JP2007193252A - 3次元フォトニック結晶体の作製方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】多種多様な構成で多種多様な材料の3次元フォトニック結晶体を簡便に高いスループットで安価に作製することができる方法。
【解決手段】周期的な高屈折領域と低屈折領域が3次元に配列された3次元フォトニック結晶体の作製方法であって、モールド10基板の表面の1次元方向又は2次元方向に規則的な微細凹凸パターン、あるいは、その規則的な微細凹凸パターン中に欠陥が導入されてなる微細凹凸パターンが形成されており、そのモールド10上に剥離材層を成膜し、その上に屈折率の異なる薄膜層が規則的に交互に積層されてなる多層膜、あるいは、その規則的に積層されてなる多層膜中に欠陥が導入されてなる多層膜16を積層し、その上に基材17を接着し、剥離材層を溶解してモールド10から剥離する3次元フォトニック結晶体の作製方法。
【選択図】図4
【解決手段】周期的な高屈折領域と低屈折領域が3次元に配列された3次元フォトニック結晶体の作製方法であって、モールド10基板の表面の1次元方向又は2次元方向に規則的な微細凹凸パターン、あるいは、その規則的な微細凹凸パターン中に欠陥が導入されてなる微細凹凸パターンが形成されており、そのモールド10上に剥離材層を成膜し、その上に屈折率の異なる薄膜層が規則的に交互に積層されてなる多層膜、あるいは、その規則的に積層されてなる多層膜中に欠陥が導入されてなる多層膜16を積層し、その上に基材17を接着し、剥離材層を溶解してモールド10から剥離する3次元フォトニック結晶体の作製方法。
【選択図】図4
Description
本発明は、3次元フォトニック結晶体の作製方法に関し、特に、微細凹凸パターンが形成されたモールドを繰り返し使うことで簡便に高いスループットで3次元フォトニック結晶体を作製することができる方法に関するものである。
従来、例えば3次元フォトニック結晶光導波路を作製するためには、図17(a)〜(c)に模式的に示すように、基板1上に2次元の微細パターン2、3、4を順に積み木状に積層し、そこに任意の欠陥5を導入する方法が用いられてきた。
また、特許文献1には、周期パターンが形成された基板上に2種類以上の屈折率が異なる材料をスパッタデポジションとスパッタエツチングを同時に行う成膜プロセスにより3次元フォトニック結晶を作製する方法が開示されている。
また、特許文献2には、ナノインプリントリソグラフィー法により2次元微細パターンを作製する方法が開示されている。
特開2001−74954号公報
米国特許第5,772,905号明細書
しかし、図17に示したような従来の2次元の微細パターンを積み木状に積層し、そこに任意の欠陥を導入する方法では、正確な位置合わせ技術が必要であり、工程数が多い等の欠点を持つ。
一方、特許文献1に記載の方法では、1つの3次元フォトニック結晶を作製するのに1つの周期パターンが描かれた基板が必要であり、また、製造の工程数も多い。また、特許文献2に記載の方法では、2次元的なものは作製可能であるが、3次元フォトニック結晶の作製は困難である。また、使用できる被転写材料が熱可塑性樹脂や紫外線硬化樹脂等に限られている。
本発明は従来技術のこのような問題点に鑑みてなされたものであり、その目的は、多種多様な構成で多種多様な材料の3次元フォトニック結晶体を簡便に高いスループットで安価に作製することができる方法を提供することである。
上記目的を達成する本発明の3次元フォトニック結晶体の作製方法は、周期的な高屈折領域と低屈折領域が3次元に配列された3次元フォトニック結晶体の作製方法であって、モールドの表面の1次元方向又は2次元方向に規則的な微細凹凸パターン、あるいは、その規則的な微細凹凸パターン中に欠陥が導入されてなる微細凹凸パターンが形成されており、そのモールド上に剥離材層を成膜し、その上に屈折率の異なる薄膜層が規則的に交互に積層されてなる多層膜、あるいは、その規則的に積層されてなる多層膜中に欠陥が導入されてなる多層膜を積層し、その上に基材を接着し、前記剥離材層を溶解して前記モールドから剥離することを特徴とする方法である。
この場合、前記モールドの表面の微細凹凸パターンの凸部の少なくとも一部が円柱状の突起からなり、前記突起は積層された前記多層膜を貫通する高さを有しており、前記突起の規則的な配列間に前記突起の通路状の欠落又は孤立領域状の欠落を備えているものとすることができる。
また、前記モールドの表面の微細凹凸パターンは複数の領域に分割され、その領域毎に異なる微細凹凸パターンを有することもできる。
また、前記モールドの表面の微細凹凸パターンの凸部が多段構造の凸部乃至突起からなっていてもよい。
以上の作製方法によって作製される3次元フォトニック結晶体としては、回折格子や光導波路を備えるものとすることができる。
以上の本発明の3次元フォトニック結晶体の作製方法によると、微細凹凸パターンが形成されたモールドを繰り返し使うことができ、また、多層膜作製技術だけを用いているため、簡便に高いスループットで安価に3次元フォトニック結晶体を作製することができる。さらに、パターンエッチグ技術を必要としないため、構造や材料の自由度が高い等の利点を持つ。
また、用途としては、偏光子、光導波路や光集積回路等のフォトニック結晶光学素子に適用が可能であり、製造に必要な技術が簡便な薄膜作製技術と化学エッチング技術であることから、製造の高スループット化が図れ、安価に製造することができる。
本発明の3次元フォトニック結晶体の作製方法は、基本的には、フォトマスク製造技術等により製造されたした任意の微細凹凸パターンが形成されたモールド上に、Cr膜等の剥離材層を成膜し、その上に薄膜作製技術(スパッタリング法、EB蒸着法等)により多層膜を積層し、その上に基材を接着し、剥離材層を化学エツチング等により溶解してモールドから剥離することで、基材に接着され、モールド表面の微細凹凸パターンが多層膜に転写されて周期的な高屈折領域と低屈折領域が3次元に配列された3次元フォトニック結晶体を作製する方法である。
以下、本発明の3次元フォトニック結晶体の基本的な作製方法を図1〜図5を参照にして説明し、次いで、いくつかの実施例を説明する。
図1に斜視図を示すように、微細な凸部11と凹部12が周期的に表面に配置された石英ガラス等からなるモールド(母型)10を用意する。凸部11の高さ、凹部12の深さは全て同一としているが、領域によって異なっていてもよい。また、3次元フォトニック結晶に欠陥を導入するために、凸部11と凹部12の周期が部分的に異なるか一部の凸部11又は凹部12が省かれていてもよい。
次いで、図2に示すように、表面にこのような微細な凹凸パターンが形成されているモールド10表面全面に剥離材としてのCr等の金属からなる金属層13を成膜する。
次に、図3に示すように、金属層13が表面に成膜されたモールド10表面に、その凹凸パターンの段差を保存するように、屈折率の異なる例えば酸化物からなる薄膜層14、15を交互に所定数だけスパッタリング法、EB蒸着法等の薄膜作製技術を用いて積層して、モールド10表面に沿った2つの方向X方向、Y方向、及び、高さ方向(Z方向)に、相互に独立に周期的に屈折率の異なる微細な領域が配置された多層膜体16がモールド10上に形成される。もちろん、上記したように、凸部11と凹部12の周期が部分的に異なるか一部の凸部11又は凹部12が省かれている場合、あるいは、薄膜層14、15の厚さが部分的に異なるように積層された場合、X方向、Y方向、Z方向何れかに必要な欠陥が導入される。
次いで、図4に示すように、積層された多層膜体16の上面に紫外線硬化樹脂や熱可塑性樹脂等からなる接着材18を介して酸化物等からなる基材17を接着する。そして、モールド10の表面と多層膜体16の下面の間に存在する金属層13を化学エツチング(Crの場合は、硝酸第2セリウムアンモニウム系エッチング液でエツチング)してモールド10から離型(インプリント)する。
このようにして、図5に示すような、基材17に接着材18により接着された多層膜体16からなる3次元フォトニック結晶体20が得られる。
以上のように、本発明の作製方法によると、微細凹凸パターンが形成されたモールドを繰り返し使うことができ、また、多層膜作製技術だけを用いているため、簡便に高いスループットで安価に3次元フォトニック結晶体を作製することができる。さらに、パターンエッチグ技術を必要としないため、構造や材料の自由度が高い等の利点を持つ。
次に、以上のような本発明の3次元フォトニック結晶体の作製方法を用いて、光導波路の一端に回折格子からなる光結合器を設けた光集積回路の作製方法を、図6〜図12を参照にして説明する。
図6はそのためにモールド(母型)10を示す斜視図であり、石英ガラス等からなる基板の表面に直線通路22を挟んで両側に円柱状の高い突起21が2次元的に規則的に配置され、その突起21の列の前方に、直線通路22に交差するように基板の表面に伸びる直線的で同じ高さの凸部23と同じ深さの凹部24が一定周期で配置されている。直線通路22は、2次元的に規則的に配置されている突起21の列の中に導入された欠陥と言うことができる。
次に、図7に示すように、このような突起21、直線通路22、凸部23、凹部24が基板表面に配置されてなるモールド10表面全面に、剥離材としてのCr等の金属からなる金属層13を成膜する。
次いで、図8に示すように、金属層13が表面に成膜されたモールド10表面に、その凹凸パターンの段差を保存するように、屈折率の異なる例えば酸化物からなる高屈折率の薄膜層25と低屈折率の薄膜層26とを交互に所定数だけスパッタリング法、EB蒸着法等の薄膜作製技術を用いて積層する。ただし、交互に積層された薄膜層25と薄膜層26の中の中間に位置する高屈折率の薄膜層25’の厚さを他の薄膜層25、26より厚く成膜することにより、高さ方向(Z方向)に欠陥を導入する。基準波長λとすると、例えば、薄膜層25と26の光学的厚さはλ/4とし、薄膜層25’の光学的厚さはλ/2とする。このようにして、多層膜体27がモールド10上に形成される。
次いで、図9に示すように、積層された多層膜体27の上面に紫外線硬化樹脂や熱可塑性樹脂等からなる接着材18を介して酸化物等からなる基材17を接着する。そして、モールド10の表面と多層膜体27の下面の間に存在する金属層13を化学エツチング(Crの場合は、硝酸第2セリウムアンモニウム系エッチング液でエツチング)してモールド10から離型(インプリント)すると、図10に剥離されたモールド10側から見た図を示すよに、基材17に接着材18により接着された多層膜体27からなる3次元フォトニック結晶体(光集積回路)30が得られる。なお、図9、図10において、基材17と多層膜体27の間の接着材18は薄く図示されているが、実際には、突起21上に積層された薄膜層25と25’と26からなる多層膜を接着材18の中に取り込んで固定できるだけの厚さが必要である。以下の、図11、図12においても同じ。また、円柱状の突起21の高さは、多層膜体27を貫通する高さであることが望ましい。
図11は、上記のようにして得られた3次元フォトニック結晶体(光集積回路)30の機能を説明するための図であり、X方向に直線状に伸びるモールド10の直線通路22に対応する光導波領域22’のY方向両側に、モールド10の突起21の列に対応して円柱状の深い穴21’が2次元的に規則的に配置されて光導波路31が形成されている。この光導波路31における光導波領域22’においては、Z方向においては、厚さの厚い高屈折率の薄膜層25’が欠陥となり、その両側にある規則的な薄膜層25と26の多層膜がフォトニック結晶を構成しており、光は薄膜層25’中に閉じ込められる。また、Y方向においては、円柱状の深い穴21’の列がフォトニック結晶を構成しており、光導波領域22’が欠陥となって、光はその光導波領域22’中に閉じ込められる。したがって、光導波路31の図11の左側の一端から導入された光は光導波領域22’中を薄膜層25’に沿ってX方向にガイドされ、光導波路31の先端部に設けられた回折格子32に達する。
回折格子32においては、モールド10のY方向に伸びる凸部23と凹部24の繰り返しパターンに対応して薄膜層25、26、25’はZ方向に波打っているので、回折条件を満足する方向に回折されて図11の矢印のように3次元フォトニック結晶体30からZ方向に所定の角度をなして外に射出する。
図12は、図11に示したような3次元フォトニック結晶体(光集積回路)30を2つ用意し、それらの間で光結合させる様子を示すものであり、それぞれの3次元フォトニック結晶体を301 、302 とする。3次元フォトニック結晶体301 、302 それぞれの回折格子32を相互に向かい合わせるように、一方の3次元フォトニック結晶体301 と他方の3次元フォトニック結晶体302 の基材17とは反対側の面を対向させて配置し、一方の3次元フォトニック結晶体301 の一端から図の矢印のように光をその光導波路31中に入射させると、入射された光はその3次元フォトニック結晶体301 の光導波路31中をガイドされ、その先端部の回折格子32に達して、外へ射出させる。その一方の3次元フォトニック結晶体301 から外へ出た光は、今度は他方の3次元フォトニック結晶体302 の回折格子32から光導波路31へ導入され、その光導波路31の他端から図の矢印のように射出される。
このように、この実施例の3次元フォトニック結晶体301 、302 においては、それぞれの中を導波された光を相互に光学的に結合することができる。
なお、図11の構成において、回折格子32の周期や高さを変えることで、反射器、光合波分波器、波長フィルター等の様々な光学機能を付加することができる。
以上の、図6〜図12の例では、X−Y面内の光導波領域22’は直線状のものであったが、本発明の3次元フォトニック結晶体の作製方法で作製可能な光導波領域としては、途中で屈曲するものも可能である。図13は、そのような途中で鈍角あるいは直角に屈曲する光導波領域を作製するためのモールド(母型)10を示す斜視図であり、石英ガラス等からなる基板の表面に途中で鈍角あるいは直角に屈曲する通路42を挟んで両側に円柱状の高い突起21が2次元的に規則的に配置されている。途中で鈍角あるいは直角に屈曲する通路42は、2次元的に規則的に配置されている突起21の列の中に導入された欠陥と言うことができる。
このようなモールド10から図7〜図9と同様にしてインプリントで得られた3次元フォトニック結晶体(光導波路)40の図11と同様の図を図14に示す。モールド10のX方向に直線状に伸び途中でY方向へ鈍角あるいは直角に屈曲する通路42に対応する光導波領域42’の両側に、モールド10の突起21の列に対応して円柱状の深い穴21’が2次元的に規則的に配置されて光導波路31が形成されている。この光導波路31における光導波領域42’においては、Z方向においては、厚さの厚い高屈折率の薄膜層25’が欠陥となり、その両側にある規則的な薄膜層25と26(図8参照)の多層膜がフォトニック結晶を構成しており、光は薄膜層25’中に閉じ込められる。また、X−Y面内ににおいては、円柱状の深い穴21’の列がフォトニック結晶を構成しており、光導波領域42’が欠陥となって、光はその光導波領域42’中に閉じ込められる。したがって、光導波路31の図14の左側の一端から導入された光は光導波領域42’中を薄膜層25’に沿って途中で屈曲してガイドされ、光導波領域42’の先端に達する。
図15は、X−Y面で点欠陥を導入してX−Y面で光共振器を構成するためのモールド(母型)10を示す斜視図であり、円柱状の高い突起21が2次元的に規則的に配置されている中の隣接した孤立領域の1本又は複数本の突起21を省いて欠陥43を構成したものであり、このようなモールド10から図7〜図9と同様にしてインプリントで得られた3次元フォトニック結晶体においては、光はX−Y面内でこの欠陥43に対応する領域に制限され、例えばその欠陥43に対応する領域のZ方向に配置された光源からの光をこの欠陥に対応する領域に制限して放射する作用を持つ。
ところで、以上の説明では、モールド(母型)10上に設ける凸部乃至突起は単一高さのものであったが、図16に示すように、多段構造の凸部乃至突起44を用いることで、例えば特性を特定方向へブレーズドするようにすることもできる。
以上、本発明の3次元フォトニック結晶体の作製方法をその基本形と実施例に基づいて説明してきたが、本発明は種々の変形が可能である。また、本発明の作製方法で作製した3次元フォトニック結晶光導波路を組み合わせることにより、任意な3次元光導波路や光集積回路が作製できる。
1…基板
2、3、4…2次元の微細パターン
5…欠陥
10…モールド(母型)
11…凸部
12…凹部
13…金属層
14、15…薄膜層
16…多層膜体
17…基材
18…接着材
20…3次元フォトニック結晶体
21…円柱状の突起
21’…円柱状の穴
22…直線通路
22’…光導波領域
23…凸部
24…凹部
25…高屈折率の薄膜層
26…低屈折率の薄膜層
25’…中間に位置する高屈折率の薄膜層(欠陥)
27…多層膜体
30、301 、302 …3次元フォトニック結晶体(光集積回路)
31…光導波路
32…回折格子
40…3次元フォトニック結晶体(光導波路)
42…鈍角あるいは直角に屈曲する通路
42’…光導波領域
43…欠陥
44…多段構造の凸部又は突起
2、3、4…2次元の微細パターン
5…欠陥
10…モールド(母型)
11…凸部
12…凹部
13…金属層
14、15…薄膜層
16…多層膜体
17…基材
18…接着材
20…3次元フォトニック結晶体
21…円柱状の突起
21’…円柱状の穴
22…直線通路
22’…光導波領域
23…凸部
24…凹部
25…高屈折率の薄膜層
26…低屈折率の薄膜層
25’…中間に位置する高屈折率の薄膜層(欠陥)
27…多層膜体
30、301 、302 …3次元フォトニック結晶体(光集積回路)
31…光導波路
32…回折格子
40…3次元フォトニック結晶体(光導波路)
42…鈍角あるいは直角に屈曲する通路
42’…光導波領域
43…欠陥
44…多段構造の凸部又は突起
Claims (6)
- 周期的な高屈折領域と低屈折領域が3次元に配列された3次元フォトニック結晶体の作製方法であって、モールドの表面の1次元方向又は2次元方向に規則的な微細凹凸パターン、あるいは、その規則的な微細凹凸パターン中に欠陥が導入されてなる微細凹凸パターンが形成されており、そのモールド上に剥離材層を成膜し、その上に屈折率の異なる薄膜層が規則的に交互に積層されてなる多層膜、あるいは、その規則的に積層されてなる多層膜中に欠陥が導入されてなる多層膜を積層し、その上に基材を接着し、前記剥離材層を溶解して前記モールドから剥離することを特徴とする3次元フォトニック結晶体の作製方法。
- 前記モールドの表面の微細凹凸パターンの凸部の少なくとも一部が円柱状の突起からなり、前記突起は積層された前記多層膜を貫通する高さを有しており、前記突起の規則的な配列間に前記突起の通路状の欠落又は孤立領域状の欠落を備えていることを特徴とする請求項1記載の3次元フォトニック結晶体の作製方法。
- 前記モールドの表面の微細凹凸パターンは複数の領域に分割され、その領域毎に異なる微細凹凸パターンを有することを特徴とする請求項1又は2記載の3次元フォトニック結晶体の作製方法。
- 前記モールドの表面の微細凹凸パターンの凸部が多段構造の凸部乃至突起からなることを特徴とする請求項1から3記載の3次元フォトニック結晶体の作製方法。
- 前記3次元フォトニック結晶体が回折格子を備えることを特徴とする請求項1から4記載の3次元フォトニック結晶体の作製方法。
- 前記3次元フォトニック結晶体が光導波路を備えることを特徴とする請求項1から5記載の3次元フォトニック結晶体の作製方法。
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---|---|---|---|---|
JP2011123474A (ja) * | 2009-11-16 | 2011-06-23 | Seiko Epson Corp | 偏光素子及びプロジェクター |
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KR101132748B1 (ko) * | 2010-01-13 | 2012-04-06 | 포항공과대학교 산학협력단 | 마이크로 몰드 시스템과 이의 제조 방법 및 이를 이용한 초소형 정밀 부품의 제조 방법 |
-
2006
- 2006-01-23 JP JP2006013440A patent/JP2007193252A/ja active Pending
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