JP2000216350A - 強誘電体記憶素子の製造方法 - Google Patents
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Abstract
防止できる強誘電体記憶素子の製造方法を提供する。 【解決手段】 強誘電体記憶素子の製造方法において、
トランジスタが形成された半導体基板10の上に第1層
間絶縁膜11,12を形成する段階;前記第1層間絶縁
膜の上にキャパシタの下部電極200を形成する第1電
導膜13,14及び強誘電体膜15Aを形成する段階;
及び前記強誘電体膜の上に、内部に酸素を含むPt膜を
多層構造16A,16Bで形成してキャパシタの上部電
極16を形成する段階を含むことを特徴とする。
Description
方法に関し、特に強誘電体記憶素子の製造方法に関す
る。
i膜は金属膜と酸化物の間の接着力を向上させる接着膜
として形成される。また、Ti膜はトランジスタの活性
領域にコンタクトを形成する場合、コンタクト抵抗を下
げるためのシリサイドを形成するのに用いるが、このよ
うなシリサイドを形成する場合、TiとSiの拡散を防
止するための拡散防止膜としてTiN膜を用いる。従っ
て、通常、金属配線時には金属配線層の下にTiN/T
iの積層構造を用いることになる。
ジスタの活性領域の間をAlまたはWなどの金属膜で連
結する場合にも金属膜形成の前にTiN/Tiの積層構
造を形成する。
の電極をなすPt膜がスパッダリング法により蒸着され
る場合、一般にPt薄膜は柱状構造(columnar structur
e)で成長され、粒界(grain boundary)が粗い。よって、
Pt上部電極の上に形成されたTiは、後続熱処理工程
でPtの界面に沿って強誘電体膜に拡散することで、強
誘電体特性を低下させるという問題点がある。
ので、その目的は、Tiが強誘電体膜に拡散することを
効果的に防止できる強誘電体記憶素子の製造方法を提供
することにある。
めに、本発明は、トランジスタが形成された半導体基板
の上に第1層間絶縁膜を形成する段階;前記第1層間絶
縁膜の上にキャパシタの下部電極を形成する第1電導膜
及び強誘電体膜を形成する段階;及び前記強誘電体膜の
上に、内部に酸素を含むPt膜を多層構造で形成してキ
ャパシタの上部電極を形成する段階を含むことを特徴と
する。
高圧、高温、低電力の条件下で多層で形成され、拡散経
路を増加させ、TiがPtの粒界に沿って強誘電体膜に
拡散することを防止することを特徴とする。
酸素を注入してPt膜の粒界に酸素が含まれ、これによ
り、後続熱処理時に強誘電体に拡散していくTiをPt
膜内に捕獲させることで、強誘電体の特性低下を防止す
ることを特徴とする。
の好適実施例を詳細に説明する。図1に示すように、ト
ランジスタ(図示せず)などの下部層の形成された半導体
基板10の上にBPSG(boro-phosphor silicate glas
s)膜11及びMTO(medium temperature oxide)膜12
からなる第1層間絶縁膜を形成し、MTO膜12の上に
吸着した水分を除去する為に、100〜300℃の温度
で10分乃至2時間の間に焼き工程を行う。
下部電極を形成する膜厚50〜500Åの第1Ti膜1
3及び膜厚1000〜3000Åの第1Pt膜14を形
成する。このとき、第1Ti膜13の形成後、真空を維
持しつつ原位置(in-situ)で第1Pt膜14を形成し、
その後、炉(furnace)を用いて400〜900℃の温度
で酸素O2雰囲気下で10分乃至2時間の間に熱処理を
行う。
ティング(spin coating)、LSMCD(Liquid Source M
ixed Chemical Deposition)、化学気相蒸着(CVD)又
は物理気相蒸着(PVD)法等により、二層のペロブスカ
イト(Bi-layered perovskite)構造を持つSBT(SrB
i2Ta2O9)などの強誘電体膜15を形成する。
の上部電極を形成する膜厚1000〜3000Åの第2
Pt膜16を形成する。このとき、Tiの拡散距離を増
加させる為に、第2Pt膜16を一回に形成せず、2段
階乃至10段階に分けて多層構造で形成する。本発明の
一実施例における図1乃至図6では、第2Pt膜16が
2層構造16A、16Bで形成されたものを示してい
る。
密化させるために、10〜100mTorrの低真空及
び300〜1000℃の高温で0.1kW乃至1kWの
低い電力を印加してスパッタリング方法で形成し、スパ
ッタリングガスに酸素を添加してAr:O2流量比が
1:100乃至100:1の条件で第2Pt膜16を形
成する。
1000Åの第1TiN膜17を形成し、上部電極を定
義するマスクを用いて第1TiN膜17をエッチング
し、マスクを除去した後、第1TiN膜17パターンを
ハードマスク(hard mask)として用いて第2Pt膜16
をエッチングして上部電極を形成する。
する感光膜パターン18を形成し、感光膜パターン18
をエッチングマスクとして用いて強誘電体膜15、第1
Pt膜14及び第1Ti膜13をエッチングする。
ン18を除去し、第1TiN膜17パターンを400〜
900℃の温度で炉を用いて酸素雰囲気下で10分乃至
2時間の間に熱処理を行う。こうした熱処理は、第1T
iN膜17を酸化させ、以後に形成される保護酸化膜(c
apping oxide)とPt上部電極との間の接着膜として用
いるためのものである。
3及び第1Pt膜14、強誘電体膜15、第2Pt膜1
6及び第1TiN膜17のそれぞれの側壁と、第1Ti
N膜17表面とを覆う保護酸化膜19を形成し、保護酸
化膜19の上に第2層間絶縁膜20を形成する。
膜20、保護酸化膜19及び第1TiN膜17を選択的
にエッチングして上部電極の第2Pt膜16を露出させ
る第1コンタクトホールC1と、第2層間絶縁膜20、
保護酸化膜19、MTO膜12及びBPSG膜11を選
択的にエッチングしてトランジスタの活性領域(図示せ
ず)を露出させる第2コンタクトホールC2とを形成す
る。
ルの形成された全体構造の上に、金属配線と酸化物との
間の接着力を向上させる、トランジスタと接触抵抗を低
減させるための第2Ti膜21を形成する。次に、Si
とTiの拡散を防止する為に、第2Ti膜21の上に第
2TiN膜22を形成してから、第2TiN膜22の上
にWまたはAl等で金属膜23を形成し、金属膜23、
第2TiN膜22及び第2Ti膜21を選択的にエッチ
ングして金属配線を形成する。続いて、全体構造の上に
第3層間絶縁膜24を形成する。その後、通常の工程に
よって強誘電体記憶素子を完成する。
部電極をなすPt膜を多段階に分けて多層で蒸着し、高
温、高圧、低電力の蒸着条件下でPt膜を形成し、粒界
を緻密化させて拡散経路を増加させる。また、Pt膜の
蒸着時スパッタリングガスで相当量の酸素を含めて後続
の熱処理工程時にTiの捕獲中心(trapping center)と
して用いる。よって、本発明は、上部電極をなすPt膜
を介してTiが強誘電体に拡散することを効果的に防止
できるので、強誘電体記憶素子の電気的特性の低下を最
小化できる。
はない。本発明の趣旨から逸脱しない範囲内で多様に変
更実施することが可能である。
形成した後上部電極をエッチングした状態を示す断面図
である。
後強誘電体と下部電極をエッチングした状態を示す断面
図である。
acitor capping oxide)と第2層間絶縁膜を蒸着した後
の断面図である。
を行ってキャパシタコンタクトエッチングとトランジス
タコンタクトエッチング工程後の断面図である。
連結した後第3層間絶縁膜を蒸着した後の断面図であ
る。
Claims (6)
- 【請求項1】 強誘電体記憶素子の製造方法において、 トランジスタの形成された半導体基板の上に第1層間絶
縁膜を形成する段階;前記第1層間絶縁膜の上にキャパ
シタの下部電極を形成する第1電導膜及び強誘電体膜を
形成する段階;及び前記強誘電体膜の上に、内部に酸素
を含むPt膜を多層構造で形成してキャパシタの上部電
極を形成する段階を含むことを特徴とする強誘電体記憶
素子の製造方法。 - 【請求項2】 前記多層のPt膜は、それぞれ10〜1
00mTorrの圧力、300〜1000℃の温度、及
び0.1kW〜1kWの電力が印加されて形成されるこ
とを特徴とする請求項1記載の強誘電体記憶素子の製造
方法。 - 【請求項3】 前記多層のPt膜は、それぞれAr:O
2流量比が1:100乃至100:1の条件で形成され
ることを特徴とする請求項1記載の強誘電体記憶素子の
製造方法。 - 【請求項4】 前記第1電導膜はPt、前記強誘電体膜
はSrBi2Ta2O9で形成されることを特徴とする
請求項1記載の強誘電体記憶素子の製造方法。 - 【請求項5】 前記Pt膜上にTiN膜を形成し、前記
TiN膜を選択的にエッチングして上部電極を定義する
TiN膜パターンを形成される段階;前記TiN膜パタ
ーンをエッチングマスクとし、前記Pt膜をエッチング
して上部電極を形成する段階;及び、 前記強誘電体膜及び前記第1電導膜を選択的にエッチン
グして強誘電体膜パターン及び下部電極を形成する段階
を含むことを特徴とする請求項1記載の強誘電体記憶素
子の製造方法。 - 【請求項6】 前記TiN膜パターンを酸素雰囲気下で
熱処理する段階;前記TiN膜パターン、前記上部電
極、前記強誘電体パターン及び前記下部電極のそれぞれ
の側壁と前記TiN膜パターンの上部を囲む保護酸化膜
を形成する段階;前記全体構造の上に第2層間絶縁膜を
形成する段階;前記第2層間絶縁膜、前記TiN膜パタ
ーン及び前記保護酸化膜を選択的にエッチングして前記
上部電極を露出させる第1コンタクトホールと、前記第
2層間絶縁膜、前記保護酸化膜、前記第1層間絶縁膜を
選択的にエッチングして前記トランジスタの活性領域を
露出させる第2コンタクトホールとを形成する段階;及
び、前記第1コンタクトホール及び前記第2コンタクト
ホールを介して前記トランジスタの活性領域と前記キャ
パシタを連結する金属配線を形成する段階をさらに含む
ことを特徴とする請求項5記載の強誘電体記憶素子の製
造方法。
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Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US20220406916A1 (en) * | 2021-06-16 | 2022-12-22 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Multi-layer electrode to improve performance of ferroelectric memory device |
Families Citing this family (18)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP3661850B2 (ja) * | 2001-04-25 | 2005-06-22 | 富士通株式会社 | 半導体装置およびその製造方法 |
JP4014902B2 (ja) * | 2002-03-15 | 2007-11-28 | 富士通株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
JP2004152796A (ja) * | 2002-10-28 | 2004-05-27 | Toshiba Corp | 半導体装置及びその製造方法 |
JP2006041182A (ja) * | 2004-07-27 | 2006-02-09 | Oki Electric Ind Co Ltd | 半導体装置、及びその製造方法 |
KR100753671B1 (ko) * | 2004-12-30 | 2007-08-31 | 매그나칩 반도체 유한회사 | 반도체 소자의 형성 방법 |
JPWO2006080276A1 (ja) * | 2005-01-28 | 2008-06-19 | 株式会社アルバック | キャパシタンス素子製造方法、エッチング方法 |
JP2006344684A (ja) | 2005-06-07 | 2006-12-21 | Fujitsu Ltd | 半導体装置及びその製造方法 |
WO2009056235A2 (de) * | 2007-11-02 | 2009-05-07 | Interpane Entwicklungs- Und Beratungsgesellschaft Mbh & Co. Kg | Mehrschichtsystem mit kontaktelementen und verfahren zum erstellen eines kontaktelements für ein mehrschichtsystem |
US8946046B1 (en) | 2012-05-02 | 2015-02-03 | Crossbar, Inc. | Guided path for forming a conductive filament in RRAM |
US8884261B2 (en) | 2010-08-23 | 2014-11-11 | Crossbar, Inc. | Device switching using layered device structure |
US8569172B1 (en) | 2012-08-14 | 2013-10-29 | Crossbar, Inc. | Noble metal/non-noble metal electrode for RRAM applications |
US8946669B1 (en) | 2012-04-05 | 2015-02-03 | Crossbar, Inc. | Resistive memory device and fabrication methods |
US9627443B2 (en) | 2011-06-30 | 2017-04-18 | Crossbar, Inc. | Three-dimensional oblique two-terminal memory with enhanced electric field |
US8748197B2 (en) * | 2012-03-14 | 2014-06-10 | Headway Technologies, Inc. | Reverse partial etching scheme for magnetic device applications |
US9685608B2 (en) | 2012-04-13 | 2017-06-20 | Crossbar, Inc. | Reduced diffusion in metal electrode for two-terminal memory |
US9741765B1 (en) | 2012-08-14 | 2017-08-22 | Crossbar, Inc. | Monolithically integrated resistive memory using integrated-circuit foundry compatible processes |
RU2530534C1 (ru) * | 2013-10-02 | 2014-10-10 | Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Московский государственный технический университет радиотехники, электроники и автоматики" | Способ изготовления сегнетоэлектрического конденсатора |
US10290801B2 (en) | 2014-02-07 | 2019-05-14 | Crossbar, Inc. | Scalable silicon based resistive memory device |
Family Cites Families (14)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5468684A (en) * | 1991-12-13 | 1995-11-21 | Symetrix Corporation | Integrated circuit with layered superlattice material and method of fabricating same |
KR0147245B1 (ko) * | 1993-12-01 | 1998-09-15 | 모리시타 요이찌 | 강유전체박막 및 그 제조방법 |
JPH07263570A (ja) * | 1994-03-17 | 1995-10-13 | Fujitsu Ltd | 誘電体装置の製造方法 |
US5793600A (en) * | 1994-05-16 | 1998-08-11 | Texas Instruments Incorporated | Method for forming high dielectric capacitor electrode structure and semiconductor memory devices |
JP3989027B2 (ja) * | 1994-07-12 | 2007-10-10 | テキサス インスツルメンツ インコーポレイテツド | キャパシタ及びその製造方法 |
JPH0855967A (ja) * | 1994-07-29 | 1996-02-27 | Texas Instr Inc <Ti> | 強誘電体薄膜キャパシタの製造方法 |
US5585300A (en) * | 1994-08-01 | 1996-12-17 | Texas Instruments Incorporated | Method of making conductive amorphous-nitride barrier layer for high-dielectric-constant material electrodes |
JPH08274270A (ja) * | 1995-03-30 | 1996-10-18 | Toshiba Corp | 電子部品 |
US5612560A (en) * | 1995-10-31 | 1997-03-18 | Northern Telecom Limited | Electrode structure for ferroelectric capacitors for integrated circuits |
JPH1079481A (ja) * | 1996-09-05 | 1998-03-24 | Mitsubishi Electric Corp | 導電層接続構造およびその製造方法 |
JPH1093043A (ja) * | 1996-09-13 | 1998-04-10 | Mitsubishi Electric Corp | キャパシタを有する半導体装置 |
JP4214553B2 (ja) * | 1996-12-26 | 2009-01-28 | ソニー株式会社 | 誘電体キャパシタおよび不揮発性メモリ |
JP3570153B2 (ja) * | 1997-04-28 | 2004-09-29 | ソニー株式会社 | 電子材料、その製造方法、誘電体キャパシタ、不揮発性メモリおよび半導体装置 |
JP3122759B2 (ja) * | 1997-07-18 | 2001-01-09 | 工業技術院長 | 金属−セラミックス積層薄膜および同薄膜の形成方法 |
-
1998
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Cited By (2)
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US20220406916A1 (en) * | 2021-06-16 | 2022-12-22 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Multi-layer electrode to improve performance of ferroelectric memory device |
US11916127B2 (en) * | 2021-06-16 | 2024-02-27 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Multi-layer electrode to improve performance of ferroelectric memory device |
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