JP2007225688A - 3次元フォトニック結晶の形成方法 - Google Patents
3次元フォトニック結晶の形成方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2007225688A JP2007225688A JP2006043968A JP2006043968A JP2007225688A JP 2007225688 A JP2007225688 A JP 2007225688A JP 2006043968 A JP2006043968 A JP 2006043968A JP 2006043968 A JP2006043968 A JP 2006043968A JP 2007225688 A JP2007225688 A JP 2007225688A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- forming
- photonic crystal
- mask
- base material
- dimensional photonic
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B6/00—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings
- G02B6/10—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings of the optical waveguide type
- G02B6/12—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings of the optical waveguide type of the integrated circuit kind
- G02B6/122—Basic optical elements, e.g. light-guiding paths
- G02B6/1225—Basic optical elements, e.g. light-guiding paths comprising photonic band-gap structures or photonic lattices
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B82—NANOTECHNOLOGY
- B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
- B82Y20/00—Nanooptics, e.g. quantum optics or photonic crystals
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B6/00—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings
- G02B6/10—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings of the optical waveguide type
- G02B6/12—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings of the optical waveguide type of the integrated circuit kind
- G02B6/13—Integrated optical circuits characterised by the manufacturing method
- G02B6/136—Integrated optical circuits characterised by the manufacturing method by etching
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Nanotechnology (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Biophysics (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Optical Integrated Circuits (AREA)
- Semiconductor Lasers (AREA)
Abstract
【解決手段】 第1の面と、第2の面とが第1の角度で交差する面を有する母材を用意する工程と、前記母材の第1の面に第1のマスクを形成する工程と、該第1のマスク上から前記第1の面に対して第2の角度でドライエッチング処理によって、前記第1のマスクにより保護されていない前記母材の一部を除去する工程と、
前記第2の面に第2のマスクを形成する工程と、該第2のマスク上から前記第2の面に対して第3の角度でドライエッチング処理によって、前記第2のマスクより保護されていない前記母体の一部を除去する工程と、
を行う。
【選択図】 図1
Description
前記第2の面に第2のマスクを形成する工程と、前記第2の面に対して第3の角度をなす方向にドライエッチングを進行させて、前記第2のマスクにより保護されていない前記母体の一部を除去する工程と、
を含むことを特徴とするものである。
図1を用いて実施例1を説明する。この実施例では、フォトニック結晶母材の交差している2つの側面から該母材を加工することによって、3次元フォトニック結晶を形成する。
図2を用いて実施例2を説明する。本実施例では、基板の主面(上面ともいう)と該主面と交差している1つの側面を加工することによって、3次元フォトニック結晶を製造する。実施例1との違いは、マスキング及びエッチングを行う加工面が異なる。実施例1ではフォトニック結晶の母材の互いに交差する1の側面と他の側面とから加工する方法であるのに対して、実施例2では、互いに交差する1の主面と1の側面とから加工する方法である。
図3を用いて実施例3を説明する。本実施例では、ロッド断面形状が異なる各種の3次元フォトニック結晶を製造する。但し、ここでは、長さ方向において、ロッドの断面形状および断面積が均等である。
図4乃至6を用いて実施例4を説明する。本実施例では、3次元フォトニック結晶のロッドは、長さ方向において断面形状および断面積が均等ではないことが特徴である。
20 フォトニック結晶母材
31 第1の角度
32 第2の角度
33 第3の角度
40 被膜
50 座標
51 方向を示す矢印
55 断面の指示ライン
100 第1の面
110 第1のマスク
111 第2の面を保護するためのマスク
112 位置合せ用構造体
120 第1の面の露出部分
125 第1の面をエッチング処理して形成された細孔
130 フォトニック結晶構造体の一層を加工する第1のマスクの部分
200 第2の面
210 第2のマスク
220 第2の面の露出部分
225 第2の面をエッチング処理して形成された細孔
230 フォトニック結晶構造体の一層を加工する第2のマスクの部分
300 3次元周期構造
301 ウッドパイルのロッド
305 ロッド断面
306 ロッドの中空部分
310 ロッド部
320 ロッドのジョイント部
400 基板の主面
410 微細パターン領域(第1の面)
420 微細パターン領域の側面部分(第2の面)
421 第2の面における溝部
422 第2の面における平坦部
450 第2の面における平坦部上に形成されたマスク
455 第2の面における溝部内に形成されたマスク
L1乃至L7 等高線
Claims (12)
- 3次元フォトニック結晶の形成方法であって、第1の面と、第2の面とが第1の角度で交差する面を有する母材を用意する工程と、前記母材の第1の面に第1のマスクを形成する工程と、前記第1の面に対して第2の角度をなす方向にドライエッチングを進行させて、前記第1のマスクにより保護されていない前記母材の一部を除去する工程と、
前記第2の面に第2のマスクを形成する工程と、前記第2の面に対して第3の角度をなす方向にドライエッチングを進行させて、前記第2のマスクにより保護されていない前記母体の一部を除去する工程と、
を含むことを特徴とする3次元フォトニック結晶の形成方法。 - 前記3次元フォトニック結晶の母材は単結晶、またはアモルファス状態の誘電体であることを特徴とする請求項1に記載の3次元フォトニック結晶の形成方法。
- 前記マスクは、電子ビーム、収束イオンビーム、又はレーザー光を含む集束電磁波から選択される少なくとも1つのエネルギービームによる誘起化学気相堆積によって、前記母材のマスク形成面に形成される堆積物パターンであることを特徴とする請求項1に記載の3次元フォトニック結晶の形成方法。
- 前記マスクは、C、W、Mo、Ni、Au、Pt、GaN、Si、又はSiO2から選択される少なくとも1つであり、該マスク中の不純物は50%以下であることを特徴とする請求項1乃至3に記載の3次元フォトニック結晶の形成方法。
- 前記マスクの形成工程の前に、前記母材表面の少なくとも一部に被膜を形成する工程と、前記マスク形成工程後、前記被膜の少なくとも一部をエッチング処理によって選択的に除去する工程と、をさらに含むことを特徴とする請求項1乃至4に記載の3次元フォトニック結晶の形成方法。
- 前記被膜を形成する工程は、前記母材を雰囲気中で熱処理することによって、該母材の表面成分を雰囲気ガスと反応させ、該母材表面の少なくとも一部に酸化膜、又は窒化膜を形成させる工程であることを特徴とする請求項5に記載の3次元フォトニック結晶の形成方法。
- 前記被膜を形成する工程は、化学気相堆積法、又は原子層堆積法によって、前記母材表面の少なくとも一部に被膜を形成する工程であることを特徴とする請求項5に記載の3次元フォトニック結晶の形成方法。
- 前記被膜がCu、W、TiN、Si3N4、SiN、又はSiO2から選択される少なくとも1つの材料であることを特徴とする請求項7に記載の3次元フォトニック結晶の形成方法。
- 前記ドライエッチング処理は、反応性イオンエッチング、又は指向性を持つ加速粒子ビームによるエッチングであることを特徴とする請求項1乃至8に記載の3次元フォトニック結晶の形成方法。
- 前記エッチング処理は、反応性イオンエッチング、もしくは指向性を持つ加速粒子ビームによるエッチング、もしくは反応性ガスによるエッチング、もしくは腐蝕性液体によるエッチングであることを特徴とする請求項5に記載の3次元フォトニック結晶の形成方法。
- 前記第1の角度は10°以上170°以下であることを特徴とする請求項1に記載の3次元フォトニック結晶の形成方法。
- 前記第2の角度及び第3の角度はそれぞれ10°以上90°以下であることを特徴とする請求項1に記載の3次元フォトニック結晶の形成方法。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2006043968A JP4564929B2 (ja) | 2006-02-21 | 2006-02-21 | 3次元フォトニック結晶の形成方法 |
US11/703,109 US7727410B2 (en) | 2006-02-21 | 2007-02-07 | Process for formation of three-dimensional photonic crystal |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2006043968A JP4564929B2 (ja) | 2006-02-21 | 2006-02-21 | 3次元フォトニック結晶の形成方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2007225688A true JP2007225688A (ja) | 2007-09-06 |
JP4564929B2 JP4564929B2 (ja) | 2010-10-20 |
Family
ID=38428268
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2006043968A Expired - Fee Related JP4564929B2 (ja) | 2006-02-21 | 2006-02-21 | 3次元フォトニック結晶の形成方法 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US7727410B2 (ja) |
JP (1) | JP4564929B2 (ja) |
Families Citing this family (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
FR876M (ja) | 1960-10-12 | 1961-10-16 | ||
JP4564929B2 (ja) | 2006-02-21 | 2010-10-20 | キヤノン株式会社 | 3次元フォトニック結晶の形成方法 |
US8287895B1 (en) | 2008-04-24 | 2012-10-16 | Hrl Laboratories, Llc | Three-dimensional biological scaffold compromising polymer waveguides |
US8197930B1 (en) | 2007-05-10 | 2012-06-12 | Hrl Laboratories, Llc | Three-dimensional ordered open-cellular structures |
US7653276B1 (en) * | 2008-03-06 | 2010-01-26 | Hrl Laboratories, Llc | Composite structures for storing thermal energy |
US8337712B2 (en) * | 2007-05-15 | 2012-12-25 | Canon Kabushiki Kaisha | Method for forming etching mask, method for fabricating three-dimensional structure and method for fabricating three-dimensional photonic crystalline laser device |
JP4936530B2 (ja) * | 2007-05-15 | 2012-05-23 | キヤノン株式会社 | 3次元フォトニック結晶の製造方法 |
WO2010118418A2 (en) * | 2009-04-10 | 2010-10-14 | Lightwave Power, Inc. | Planar plasmonic device for light reflection, diffusion and guiding |
US9539773B2 (en) | 2011-12-06 | 2017-01-10 | Hrl Laboratories, Llc | Net-shape structure with micro-truss core |
JP6105204B2 (ja) * | 2012-02-10 | 2017-03-29 | 株式会社日立ハイテクサイエンス | Tem観察用試料作製方法 |
US9017806B2 (en) | 2012-03-23 | 2015-04-28 | Hrl Laboratories, Llc | High airflow micro-truss structural apparatus |
CN103901536B (zh) * | 2014-04-11 | 2016-08-17 | 深圳大学 | 一种圆环杆与平板连杆的二维正方晶格光子晶体 |
Citations (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH11338124A (ja) * | 1998-05-27 | 1999-12-10 | Hitachi Ltd | 欠陥形状検出方法及びその装置ならびにそれを用いた欠陥修正方法及びその装置 |
WO2000028536A1 (fr) * | 1998-11-09 | 2000-05-18 | Seiko Instruments Inc. | Tete optique a champ proche et procede de production associe |
JP2001092111A (ja) * | 1999-09-21 | 2001-04-06 | Nikon Corp | 電子線用転写マスクのパターン形状の検査方法 |
JP2002189135A (ja) * | 2000-12-20 | 2002-07-05 | Kyocera Corp | 光導波路および光回路基板 |
JP2003234414A (ja) * | 2001-12-11 | 2003-08-22 | Memscap | 誘導マイクロコンポーネントを組み込んだ電子コンポーネントの製造方法 |
JP2005136410A (ja) * | 2003-10-29 | 2005-05-26 | Internatl Business Mach Corp <Ibm> | シリコン・シリコン直接ウェハ・ボンディングを用いた、相異なる結晶方位の混成基板(hybridsubstrate)上のCMOS |
WO2006095648A1 (ja) * | 2005-03-05 | 2006-09-14 | Kyoto University | 3次元フォトニック結晶及びその製造方法 |
JP2006259081A (ja) * | 2005-03-16 | 2006-09-28 | Hitachi Ltd | ウッドパイル型光デバイス用構造体の製造方法および構造体 |
Family Cites Families (13)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5335240A (en) * | 1992-12-22 | 1994-08-02 | Iowa State University Research Foundation, Inc. | Periodic dielectric structure for production of photonic band gap and devices incorporating the same |
US6225637B1 (en) * | 1996-10-25 | 2001-05-01 | Canon Kabushiki Kaisha | Electron beam exposure apparatus |
JP2001074954A (ja) | 1999-08-31 | 2001-03-23 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 3次元フォトニック結晶構造体の作製方法 |
EP1109038A1 (en) * | 1999-12-17 | 2001-06-20 | Corning Incorporated | Method for manufacturing an optical integrated circuit |
US6818911B2 (en) * | 2002-04-10 | 2004-11-16 | Canon Kabushiki Kaisha | Array structure and method of manufacturing the same, charged particle beam exposure apparatus, and device manufacturing method |
JP4180854B2 (ja) * | 2002-07-16 | 2008-11-12 | キヤノン株式会社 | 電子ビーム描画装置 |
JP4187096B2 (ja) | 2003-01-15 | 2008-11-26 | 独立行政法人科学技術振興機構 | 3次元フォトニック結晶製造方法 |
JP4735259B2 (ja) * | 2003-06-19 | 2011-07-27 | 日本電気株式会社 | フォトニック結晶の構造 |
US7023055B2 (en) * | 2003-10-29 | 2006-04-04 | International Business Machines Corporation | CMOS on hybrid substrate with different crystal orientations using silicon-to-silicon direct wafer bonding |
US7557367B2 (en) * | 2004-06-04 | 2009-07-07 | The Board Of Trustees Of The University Of Illinois | Stretchable semiconductor elements and stretchable electrical circuits |
US7161188B2 (en) * | 2004-06-28 | 2007-01-09 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Semiconductor light emitting element, semiconductor light emitting device, and method for fabricating semiconductor light emitting element |
JP4378352B2 (ja) * | 2005-04-28 | 2009-12-02 | キヤノン株式会社 | 周期構造体の製造方法 |
JP4564929B2 (ja) | 2006-02-21 | 2010-10-20 | キヤノン株式会社 | 3次元フォトニック結晶の形成方法 |
-
2006
- 2006-02-21 JP JP2006043968A patent/JP4564929B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2007
- 2007-02-07 US US11/703,109 patent/US7727410B2/en not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH11338124A (ja) * | 1998-05-27 | 1999-12-10 | Hitachi Ltd | 欠陥形状検出方法及びその装置ならびにそれを用いた欠陥修正方法及びその装置 |
WO2000028536A1 (fr) * | 1998-11-09 | 2000-05-18 | Seiko Instruments Inc. | Tete optique a champ proche et procede de production associe |
JP2001092111A (ja) * | 1999-09-21 | 2001-04-06 | Nikon Corp | 電子線用転写マスクのパターン形状の検査方法 |
JP2002189135A (ja) * | 2000-12-20 | 2002-07-05 | Kyocera Corp | 光導波路および光回路基板 |
JP2003234414A (ja) * | 2001-12-11 | 2003-08-22 | Memscap | 誘導マイクロコンポーネントを組み込んだ電子コンポーネントの製造方法 |
JP2005136410A (ja) * | 2003-10-29 | 2005-05-26 | Internatl Business Mach Corp <Ibm> | シリコン・シリコン直接ウェハ・ボンディングを用いた、相異なる結晶方位の混成基板(hybridsubstrate)上のCMOS |
WO2006095648A1 (ja) * | 2005-03-05 | 2006-09-14 | Kyoto University | 3次元フォトニック結晶及びその製造方法 |
JP2006259081A (ja) * | 2005-03-16 | 2006-09-28 | Hitachi Ltd | ウッドパイル型光デバイス用構造体の製造方法および構造体 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP4564929B2 (ja) | 2010-10-20 |
US20070196066A1 (en) | 2007-08-23 |
US7727410B2 (en) | 2010-06-01 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP4564929B2 (ja) | 3次元フォトニック結晶の形成方法 | |
US11733533B2 (en) | Fabrication of diffraction gratings | |
JP5356516B2 (ja) | 凹凸パターン形成方法 | |
KR101560385B1 (ko) | 위상 쉬프트 마스크 블랭크, 위상 쉬프트 마스크 및 그 제조 방법 | |
JP4936530B2 (ja) | 3次元フォトニック結晶の製造方法 | |
JP2001074954A (ja) | 3次元フォトニック結晶構造体の作製方法 | |
US20190187350A1 (en) | Polarizing element | |
US20080283493A1 (en) | Method for forming etching mask, method for fabricating three-dimensional structure and method for fabricating three-dimensional photonic crystalline laser device | |
US20080038852A1 (en) | Method for manufacturing layered periodic structures | |
JP2008299031A (ja) | フォトニック結晶構造およびその製造方法 | |
JP5038218B2 (ja) | 3次元フォトニック結晶の製造方法 | |
KR101015176B1 (ko) | 전사용마스크기판의 제조방법, 전사용마스크기판 및전사용마스크 | |
US10879082B2 (en) | Wavelike hard nanomask on a topographic feature and methods of making and using | |
KR101479707B1 (ko) | 크랙 제어에 의한 박막 패터닝 방법 및 그 박막 패터닝 구조물 | |
JP5344530B2 (ja) | エッチングマスクの形成方法、3次元構造体の製造方法及び3次元フォトニック結晶レーザー素子の製造方法 | |
JP6394112B2 (ja) | テンプレートの製造方法およびテンプレート | |
US20230408936A1 (en) | Semiconductor structure body and method for manufacturing semiconductor structure body | |
JP6607293B2 (ja) | テンプレート | |
CN115308826A (zh) | 闪耀光栅的制造方法 | |
JP2006222378A (ja) | ステンシルマスク及びその製造方法 | |
JP6698315B2 (ja) | グレーティング素子およびその製造方法 | |
JP5145807B2 (ja) | 荷電粒子線露光用マスク及びその製造方法 | |
TW201843123A (zh) | 玻璃支架支撐之金屬薄膜的製造方法 | |
JP2005055582A (ja) | 3次元積層構造体の作製方法 | |
JP2007133097A (ja) | 光学素子および光学素子の作製方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20070608 |
|
RD04 | Notification of resignation of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424 Effective date: 20100201 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20100216 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20100419 |
|
RD01 | Notification of change of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7421 Effective date: 20100630 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20100727 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20100802 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130806 Year of fee payment: 3 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |