JP2007242847A - キャパシタおよびその製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】本発明に係るキャパシタ100の製造方法は,第1導電層の上方に誘電体層5を形成する工程と、誘電体層の上方に第2導電層60を形成する工程と、少なくとも第2導電層および誘電体層をパターニングする工程と、第1導電層および第2導電層のうちの少なくとも一方の露出している表面に対して、酸化性ガスを用いたプラズマ処理を行って酸化物層42,62を形成する工程と、少なくとも誘電体層を被覆するように酸化物からなる保護層16を形成する工程と、を含み、保護層は,酸化物層のうちの少なくとも一部に接するように形成される。
【選択図】図7
Description
第1導電層の上方に誘電体層を形成する工程と、
前記誘電体層の上方に第2導電層を形成する工程と、
少なくとも前記第2導電層および前記誘電体層をパターニングする工程と、
前記第1導電層および前記第2導電層のうちの少なくとも一方の露出している表面に対して、酸化性ガスを用いたプラズマ処理を行って酸化物層を形成する工程と、
少なくとも前記誘電体層を被覆するように酸化物からなる保護層を形成する工程と、を含み、
前記保護層は、前記酸化物層のうちの少なくとも一部に接するように形成される。
前記酸化性ガスは、酸素ガスまたは一酸化二窒素ガスであることができる。
前記酸化物層は、貴金属の酸化物からなるように形成されることができる。
前記プラズマ処理は、2周波プラズマ法を用いて行われることができる。
前記保護層を構成する酸化物は、酸化シリコンであり、
前記酸化シリコンは、トリメトキシシランを用いて形成されることができる。
第1領域および第2領域を有する第1導電層と、
前記第1導電層の前記第1領域の上方に形成された第1酸化物層と、
前記第1導電層の前記第2領域の上方に形成された誘電体層と、
前記誘電体層の上方に形成された第2導電層と、
少なくとも前記誘電体層を被覆し、酸化物からなる保護層と、を含み、
前記保護層は、前記第1酸化物層のうちの少なくとも一部に接している。
前記第1導電層の前記第2領域の上方であって、前記誘電体層の下方に形成された第2酸化物層を有し、
前記第2酸化物層の膜厚は、前記第1酸化物層の膜厚よりも厚いことができる。
前記第2導電層を被覆する第3酸化物層を有し、
前記保護層は、前記第3酸化物層のうちの少なくとも一部に接していることができる。
Claims (8)
- 第1導電層の上方に誘電体層を形成する工程と、
前記誘電体層の上方に第2導電層を形成する工程と、
少なくとも前記第2導電層および前記誘電体層をパターニングする工程と、
前記第1導電層および前記第2導電層のうちの少なくとも一方の露出している表面に対して、酸化性ガスを用いたプラズマ処理を行って酸化物層を形成する工程と、
少なくとも前記誘電体層を被覆するように酸化物からなる保護層を形成する工程と、を含み、
前記保護層は、前記酸化物層のうちの少なくとも一部に接するように形成される、キャパシタの製造方法。 - 請求項1において、
前記酸化性ガスは、酸素ガスまたは一酸化二窒素ガスである、キャパシタの製造方法。 - 請求項1または2において、
前記酸化物層は、貴金属の酸化物からなるように形成される、キャパシタの製造方法。 - 請求項1乃至3のいずれかにおいて、
前記プラズマ処理は、2周波プラズマ法を用いて行われる、キャパシタの製造方法。 - 請求項1乃至4のいずれかにおいて、
前記保護層を構成する酸化物は、酸化シリコンであり、
前記酸化シリコンは、トリメトキシシランを用いて形成される、キャパシタの製造方法。 - 第1領域および第2領域を有する第1導電層と、
前記第1導電層の前記第1領域の上方に形成された第1酸化物層と、
前記第1導電層の前記第2領域の上方に形成された誘電体層と、
前記誘電体層の上方に形成された第2導電層と、
少なくとも前記誘電体層を被覆し、酸化物からなる保護層と、を含み、
前記保護層は、前記第1酸化物層のうちの少なくとも一部に接している、キャパシタ。 - 請求項6において、
前記第1導電層の前記第2領域の上方であって、前記誘電体層の下方に形成された第2酸化物層を有し、
前記第2酸化物層の膜厚は、前記第1酸化物層の膜厚よりも厚い、キャパシタ。 - 請求項6または7において、
前記第2導電層を被覆する第3酸化物層を有し、
前記保護層は、前記第3酸化物層のうちの少なくとも一部に接している、キャパシタ。
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Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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US8305730B2 (en) | 2007-01-15 | 2012-11-06 | Seiko Epson Corporation | Capacitor and its manufacturing method |
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2006
- 2006-03-08 JP JP2006062488A patent/JP2007242847A/ja not_active Withdrawn
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