JP2007227638A - 光学制御装置 - Google Patents
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Abstract
【課題】 半導体レーザに通電してレーザ光を発生させる光学制御装置において、光量制御にオーバーシュートやアンダーシュートが生じるのを抑制して短時間で光量を調整可能にすること。
【解決手段】 目標光量に対応する基準設定値と、レーザダイオードの光量に対応したモニタ値とを比較してレーザダイオードへの通電電流を調整する装置において、起動時には、上記目標光量に対応する値(75h)に向けて徐々に変化する基準設定値よりも10h小さいモニタ値を、実際のレーザダイオードの光量に対応したモニタ値の代わりに使用する。これによって、基準設定値とモニタ値との差が開きすぎて制御にオーバーシュートが生じるのを抑制し、延いては、光量を短時間で調整することが可能になる。
【選択図】 図6
【解決手段】 目標光量に対応する基準設定値と、レーザダイオードの光量に対応したモニタ値とを比較してレーザダイオードへの通電電流を調整する装置において、起動時には、上記目標光量に対応する値(75h)に向けて徐々に変化する基準設定値よりも10h小さいモニタ値を、実際のレーザダイオードの光量に対応したモニタ値の代わりに使用する。これによって、基準設定値とモニタ値との差が開きすぎて制御にオーバーシュートが生じるのを抑制し、延いては、光量を短時間で調整することが可能になる。
【選択図】 図6
Description
本発明は、半導体レーザに通電してレーザ光を発生させる光学制御装置に関し、詳しくは、その半導体レーザへの通電電流を制御してレーザ光の光量を目標の光量に調整する光学制御装置に関する。
従来より、レーザプリンタ等のように電子写真方式で画像を形成する画像形成装置では、感光体を露光するための光源として半導体レーザを使用することが考えられている。この種の画像形成装置では、形成される画像の濃度を所望の濃度とするため、レーザ光の光量を予め定められた光量に制御する要請がある。
そこで、半導体レーザが発生するレーザ光の光量をフォトディテクターによりモニタし、そのモニタ結果をサンプルホールドしてレーザパワー基準電圧と比較することにより、半導体レーザへの通電電流を制御してレーザ光の光量を一定にすることが提案されている(例えば、特許文献1参照)。
特開平11−311881号公報
ところが、上記モニタ結果をサンプルホールドするためのサンプルホールド回路や上記比較を行うためのオペアンプ等は、ある程度の時定数を有する。このため、半導体レーザの起動時に目標光量に対応する基準電圧をいきなりセットすると、モニタ結果と目標光量との差が大きいため、制御において光量のオーバーシュートが生じる場合がある。基準電圧を徐々に目標光量に対応する値に近付ければ、光量のオーバーシュートは回避することができるが、そのためには基準電圧を極めてゆっくりと立ち上げる必要があり、時間がかかる。また、このような課題は、例えばトナーを節約するためのトナーセーブモード等において光量を低下させる場合にもアンダーシュートが生じて同様に生じていた。
そこで、本発明は、半導体レーザに通電してレーザ光を発生させる光学制御装置において、光量制御にオーバーシュートやアンダーシュートが生じるのを抑制して短時間で光量を調整可能にすることを目的としてなされた。
上記目的を達するためになされた本発明は、通電電流に応じた強さのレーザ光を発生する半導体レーザと、該半導体レーザから発生される光の光量を検出する光量検出手段と、該光量検出手段が検出した光量が大きいほど高いモニタ電圧を発生するモニタ電圧発生手段と、上記半導体レーザから発生すべき目標の光量が大きいほど高い基準電圧を発生する基準電圧発生手段と、上記モニタ電圧と上記基準電圧とを比較して、上記モニタ電圧が上記基準電圧に近付くように上記半導体レーザへの通電電流を制御する発光制御手段と、を備えた光学制御装置であって、少なくとも装置の起動時に、上記基準電圧よりも低く設定された擬似電圧を上記モニタ電圧の代わりに上記発光制御手段に入力する擬似電圧入力手段を、備えたことを特徴としている。
このように構成された本発明では、半導体レーザから発生されるレーザ光の光量を光量検出手段が検出すると、モニタ電圧発生手段は、その光量が大きいほど高いモニタ電圧を発生する。一方、基準電圧発生手段は、上記半導体レーザから発生すべき目標の光量が大きいほど高い基準電圧を発生し、発光制御手段は、上記モニタ電圧と上記基準電圧とを比較して、上記モニタ電圧が上記基準電圧に近付くように上記半導体レーザへの通電電流を制御する。このため、半導体レーザから発生されるレーザ光の光量を目標の光量に調整することができる。
また、本発明では、少なくとも装置の起動時に、擬似電圧入力手段が、上記基準電圧よりも低く設定された擬似電圧を上記モニタ電圧の代わりに上記発光制御手段に入力する。本発明では、このように、基準電圧とモニタ電圧との差が大きい起動時には、基準電圧よりも低い擬似電圧がモニタ電圧の代わりに発光制御手段に入力される。このため、半導体レーザへの通電電流が徐々に上昇してモニタ電圧が基準電圧に近付く。また、擬似電圧を適宜設定することにより、擬似電圧と基準電圧との差が開き過ぎてオーバーシュートが生じるのも抑制することができる。従って、本発明では、起動時にオーバーシュートを生じるのを抑制して短時間で光量を調整することができる。
なお、本発明では、基準電圧発生手段は起動時にいきなり目標の光量に対応する基準電圧を発生してもよいが、上記基準電圧発生手段が、上記目標の光量に対応する値に向けて上記基準電圧を徐々に上昇させ、その基準電圧の上昇に応じて、上記擬似電圧入力手段が、上記擬似電圧を徐々に上昇させてもよい。この場合、一層滑らかに光量を調整することができる。
また、上記目的を達するためになされた本発明は、通電電流に応じた強さのレーザ光を発生する半導体レーザと、該半導体レーザから発生される光の光量を検出する光量検出手段と、該光量検出手段が検出した光量が大きいほど高いモニタ電圧を発生するモニタ電圧発生手段と、上記半導体レーザから発生すべき目標の光量が大きいほど高い基準電圧を発生する基準電圧発生手段と、上記モニタ電圧と上記基準電圧とを比較して、上記モニタ電圧が上記基準電圧に近付くように上記半導体レーザへの通電電流を制御する発光制御手段と、を備えた光学制御装置であって、少なくとも上記基準電圧の変更時に、その変更後の基準電圧と変更前の基準電圧との間の値に設定された擬似電圧を上記モニタ電圧の代わりに上記発光制御手段に入力する擬似電圧入力手段を、備えたことを特徴とするものであってもよい。
この場合も、半導体レーザから発生されるレーザ光の光量を光量検出手段が検出すると、モニタ電圧発生手段は、その光量が大きいほど高いモニタ電圧を発生する。一方、基準電圧発生手段は、上記半導体レーザから発生すべき目標の光量が大きいほど高い基準電圧を発生し、発光制御手段は、上記モニタ電圧と上記基準電圧とを比較して、上記モニタ電圧が上記基準電圧に近付くように上記半導体レーザへの通電電流を制御する。このため、半導体レーザから発生されるレーザ光の光量を目標の光量に調整することができる。
また、本発明では、少なくとも上記基準電圧の変更時に、擬似電圧入力手段が、その変更後の基準電圧と変更前の基準電圧との間の値に設定された擬似電圧を上記モニタ電圧の代わりに上記発光制御手段に入力する。このため、本発明では、基準電圧が大きく変更されて基準電圧とモニタ電圧との差が大きくなるときには、変更後の基準電圧と変更前の基準電圧との間の値に設定された擬似電圧がモニタ電圧の代わりに発光制御手段に入力される。このため、半導体レーザへの通電電流が徐々に変化してモニタ電圧が基準電圧に近付く。また、擬似電圧を適宜設定することにより、擬似電圧と基準電圧との差が開き過ぎてオーバーシュートやアンダーシュートが生じるのも抑制することができる。従って、本発明では、基準電圧の変更時にオーバーシュートやアンダーシュートが生じるのを抑制して短時間で光量を調整することができる。
なお、上記各発明において、上記擬似電圧入力手段が、上記擬似電圧を発生する擬似電圧発生手段と、該擬似電圧発生手段が発生した擬似電圧、または上記モニタ電圧のいずれか一方を選択的に上記発光制御手段に入力する選択手段と、を備えてもよい。この場合、基準電圧とモニタ電圧との差が大きい場合は、選択手段を介して擬似電圧を発光制御手段に入力し、基準電圧とモニタ電圧との差が小さくなったときには、選択手段を介してモニタ電圧を発光制御手段に入力することができる。従って、擬似電圧入力手段をこのように構成すれば、基準電圧とモニタ電圧との差が小さくなるなどしてオーバーシュートやアンダーシュートが生じる可能性が減少したときなどに、モニタ電圧を使用する通常の制御に切り替えるのが容易になる。
また、上記各発明において、上記モニタ電圧が上記基準電圧に所定値以上近付いたとき、上記発光制御手段には上記モニタ電圧が入力されてもよい。この場合、モニタ電圧が基準電圧に所定値以上近付いたときにモニタ電圧が発光制御手段に入力されるので、モニタ電圧を基準電圧に良好に収束させることができる。
また、起動時のオーバーシュートを抑制する上記各発明において、更に、上記半導体レーザが発生したレーザ光を偏向して走査する走査手段と、上記レーザ光による走査原点を検出するBD検出手段と、を備え、上記BD検出手段が上記レーザ光を検出したとき、上記発光制御手段には上記モニタ電圧が入力されてもよい。
一般に、半導体レーザが発生したレーザ光を走査手段によって偏向して走査する光学制御装置では、BD検出手段によって走査原点を検出することにより、その検出タイミングに基く所定タイミングで半導体レーザの点灯/消灯が切り替えられる。このようなBD検出手段は、装置の起動後、半導体レーザの光量がある程度上昇してからでないとレーザ光を検出することができない。本発明では、BD検出手段がレーザ光を検出可能になってから、すなわち、レーザ光の光量がある程度上昇してからモニタ電圧が発光制御手段に入力されるので、モニタ電圧を基準電圧に良好に収束させることができる。
また、上記各発明において、上記基準電圧発生手段及び上記擬似電圧入力手段が、それぞれ、上記基準電圧または上記擬似電圧に対応する矩形波を発生する矩形波発生手段と、該矩形波発生手段が発生した矩形波を平滑化する平滑化手段と、を備えてもよい。この場合、基準電圧発生手段及び上記擬似電圧入力手段は、上記基準電圧または上記擬似電圧に対応する矩形波を矩形波発生手段によって発生し、その矩形波を平滑化手段で平滑化することによって、上記基準電圧または上記擬似電圧を発生または入力する。このように、矩形波を平滑化する場合、その平滑化の際に遅れが生じるので、上記各発明によりオーバーシュートまたはアンダーシュートを抑制した効果が一層顕著に表れる。
また、上記各発明において、上記擬似電圧が、上記基準電圧から所定値を引いたまたは足した値に設定されてもよい。この場合、擬似電圧と基準電圧の差が一定であるので、基準電圧が変化するときも良好にモニタ電圧を基準電圧に近付けることができる。
次に、本発明の実施の形態を、図面と共に説明する。図1は、本発明が適用された画像形成装置としてのレーザプリンタ1の構成を表す概略側断面図、図2はそのレーザプリンタ1における画像形成部5の要部拡大側断面図である。図1に示すように、レーザプリンタ1は、本体ケース2内に、被記録媒体としての用紙3を給紙するためのフィーダ部4や、給紙された用紙3に画像を形成するための画像形成部5などを備えている。
フィーダ部4は、本体ケース2内の底部に着脱可能に装着される給紙トレイ6と、給紙トレイ6内に設けられた用紙押圧板7と、給紙トレイ6の一端側端部の上方に設けられる給紙ローラ8及び給紙パッド9と、給紙ローラ8に対し用紙3の搬送方向の下流側に設けられる紙粉取りローラ10、搬送ローラ11と、搬送ローラ11に対し用紙3の搬送方向の下流側に設けられるレジストローラ12とを備えている。
用紙押圧板7は、用紙3を積層状にスタック可能とされ、給紙ローラ8に対して遠い方の端部において揺動可能に支持されることによって、近い方の端部が上下方向に移動可能とされており、また、その裏側から図示しないばねによって上方向に付勢されている。そのため、用紙押圧板7は、用紙3の積層量が増えるに従って、給紙ローラ8に対して遠い方の端部を支点として、ばねの付勢力に抗して下向きに揺動する。給紙ローラ8及び給紙パッド9は、互いに対向状に配設され、給紙パッド9の裏側に配設されるばね13によって、給紙パッド9が給紙ローラ8に向かって押圧される。
用紙押圧板7上の最上位にある用紙3は、用紙押圧板7の裏側から上記ばねによって給紙ローラ8に向かって押圧され、その給紙ローラ8の回転によって給紙ローラ8と給紙パッド9とで挟まれた後、1枚ずつ給紙される。給紙された用紙3は、紙粉取りローラ10によって紙粉を取り除かれた後、搬送ローラ11によってレジストローラ12に送られる。レジストローラ12は、1対のローラから構成され、用紙3を所定のレジスト後に、画像形成位置に送るようにしている。ここで、画像形成位置とは、用紙3にトナー像を転写する位置であって、本実施の形態では、感光体ドラム27と転写ローラ30との接触位置である。
なお、このフィーダ部4は、更に、マルチパーパストレイ14と、マルチパーパストレイ14上に積層される用紙3を給紙するためのマルチパーパス側給紙ローラ15及びマルチパーパス側給紙パッド25とを備えている。マルチパーパス側給紙ローラ15及びマルチパーパス側給紙パッド25は、互いに対向状に配設され、マルチパーパス側給紙パッド25の裏側に配設されるばねによって、そのマルチパーパス側給紙パッド25がマルチパーパス側給紙ローラ15に向かって押圧されている。マルチパーパストレイ14上に積層される用紙3は、マルチパーパス側給紙ローラ15の回転によってマルチパーパス側給紙ローラ15とマルチパーパス側給紙パッド25とで挟まれた後、1枚ずつ給紙されて上記レジストローラ12に送られる。
画像形成部5は、光学制御装置としてのスキャナユニット16、プロセスユニット17、定着部18などを備えている。スキャナユニット16は、本体ケース2内の上部の内、排紙トレイ46の下面側に配置され、レーザダイオードユニット19(図3参照)、回転駆動されるポリゴンミラー20、レンズ21及び23、反射鏡22などを備えており、レーザダイオードユニット19に収納された半導体レーザとしてのレーザダイオードLD(図4参照)が発生するレーザビームを、鎖線で示すように、走査手段としてのポリゴンミラー20、レンズ21、反射鏡22、レンズ23の順に通過或いは反射させて、プロセスユニット17における感光体としての感光体ドラム27の表面を走査露光する。
プロセスユニット17は、図2に示すように、感光体ユニットとしてのドラムカートリッジ26内に、感光体ドラム27、スコロトロン型帯電器29、転写手段としての転写ローラ30、紙粉クリーナ装置50としてのクリーニングローラ51、2次ローラ52及び摺擦部材53などを備えている。
レーザプリンタ1では、転写ローラ30によって用紙3に転写された後に感光体ドラム27の表面上に残存する残存トナーを、現像ローラ31によって回収する、いわゆるクリーナレス方式によって回収するようにしている。このようなクリーナレス方式によって感光体ドラム27の表面上の残存トナーを回収すれば、ブレードなどの残トナークリーナ装置や廃トナーの貯留手段を設ける必要がないため、装置構成の簡略化、小型化及びコストの低減化を図ることができる。
感光体ドラム27は、現像手段としての現像ローラ31の側方位置において、その現像ローラ31と対向するような状態で矢印方向(図2で反時計方向)に回転可能に配設されている。この感光体ドラム27は、ドラム本体が接地されると共に、その表面部分(感光層)は、例えば、α−Si:H等のアモルファスシリコン系、CdS等の硫化カドミウム系、ZnO等の酸化亜鉛系、AsSe3 等のセレン系の材料、若しくは有機系感光体材料、例えば、ポリカーボネートなどから構成される正帯電性の感光層により形成されている。この感光体ドラム27の駆動軸である回転中心軸27Aは、ドラムカートリッジ26の左右両側から突出しており、図示しないメインモータからの動力によって回転駆動されるように構成されている。
帯電手段としてのスコロトロン型帯電器29は、感光体ドラム27の上方に、感光体ドラム27に接触しないように、所定の間隔を隔てて配設されている。スコロトロン型帯電器29は、タングステンなどの帯電用ワイヤからコロナ放電を発生させる正帯電用のスコロトロン型の帯電器であり、感光体ドラム27の表面を一様に正極性に帯電させるように構成されている。また、このスコロトロン型帯電器29は、帯電電源によりオン・オフされる。
そして、感光体ドラム27の表面は、その感光体ドラム27の回転に伴って、先ず、スコロトロン型帯電器29により一様に正帯電された後、スキャナユニット16からのレーザービームの高速走査により露光され、画像データに基づく静電潜像が形成される。
転写ローラ30は、感光体ドラム27の下方において、この感光体ドラム27に対向するように配置され、ドラムカートリッジ26に矢印方向(図2において時計方向)に回転可能に支持されている。この転写ローラ30は、金属製のローラ軸に、イオン導電性のゴム材料からなるローラが被覆されており、転写時には、転写バイアス印加電源から転写バイアス(転写順バイアス)が印加されるように構成されている。そのため、感光体ドラム27の表面上に担持された可視像は、用紙3が感光体ドラム27と転写ローラ30との間を通る間に用紙3に転写される。
現像ユニットとしての現像カートリッジ28は、上記ドラムカートリッジ26に対して着脱自在に装着されており、現像ローラ31、層厚規制ブレード32、供給ローラ33及びトナーボックス34などを備えている。トナーボックス34内には、現像剤として、正帯電性の非磁性1成分のトナーが充填されている。このトナーとしては、重合性単量体、例えば、スチレンなどのスチレン系単量体や、アクリル酸、アルキル(C1〜C4)アクリレート、アルキル(C1〜C4)メタアクリレートなどのアクリル系単量体を、懸濁重合などの公知の重合方法によって共重合させることにより得られる重合トナーが使用されている。このような重合トナーは、球状をなし、流動性が極めて良好である。なお、このようなトナーには、カーボンブラックなどの着色剤やワックスなどが配合されると共に、流動性を向上させるために、シリカなどの外添剤が添加されている。その粒子径は、約6〜10μm程度である。
そして、トナーボックス34内のトナーは、トナーボックス34の中心に設けられた回転軸35に支持されたアジテータ36の矢印方向(図2で反時計方向)への回転により、攪拌されて、トナーボックス34の側部に開口されたトナー供給口37から放出される。なお、トナーボックス34の側壁には、トナーの残量検知用の窓38が設けられており、回転軸35に支持されたクリーナ39によって清掃される。
供給ローラ33は、トナー供給口37の側方位置に矢印方向(図2で時計方向)に回転可能に配設されており、この供給ローラ33に対向して、現像ローラ31が矢印方向(図2で時計方向)に回転可能に配設されている。そして、これら供給ローラ33と現像ローラ31とは、そのそれぞれがある程度圧縮するような状態で互いに当接されている。
供給ローラ33は、金属製のローラ軸に、導電性の発泡材料からなるローラが被覆されている。また、現像ローラ31は、金属製のローラ軸31Aに、導電性のゴム材料からなるローラが被覆されている。より具体的には、現像ローラ31のローラ部分は、カーボン微粒子などを含む導電性のウレタンゴムまたはシリコーンゴムからなるローラ本体の表面に、フッ素が含有されているウレタンゴムまたはシリコーンゴムのコート層が被覆されている。なお、現像ローラ31には、図示しない現像バイアス印加電源から現像バイアスが印加される。
また、現像ローラ31の近傍には、層厚規制ブレード32が配設されている。この層厚規制ブレード32は、金属の板ばね材からなるブレード本体の先端部に、絶縁性のシリコーンゴムからなる断面半円形状の押圧部40を備えており、現像ローラ31の近くで現像カートリッジ28に支持されて、押圧部40がブレード本体の弾性力によって現像ローラ31上に圧接されるように構成されている。
そして、トナー供給口37から放出されるトナーは、供給ローラ33の回転により、現像ローラ31に供給され、この時、供給ローラ33と現像ローラ31との間で正に摩擦帯電され、更に、現像ローラ31上に供給されたトナーは、現像ローラ31の回転に伴って、層厚規制ブレード32の押圧部40と現像ローラ31との間に進入し、ここで更に充分に摩擦帯電されて、一定厚さの薄層として現像ローラ31上に担持される。
次いで、現像ローラ31の回転により、現像ローラ31上に担持されかつ正帯電されているトナーが、感光体ドラム27に対向して接触する時に、感光体ドラム27の表面上に形成された静電潜像、すなわち、一様に正帯電されている感光体ドラム27の表面の内、レーザービームによって露光され電位が下がっている露光部分に付着され、選択的に担持されることによって可視像化される。
定着部18は、図1に示すように、プロセスユニット17の側方下流側に配設され、加熱ローラ41、加熱ローラ41を押圧する押圧ローラ42、及び、これら加熱ローラ41及び押圧ローラ42の下流側に設けられる1対の搬送ローラ43を備えている。加熱ローラ41は、金属製で加熱のためのハロゲンランプを備えており、プロセスユニット17において用紙3上に転写されたトナーを、用紙3が加熱ローラ41と押圧ローラ42との間を通過する間に熱定着させる。その後、用紙3は搬送ローラ43によって、排紙パス44に搬送される。排紙パス44に送られた用紙3は、排紙ローラ45に送られて、その排紙ローラ45によって排紙トレイ46上に排紙される。
次に、スキャナユニット16の構成について説明する。図3に示すように、ポリゴンミラー20は回転軸20Aを中心にして図示しないポリゴンモータにより回転駆動される。レーザダイオードユニット19を出たレーザビームは、このポリゴンミラー20の回転に応じて感光体ドラム27の軸方向(主走査方向に)に走査され、レンズ21,反射鏡22等を経て前述のように感光体ドラム27の表面に達する。また、レーザビームの走査範囲における一方の隅(画像形成範囲外)には、走査原点検出用のBDセンサ70(BD検出手段の一例)が設けられている。BDセンサ70の検出信号はASIC80に入力され、レーザダイオードユニット19はそのASIC80によって次のように制御される。
図4は、ASIC80を含むスキャナユニット16の制御系の構成を表すブロック図である。図4に示すように、レーザダイオードユニット19の中には、レーザビームを発生する半導体レーザの一例としてのレーザダイオードLDと、そのレーザダイオードLDが発生する光量検出用のフォトダイオードPD(光量検出手段の一例)とが収納されている。
フォトダイオードPDのカソードは、ASIC80のA/D入力ポートに接続されると共に、モニタ電圧発生手段の一例としての可変抵抗器VRを介して電源Vccに接続されている。また、フォトダイオードPDのアノードは、レーザダイオードLDのカソードと共に接地されている。このため、フォトダイオードPDのカソード電圧は、レーザダイオードLDが発生するレーザ光の光量に応じた値となる。この電圧は、モニタ電圧としてASIC80に入力されている。
レーザダイオードLDのアノードには、高速変調回路71及び電流制御部72が接続されている。高速変調回路71は、レーザダイオードLDのアノードとアースとの絶縁/短絡を、ASIC80から入力されるdata信号(印字信号)に応じて切り替える。電流制御部72は、レーザダイオードLDの駆動電流を制御する。このため、高速変調回路71が絶縁状態のときは、その駆動電流がレーザダイオードLDに通電されてレーザダイオードLDが点灯する。高速変調回路71が短絡状態のときは、電流制御部72から出力された上記駆動電流は高速変調回路71を介して大部分がそのままアースに逃れ、レーザダイオードLDは消灯する。
電流制御部72は、発光制御手段の一例としての差動増幅器73に接続され、差動増幅器73には、ASIC80のENA_PWM記憶部81から出力されるPWM信号(以下、ENA_PWMという)を平滑化手段の一例としての平滑回路74にて平滑化した電圧と、ASIC80のパワーPWM記憶部82から出力されるPWM信号(以下、PWR_PWMという)を平滑化手段の一例としての平滑回路75にて平滑化した電圧とが入力されている。なお、差動増幅器73及び電流制御部72の詳細な構成は後述する。
次に、ASIC80の構成について説明する。ASIC80に設けられたENA_PWM制御部83は、レーザダイオードLDの目標光量に対応するデジタル値(以下、基準設定値という)を矩形波発生手段の一例としてのPWMカウンタ制御部84に入力する。なお、起動時や目標光量の変更時には、ENA_PWM制御部83は目標光量に対応する基準設定値をいきなり出力するのではなく、目標光量に対応する値に向けて徐々に変化するように上記基準設定値を出力する。PWMカウンタ制御部84は、その基準設定値をPWM信号(ENA_PWM)に変換してENA_PWM記憶部81に入力し、ENA_PWM記憶部81はそのENA_PWMを平滑回路74に出力し続ける。すると、平滑回路74は、ENA_PWMを平滑化して、上記基準設定値に対応するアナログの電圧(以下、ENA平滑後という)を発生する。すなわち、ENA_PWM制御部83から平滑回路74に到る構成が、基準電圧発生手段の一例に相当する。
また、ENA_PWM制御部83が出力する基準設定値は、擬似電圧発生手段の一例としての起動&パワー切替時演算部85にも入力されている。この起動&パワー切替時演算部85は、レーザプリンタ1の起動時には、上記基準設定値から所定値を引いた擬似電圧(デジタル値)を出力する。また、この起動&パワー切替時演算部85は、トナーセーブモード等によるレーザダイオードLDの目標光量切替時に、上記基準設定値が減少したときはその基準設定値に所定値を加えた擬似電圧を、上記基準設定値が増加したときはその基準設定値から所定値を引いた擬似電圧を、それぞれ出力する。
A/Dデータ演算部86は、BDセンサ70の検出信号(受光した光量に対応するアナログの電圧)及び前述のモニタ電圧をデジタル値に変換する。選択手段の一例としての演算切替セレクタ87は、上記デジタル値に変換されたモニタ電圧に基き、次のようなデジタル値をPWMカウンタ制御部88に入力する。すなわち、上記モニタ電圧(デジタル値)が目標光量に対応するモニタ電圧を中心とする所定範囲内にある場合はそのモニタ電圧をそのままモニタ値として、所定範囲内にない場合は起動&パワー切替時演算部85が出力する擬似電圧(デジタル値)をモニタ値として、それぞれ矩形波発生手段の一例としてのPWMカウンタ制御部88に入力する。
なお、レーザプリンタ1の起動時には、レーザダイオードLDの光量が所定値以上になったときに初めてBDセンサ70の検出信号が入力される。そこで、上記起動時には、演算切替セレクタ87は、BDセンサ70からの検出信号が入力されるまでは上記擬似電圧をモニタ値として、BDセンサ70からの検出信号が入力されてからは上記モニタ電圧をモニタ値として、それぞれPWMカウンタ制御部88に入力してもよい。
PWMカウンタ制御部88は、そのモニタ値をPWM信号(PWR_PWM)に変換してパワーPWM記憶部82に入力し、パワーPWM記憶部82はそのPWR_PWMを平滑回路75に出力し続ける。すると、平滑回路75は、PWR_PWMを平滑化して、上記モニタ電圧または擬似電圧に対応するアナログの電圧(以下、PWR平滑後という)に変換する。すなわち、起動&パワー切替時演算部85から平滑回路75に到る構成が、擬似電圧入力手段に相当する。
次に、差動増幅器73及び電流制御部72の構成を、図5を用いて詳細に説明する。但し、図5では、便宜上、PWR平滑後とENA平滑後との配置が図4とは上下逆になっている。図5に示すように、差動増幅器73はオペアンプOPを備えており、オペアンプOPの反転入力端子には、PWR_PWMを平滑回路75にて平滑化した電圧(PWR平滑後)が抵抗器R1を介して印加される。また、この反転入力端子は、抵抗器R2を介して、トランジスタTR1のエミッタに接続され、更に、抵抗器R3を介して接地されている。なお、トランジスタTR1は、オペアンプOPの出力によって制御されるNPN型トランジスタである。
また、オペアンプOPの非反転入力端子には、ENA_PWMを平滑回路74にて平滑化した電圧(ENA平滑後)が印加されている。更に、トランジスタTR1のコレクタは、エミッタが電源Vccに接続されたPNP型のトランジスタTR2のベースに接続されている。なお、このトランジスタTR2は、電流制御部72を構成する。このため、差動増幅器73のオペアンプOPがトランジスタTR1を介してトランジスタTR2を制御することにより、PWR平滑後がENA平滑後に近付くようにレーザダイオードLDの駆動電流を制御することができる。すなわち、レーザダイオードLDの光量に対応するPWR平滑後が、目標光量に対応するENA平滑後に近付くように制御を行うことで、レーザダイオードLDの光量を目標光量に調整することができるのである。
また、本実施の形態では、例えば起動時には、前述のように、基準設定値から所定値を引いたモニタ値に対応する電圧(擬似電圧)が、PWR平滑後として入力される。このため、起動時にオーバーシュートが生じるのを次のように良好に抑制することができる。
例えば、図6に例示するように、PWM制御部83が出力する基準設定値よりも10h小さい値を、起動&パワー切替時演算部85が擬似電圧として出力する場合、起動時には、PWR平滑後はENA平滑後よりも上記10hに対応する電圧ΔVだけ低くなる。このため、差動増幅器73及び電流制御部72は、レーザダイオードLDへの通電電流を増加させるように作用する。しかしながら、擬似的に設定されたPWR平滑後はENA平滑後に対して極端に小さい値とはならないので、レーザダイオードLDへの通電電流が目標光量に対応した値に対してオーバーシュートするのも抑制される。
そして、実際のモニタ電圧が目標光量に対応するモニタ電圧(図6の例では75h)を中心とする所定範囲内(図6の例では60h〜90h)に入った時刻T1以降は、PWR平滑後として実際のモニタ電圧が入力される。このため、モニタ電圧を基準設定値に良好に収束させることができ、延いては、レーザダイオードLDの光量を目標光量に短時間で調整することができる。従って、本実施の形態では、レーザプリンタ1を早期に画像形成動作へ移行させることができる。
また、上記実施の形態では、擬似電圧として、基準設定値から所定値(図6の例では10h)を引いたまたは足した値を設定しているので、次のように、動作のシミュレーションも容易となる。すなわち、図5の回路において、ENA平滑後の電圧値をVENA 、PWR平滑後の電圧値をVPWR 、オペアンプOPの出力をVOUT 、とすると、
VOUT =(1+R2/R1)VENA −R2/R1 VPWR
なる式が成り立つ。前述のように、起動時にはVPWR =VENA −ΔVと擬似的に設定されるから、VOUT は次のような簡単な式で表される。
VOUT =(1+R2/R1)VENA −R2/R1 VPWR
なる式が成り立つ。前述のように、起動時にはVPWR =VENA −ΔVと擬似的に設定されるから、VOUT は次のような簡単な式で表される。
VOUT =VENA +R2/R1 ΔV
従って、動作のシミュレーションが容易となる。また、ENA平滑後とPWR平滑後との差が一定であるので、図6に示すように基準設定値が変化する場合も良好にモニタ電圧を収束させることができる。
従って、動作のシミュレーションが容易となる。また、ENA平滑後とPWR平滑後との差が一定であるので、図6に示すように基準設定値が変化する場合も良好にモニタ電圧を収束させることができる。
なお、本発明は上記実施の形態に何ら限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲で種々の形態で実施することができる。例えば、起動時や目標光量の変更時には、ENA_PWM制御部83は目標光量に対応する基準設定値をいきなり出力してもよい。但し、上記実施の形態のように、基準設定値が目標光量に対応する値に向けて徐々に変化する場合、一層滑らかに光量を調整することができる。
また、上記実施の形態では、演算切替セレクタ87によってモニタ電圧または擬似電圧のいずれをモニタ値として使用するか切り替えているが、擬似電圧はこのような切り替えではなく、例えば補正値等をモニタ電圧に上乗せすることによって出力されてもよい。但し、上記実施の形態のように演算切替セレクタ87等の選択手段によって切替を行う場合、擬似電圧を使用した制御とモニタ電圧を使用した制御との切り替えを容易に行うことができる。
更に、ASIC80等にて実行される上記各処理は、全てソフトウェアによって実行されてもよく、逆に、デジタル値を使用せずに全てアナログ回路で実行されてもよい。但し、上記実施の形態のように、デジタル値からPWM信号を作成して平滑化する場合、その平滑化の際に遅れが生じるので、本発明によりオーバーシュートまたはアンダーシュートを抑制した効果が一層顕著に表れる。また更に、本発明は、レーザプリンタ以外の各種光学制御装置にも適用することができる。
1…レーザプリンタ 3…用紙 5…画像形成部
16…スキャナユニット 17…プロセスユニット 19…レーザダイオードユニット
20…ポリゴンミラー 27…感光体ドラム 30…転写ローラ
31…現像ローラ 70…BDセンサ 71…高速変調回路
72…電流制御部 73…差動増幅器 74,75…平滑回路
81…ENA_PWM記憶部 82…パワーPWM記憶部
83…ENA_PWM制御部 84…PWMカウンタ制御部
85…起動&パワー切替時演算部 86…A/Dデータ演算部
87…演算切替セレクタ 88…PWMカウンタ制御部
LD…レーザダイオード OP…オペアンプ
PD…フォトダイオード TR1,TR2…トランジスタ
VR…可変抵抗器
16…スキャナユニット 17…プロセスユニット 19…レーザダイオードユニット
20…ポリゴンミラー 27…感光体ドラム 30…転写ローラ
31…現像ローラ 70…BDセンサ 71…高速変調回路
72…電流制御部 73…差動増幅器 74,75…平滑回路
81…ENA_PWM記憶部 82…パワーPWM記憶部
83…ENA_PWM制御部 84…PWMカウンタ制御部
85…起動&パワー切替時演算部 86…A/Dデータ演算部
87…演算切替セレクタ 88…PWMカウンタ制御部
LD…レーザダイオード OP…オペアンプ
PD…フォトダイオード TR1,TR2…トランジスタ
VR…可変抵抗器
Claims (8)
- 通電電流に応じた強さのレーザ光を発生する半導体レーザと、
該半導体レーザから発生される光の光量を検出する光量検出手段と、
該光量検出手段が検出した光量が大きいほど高いモニタ電圧を発生するモニタ電圧発生手段と、
上記半導体レーザから発生すべき目標の光量が大きいほど高い基準電圧を発生する基準電圧発生手段と、
上記モニタ電圧と上記基準電圧とを比較して、上記モニタ電圧が上記基準電圧に近付くように上記半導体レーザへの通電電流を制御する発光制御手段と、
を備えた光学制御装置であって、
少なくとも装置の起動時に、上記基準電圧よりも低く設定された擬似電圧を上記モニタ電圧の代わりに上記発光制御手段に入力する擬似電圧入力手段を、
備えたことを特徴とする光学制御装置。 - 上記基準電圧発生手段が、上記目標の光量に対応する値に向けて上記基準電圧を徐々に上昇させ、
その基準電圧の上昇に応じて、上記擬似電圧入力手段が、上記擬似電圧を徐々に上昇させることを特徴とする請求項1記載の光学制御装置。 - 通電電流に応じた強さのレーザ光を発生する半導体レーザと、
該半導体レーザから発生される光の光量を検出する光量検出手段と、
該光量検出手段が検出した光量が大きいほど高いモニタ電圧を発生するモニタ電圧発生手段と、
上記半導体レーザから発生すべき目標の光量が大きいほど高い基準電圧を発生する基準電圧発生手段と、
上記モニタ電圧と上記基準電圧とを比較して、上記モニタ電圧が上記基準電圧に近付くように上記半導体レーザへの通電電流を制御する発光制御手段と、
を備えた光学制御装置であって、
少なくとも上記基準電圧の変更時に、その変更後の基準電圧と変更前の基準電圧との間の値に設定された擬似電圧を上記モニタ電圧の代わりに上記発光制御手段に入力する擬似電圧入力手段を、
備えたことを特徴とする光学制御装置。 - 上記擬似電圧入力手段が、
上記擬似電圧を発生する擬似電圧発生手段と、
該擬似電圧発生手段が発生した擬似電圧、または上記モニタ電圧のいずれか一方を選択的に上記発光制御手段に入力する選択手段と、
を備えたことを特徴とする請求項1〜3のいずれかに記載の光学制御装置。 - 上記モニタ電圧が上記基準電圧に所定値以上近付いたとき、上記発光制御手段には上記モニタ電圧が入力されることを特徴とする請求項1〜4のいずれかに記載の光学制御装置。
- 上記半導体レーザが発生したレーザ光を偏向して走査する走査手段と、
上記レーザ光による走査原点を検出するBD検出手段と、
を備え、
上記BD検出手段が上記レーザ光を検出したとき、上記発光制御手段には上記モニタ電圧が入力されることを特徴とする請求項1または2記載の光学制御装置。 - 上記基準電圧発生手段及び上記擬似電圧入力手段が、それぞれ、
上記基準電圧または上記擬似電圧に対応する矩形波を発生する矩形波発生手段と、
該矩形波発生手段が発生した矩形波を平滑化する平滑化手段と、
を備えたことを特徴とする請求項1〜6のいずれかに記載の光学制御装置。 - 上記擬似電圧が、上記基準電圧から所定値を引いたまたは足した値に設定されたことを特徴とする請求項1〜7のいずれかに記載の光学制御装置。
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- 2007-02-22 US US11/677,728 patent/US7564472B2/en active Active
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