JP2002231895A

JP2002231895A - 半導体装置及びその製造方法

Info

Publication number: JP2002231895A
Application number: JP2001030632A
Authority: JP
Inventors: Takahiko Kuroda; 隆彦黒田; Naohiro Ueda; 尚宏上田
Original assignee: Ricoh Co Ltd
Current assignee: Ricoh Co Ltd
Priority date: 2001-02-07
Filing date: 2001-02-07
Publication date: 2002-08-16

Abstract

(57)【要約】【課題】レーザー光線による薄膜抵抗体の切断を安定
して行なえるようにする。【解決手段】半導体基板１上に形成した熱酸化膜３上
に薄膜抵抗体５を形成し、半導体基板１上全面にＢＰＳ
Ｇ／ＮＳＧ積層膜７、プラズマＣＶＤ膜９、有機ＳＯＧ
膜１１、プラズマＣＶＤ膜１３、レジストパターン１９
を形成する（Ａ）。レジストパターン１９をマスクとし
て、ドライエッチングによりＣＶＤ膜１３、ＳＯＧ膜１
１、ＣＶＤ膜９を順にエッチング除去し、続けて積層膜
７の上層部分をエッチング除去してトリミング窓開口部
１５を形成し、薄膜抵抗体５の上面及び側面の一部を露
出させる（Ｂ）。トリメトキシシランを原材料としたプ
ラズマＣＶＤ法により最終保護膜及び薄膜抵抗体保護用
の絶縁膜としての絶縁膜１７を半導体基板１上全面に堆
積させる（Ｃ）。薄膜抵抗体５上の絶縁膜１７の膜厚は
ウエハ内の各薄膜抵抗体５で同じである。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、回路素子が形成さ
れた半導体基板上に絶縁膜を介して薄膜抵抗体（レーザ
ービームの照射により特性値を調節できる抵抗素子）が
形成され、薄膜抵抗体上に存在する薄膜抵抗体保護用の
絶縁膜の膜厚が周囲の絶縁膜より薄く形成されてレーザ
ートリミング用のトリミング窓開口部が形成されてお
り、そのトリミング窓開口部を介して薄膜抵抗体にレー
ザートリミング処理が施されて溶断されることにより半
導体基板上に形成した素子の抵抗値などの特性値が調節
される半導体装置及びその製造方法に関するものであ
る。

【０００２】

【従来の技術】半導体装置を一定の電気的条件下で正常
に動作させるため、半導体装置には電気的抵抗などに関
して所定の規格が設けられている。そして製造過程にお
いて、半導体装置がこのような規格を満たすものである
か否かを判定するため、製造工程が終了に近づいた時点
で半導体装置の機能や性能が検査される。

【０００３】一般には半導体装置が高度に集積されるに
従って所定の規格を外れるものが多くなり、歩留まりが
低下する。しかし、一部の限られた個所に不良が存在す
るからといって高度に集積された半導体装置をすべて廃
棄していたのでは膨大な無駄が発生する。そこでこのよ
うな無駄を回避するため、一部の半導体装置では薄膜抵
抗体により調整する方法が採られている。

【０００４】すなわち、調整用の薄膜抵抗体を予めいく
つか設けておき、検査の結果に応じてこれらの薄膜抵抗
体を切り離し、特性を規格内に復帰させている。この方
法は規格には入っているが所望する値からは離れている
ため、その値に近づける場合にも有効である。薄膜抵抗
体の切離しに関してはいくつかの方法が提案されている
が、レーザー光線を用いる方法が一般的である。この場
合、波長を１〜２μｍ（マイクロメートル）、波束を１
〜１０μｍにしたレーザー光線を薄膜抵抗体に数秒間照
射することで薄膜抵抗体の切断が可能となる。

【０００５】しかしながら、上記の従来技術においては
次のような問題があった。まず、薄膜抵抗体の切断をレ
ーザー光線により行なうことを可能とするためには、薄
膜抵抗体にレーザー光線のエネルギーが効率よく照射さ
れること、かつ切断時に薄膜抵抗体から発生する高圧ガ
スが外部に効率よく放出されることの両方が必要とな
る。このような照射及び放出を阻害する要因として、絶
縁膜界面によるレーザー光線の反射と、薄膜抵抗体上面
に積層されている絶縁膜の存在が挙げられる。

【０００６】特開平６−３１８６７５号公報に記載のレ
ーザートリミング方法では、レーザー光線の波長をある
特定領域のものに限定することで反射の影響を低減する
ことを目的としている。この場合、その波長は絶縁膜の
膜厚と屈折率から数値計算されるものとしている。しか
し、この方法ではレーザー光線の波長が限定されるた
め、市販の装置では対応できない場合があり、装置の改
造など、本来不要な作業コストが生じてしまう。

【０００７】特開平７−２２５８５号公報に記載の半導
体装置では、薄膜抵抗体上の絶縁膜の構成を２層とし、
上層膜の屈折率を下層膜の屈折率よりも小さくすること
により、反射の影響を低減することを目的としている。
この場合は、レーザー光線としては市販のものを流用で
きるが、薄膜抵抗体上の２層の絶縁膜の構成と屈折率を
細かく制御することが必要になるので、プロセス技術が
複雑になる。さらに、反射の影響は低減できるが、絶縁
膜自体によるレーザー光線の吸収の影響は回避できな
い。

【０００８】特開平９−１２９７３９号公報に記載の半
導体装置では、薄膜抵抗体上面に形成されたパッシベー
ション膜の一部分をエッチング除去して開口部を形成し
ておくことにより、その開口部から薄膜抵抗体の切断時
に発生する高圧ガスを放出させることを目的としてい
る。しかし、絶縁膜自体によるレーザー光線の吸収の影
響は回避できない。

【０００９】薄膜抵抗体上に形成された絶縁膜によるレ
ーザー光線のエネルギーの吸収を低減するために、薄膜
抵抗体上に形成された絶縁膜を選択的にエッチング除去
し、その膜厚を薄くしてレーザー光線が透過しやすいよ
うにする方法（従来例）がある。

【００１０】図４は、半導体装置の製造方法の従来例を
示す工程断面図である。（Ａ）半導体基板１表面に熱酸
化膜３を形成し、熱酸化膜３上の所望の領域に薄膜抵抗
体５を形成する。半導体基板１上全面に層間絶縁膜とし
てのＢＰＳＧ（上層）／ＮＳＧ（下層）積層膜７を堆積
し、その上に第１のメタル配線（図示は省略）を形成す
る。

【００１１】さらに、第１のプラズマＣＶＤ膜（プラズ
マを用いた化学的気相成長法（ＣＶＤ法）により形成さ
れたシリコン酸化膜）９、有機ＳＯＧ膜１１、第２のメ
タル配線（図示は省略）、第２のプラズマＣＶＤ膜１
３、第３のメタル配線（図示は省略）、ＰＳＧ膜２１及
びシリコン窒化膜２３を順に形成する。ＢＰＳＧ／ＮＳ
Ｇ積層膜７、プラズマＣＶＤ膜９、有機ＳＯＧ膜１１及
びプラズマＣＶＤ膜１３は層間絶縁膜を構成し、ＰＳＧ
膜２１及びシリコン窒化膜２３はパッシベーション膜を
構成する。シリコン窒化膜２３上に、薄膜抵抗体５上に
開口部をもつレジストパターン２５を形成する。

【００１２】例えば層間絶縁膜７，９，１１，１３の合
計膜厚が約１０００ｎｍ（ナノメートル）、パッシベー
ション膜１５，１７の合計膜厚が約１０００ｎｍとする
と、薄膜抵抗体５上に存在する絶縁膜の膜厚ｔ₁は約２
０００ｎｍになる。このままではレーザー光線の吸収が
大きく、薄膜抵抗体５を効率よく切断することができな
いので、薄膜抵抗体５上の絶縁膜を以下に説明する工程
（Ｂ）によりエッチングする。

【００１３】（Ｂ）レジストパターン２５をマスクにし
てエッチング処理を施し、薄膜抵抗体５上のシリコン窒
化膜２３、ＰＳＧ膜２１及びプラズマＣＶＤ膜１３をエ
ッチング除去し、続けて有機ＳＯＧ膜１１の上層部及び
プラズマＣＶＤ膜９の上層部をエッチング除去してトリ
ミング窓開口部１５を形成する。その後、レジストパタ
ーン２５を除去する。ここで、薄膜抵抗体５上に残存す
るＢＰＳＧ／ＮＳＧ積層膜７及びプラズマＣＶＤ膜９の
合計膜厚を膜厚ｔ₂とする。

【００１４】図４の工程（Ｂ）でのエッチング処理にお
いてはエッチング量に関して高い精度が要求される。す
なわちエッチング量が少ない場合は薄膜抵抗体５上の絶
縁膜の膜厚ｔ₂が大きくなり、膜厚ｔ₂部分でのレーザー
光線の吸収が大きく、薄膜抵抗体５を効率よく切断する
ことができない。

【００１５】逆にエッチング量が大きい場合は、図５に
示すように、薄膜抵抗体５上のプラズマＣＶＤ膜９及び
ＢＰＳＧ／ＮＳＧ積層膜７がすべて除去されてしまい、
薄膜抵抗体５が露出してしまう。この場合、露出した薄
膜抵抗体５から水分が侵入することにより近隣素子の腐
食及び変質が進行し、ひいては電気回路が誤動作を起こ
すという不具合が発生する。

【００１６】この不具合は最近の半導体装置の傾向であ
る多層配線化及びウエハの大面積化が進むとますます顕
著になる。すなわち多層配線化が進むと、層間絶縁膜成
膜時の膜厚バラツキが積層数だけ重畳されていくので、
エッチング時点での初期膜厚のバラツキ自体が大きくな
ってしまい、エッチング量の設定が困難になってしま
う。また、積層数が増えると薄膜抵抗体５上に堆積され
る絶縁膜の合計膜厚が大きくなるためエッチング量その
ものが大きくなり、制御性が低下するという問題があっ
た。

【００１７】また、ウエハの大面積化が進むとエッチン
グ時点での初期膜厚のバラツキがウエハ内の個所（ポイ
ント）ごとで異なってくる。さらに、エッチング速度も
ウエハ内のポイントごとで異なってくるため、薄膜抵抗
体５上に所定の膜厚の絶縁膜が残るようにエッチングす
ることは極めて困難になる。つまり、ウエハ内のあるポ
イントでは、図４（Ｂ）に示すように、薄膜抵抗体５上
の絶縁膜の膜厚ｔ₂が相対的に厚くなり、他のポイント
では、図６に示すように、薄膜抵抗体５上の絶縁膜の膜
厚ｔ₃が相対的に薄くなる。極端な場合は、図５に示す
ように、薄膜抵抗体５上の絶縁膜が無くなる場合さえあ
る。

【００１８】

【発明が解決しようとする課題】以上のように、レーザ
ー光線での切断を安定して行なうことができる薄膜抵抗
体を備えた半導体装置を製造することは極めて困難な状
況であった。そこで本発明は、レーザー光線での切断を
安定して行なうことができる薄膜抵抗体を備えた半導体
装置及びその製造方法を提供することを目的とするもの
である。

【００１９】

【課題を解決するための手段】本発明にかかる半導体装
置は、回路素子が形成された半導体基板上に絶縁膜を介
して薄膜抵抗体が形成され、薄膜抵抗体上に存在する薄
膜抵抗体保護用の絶縁膜の膜厚が周囲の絶縁膜より薄く
形成されてレーザートリミング用のトリミング窓開口部
が形成されており、そのトリミング窓開口部を介して薄
膜抵抗体にレーザートリミング処理が施される半導体装
置であって、薄膜抵抗体保護用の絶縁膜は、堆積により
形成され、エッチング処理が施されていない絶縁膜によ
り構成されているものである。

【００２０】本発明にかかる半導体装置の製造方法は上
記半導体装置の製造方法であって、半導体装置の製造過
程で薄膜抵抗体上に堆積した絶縁膜を薄膜抵抗体の少な
くとも上面が露出するまで除去してトリミング窓開口部
を形成するトリミング窓開口部形成工程と、トリミング
窓開口部形成工程によって露出した薄膜抵抗体上に薄膜
抵抗体保護用の絶縁膜を堆積する薄膜抵抗体保護工程と
を含み、その後の工程で、トリミング窓開口部内の薄膜
抵抗体保護用の絶縁膜上面にはエッチング処理及び絶縁
膜の形成を行なわないものである。

【００２１】薄膜抵抗体上の薄膜抵抗体保護用の絶縁膜
として、堆積により形成され、エッチング処理が施され
ていない絶縁膜を備えることにより、従来技術では困難
であった、薄膜抵抗体保護用の絶縁膜の膜厚をウエハ面
内の各ポイントで所望の膜厚で均一に得るということを
達成できる。その結果、レーザー光線での薄膜抵抗体の
切断を安定して行なうことができるようになる。

【００２２】

【発明の実施の形態】本発明にかかる半導体装置及びそ
の製造方法において、薄膜抵抗体保護用の絶縁膜は１層
の絶縁膜により構成されていることが好ましい。その結
果、薄膜抵抗体上に複数の絶縁膜を積層する場合に比べ
て、薄膜抵抗体保護用の絶縁膜の膜厚をウエハ面内の各
ポイントでより均一になる。

【００２３】従来技術において、図４（Ａ）及び図６に
示すように、トリミング窓開口部１５内には酸素プラズ
マ耐性に乏しい膜である有機ＳＯＧ膜１１が露出してい
る。さらに図６においては、吸湿性の高い膜であるＢＰ
ＳＧ膜を含むＢＰＳＧ／ＮＳＧ積層膜７が露出してい
る。これらの膜が露出していることは、トリミング窓開
口部内壁の劣化やトリミング窓開口部からの水分の浸入
に起因する半導体装置の信頼性の低下を招く。

【００２４】本発明にかかる半導体装置及びその製造方
法において、薄膜抵抗体保護用の絶縁膜は、半導体装置
全体の最終保護膜であることが好ましい。一般に最終保
護膜として酸素プラズマ耐性及び吸湿に対する耐性の高
い絶縁膜が用いられるので、トリミング窓開口部内壁に
最終保護膜を形成することにより、トリミング窓開口部
内壁の劣化及びトリミング窓開口部からの水分の浸入に
起因する半導体装置の信頼性の低下を抑制することがで
きる。

【００２５】本発明にかかる半導体装置及びその製造方
法において、薄膜抵抗体保護用の絶縁膜の一例はトリメ
トキシシラン（ＴＭＳ）を原材料としたプラズマＣＶＤ
法により成膜されたシリコン酸化膜である。このシリコ
ン酸化膜は酸素プラズマ耐性及び吸湿に対する耐性に優
れたものであり、トリミング窓開口部内壁の劣化及びト
リミング窓開口部からの水分の浸入に起因する半導体装
置の信頼性の低下を抑制することができる。従来のパッ
シベーション膜に使用されているシリコン窒化膜では屈
折率が大きくて、レーザートリミングには適さないが、
ＴＭＳを原材料としたプラズマＣＶＤ法により成膜され
たシリコン酸化膜はシリコン窒化膜よりも屈折率が小さ
いので、薄膜抵抗体保護用の絶縁膜として使用すること
ができる。

【００２６】ＴＭＳを原材料としたプラズマＣＶＤ法に
より成膜されたシリコン酸化膜を薄膜抵抗体保護用の絶
縁膜とする本発明にかかる半導体装置及びその製造方法
の一形態では、薄膜抵抗体保護用の絶縁膜を構成するシ
リコン酸化膜の膜厚は２００〜１０００μｍであること
が好ましい。この膜厚の範囲内であれば、水分の浸入を
防止することができ、薄膜抵抗体へのレーザー光線の照
射を行なうことができる。

【００２７】

【実施例】図１は装置及び製造方法の一実施例を示す工
程断面図である。ただし、以下に示す実施例は本発明を
限定するものではなく、特許請求の範囲に記載された本
発明の範囲内で種々の変更が可能である。図１（Ｃ）を
参照して半導体装置の一実施例を説明する。半導体基板
１表面に素子領域を分離するための熱酸化膜３が形成さ
れている。熱酸化膜３上にポリシリコンからなる薄膜抵
抗体５が形成されている。熱酸化膜３上及び素子領域
（図示は省略）上を覆うＢＰＳＧ／ＮＳＧ積層膜７が形
成されている。ＢＰＳＧ／ＮＳＧ積層膜７において、例
えば上層のＢＰＳＧの膜厚は７００ｎｍ、下層のＮＳＧ
膜の膜厚は１００ｎｍである。

【００２８】ＢＰＳＧ／ＮＳＧ積層膜７上に第１のプラ
ズマＣＶＤ膜９が形成されている。プラズマＣＶＤ膜９
上に、プラズマＣＶＤ膜９上面を平坦化するための有機
ＳＯＧ膜１１が形成されている。プラズマＣＶＤ膜９上
及び有機ＳＯＧ膜１１上に、第２のプラズマＣＶＤ膜１
３が形成されている。

【００２９】薄膜抵抗体５上の、ＢＰＳＧ／ＮＳＧ積層
膜７の上層部分、プラズマＣＶＤ膜９、有機ＳＯＧ膜１
１及びプラズマＣＶＤ膜１３に開口部が形成されて、ト
リミング窓開口部１５が形成されている。薄膜抵抗体５
上、プラズマＣＶＤ膜１３上及びトリミング窓開口部１
５に、パッシベーション膜としての絶縁膜１７が膜厚
Ｔ、例えば２００ｎｍの膜厚で形成されている。後述で
詳しく説明するが、絶縁膜１７はＴＭＳと酸化二窒素
（Ｎ₂Ｏ）を原材料としたプラズマＣＶＤ法により成膜
されたシリコン酸化膜である。薄膜抵抗体５にトリミン
グ処理が施される場合、トリミング窓開口部１５及び絶
縁膜１７を介して薄膜抵抗体５にレーザーが照射され、
薄膜抵抗体５が溶断される。

【００３０】図１を参照して製造方法の一実施例を説明
する。（Ａ）一般的な半導体製造方法により、半導体基板１上
に熱酸化膜３を形成し、半導体基板１上全面にポリシリ
コン膜を５０ｎｍの膜厚で堆積し、そのポリシリコン膜
をパターニングして熱酸化膜３上に線幅２μｍの薄膜抵
抗体５を形成するとともに、素子領域にゲート電極など
のポリシリコンパターン（図示は省略）を形成する。

【００３１】常圧ＣＶＤ法を用いて半導体基板１上全面
にＮＳＧ膜を１００ｎｍの膜厚で堆積し、さらにその上
にＢＰＳＧ膜を７００ｎｍの膜厚で堆積してＢＰＳＧ／
ＮＳＧ積層膜７を形成する。８５０℃、窒素雰囲気下で
熱処理を行ない、ＢＰＳＧ／ＮＳＧ積層膜７の上層を構
成するＢＰＳＧ膜を平坦化させる。ＢＰＳＧ／ＮＳＧ積
層膜７に、その上層に形成される第１のメタル配線と下
層のポリシリコン配線とを接続させるための接続孔を形
成する。その後、ＢＰＳＧ／ＮＳＧ積層膜７上にスパッ
タ法を用いて主にＡｌを主成分とする第１のメタル配線
層を堆積し、そのメタル配線層をパターニングして所望
の第１のメタル配線（図示は省略）のパターンを形成す
る。

【００３２】プラズマＣＶＤ法を用いて、第１のメタル
配線上及びＢＰＳＧ／ＮＳＧ積層膜７上に第１のプラズ
マＣＶＤ膜９を４００ｎｍの膜厚で堆積させる。第１の
メタル配線による段差を平坦化するため、膜厚が４００
ｎｍになるように有機ＳＯＧ膜１１を回転塗布し、窒素
雰囲気下、４００℃の条件で加熱処理を行なう。後工程
で形成する配線接続孔の側壁に有機ＳＯＧ膜１１が露出
しないように酸化膜エッチャーでエッチバックを行なっ
て、第１のメタル配線に対応する位置の有機ＳＯＧ膜１
１を除去する。

【００３３】再度プラズマＣＶＤ法を用いて、プラズマ
ＣＶＤ膜９上及び有機ＳＯＧ膜１１上に第２のプラズマ
ＣＶＤ膜１３を４００ｎｍの膜厚で堆積させる。プラズ
マＣＶＤ膜１３に、その上層に形成される第２のメタル
配線と下層の第１のメタル配線とを接続させるための接
続孔を形成する。その後、プラズマＣＶＤ膜１３上にス
パッタ法を用いて主にＡｌを主成分とする第２のメタル
配線層を堆積し、そのメタル配線層をパターニングして
所望の第２のメタル配線（図示は省略）のパターンを形
成する。プラズマＣＶＤ膜１３上にレジスト材料を塗布
し、露光及び現像を施して、トリミング窓開口部１５に
対応する部分のみに開口部をもつレジストパターン１９
を形成する。

【００３４】（Ｂ）レジストパターン１９をマスクとし
て、ドライエッチングにより、プラズマＣＶＤ膜１３，
有機ＳＯＧ膜１１及びプラズマＣＶＤ膜９を順にエッチ
ング除去し、続けてＢＰＳＧ／ＮＳＧ積層膜７の上層部
分をエッチング除去してトリミング窓開口部１５を形成
し、薄膜抵抗体５の上面及び側面の一部を露出させる。
このとき、各絶縁膜７，９，１１，１３の膜厚のバラツ
キ及びドライエッチングのエッチレートのバラツキによ
り、異なるポイントのトリミング窓開口部１５では残存
するＢＰＳＧ／ＮＳＧ積層膜７及び熱酸化膜３の膜厚が
異なる。例えば、図２に示すように、トリミング窓開口
部１５位置でのＢＰＳＧ／ＮＳＧ積層膜７及び熱酸化膜
３の合計膜厚Ｔ₂は、図１（Ｂ）でのトリミング窓開口
部１５位置でのＢＰＳＧ／ＮＳＧ積層膜７及び熱酸化膜
３の合計膜厚Ｔ₁に比べて厚くなっており、膜厚Ｔ₁＝膜
厚Ｔ₂にはならない。

【００３５】（Ｃ）パッシベーション膜及び薄膜抵抗体
保護用の絶縁膜としての絶縁膜１７をプラズマＣＶＤ法
により、例えば２００ｎｍの膜厚で半導体基板１上全面
に堆積させる。薄膜抵抗体５上に存在する薄膜抵抗体保
護用の絶縁膜の膜厚Ｔは絶縁膜１７のみの膜厚であり、
２００ｎｍである。成膜条件は、例えばチャンバー制御
圧力：０.５Torr、ＴＭＳ流量：３０sccm、Ｎ₂Ｏ流量：
１０００sccmであり、上部電極側に１３.５６ＭＨｚ，
３００Ｗ、下部電極側に３８０ｋＨｚ，３００Ｗの高周
波電力を印加する。また、下部電極は３３０℃に温度制
御している。この条件では、成膜速度が約２２０ｎｍ／
分であり、所望の膜厚２００ｎｍを堆積させるために
は、約５５秒を要する。

【００３６】図２に示したような他のポイントにおいて
も、図３に示すように、薄膜抵抗体５上に存在する薄膜
抵抗体保護用の絶縁膜の膜厚Ｔは絶縁膜１７のみの膜厚
であり、２００ｎｍである。このように、各ポイントで
の薄膜抵抗体５上の絶縁膜１７の膜厚は成膜時の面内バ
ラツキのみとなり、従来技術に比べ薄膜抵抗体５上の薄
膜抵抗体保護用の絶縁膜１７の膜厚Ｔを制御よく得ら
れ、レーザー光線での切断を安定して行なうことができ
るようになる。

【００３７】図１に戻って説明を続けると、絶縁膜１７
上にレジスト材料を塗布し、ボンディングパッド部（図
示は省略）に対応する位置のみを露光及び現像して開口
させてレジストパターンを形成し、そのレジストパター
ンをマスクとしてドライエッチングにより、ボンディン
グパッド部上の絶縁膜１７のみを除去し、ボンディング
パッド部下地の金属配線部を露出させる。

【００３８】従来技術では、薄膜抵抗体５上に残存させ
る薄膜抵抗体保護用の絶縁膜の膜厚を絶縁膜７，９，１
１，１３のエッチング量により制御していたが、デバイ
ス構造、例えば薄膜抵抗体の線幅や配線層数、絶縁膜
種、絶縁膜の平坦化法などが異なると、その都度、各パ
ラメータの最適化が予め必要であり煩雑であった。本発
明では、デバイス構造によらず薄膜抵抗体５を露出させ
てから絶縁膜１７を堆積させ、絶縁膜１７の膜厚により
薄膜抵抗体保護用の絶縁膜の膜厚を決定しているので、
煩わしいデバイス構造毎の各種パラメータ最適化の必要
がなくなる。

【００３９】上記の実施例では３層配線構造（１層のポ
リシリコン配線と２層のメタル配線）の半導体装置につ
いて説明したが、本発明はこれに限定されるものではな
く、２層以下又は４層以上の配線構造の半導体装置及び
その製造方法にも適用することができる。図１（Ｃ）の
説明では反応ガスとしてＴＭＳとＮ₂Ｏの混合ガスを用
いているが、本発明はこれに限定されるものではなく、
ＴＭＳと混合するガスとしては他のガス、例えばホスフ
ィン（ＰＨ₃）を用いることができる。また、上記の実
施例では薄膜抵抗体としてポリシリコン膜を用いている
が、本発明はこれに限定されるものではなく、例えばＣ
ｒ−Ｓｉなど他の材料を用いてもよい。

【００４０】

【発明の効果】請求項１の半導体装置及び請求項５の製
造方法においては、薄膜抵抗体保護用の絶縁膜は、堆積
により形成され、エッチング処理が施されていない絶縁
膜により構成されるようにしているので、従来技術では
困難であった、薄膜抵抗体保護用の絶縁膜の膜厚をウエ
ハ面内の各ポイントで所望の膜厚で均一に得るというこ
とを達成でき、レーザー光線での薄膜抵抗体の切断を安
定して行なうことができるようになる。

【００４１】請求項２の半導体装置においては、薄膜抵
抗体保護用の絶縁膜は１層の絶縁膜により構成されるよ
うにしているので、薄膜抵抗体上に複数の絶縁膜を積層
する場合に比べて、薄膜抵抗体保護用の絶縁膜の膜厚を
ウエハ面内の各ポイントでより均一になる。

【００４２】請求項３の半導体装置においては、薄膜抵
抗体保護用の絶縁膜は、半導体装置全体の最終保護膜を
構成するシリコン酸化膜であるようにしているので、酸
素プラズマ耐性及び吸湿に対する耐性の高い最終保護膜
をトリミング窓開口部内壁に形成することにより、トリ
ミング窓開口部内壁の劣化及びトリミング窓開口部から
の水分の浸入に起因する半導体装置の信頼性の低下を抑
制することができる。

【００４３】請求項４の半導体装置においては、薄膜抵
抗体保護用の絶縁膜であって半導体装置全体の最終保護
膜を構成するシリコン酸化膜の膜厚を２００〜１０００
μｍであるようにしているので、この膜厚の範囲内であ
れば、水分の浸入を防止することができ、薄膜抵抗体へ
のレーザー光線の照射を行なうことができる。

【００４４】請求項６の半導体装置の製造方法において
は、薄膜抵抗体保護用の絶縁膜として、プラズマＣＶＤ
法により、半導体装置全体の最終保護膜としてのＴＭＳ
を原材料としたシリコン酸化膜を成膜するようにしてい
るので、酸素プラズマ耐性及び吸湿に対する耐性に優れ
たシリコン酸化膜により、トリミング窓開口部内壁の劣
化及びトリミング窓開口部からの水分の浸入に起因する
半導体装置の信頼性の低下を抑制することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】半導体装置及び製造方法の一実施例を示す工程
断面図である。

【図２】図１（Ｂ）に対応する製造工程におけるウエハ
内の他のポイントでの状態を示す断面図である。

【図３】図１（Ｃ）に対応する製造工程における図２の
ポイントでの状態を示す断面図である。

【図４】半導体装置の製造方法の従来例を示す工程断面
図である。

【図５】図４（Ｂ）に対応する製造工程におけるウエハ
内の他のポイントでの状態を示す断面図であり、薄膜抵
抗体が露出した状態を示す。

【図６】図４（Ｂ）に対応する製造工程におけるウエハ
内のさらに他のポイントでの状態を示す断面図である。

【符号の説明】

１半導体基板３熱酸化膜５薄膜抵抗体７ＢＰＳＧ／ＮＳＧ積層膜９，１３プラズマＣＶＤ膜１１有機ＳＯＧ膜１９１５絶縁膜（パッシベーション膜）１７レジストパターン

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】回路素子が形成された半導体基板上に絶
縁膜を介して薄膜抵抗体が形成され、前記薄膜抵抗体上
に存在する薄膜抵抗体保護用の絶縁膜の膜厚が周囲の絶
縁膜より薄く形成されてレーザートリミング用のトリミ
ング窓開口部が形成されており、そのトリミング窓開口
部を介して前記薄膜抵抗体にレーザートリミング処理が
施される半導体装置において、前記薄膜抵抗体保護用の絶縁膜は、堆積により形成さ
れ、エッチング処理が施されていない絶縁膜により構成
されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項２】前記薄膜抵抗体保護用の絶縁膜は、１層
の絶縁膜により構成されている請求項１に記載の半導体
装置。
【請求項３】前記薄膜抵抗体保護用の絶縁膜は、半導
体装置全体の最終保護膜を構成するシリコン酸化膜であ
る請求項１又は２に記載の半導体装置。
【請求項４】前記薄膜抵抗体保護用の絶縁膜を構成す
る前記シリコン酸化膜の膜厚は２００〜１０００μｍで
ある請求項３に記載の半導体装置。
【請求項５】回路素子が形成された半導体基板上に絶
縁膜を介して薄膜抵抗体が形成され、前記薄膜抵抗体上
に存在する薄膜抵抗体保護用の絶縁膜の膜厚が周囲の絶
縁膜より薄く形成されてレーザートリミング用のトリミ
ング窓開口部が形成されており、そのトリミング窓開口
部を介して前記薄膜抵抗体にレーザートリミング処理が
施される半導体装置の製造方法において、半導体装置の製造過程で前記薄膜抵抗体上に堆積した絶
縁膜を前記薄膜抵抗体の少なくとも上面が露出するまで
除去して前記トリミング窓開口部を形成するトリミング
窓開口部形成工程と、前記トリミング窓開口部形成工程によって露出した前記
薄膜抵抗体上に薄膜抵抗体保護用の絶縁膜を堆積する薄
膜抵抗体保護工程と、を含み、その後の工程で、前記トリミング窓開口部内の前記薄膜
抵抗体保護用の絶縁膜上面にはエッチング処理及び絶縁
膜の形成を行なわないことを特徴とする製造方法。
【請求項６】前記薄膜抵抗体保護工程において、前記
薄膜抵抗体保護用の絶縁膜として、プラズマＣＶＤ法に
より、半導体装置全体の最終保護膜としてのトリメトキ
シシラン（ＴＭＳ）を原材料としたシリコン酸化膜を成
膜する請求項５に記載の製造方法。