JP4910495B2 - 3次元構造体およびその製造方法 - Google Patents
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Description
(1)半導体薄膜プロセスにより、薄膜のパターンをSiウェハ201上に成膜した後、真空チャンバ内で、ドナー基板200の表面をFAB処理により清浄化する。FAB(Fast Atom Beam)処理とは、例えば、Arガスを高電圧で加速してドナー基板200の表面に照射し、該表面の酸化膜、不純物等を除去する処理をいう。
(2)ターゲット基板111をドナー基板200の第1の薄膜112上に位置決めし、ターゲット基板111を降下させ、第1の薄膜112に圧接して常温接合し、ターゲット基板111を上昇させて第1の薄膜112をターゲット基板111に転写させる。常温接合とは、良好な表面粗さを有し、かつ上記FABによって清浄化された薄膜面同士を常温雰囲気で接触させ、原子同士を直接結合させる接合方法をいう。
(3)ターゲット基板111をドナー基板200の第2の薄膜113上に位置決めし、ついでターゲット基板111を降下させ、ターゲット基板111上の第1の薄膜112を第2の薄膜113に圧接して常温接合し、ターゲット基板111を上昇させて第2の薄膜113をターゲット基板111に転写させる。
(4)ターゲット基板111をドナー基板200の第3の薄膜114上に位置決めし、ついでターゲット基板111を降下させ、ターゲット基板111上の第1,第2の薄膜112,113からなる積層体を第3の薄膜114に圧接して常温接合し、ターゲット基板111を上昇させて第3の薄膜114をターゲット基板111に転写させる。
(5)ターゲット基板111をドナー基板200の第4の薄膜115上に位置決めし、ついでターゲット基板111を降下し、ターゲット基板111上の第1〜第3の薄膜112〜114からなる積層体を第4の薄膜115に圧接して常温接合し、ターゲット基板111を上昇させて第4の薄膜115をターゲット基板111に転写させる。以上により、第1〜第4の薄膜112〜115を積層した図6の3次元構造体100が完成する。
図1は、本発明の実施の形態に係る3次元構造体を示す。また、図2は、図1の3次元構造体を示す、(a)正面図、(b)平面図である。
図4は、3次元構造体1の製造方法を示す。まず、図4の(a)のように、図3のドナー基板2の薄膜形成領域23Aからターゲット基板11の所定の位置に第1の薄膜パターン24aを転写して、第1層を形成する。
本実施の形態によれば、第1〜第4のロッド12〜15をターゲット基板11に立設し、その長さ方向に複数回に分けて第1〜第9の薄膜パターン24a〜24iをドナー基板2からターゲット基板11に転写する構成にしたため、図5(a)の正面図、(b)の平面図に示すように、第2層の第2のロッド13は、第1,第3のロッド12,14の正面に連結されており、オーバーハング(ブリッジ)に起因する変形を生じることがない。このため、本実施の形態によれば、所望の3次元フォトニック結晶を得ることができる。
なお、本発明は、上記各実施の形態に限定されず、本発明の技術思想を逸脱あるいは変更しない範囲内で種々な変形が可能である。例えば、上記実施の形態では、3次元構造体としてフォトニック結晶について説明したが、同様の構造を有するマイクロミキサーやマイクロクーラーなどの流路素子に適用することも可能である。このような流路素子は、電鋳によりNi、Cuなどから成るパターンをドナー基板上に形成した後、このパターンをターゲット基板に順次積層することにより作製される。流路素子ではロッドの幅、厚さは概略数10μm〜数100μmである。本発明を用いれば、3次元フォトニック結晶を作製するときと同様に、オーバーハング(ブリッジ)に起因する変形が生じることがなくなるので、所望の形状をした流路素子を得ることができる。
2 ドナー基板
11 ターゲット基板
12 第1のロッド
13 第2のロッド
14 第3のロッド
15 第4のロッド
21 Siウェハ
22 離型層
23A〜23I の薄膜形成領域
24a 第1の薄膜パターン
24b 第2の薄膜パターン
24c 第3の薄膜パターン
24d 第4の薄膜パターン
24e 第5の薄膜パターン
24f 第6の薄膜パターン
24g 第7の薄膜パターン
24h 第8の薄膜パターン
24i 第9の薄膜パターン
100 3次元構造体
111 ターゲット基板
112 第1の薄膜
113 第2の薄膜
114 第3の薄膜
115 第4の薄膜
200 ドナー基板
201 Siウェハ
202 離型層
203A 第1の薄膜形成領域
203B 第2の薄膜形成領域
203C 第3の薄膜形成領域
203D 第4の薄膜形成領域
Claims (6)
- 所定の面に垂直な複数の第1の垂直ロッドと、前記複数の第1の垂直ロッドの背面に直交して連結された複数の第1の水平ロッドと、前記複数の第1の水平ロッドの背面に直交して連結された複数の第2の垂直ロッドと、前記複数の第2の垂直ロッドの背面に直交して連結された複数の第2の水平ロッドとを備え、前記複数の第1及び第2の垂直ロッドおよび前記複数の第1及び第2の水平ロッドは、金属からなり、全体が流路素子を構成している3次元構造体の製造方法において、
前記3次元構造体の前記所定の面に平行な断面形状を有する複数の薄膜パターンをドナー基板に形成する第1の工程と、
前記ドナー基板上の前記複数の薄膜パターンを順次ターゲット基板へ転写、接合して前記ターゲット基板上に前記3次元構造体を形成する第2の工程とを含むことを特徴とする3次元構造体の製造方法。 - 前記第2の工程は、常温接合によることを特徴とする請求項1に記載の3次元構造体の製造方法。
- 請求項1又は請求項2に記載の3次元構造体の製造方法により製造されたことを特徴とする3次元構造体。
- 前記複数の第1及び第2の垂直ロッドの一端は、前記所定の面に対応する基板の表面に接合されていることを特徴とする請求項3に記載の3次元構造体。
- 前記薄膜部材は、前記第1及び第2の水平ロッドの幅相当の厚さを有することを特徴とする請求項3に記載の3次元構造体。
- 前記複数の第1及び第2の垂直ロッドおよび前記複数の第1及び第2の水平ロッドは、同方向間のロッドの配列がハーフピッチのずれを有することを特徴とする請求項3に記載の3次元構造体。
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