率の不連続点がないため光損失が抑えられ、波長選択光源のS字型曲線光導波路に適用することができる。
また、z=L/2の曲率不連続のみを回避したコサインカーブも使用される場合がある。この曲線の関数は、次式で表される。
この曲線は、S字型曲線光導波路の両端に合分波器などがあって、オフセットを許容する場合に用いられる。そのため、使用される局面は限られている。
ところで、S字型曲線光導波路の一方にY分岐を接続するために、片方にのみオフセットがある方が好都合な場合もある(特許文献2〜5参照)。
上記レイズドサインカーブは、円弧で構成されたS字型曲線光導波路のように曲率の不連続点がないため、導波光の損失を低減できる。また、S字型曲線光導波路のサイズLとDが与えられれば決定され、初等関数のみにより簡単に座標計算を行うことができる。そのため、S字型曲線光導波路を小区間に分割し、数値計算により損失の最適化を行う方法(例えば、特許文献6〜8、非特許文献1、2参照)に比べ、設計時間、レイアウト作成時間を大幅に短縮できる。
特開平11−109160号公報
特開2004−302143号公報
特開2004−302151号公報
特開2005−208445号公報
特開2005−208446号公報
特開2003−279768号公報
特開2006−78570号公報
特開2006−201298号公報
F. J. Mustieles、外2名、「Theoretical S-Bend Profile for Optimization of Optical Waveguide Radiation Losses」、IEEE Phton. Technol. Lett.、1993年5月、vol.5、p.551-553
Z. Lambak、外7名、「Analysis of S-Bend Optical Waveguides by the Method of Lines」、International RF and Microwave Conference Proceedings、2006年9月、p.439-443
しかしながら、レイズドサインカーブは、同じLとDを有する円弧で構成されたS字型曲線光導波路に比べ曲率の最大値が大きい。曲がり導波路の損失は、曲率が増加するにつれて指数関数的に損失が増大する。そのため、全長が長いS字型曲線光導波路の場合、レイズドサインカーブの中で曲率が平均曲率を上回っている区間も長くなり、全体の損失が大きくなるという問題が発生する。
一方、S字型曲線光導波路の平均曲率を下げると、損失は低減するが、長さが長くなる。そのため、上述の通り、チップサイズの大型化により、製造コストが上昇するという問題が発生する。
本発明は、小型で、導波光損失が小さく、簡易に設計でき、かつ、接続点にオフセットのないS字型曲線光導波路を提供することを目的とする。
本発明に係るS字型曲線光導波路は、始点と終点とにおける接線方向が平行なS字型曲線光導波路であって、当該S字型曲線光導波路を構成する曲線が、1次関数と三角関数のべき乗の多項式との和で表されるものである。
本発明によれば、小型で、導波光損失が小さく、簡易に設計でき、かつ、接続点にオフセットのないS字型曲線光導波路を提供することができる。
以下、本発明を適用した具体的な実施の形態について、詳細に説明する。ただし、本発明が以下の実施の形態に限定される訳ではない。また、説明を明確にするため、以下の記載及び図面は、適宜、簡略化されている。
第1の実施の形態
図1は、複数の異なる発振波長を有する分布帰還型半導体レーザ(以下、DFB−LDという。)のアレイと、半導体光増幅器(以下、SOAという。)を集積したアレイ型波長選択光源の上面図である。すなわち、本発明に係るS字型曲線光導波路をアレイ型波長選択光源に適用した例である。アレイ型波長選択光源は、DFB−LD1、S字型曲線光導波路2、合波器3、SOA4を備える。ここで、S字型曲線光導波路2は、DFB−LD1と合波器3を接続するために用いられる。そして、DFB−LD1から出力されたレーザ光は、S字導波路2を導波し合波器3により合波され、SOA4によって増幅されて前端面から出射される。ここで、S字型曲線光導波路2の始点と終点とにおける接線方向は平行である。
例えば、DFB−LDのピッチが40μm、合波器の入力ポート間隔が5μm、アレイ本数が5の場合、最も外側のDFB−LDに対して、DFB−LDの導波路方向と垂直にD=70μmシフトさせるS字型曲線光導波路が必要となる。
DFB−LD1、S字型曲線光導波路2、合波器3、SOA4は、InP基板上に形成されている。DFB−LD1、S字型曲線光導波路2、合波器3、SOA4の導波路のコア層は、いずれも、井戸層、障壁層とも化合物半導体四元混晶のInGaAsPからなる(以下、InGaAsP系という。)多重量子井戸層である。埋込み成長により、コア層はInP層によって囲まれている。コア層の全層厚は領域によって異なり、S字型曲線光導波路2において0.23μmである。また、導波路と両側のInPとの等価屈折率差は約0.6%である。
曲がり導波路の単位長さ当たりの損失は、曲率半径に依存する。上述の導波路の場合、曲率半径はおおよそ750μm以上必要である。一方、S字型曲線光導波路が大きくなればチップ面積が拡大しチップコストが増加する。そのため、不必要にS字型曲線光導波路を長くすべきではない。本実施の形態では、以下に詳述するように、一番外側のS字型曲線光導波路の曲率半径がおおよそ750μmとなるように長さを決定し、L=452.88μmとした。
ここで、曲線の種類により、S字型曲線光導波路の曲率の変化がどのように異なるかについて説明する。S字型曲線光導波路の垂直方向のサイズDは70μmとする。また、円弧のS字型曲線光導波路の曲率半径をR=750μmとする。関係式R=(L2+D2)/(4D)からL=452.88μmである。このLとDの値を固定して、[数2]、[数3]、[数4]で表される、円弧、レイズドサイン、コサインの曲線に加え、次に示す[数5]〜[数8]で表される曲線も考察する。
便宜上、[数5]、[数7]、[数8]は、sin3次、sin5次、sin7次の曲線と称す。また、[数6]は、sin3次とsin5次の平均と称し、グラフ中では、sin3次+sin5次と表記する。
これらの曲線の曲率が、zに対してどのように変化しているかを示したグラフが図2である。円弧とコサインカーブには、曲率の不連続点がある。この不連続点で、導波光のモードがマッチしないため損失が生じる。一方、レイズドサインカーブには曲率の不連続点はないが、いずれの曲線よりも曲率が大きくなる区間が存在する。Lが長くなれば、この区間も長くなり、また、導波光の損失は曲率に対し指数関数的に増加する。そのため、全長の長いS字型曲線光導波路では、この区間の損失が大きく影響する。
sin3次、sin5次、sin7次の曲線は、最大曲率を低減させた曲線である。次数が高くなるほど、最大曲率を抑えることができる。他方、z=0、z=L/2、z=Lにおいて、曲率の変化率が大きくなる。このことは、曲率が不連続であることに似た影響をもたらし、損失の増大につながる。したがって、次数を高くし過ぎるのも良くなく、これを曲率の変化率の最大値により制限する必要がある。
図3は、以上述べた曲線の損失を数値計算して比較したものである。計算方法はビーム伝搬法である。この計算では、コア層はInGaAsP系多重量子井戸構造とInGaAsPガイド層が積層されたものとし、全層厚は0.23μmとしている。コア層の上下はInPによってはさまれている。
図3の横軸は導波路幅であり、導波路の両側はInPによって埋め込まれている。光の波長は1.59μmとした。この波長から少なくとも1.53μmまでは、波長が短いほど損失は低下する。そのため、1.53μmから1.59μmまでの波長範囲をカバーする設計である。
図3の結果から、損失が最も抑えられる曲線は、sin3次とsin5次の平均である。導波路幅2.6μmの場合、オフセットの無い円弧の損失は0.98dB、レイズドサインは0.61dB、コサインは0.59dBである。これらに対し、sin3次とsin5次の平均は0.45dBであり、損失が改善されている。
sin3次、sin3次とsin5次の平均、sin5次、sin7次の曲線は、円弧、レイズドサイン、コサインの曲線よりも優れており、これは、曲率の絶対値の最大値と曲率の変化率の絶対値の最大値が抑えられているためである。ただし、曲率の絶対値の最大値と曲率の変化率の絶対値の最大値の両方ともが0に近づけば、単なる直線になる。これらの値はLとDにより束縛されて、ある程度以上には小さくすることができない。
図4に、曲率の絶対値の最大値と曲率の変化率の絶対値の最大値に対して、図3に示した導波路幅2.6μmでの損失がどのように変化するかを示した。円弧とコサインカーブは、曲率の変化率の最大値が無限大であるとしてプロットした。これより、曲率の絶対値の最大値と曲率の変化率の絶対値の最大値の望ましい範囲は、おおむね図2、図4に示されているように、それぞれ、4.5D/(L2+D2)以上6D/(L2+D2)以下、4.5π2D/L3以上9π2D/L3以下である。
次に、図1に示したアレイ型波長選択光源の製造方法を説明する。まず、InP基板上にInGaAsPガイド層とInGaAsP系多重量子井戸構造を結晶成長する。この時、S字型曲線光導波路2の領域では、DFB−LD1及びSOA4の領域より、禁制帯幅の大きい半導体層とする。
次に、ドライエッチングにより、それぞれの領域で導波路幅分を残すメサエッチングを行う。S字型曲線光導波路2の導波路幅は2.6μmとする。S字型曲線光導波路2の曲線形状は[数6]に従うものであり、初等関数で表されているので、導波路形成露光に必要となるレチクルのデータは、表計算ソフト等で容易に作成することができる。
エッチング後、導波路の両脇はInPで埋込み成長を行う。最後に、DFB−LD1、SOA4上に電極を配置してアレイ型波長選択光源を得る。
第2の実施の形態
第1の実施の形態では、本発明に係るS字型曲線光導波路をアレイ型波長選択光源に適用したが、第2の実施の形態では、本発明に係るS字型曲線光導波路をInGaAsP系マッハ・ツェンダー変調器に適用する。図5は、第2の実施の形態に係るS字型曲線光導波路を適用したInGaAsP系マッハ・ツェンダー変調器の上面図である。
第1の実施の形態では、本発明に係るS字型曲線光導波路をアレイ型波長選択光源に適用したが、第2の実施の形態では、本発明に係るS字型曲線光導波路をInGaAsP系マッハ・ツェンダー変調器に適用する。図5は、第2の実施の形態に係るS字型曲線光導波路を適用したInGaAsP系マッハ・ツェンダー変調器の上面図である。
本第2の実施の形態では、モノリシックに2個並列集積されたマッハ・ツェンダー変調器を示している。これは、DQPSK(Differential Quadrature Phase Shift Keying)変調方式の光通信で必要とされるデバイスである。この中の1個のマッハ・ツェンダー変調器は、分波器5、2本のS字型曲線光導波路6、2個の位相シフト領域7、2本のS字型曲線光導波路8と、合波器9で構成される。
2個のマッハ・ツェンダー変調器は、前段に分波器10とS字型曲線光導波路11、後段にS字型曲線光導波路12と合波器13を配置することにより、並列接続される。位相シフト領域7は進行波型電極により電圧信号が印加されるが、信号の干渉を回避するために、各位相シフト領域は、おおむね50μm以上離すことが望まれる。このため、S字型曲線光導波路11とS字型曲線光導波路12の進行方向に垂直なサイズDは100μm以上となる。
このような大規模サイズのS字型曲線光導波路にレイズドサインカーブを適用すると、最大曲率となる点の前後区間の影響が大きいため損失が増大する。これに対し、最大曲率を抑えた[数6]で表されるsin3次とsin5次の平均の曲線を採用すれば、損失を大きく低減できるという格別な効果を奏する。
図6、図7、図8に、各々Dが10μm、20μm、50μmでの損失の変化を、ビーム伝搬法により計算した結果を示す。コア層はInGaAsP系多重量子井戸構造とし、井戸層数は16、コア層厚は0.3774μmとしている。導波路幅は1.3μmであり、両側はInP層で埋め込まれている。光の波長は1.55μmとした。
D=10μmでは、レイズドサインカーブに不利な大きな曲率の区間が短いため、レイズドサインがsin3次とsin5次の平均よりも優れている。しかし、D=20μmにおいて逆転し、D=50μmではsin3次とsin5次の平均の方が損失を低減できる。D=10〜50μmの計算結果から、D=100μm以上のサイズではsin3次とsin5次の平均の優位性がより大きくなると考えられる。集積度を高めると、さらに大きなDが必要とされるので、レイズドサインからの改善効果はますます大きくなると考えられる。
さらに、詳細な最適化を行う場合は、Dに応じて、使用する曲線形状を、sin3次、sin3次とsin5次の平均、sin5次、sin7次と変更していくのが望ましい。これらの曲線は[数5]、[数6]、[数7]、[数8]に示すように1次関数と三角関数のべき乗の多項式で表されるので、レチクル用の座標データを生成するための時間は、レイズドサインカーブと比べて遜色のない程度のものである。これは、S字型曲線光導波路を小区間に分割し数値計算により曲線形状を決定する方法に比べ、座標データの生成時間を大幅に短縮できる。
以上説明したように、本発明により、円弧形状を数値計算によらず初等関数のみにより決定しながら、レイズドサインカーブより最大曲率を抑えた曲線にすることにより、損失の低減を実現したS字型曲線光導波路を提供することができる。また、レイズドサインカーブ、オフセットの無い円弧、コサインカーブなどと同等の損失に設計した場合、小型化、低コスト化を実現したS字型曲線光導波路を提供することができる。
1 DFB−LD
2 S字型曲線光導波路
3 合波器
4 SOA
5 分波器
6 S字型曲線光導波路
7 位相シフト領域
8 S字型曲線光導波路
9、13 合波器
10 分波器
11、12 S字型曲線光導波路
101、104 直線導波路
102、103 円弧導波路
105 中心軸
2 S字型曲線光導波路
3 合波器
4 SOA
5 分波器
6 S字型曲線光導波路
7 位相シフト領域
8 S字型曲線光導波路
9、13 合波器
10 分波器
11、12 S字型曲線光導波路
101、104 直線導波路
102、103 円弧導波路
105 中心軸
Claims (5)
- 始点と終点とにおける接線方向が平行なS字型曲線光導波路であって、
当該S字型曲線光導波路を構成する曲線が、1次関数と三角関数のべき乗の多項式との和で表されるS字型曲線光導波路。 - 当該S字型曲線光導波路の前記接線方向の長さをL、前記接線に垂直な方向の長さをDとした場合、
前記曲線の曲率の絶対値の最大値が、4.5D/(L2+D2)以上、6D/(L2+D2)以下であり、
前記曲率の前記接線方向の距離に対する変化率の絶対値の最大値が、4.5π2D/L3以上、9π2D/L3以下であることを特徴とする請求項1に記載のS字型曲線光導波路。 - 前記のtが1/2であることを特徴とする請求項3に記載のS字型曲線光導波路。
- 前記Dが20μm以上であることを特徴とする請求項3又は4に記載のS字型曲線光導波路。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2007281383A JP2009109704A (ja) | 2007-10-30 | 2007-10-30 | 光導波路 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2007281383A JP2009109704A (ja) | 2007-10-30 | 2007-10-30 | 光導波路 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2009109704A true JP2009109704A (ja) | 2009-05-21 |
Family
ID=40778258
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2007281383A Pending JP2009109704A (ja) | 2007-10-30 | 2007-10-30 | 光導波路 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2009109704A (ja) |
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2012013886A (ja) * | 2010-06-30 | 2012-01-19 | Fujitsu Ltd | 光導波路素子、光ハイブリッド回路及び光受信機 |
CN103633555A (zh) * | 2012-08-22 | 2014-03-12 | 三菱电机株式会社 | 光半导体装置 |
JP2017138554A (ja) * | 2016-02-05 | 2017-08-10 | 三菱電機株式会社 | アレイ型光導波路、および半導体光集積素子 |
JP2020030333A (ja) * | 2018-08-23 | 2020-02-27 | 住友電工デバイス・イノベーション株式会社 | 光90°ハイブリッド素子 |
WO2024080380A1 (ja) * | 2022-10-14 | 2024-04-18 | セーレンKst株式会社 | 合成光生成装置 |
-
2007
- 2007-10-30 JP JP2007281383A patent/JP2009109704A/ja active Pending
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2012013886A (ja) * | 2010-06-30 | 2012-01-19 | Fujitsu Ltd | 光導波路素子、光ハイブリッド回路及び光受信機 |
CN103633555A (zh) * | 2012-08-22 | 2014-03-12 | 三菱电机株式会社 | 光半导体装置 |
JP2017138554A (ja) * | 2016-02-05 | 2017-08-10 | 三菱電機株式会社 | アレイ型光導波路、および半導体光集積素子 |
JP2020030333A (ja) * | 2018-08-23 | 2020-02-27 | 住友電工デバイス・イノベーション株式会社 | 光90°ハイブリッド素子 |
WO2024080380A1 (ja) * | 2022-10-14 | 2024-04-18 | セーレンKst株式会社 | 合成光生成装置 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5082414B2 (ja) | 光半導体装置および光導波路装置 | |
JP5811273B2 (ja) | 光素子、光送信素子、光受信素子、ハイブリッドレーザ、光送信装置 | |
JP4942429B2 (ja) | 半導体波長可変レーザ | |
US8358885B2 (en) | Optical semiconductor device, manufacturing method thereof and optical transmission device | |
US9874692B2 (en) | Substrate-type optical waveguide element and method for producing substrate-type optical waveguide element | |
JP6490705B2 (ja) | 半導体光集積素子およびその製造方法 | |
JP2007072433A (ja) | 光集積素子及び光制御素子 | |
CN113777708B (zh) | 模变换器 | |
JP5374882B2 (ja) | 光デバイス | |
JP2006323135A (ja) | 多モード干渉型光導波路 | |
US20200280171A1 (en) | Single-facet, variable-confinement optical waveguide amplifier | |
JP4406023B2 (ja) | 光集積素子 | |
JP5005775B2 (ja) | 多モード干渉型光導波路の製造方法 | |
JP2009109704A (ja) | 光導波路 | |
US20110064360A1 (en) | Optical semiconductor element and method for manufacturing the same | |
JPWO2012074134A1 (ja) | 光分岐素子、光分岐素子を用いた光導波路デバイス、並びに光分岐素子の製造方法、光導波路デバイスの製造方法 | |
JP5275634B2 (ja) | 光集積素子および光集積素子の製造方法 | |
EP1959278A1 (en) | Semiconductor integrated optical element | |
JP5306869B2 (ja) | 光集積回路 | |
JP2013137360A (ja) | 光合分波素子およびマッハツェンダ型光変調器 | |
JP2012069799A (ja) | 半導体光導波路素子およびその製造方法 | |
JP2007328257A (ja) | 光導波路、光デバイスおよび光導波路の製造方法 | |
JP2016018894A (ja) | 集積半導体光素子 | |
US10725241B2 (en) | Asymmetrical spot-size converter and method of manufacturing spot-size converter | |
JPWO2005060058A1 (ja) | 半導体レーザーおよびその製造方法 |