JP2008299031A - フォトニック結晶構造およびその製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】少なくとも1つの方向に光学特性が周期的に変化するフォトニック結晶構造であって、
前記フォトニック結晶構造の母材が誘電体で構成され、該母材に該母材の構成元素と異なる少なくとも1種類の分子または原子またはイオンを含む領域を備え、
前記領域は、前記分子または原子またはイオンの密度が、前記1つの方向に周期的に変化するように前記母材に配置されている構成とする。
【選択図】 図1
Description
フォトニック結晶の最も大きな特徴として、構成材料の屈折率差と構造の周期性によって、特定の電磁波が伝搬できない領域、いわゆるフォトニックバンドギャップを形成する。
フォトニック結晶中の屈折率分布に適切な欠陥を導入することにより、フォトニックバンドギャップ中にこの欠陥によるエネルギー準位(欠陥準位)が形成される。
これによって、フォトニック結晶は電磁波を自由自在に制御できる。その上、フォトニック結晶を用いたデバイスのサイズは、従来のデバイスよりはるかに小型化することができる。
また、フォトニック結晶において、3次元フォトニック結晶は構成物質の屈折率分布が、3次元的な周期を持ち、欠陥位置に存在する電磁波が外部に漏れにくいという特徴を有している。
つまり、電磁波伝搬の制御は、3次元フォトニック結晶が最も適している。
この3次元フォトニック結晶におけるウッドパイル構造は、図5に示すような構造を有している。
図5において、500は3次元周期構造であり、複数のロッド501を平行に、且つ所定の面内周期で周期的に配置したストライプ層を複数備え、これらを順次積層した構造を有している。
具体的には、複数のロッドを平行に、且つ所定の面内周期で周期的に配置した第1のストライプ層と、
上記第1のストライプ層上に、該第1のストライプ層に属する各ロッドと直交するようにして積層された第2のストライプ層と、
上記第2のストライプ層上に、上記第1のストライプ層に属する各ロッドと平行で且つ面内周期の1/2だけずれるようにして積層された第3のストライプ層と、
上記第3のストライプ層上に、上記第2のストライプ層に属する各ロッドと平行で且つ面内周期の1/2だけずれるようにして積層された第4のストライプ層と、
上記第1から第4のストライプ層を一組として、複数組を順次積層して、3次元周期構造が構成されている。
ここでのフォトニック結晶の構造の周期は、制御したい電磁波の波長の半分程度である。たとえば、可視光用フォトニック結晶デバイスでは、ロッドの面内周期は250nm程度である。
このジョイントロッド型3次元フォトニック結晶構造は、図6に示すような構造を有している。
図6において、600は3次元周期構造であり、ウッドパイル構造ロッドに相当するロッド部601の交点に、該交差領域の面積より大きいジョイント部620が配置された構造を有している。
また、制御したい電磁波の波長が短いほど、構造周期が小さくなり、必要となる構造のcritical dimension(CD)も小さくなるので、層間位置合せ精度や構造加工精度に対する要求も厳しくなる。
ここでの熱接着方法では、まず、基板上に設けたストライプ層に平行且つ所定の面内周期で配置したロッドアレイを形成する。
そして、熱接着法で上記ストライプ層同士を層間位置合わせしながら接合した後、一方のストライプ層の基板を除去する。
このような工程を繰り返すことによって、接合の回数だけの層数をもつウッドパイル構造が得られる。
以上のような積層技術によって、比較的複雑な構造を有する3次元フォトニック結晶の製造が可能とされている。
ここでは、薄膜加工に際して、以下のようなイオンビーム注入工程と、被エッチング材にドライエッチングを施す工程と、によって薄膜加工を可能にしている。すなわち、イオンビーム注入工程では、被エッチング材に集束させるイオンビームの注入位置を変えるとともに加速電圧、イオンの原子種、イオンの価数の少なくとも一つを変えてイオン注入し、前記被エッチング材の深さ方向にイオン濃度ピーク領域を形成する。
また、ドライエッチングを施す工程では、被エッチング材のイオン濃度ピーク領域でイオンとエッチング抑制領域を形成するエッチングガスにより前記被エッチング材をドライエッチングする。これらの工程により、薄膜加工が実施される。
一般的に、厚み方向の周期数が3以上であることが望ましい。
前記のウッドパイル構造でいうと、12層以上のストライプ層の積層が必要となる。
また、所望なデバイス特性を得るために、各構造の加工エラー及び層間の位置合せエラーを小さくすることが求められる。
例えば、ウッドパイル構造を有する3次元フォトニック結晶の場合には、各ロッドの加工誤差はロッド周期の約10%以下であることが望ましく、また、層間の位置合せ誤差はロッド周期の約25%以下であることが望ましい。
可視光用フォトニック結晶デバイスの場合、ロッドの面内周期は250nm程度であるので、各ロッドの加工誤差は約±25nm以下で、各層間の位置合せ誤差は約±60nm以下であることになる。
したがって、このような方法では生産性の向上を図ることがきわめて困難となる。
また、積層する度に位置合せが必要で、位置合せ誤差の累積が避けられない。
その上、各層間の界面において、材料(即ち、屈折率)の不連続性が生じると同時に、製造工程で不可避なゴミ付着およびコンタミが発生するので、不要な電磁波散乱が起きる。
更に、層数の増加に従って構造内の応力が増えるので、構造の変形も生じる。これらの構造乱れは、フォトニック結晶デバイスの特性に悪影響を及ぼす。
このようなことから、上記した従来の積層法では、精度よく3次元フォトニック結晶を製造することが困難である。
しかし、これらの技術を用いてウッドパイルのような複雑な構造を有する3次元フォトニック結晶の作製を可能とすることについては、解決されていない。
本発明のフォトニック結晶構造は、少なくとも1つの方向に光学特性が周期的に変化するフォトニック結晶構造であって、
前記フォトニック結晶構造の母材が誘電体で構成され、該母材に該母材の構成元素と異なる少なくとも1種類の分子または原子またはイオンを含む領域を備え、
前記領域は、前記分子または原子またはイオンの密度が、前記1つの方向に周期的に変化するように前記母材に配置されていることを特徴とする。
また、本発明のフォトニック結晶構造は、前記フォトニック結晶構造の母材が、連続体または多層膜であることを特徴とする。
また、本発明のフォトニック結晶構造は、前記誘電体が、Si、またはSiを含む化合物であることを特徴とする。
また、本発明のフォトニック結晶構造は、前記母材を構成する誘電体が、2種類の誘電体で構成され、その少なくとも1種類の誘電体による母材に、前記領域が構成されていることを特徴とする。
また、本発明のフォトニック結晶構造は、前記誘電体の1種類が真空、または空気を含むガスであり、前記誘電体の他の1種類がSi、またはSiを含む化合物であることを特徴とする。
また、本発明のフォトニック結晶構造は、前記フォトニック結晶構造の母材が、多層膜であることを特徴とする。
また、本発明のフォトニック結晶構造は、前記分子または原子またはイオンの少なくとも1種類が、Ga、Inによる金属、またはB、P、Si、Ar、酸素、窒素による非金属であることを特徴とする。
また、本発明のフォトニック結晶構造は、前記光学特性が周期的に変化する周期が、数十nm〜数十μmであることを特徴とする。
また、本発明のフォトニック結晶構造は、前記分子または原子またはイオンの密度における周期的に変化する周期が、
数十nm〜数十μmであることを特徴とする。
また、本発明のフォトニック結晶構造の製造方法は、少なくとも1つの方向に光学特性が周期的に変化するフォトニック結晶構造の製造方法であって、
フォトニック結晶構造の母材を用意する工程と、
前記母材に対して、集束イオンビームの加速電圧を変えながら該集束イオンビームを走査して前記母材にイオンを注入した領域を形成し、
前記領域の形成によって、前記イオンの密度が前記1つの方向に周期的に変化するように、イオン注入を行う工程と、
を含むことを特徴とする。
また、本発明のフォトニック結晶構造の製造方法は、前記フォトニック結晶構造の母材を用意する工程において、前記母材として、薄膜を形成することを特徴とする。
また、本発明のフォトニック結晶構造の製造方法は、前記薄膜の形成が、スパッタ、または真空蒸着、または化学気相堆積、またはエピタキシャル成長、のいずれかであることを特徴とする。
また、本発明のフォトニック結晶構造の製造方法は、前記イオン注入を行う工程の後に、前記イオンを注入した領域、または前記イオンを注入した領域以外の前記イオン不含有部分を選択的に除去する工程を、更に含むことを特徴とする。
また、本発明のフォトニック結晶構造の製造方法は、前記イオン注入を行う工程の後に、熱処理によって前記母材にイオンを注入した領域を改質する工程を、更に含むことを特徴とする。
また、本発明のフォトニック結晶構造の製造方法は、前記イオンを注入した領域、または前記イオンを注入した領域以外の前記イオン不含有部分を選択的に除去する工程が、
プラズマエッチング、または気体エッチング、または液体によるエッチングによる工程であることを特徴とする。
図1に、本実施の形態におけるフォトニック結晶の製造方法を説明するための製造工程を示す。
なお、図中の同一要素に関しては、同一の符号を用いている。
ここで、まず、本実施の形態のフォトニック結晶の製造方法を説明する前に、まず、図1(e)に示された本実施の形態における3次元ナノフォトニック結晶構造の構成例について説明する。
図1(e)において、10は基板、30は図1(a)に示される誘電体からなるフォトニック結晶母材20の部分(以下、これを母材部分30と記す)である。母材部分30は、フォトニック結晶構造の母材20の構成と異なる少なくとも1種類の分子または原子またはイオンが配置されて構成されている。
これに対して、40はフォトニック結晶構造の母材20と同じ構成材によるフォトニック結晶母材の部分(以下、これを母材部分40と記す)であり、この母材部分40には前記分子または原子またはイオンが配置されていない。
一般的に、この屈折率の差は、前記分子または原子またはイオンの密度が高いほど大きい。
つまり、前記フォトニック結晶構造を、誘電体による母材を用い、該母材に該母材の構成元素と異なる少なくとも1種類の分子または原子またはイオンを含む領域を構成するに際し、
前記領域を、前記分子または原子またはイオンの密度が、前記1つの方向に周期的に変化するように前記母材に配置した構造とすることによって、フォトニック結晶を構成することができる。
すなわち、前記分子または原子またはイオンの密度分布を周期的に変化させることによって、前記屈折率の差を変化させ、これにより少なくとも1つの方向に光学特性が周期的に変化するフォトニック結晶構造を得ることができる。
その際、前記光学特性が周期的に変化する周期が、あるいは前記分子または原子またはイオンの密度における周期的に変化する周期が、数十nm〜数十μmとした構成を採ることができる。
図2において、10は基板、50は雰囲気部、60はフォトニック結晶のロッドである。雰囲気部50は、真空、または空気を含むガス、等によることができる。
このフォトニック結晶は、図1(e)に示しているフォトニック結晶から、母材部分40の部分を抜いたものである。
つまり、ロッド60は図1における母材部分30に相当しており、フォトニック結晶母材の中に前記母材の構成元素と異なる少なくとも1種類の分子または原子またはイオンが配置されている。
このようなフォトニック結晶は、屈折率差がロッド60の部分と雰囲気部50との屈折率差になるので、図1(e)のフォトニック結晶よりも、屈折率差が大きい。
また、単純に母材からなる従来のフォトニック結晶に比較しても、図2のフォトニック結晶は、より大きい屈折率差が得られる。よって、より優れたフォトニック結晶特性が得られる。
このように母材を、雰囲気部50と、他の誘電体との2種類の誘電体で構成することで、上記のような優れた特性を得ることができる。
すなわち、前記誘電体の1種類を雰囲気部50を構成する真空、または空気を含むガスとし、前記誘電体の他の1種類をSi、またはSiを含む化合物とし、
この他の1種類による母材に、前記分子または原子またはイオンの密度が、前記1つの方向に周期的に変化するように前記母材に配置した前記領域を構成することで、上記のような優れた特性を得ることができる。
あるいは、GaN、GaAs、InP、InGaAsなどの半導体、TiO2、SiO2、ZnOなどの酸化物、等を用いることができる。
また、ガラスやアクリルなど透明部材も好適である。
その際、これらの誘電体による母材は、連続体、あるいは多層膜で構成することができる。
また、前記フォトニック結晶において、前記分子または原子またはイオンとして、Ga、In等の金属、またはB、P、Si、Ar、酸素、窒素等の非金属を用いることができる。
また、前記フォトニック結晶において、前記周期を数十nm〜数十μmとし、数百nm〜数μmとすることが望ましい。
まず、フォトニック結晶母材を用意する工程において、図1(a)に示したように、基板10の上にフォトニック結晶母材20を形成する。
以下では、これを成膜工程とも呼ぶ。20は、スパッタ、蒸着、接合などの方法で基板10に作製する。母材20の材料は単結晶、又はアモルファス状態の誘電体が本発明には適している。
具体的には、Si、GaN、GaAs、InP、InGaAs、TiO2、SiO2、ZnOなどが挙げられる。
母材20のサイズは、長さ、及び幅がそれぞれ1μm乃至1000μm程度で、厚さを数十nm〜数十μmとするのが望ましい。
前記基板10は、成膜面が平坦性を持ち、形成すべく母材20と密着性のあるものである。
例えば、石英、サファイア、ガラス、アクリル、Si、GaN、GaAs、InP、InGaAs、TiO2、ZnOの単体、または、これらの薄膜を有する他の材料である。
必要に応じて、基板10のフォトニック結晶母材20と接する表面に、密着性をよくするための密着層を形成しても良い。
成膜工程後、母材20の上に位置合せ用マークを形成しておく(図示無し)。この位置合せ用マークは、成膜前に、基板10の上に形成しても良い。
前記位置合せ用マークの形成方法として、例えば、フォトリソグラフィとリフトオフ法を用いることができる。
位置合せ用マークの材料は、Cr/Auなどを用いることができる。
前記領域の形成によって、前記イオンの密度が前記1つの方向に周期的に変化するように、イオン注入を行う工程において、母材部分(1層目)を形成する。すなわち、図1(b)に示したように、前記母材20の構成と異なる少なくとも1種類の分子または原子またはイオンが、前記母材20に配置(注入)されている母材部分30(1層目)を形成する。
以下では、これをイオン配置工程とも呼ぶ。そのため、集束イオンビーム(以下はFIBとも呼ぶ)を用いることができる。
前記分子または原子またはイオンに関して、その深さ方向の分布はFIBの加速電圧、その面内分布(つまり、パターン形状)はFIBの面内走査、その密度はFIBの電流及び注入時間で、それぞれ制御する。
母材20の材料、そして前記分子または原子またはイオンの種類が決まれば、簡易なシミュレーションで所定な深さや密度を得るために必要な加速電圧や電流や注入時間を求めることが可能なので、母材部分30の形成が簡易かつ高精度で行える。
前記分子または原子またはイオンとして、Ga、In等の金属、またはB、P、Si、Ar、酸素、窒素等の非金属が好適である。
前記集束イオンビームは、必要に応じて、単束ビーム、または多束ビームにすることが好ましい。
多束ビームの場合、各ビームの加速電圧、電流、ビーム径、そして走査は、それぞれ独立にすることによって、イオン配置工程の効率をさらに向上させることが可能である。
このイオン配置工程では、母材部分30の面内位置決めは、母材20の上に形成している前記位置合せ用マークを基準にする。
このとき、母材20の形成方法として、例えば、図1(a)で示した方法がある。この成膜工程では、前記位置合せ用マークを保護しておく。
上記した例では、ウッドパイル構造を形成するので、2層目の30部分のパターンが1層目のものと直交することになる。
このイオン配置工程においても、母材部分30の面内位置(つまり、パターンの位置)決めは、前記位置合せ用マークを基準にする。
ここでは、4層、つまり1周期のフォトニック結晶構造のものが作製された構成が示されている。
ロッド60の厚みが厚いとき(例えば200nm以上)、1層のロッドを形成するために、成膜工程とイオン配置工程を数回繰り返しても良い。
そうすることによって、比較的に低い加速電圧を用いても、ロッドの厚み方向で均質にイオン配置工程を行うことが可能となる。
また、逆に、ロッド60の厚みが薄いとき(例えば50nm以下)、1回の成膜工程とイオン配置工程で数層のロッドを形成しても良い。そうすることによって、作製工程数の低減ができる。
上記の工程で形成する3次元構造は、加工精度が数nm程度まで可能で、従来のものより1桁以上よい精度をもつことになる。
例えば、図6に示しているジョイントロッド型フォトニック結晶構造においても、本実施の形態におけるフォトニック結晶の製造方法によって、簡易に形成することが可能である。
更には、各種の2次元、または1次元フォトニック結晶、等については、本実施の形態におけるフォトニック結晶の製造方法によって、より一層、簡易にすることが可能である。
[実施例1]
実施例1では、成膜工程とイオン配置工程を所定の回数だけ繰り返して、所定の周期をもつウッドパイル構造を形成する3次元フォトニック結晶の製造方法について説明する。
本実施例においては、上記本発明の実施の形態で説明したフォトニック結晶の製造方法と、基本的に同じ工程によるものであるから、ここでも図1を用いて説明する。
図1において、10は石英基板、20はアモルファスSi薄膜によるフォトニック結晶構造の母材(以下、これをSi薄膜と記す)である。
すなわち、図1(a)に示したように、石英基板10の上に、スパッタ法で厚みが100nm程度のSi薄膜20を形成する。以下では、これを成膜工程とも呼ぶ。
なお、ここでの薄膜の形成にスパッタを用いたが、スパッタ以外に、真空蒸着、または化学気相堆積、またはエピタキシャル成長、のいずれかによることができる。
成膜工程後、Si薄膜20の上に、フォトリソグラフィとリフトオフ法でCr/Auからなる位置合せ用マークを形成しておく(図示無し)。この位置合せ用マークは、成膜前に、Si基板10の上に形成しても良い。
パターン形状の形成は、FIBの面内走査で制御する。Si薄膜の深さ方向におけるGaイオンの分布は、FIBの加速電圧で制御する。
例えば、Si薄膜の深さ方向でGaイオンを均等に配置するために、FIBの加速電圧を0.5kV〜120kVの間で数段階変えてイオン配置を行う。
Gaイオンの密度は、FIBの電流、ビーム径及び照射時間で制御する。前記密度の値は、1×1018〜1×1023cm-3の間で実用的な値として、例えば、1×1020cm-3とする。
Si薄膜20の厚みが分かっているので、目標Gaイオン密度に対して、簡易なシミュレーションを行えば、加速電圧や電流や照射時間等を含むイオン注入条件の最適化が容易にできる。
このイオン配置工程では、30の部分の面内位置(つまり、パターンの位置)決めは、Si薄膜20の上に形成している前記位置合せ用マークを基準にする。
この成膜工程では、前記位置合せ用マークをメタル板でカバーして保護しておく。
この場合、ウッドパイル構造を形成するので、2層目の30部分のパターンが1層目のものと直交することになる。
このGaイオン配置工程においても、30の部分の面内位置(つまり、パターンの位置)決めは、前記位置合せ用マークを基準にする。
ここでは、4層、つまり1周期のフォトニック結晶構造のものが作製された構成が示されている。
上記の工程で形成する3次元構造は、加工精度が数nm程度まで可能で、従来のものより1桁以上よい精度をもつことになる。
実施例2では、実施例1で形成したフォトニック結晶を用いて、新たなに作製するフォトニック結晶構造の構成例について説明する。
本実施例においては、上記本発明の実施の形態の図2に示すフォトニック結晶構造と、基本的に同じ構造によるものであるから、ここでも図2を用いて説明する。
上記本発明の実施の形態の図2に示すフォトニック結晶構造で説明したように、このフォトニック結晶は、図1(e)に示しているフォトニック結晶から、40の部分を抜いたものである。
つまり、ロッド60は図1における母材部分30に相当しており、フォトニック結晶母材の中に前記母材の構成元素と異なる少なくとも1種類の分子または原子またはイオンが配置されている。
このようなフォトニック結晶は、屈折率差がロッド60の部分と雰囲気部50との屈折率差になるので、図1(e)のフォトニック結晶よりも、屈折率差が大きい。
また、単純に母材からなる従来のフォトニック結晶に比較しても、図2のフォトニック結晶はより大きい屈折率差が得られる。よって、より優れたフォトニック結晶特性が得られる。
すなわち、前記イオン注入を行う工程の後に、前記イオンを注入した領域以外の前記イオン不含有部分を選択的に除去する工程を、更に含む工程を用いる。
例えば、実施例1で形成したフォトニック結晶構造をXeF2ガス雰囲気に置く。
このとき、図1(e)における40の部分、つまり、Gaイオンを含まないSiの部分において、SiがXeF2と化学反応し、揮発性の高いSiフッ化物を形成して、蒸発する。
一方、Gaイオンを含む30の部分の表面において、GaがXeF2と化学反応して、揮発性の極めて低いGaフッ化物を形成する。
このGaフッ化物は、30の部分の表面で保護膜を形成し、30の部分のSiがXeF2と化学反応しないように働く。
その結果、40の部分が完全に除去され、ロッド60と雰囲気部50からなるウッドパイル構造フォトニック結晶が形成される。
その場合、まず、容器中を排気して、減圧状態にする。
そして、XeF2ガスをある圧力まで導入して、Siの選択除去を行う。
そして、容器中を排気して、反応性生物等ガスを適宜に除去する。このXeF2ガス導入と排気工程を繰り返すことによって、効率よく前記フォトニック結晶を作製することができる。
実施例3では、実施例1で形成したフォトニック結晶を用いて、新たなに作製する実施例2とは異なるフォトニック結晶構造の構成例について説明する。
図3に、本実施例のフォトニック結晶構造を説明する図を示す。
本実施例においては、前記イオン注入を行う工程の後に、前記イオンを注入した領域を選択的に除去する工程を、更に含む工程を用いる。
例えば、溶液を用いて、図1(e)における30の部分、つまり、Gaイオンを含んでいるSiの部分を選択的に除去する。
使用可能な溶液は、Gaを溶かすが、Siを溶かさないものであればよい。例えば、塩酸の水溶液がある。
まず、図1(e)に示すフォトニック結晶構造を前記溶液に入れ、30の部分が完全に溶けるまで待つ。
そして、エッチング後の構造体を十分に水洗する。最後に、乾燥して、図3のフォトニック結晶を完成する。
このようなフォトニック結晶は、Siのみから構成して、Gaが含まれないものになる。
この実施例では、実施例2或は実施例3で形成したフォトニック結晶200或は300を型として、新たに作製するフォトニック結晶構造の構成例について説明する。
本実施例においては、前記イオン注入を行う工程の後に、熱処理によって前記母材にイオンを注入した領域を改質する工程を、更に含む工程を用いる。
例えば、まず、化学気相堆積(CVD)法、または原子層堆積(ALD)法でフォトニック結晶200或は300のロッド60間の雰囲気部50を別の材料で埋め込む。
該材料は、例えば、TiO2である。埋め込む条件の最適化によって、前記雰囲気部50を隙間なく緻密に埋め込むことができる。そして、研磨やドライエッチングによって、前記ロッド60の中で最外部に位置するものを部分的に露出させる。
そして、ドライエッチング、または溶液エッチングによって、ロッド60を完全に除去する。
ドライエッチング法として、実施例2で示したXeF2ガスによるものがある。溶液エッチングに使用できる溶液は、Siを溶かすが、TiO2をエッチングしないものであればよい。
例えば、TMAH(水酸化テトラメチルアンモニウム)水溶液が好適である。前記プロセスによって、TiO2からなる3次元フォトニック結晶が形成される。また、TiO2の代わりに、GaN、SiO2、ZnOなどの材料もある。それぞれの材料では、埋め込む等の工程が若干異なるが、可能であることが明らかである。
また、基板10は石英としたが、必要に応じて変えても支障がない。
つまり、ロッドの断面70を見ると、ロッドの表面35にはGaイオンが配置されているが、ロッドの内部45にはGaイオンが配置されていない。これによって、Gaイオンを注入する時間を短縮できる。
上記手法によって、最初に成膜工程とイオン配置工程で形成したフォトニック結晶と全く異なる材料からなるフォトニック結晶を形成することも可能になる。
なお、上記実施例2から実施例4における前記イオンを注入した領域、または前記イオンを注入した領域以外の前記イオン不含有部分を選択的に除去する工程等において、
プラズマエッチング、または気体エッチング、または液体によるエッチング、等を用いることができる。
20:フォトニック結晶母材
30:誘電体によるフォトニック結晶母材の部分
35:ロッドの表面
40:フォトニック結晶母材と同じ構成材によるフォトニック結晶母材の部分
45:ロッドの内部
50:雰囲気部
60:ロッド
100乃至300:3次元フォトニック結晶構造
Claims (15)
- 少なくとも1つの方向に光学特性が周期的に変化するフォトニック結晶構造であって、
前記フォトニック結晶構造の母材が誘電体で構成され、該母材に該母材の構成元素と異なる少なくとも1種類の分子または原子またはイオンを含む領域を備え、
前記領域は、前記分子または原子またはイオンの密度が、前記1つの方向に周期的に変化するように前記母材に配置されていることを特徴とするフォトニック結晶構造。 - 前記フォトニック結晶構造の母材が、連続体または多層膜であることを特徴とする請求項1に記載のフォトニック結晶構造。
- 前記誘電体が、Si、またはSiを含む化合物であることを特徴とする請求項1に記載のフォトニック結晶構造。
- 前記母材を構成する誘電体が、2種類の誘電体で構成され、その少なくとも1種類の誘電体による母材に、前記領域が構成されていることを特徴とする請求項1に記載のフォトニック結晶構造。
- 前記誘電体の1種類が真空、または空気を含むガスであり、前記誘電体の他の1種類がSi、またはSiを含む化合物であることを特徴とする請求項4に記載のフォトニック結晶構造。
- 前記フォトニック結晶構造の母材が、多層膜であることを特徴とする請求項5に記載のフォトニック結晶構造。
- 前記分子または原子またはイオンの少なくとも1種類が、Ga、Inによる金属、またはB、P、Si、Ar、酸素、窒素による非金属であることを特徴とする請求項1乃至6のいずれか1項に記載のフォトニック結晶構造。
- 前記光学特性が周期的に変化する周期が、数十nm〜数十μmであることを特徴とする請求項1乃至7のいずれか1項に記載のフォトニック結晶構造。
- 前記分子または原子またはイオンの密度における周期的に変化する周期が、
数十nm〜数十μmであることを特徴とする請求項1乃至7のいずれか1項に記載のフォトニック結晶構造。 - 少なくとも1つの方向に光学特性が周期的に変化するフォトニック結晶構造の製造方法であって、
フォトニック結晶構造の母材を用意する工程と、
前記母材に対して、集束イオンビームの加速電圧を変えながら該集束イオンビームを走査して前記母材にイオンを注入した領域を形成し、
前記領域の形成によって、前記イオンの密度が前記1つの方向に周期的に変化するように、イオン注入を行う工程と、
を含むことを特徴とするフォトニック結晶構造の製造方法。 - 前記フォトニック結晶構造の母材を用意する工程において、前記母材として、薄膜を形成することを特徴とする請求項10に記載のフォトニック結晶構造の製造方法。
- 前記薄膜の形成が、スパッタ、または真空蒸着、または化学気相堆積、またはエピタキシャル成長、のいずれかであることを特徴とする請求項11に記載のフォトニック結晶構造の製造方法。
- 前記イオン注入を行う工程の後に、前記イオンを注入した領域、または前記イオンを注入した領域以外の前記イオン不含有部分を選択的に除去する工程を、更に含むことを特徴とする請求項10乃至12のいずれか1項に記載のフォトニック結晶構造の製造方法。
- 前記イオン注入を行う工程の後に、熱処理によって前記母材にイオンを注入した領域を改質する工程を、更に含むことを特徴とする請求項10乃至12のいずれか1項に記載のフォトニック結晶構造の製造方法。
- 前記イオンを注入した領域、または前記イオンを注入した領域以外の前記イオン不含有部分を選択的に除去する工程が、
プラズマエッチング、または気体エッチング、または液体によるエッチングによる工程であることを特徴とする請求項13または請求項14に記載のフォトニック結晶構造の製造方法。
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