JP2007234979A - シールド基板、半導体パッケージ、及び半導体装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】シールド基板は、電磁波ノイズを漏洩しない形状のスリット101が形成された導電膜100を備える。このスリット101は、矩形型のスリットであり、前記導電膜上100にアレイ状に形成されている。この構成により、導電膜100上の直線の長さがスリット部分で遮断され、導電膜100上で発生する熱応力もスリット部分で遮断される。よって、導電膜100上に生じる熱応力が一箇所に過度に集中することが無く、導電膜上に亀裂や剥離が発生するのを防ぐことができる。
【選択図】図1
Description
そして、漏洩した放射ノイズが半導体チップの動作に影響すると、半導体装置、又は半導体パッケージの故障の原因となってしまう。
図1(a)は、本実施の形態1のシールド基板の外観斜視図である。図1(a)に示すように、シールド基板1001の中央付近には、シールド膜として機能する導電膜100が形成されている。
図2は、本実施の形態2のシールド基板が有する導電膜を上方から見たときの平面図である。なお、以下の説明では、上述した構成要素と同一の構成要素には同一の符号を付し、その説明を省略する。本実施の形態の特徴は、図2に示すように、導電膜上に矩形型のスリットが上下左右方向にアレイ上に形成されている点にある。
図3は、本実施の形態3のシールド基板が有する導電膜を上方から見たときの平面図である。なお、以下の説明では、上述した構成要素と同一の構成要素には同一の符号を付し、その説明を省略する。本実施の形態の特徴は、図3に示すように、導電膜上にH字形型のスリットがアレイ上に形成されている点にある。
図4は、本実施の形態4のシールド基板が有する導電膜を上方から見たときの平面図である。なお、以下の説明では、上述した構成要素と同一の構成要素には同一の符号を付し、その説明を省略する。本実施の形態の特徴は、図4に示すように、導電膜上に形成されるスリットが正六角形型である点にある。
図5は、本実施の形態5のシールド基板が有する導電膜を上方から見たときの平面図である。なお、以下の説明では、上述した構成要素と同一の構成要素には同一の符号を付し、その説明を省略する。本実施の形態の特徴は、図5に示すように、導電膜上に形成されるスリットが丸型である点にある。
図6は、本実施の形態6のシールド基板が有する導電膜を上方から見たときの平面図である。なお、以下の説明では、上述した構成要素と同一の構成要素には同一の符号を付し、その説明を省略する。本実施の形態の特徴は、図6に示すように、導電膜上に形成されるスリットがL字型である点にある。
図7に、本実施の形態7の半導体パッケージの概略構成図を示す。図7に示すように、半導体パッケージ700は、半導体チップ701と、第1の配線基板702と、第2の配線基板703とにより構成されている。
図8に、本実施の形態8の半導体装置の概略構成図を示す。図8に示すように、半導体装置は、シリコン基板800と、第1の配線層801と、第2の配線層802とにより構成されている。
101、105 スリット
102 熱ストレス作用点
103、104 熱ストレス蓄積線
900 半導体パッケージ
901 半導体チップ
902 第1の配線基板
903 第2の配線基板
904 ノイズ保護対象回路
905 シールド膜
906 放射ノイズ
2000 導電膜
2001 熱ストレス作用点
2002、2003 熱ストレス蓄積線
Claims (18)
- 電磁波ノイズを漏洩しない形状のスリットが形成された導電膜を備えるシールド基板。
- 前記スリットが、矩形型のスリットであり、前記導電膜上にアレイ状に形成されている請求項1に記載のシールド基板。
- 前記スリットが、H字形型のスリットであり、前記導電膜上にアレイ状に形成されている請求項1に記載のシールド基板。
- 前記スリットが、多角形型のスリットであり、前記導電膜上にアレイ状に形成されている請求項1に記載のシールド基板。
- 前記スリットが、丸型のスリットであり、前記導電膜上にアレイ状に形成されている請求項1に記載のシールド基板。
- 前記スリットが、L字型のスリットであり、前記導電膜上にアレイ状に形成されている請求項1に記載のシールド基板。
- 電磁波ノイズの発生源となる第1の配線基板と、
ノイズ保護対象回路を有する半導体チップと、
前記第1の配線基板と前記半導体チップとの間に配置され、前記電磁波ノイズをシールドする導電膜を有する第2の配線基板と、を備え、
前記導電膜は、前記電磁波ノイズを漏洩しない形状のスリットが形成されている半導体パッケージ。 - 前記スリットが、矩形型のスリットであり、前記導電膜上にアレイ状に形成されている請求項7に記載の半導体パッケージ。
- 前記スリットが、H字形型のスリットであり、前記導電膜上にアレイ状に形成されている請求項7に記載の半導体パッケージ。
- 前記スリットが、多角形型のスリットであり、前記導電膜上にアレイ状に形成されている請求項7に記載の半導体パッケージ。
- 前記スリットが、丸型のスリットであり、前記導電膜上にアレイ状に形成されている請求項7に記載の半導体パッケージ。
- 前記スリットが、L字型のスリットであり、前記導電膜上にアレイ状に形成されている請求項7に記載の半導体パッケージ。
- 電磁波ノイズの発生源となる第1の配線層と、
ノイズ保護対象回路を有するシリコン基板と、
前記第1の配線層と前記シリコン基板との間に配置され、前記電磁波ノイズを前記ノイズ保護対象回路からシールドする導電膜を有する第2の配線層と、を備え、
前記導電膜は、前記電磁波ノイズを漏洩しない形状のスリットが形成されている半導体装置。 - 前記スリットが、矩形型のスリットであり、前記導電膜上にアレイ状に形成されている請求項13に記載の半導体装置。
- 前記スリットが、H字形型のスリットであり、前記導電膜上にアレイ状に形成されている請求項13に記載の半導体装置。
- 前記スリットが、多角形型のスリットであり、前記導電膜上にアレイ状に形成されている請求項13に記載の半導体装置。
- 前記スリットが、丸型のスリットであり、前記導電膜上にアレイ状に形成されている請求項13に記載の半導体装置。
- 前記スリットが、L字型のスリットであり、前記導電膜上にアレイ状に形成されている請求項13に記載の半導体装置。
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