JP2007214450A

JP2007214450A - 基板の処理システム，基板の処理方法及びプログラム

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Publication number: JP2007214450A
Application number: JP2006034089A
Authority: JP
Inventors: Takahisa Otsuka; 貴久大塚; Takeshi Shibata; 剛柴田
Original assignee: Tokyo Electron Ltd
Current assignee: Tokyo Electron Ltd
Priority date: 2006-02-10
Filing date: 2006-02-10
Publication date: 2007-08-23
Anticipated expiration: 2026-02-10
Also published as: CN101017329A; US8168378B2; CN101017329B; US20070190246A1; KR101194976B1; KR20070081442A; JP4657940B2; US20100323306A1; US7816276B2

Abstract

【課題】レジストパターンのウェハ間のばらつきを抑制する。
【解決手段】塗布現像処理システム１の加熱処理装置５０の基台１６０上に，４つの熱処理板１６１〜１６４が直線状に並べて設けられる。また，加熱処理装置５０には，隣り合う熱処理板の間の各区間のウェハＷの搬送を行う３つの搬送部材群Ｄ１〜Ｄ３が設けられる。加熱処理装置５０においてプリベーキング処理が行われる際には，温度が同じ熱処理板１６１〜１６４にウェハＷが順次搬送され，各熱処理板１６１〜１６４において熱処理が分割して行われる。こうすることにより，各ウェハＷが同じ経路で熱処理され，ウェハ間で熱履歴が一定になる。
【選択図】図４

Description

本発明は，基板の処理システム，基板の処理方法及びその基板の処理方法をコンピュータに実現させるためのプログラムに関する。

例えば半導体デバイスの製造プロセスにおけるフォトリソグラフィー工程では，例えばウェハ上にレジスト液を塗布するレジスト塗布処理，レジスト液を乾燥させる熱処理（プリベーキング処理），レジスト膜を所定のパターンに露光した後にレジスト膜内の化学反応を促進させる熱処理（ポストエクスポージャーベーキング処理），レジスト膜を現像する現像処理，現像処理後のウェハを加熱する熱処理（ポストベーキング処理）などが順次行われ，ウェハ上に所定のレジストパターンが形成される。

上述の一連のウェハ処理は，レジスト塗布処理を行うレジスト塗布処理装置，現像処理を行う現像処理装置，上記各種熱処理を行う熱処理装置，各処理装置間のウェハの搬送を行う搬送装置などを搭載した塗布現像処理システムで連続的に行われている。

上述の塗布現像処理システムには，ウェハ処理のスループットを向上するために，上述のレジスト塗布処理装置，現像処理装置及び熱処理装置などが複数台ずつ搭載されている。そして，塗布現像処理システム内で，ウェハ処理が行われる際には，各処理工程において複数枚のウェハが同じ処理を行う複数台の処理装置に順次振り分けられ，それらの処理装置によって複数枚のウェハが同時期に並行して処理されていた（特許文献１参照）。

特開２００１−８５３２３号公報

しかしながら，上述のように複数枚のウェハを複数台の処理装置に振り分けて並行して処理する場合，各処理装置間に個体差があるため，処理の行われる処理装置によってウェハの処理後の状態が異なってくる。例えば，レジスト塗布処理の場合には，レジスト液の膜厚が異なり，現像処理の場合には，現像後のレジスト膜の形状や寸法が異なる。また熱処理の場合には，例えばウェハの熱履歴が異なる。

また，上述の場合，同じ種類の処理を行う処理装置であっても，その処理装置の搭載位置などによってウェハの搬送経路や搬送時間が異なってくる。これによっても，ウェハの処理後の状態が影響を受ける。

以上のように，ウェハを複数台の処理装置に振り分けて並行して処理した場合，レジスト塗布処理，現像処理，熱処理などの各処理状態がウェハ相互間でばらつき，最終的に形成されるレジストパターンの寸法にばらつきが生じることがあった。

本発明は，かかる点に鑑みてなされたものであり，レジストパターンの寸法のウェハなどの基板間におけるばらつきを抑制することをその目的とする。

上記目的を達成するための本発明は，基板にレジスト液を塗布する塗布処理装置と，基板の現像処理を行う現像処理装置と，基板の熱処理を行う熱処理装置を少なくとも備え，基板上にレジストパターンを形成する基板の処理システムであって，塗布処理装置，現像処理装置又は熱処理装置の少なくともいずれかの処理装置は，処理を分割して行う複数の処理部を備えていることを特徴とする。

本発明によれば，塗布処理装置，現像処理装置又は熱処理装置のいずれかの処理装置では，複数の処理部において，各種処理を分割して行うことができる。この場合，分割して行う処理において，各基板を同じ経路で処理することができるので，基板の処理後の状態を一定にすることができる。この結果，最終的に形成されるレジストパターンの基板間のばらつきを抑制できる。

前記基板の処理システムは，前記複数の処理部の各処理部に所定の順で基板を搬送し，なおかつ当該複数の処理部内において複数の基板を連続的に搬送可能な基板搬送機構を備えていてもよい。

前記複数の処理部を備えた処理装置には，塗布処理装置が含まれ，前記塗布処理装置は，基板にレジスト液を吐出する吐出処理部と，基板を回転させてレジスト液を基板上に拡散する拡散処理部と，基板を乾燥させる乾燥処理部を有するようにしてもよい。

前記乾燥処理部は，基板の周縁部のレジスト液を除去する機能を有するようにしてもよい。

前記複数の処理部を備えた処理装置には，現像処理装置が含まれ，前記現像処理装置は，基板に現像液を供給する現像液供給処理部と，基板に洗浄液を供給する洗浄液供給処理部と，基板を乾燥させる乾燥処理部を有するようにしてもよい。

前記複数の処理部を備えた処理装置には，熱処理装置が含まれ，前記熱処理装置は，基板を同じ温度で加熱する複数の熱処理部を有するようにしてもよい。

別の観点による本発明は，基板にレジスト液を塗布する塗布処理と，基板の現像処理と，基板の熱処理を少なくとも含み，基板上にレジストパターンを形成する基板の処理方法であって，塗布処理，現像処理又は熱処理の少なくともいずれかの処理は，処理を分割して行う複数の処理部に，基板を順次搬送することにより行われることを特徴とする。

前記複数の処理部で分割して行われる処理には，塗布処理が含まれ，前記塗布処理では，基板にレジスト液を吐出する吐出処理と，基板を回転させてレジスト液を基板上に拡散する拡散処理と，基板を乾燥させる乾燥処理が，各処理部で行われるようにしてもよい。

前記乾燥処理を行う処理部では，基板の周縁部のレジスト液を除去する処理が行われるようにしてもよい。

前記複数の処理部で分割して行われる処理には，現像処理装置が含まれ，前記現像処理では，基板に現像液を供給する現像液供給処理と，基板に洗浄液を供給する洗浄液供給処理と，基板を乾燥させる乾燥処理が，前記各処理部で行われるようにしてもよい。

前記複数の処理部で分割して行われる処理には，熱処理が含まれ，前記熱処理は，基板を同じ温度で加熱する複数の熱処理部で行われるようにしてもよい。

別の観点による本発明によれば，上述の基板の処理方法をコンピュータに実現させるためのプログラムが提供される。

本発明によれば，レジストパターンが基板間において均一に形成されるので，歩留まりを向上できる。

以下，本発明の好ましい実施の形態について説明する。図１は，本実施の形態にかかる基板の処理システムとしての塗布現像処理システム１の構成の概略を示す平面図である。図２は，塗布現像処理システム１の正面図であり，図３は，塗布現像処理システム１の背面図である。

塗布現像処理システム１は，図１に示すように複数枚のウェハＷをカセット単位で外部から塗布現像処理システム１に対して搬入出したり，カセットＣに対してウェハＷを搬入出したりするカセットステーション２と，フォトリソグラフィー工程の各種処理を施す複数の各種処理装置を多段に配置している処理ステーション３と，この処理ステーション３に隣接して設けられている図示しない露光装置との間でウェハＷの受け渡しをするインターフェイスステーション４とを一体に接続した構成を有している。

カセットステーション２には，複数のカセットＣを載置するカセット載置台１０が設けられている。また，カセットステーション２には，例えばカセットＣと後述する処理ステーション３の主搬送装置２３との間でウェハＷを搬送するウェハ搬送体１１が設けられている。

処理ステーション３には，その中央部にＹ方向（図１の左右方向）に沿って延びる搬送部２０が形成されている。その搬送部２０のＸ方向（図１の上下方向）の両側には，複数の処理装置が収容された２つの処理領域２１，２２が配置されている。搬送部２０には，Ｙ方向に移動自在な主搬送装置２３が設けられており，主搬送装置２３は，後述する第１及び第２の処理領域２１，２２の任意の処理装置間でウェハＷを搬送できる。また，主搬送装置２３は，第１及び第２の処理領域２１，２２の各種処理装置と，カセットステーション２のウェハ搬送体１１及び後述するインターフェイスステーション４のウェハ搬送体１５１との間でもウェハＷを搬送できる。

第１の処理領域２１は，処理ステーション３のＸ方向負方向（図１の下方向）側である正面側に設けられている。第１の処理領域２１は，例えば図２に示すように上下の６段構造を有し，各段に単数又は複数の処理装置が搭載されている。例えば最下段の第１段Ａ１には，露光処理時の光の反射を防止するための反射防止膜を形成する３つのボトムコーティング装置３０，３１，３２がカセットステーション２側からインターフェイスステーション４側（Ｙ方向正方向側）に向けて順に設けられている。第２段Ａ２には，ウェハＷにレジスト液を塗布する３つの塗布処理装置としてのレジスト塗布装置４０，４１，４２がＹ方向正方向側に向けて順に設けられている。

第３段Ａ３と第４段Ａ４には，本発明が適用される加熱処理装置５０，６０が設けられている。第５段Ａ５には，例えばウェハＷを疎水化処理するためのアドヒージョン装置７０，ウェハＷを冷却する３つの冷却装置７１，７２，７３がＹ方向正方向側に向けて順に設けられている。第６段Ａ６には，例えば第５段Ａ５と同様にアドヒージョン装置８０，冷却装置８１，８２，８３がＹ方向正方向側に向けて順に設けられている。

第２の処理領域２２は，処理ステーション３のＸ方向正方向（図１の上方向）側である背面側に設けられている。第２の処理領域２２は，例えば図３に示すように第１の処理領域２１と同様に上下の６段構造を有し，その各段に単数又は複数の処理装置が搭載されている。例えば最下段の第１段Ｂ１には，例えばウェハＷを現像処理する３つの現像処理装置９０，９１，９２がＹ方向正方向側に向けて順に設けられている。第２段Ｂ２には，例えば第１段Ｂ１と同様に３つの現像処理装置１００，１０１，１０２がＹ方向正方向側に向けて順に設けられている。

第３段Ｂ３と第４段Ｂ４には，加熱処理装置１１０，１２０が設けられている。第５段Ｂ５には，例えば４つの冷却装置１３０，１３１，１３２，１３３がＹ方向正方向側に向けて順に設けられている。第６段Ｂ６は，例えば第５段Ｂ５と同様に４つの冷却装置１４０，１４１，１４２，１４３がＹ方向正方向側に向けて順に設けられている。

インターフェイスステーション４には，例えば図１に示すようにウェハＷの周辺部を露光する周辺露光装置１５０が設けられている。また，インターフェイスステーション４の中央部には，上述の主搬送装置２３と，周辺露光装置１５０及び図示しない露光装置との間でウェハＷの搬送を行うウェハ搬送体１５１が設けられている。

次に，上述した加熱処理装置５０の構成について説明する。加熱処理装置５０は，図４に示すようにＹ方向に長い平板状の基台１６０を有している。その基台１６０上には，ウェハＷを載置して加熱する例えば４つの熱処理部としての熱処理板１６１，１６２，１６３，１６４がＹ方向正方向側に向けて順に並べて設けられている。

例えば第１の熱処理板１６１は，図５に示すように厚みのある円盤状に形成されている。第１の熱処理板１６１の内部には，給電により発熱するヒータ１６５が内蔵されている。このヒータ１６５により第１の熱処理板１６１を所定温度に設定できる。その他の第２の熱処理板１６２，第３の熱処理板１６３及び第４の熱処理板１６４は，第１の熱処理板１６１と同様の構成を有し，円盤状でなおかつ内部にヒータ１６５を備えている。なお，各熱処理板１６１〜１６４の温度制御は，例えば後述する制御部１９０により行われている。

図４に示すように基台１６０の表面には，Ｙ方向に平行に延びる２本の溝１７０が形成されている。溝１７０は，第１〜第４の熱処理板１６１〜１６４上を通るように形成されている。溝１７０内には，第１の熱処理板１６１と第２の熱処理板１６２との間のウェハＷの搬送を行う第１の搬送部材群Ｄ１と，第２の熱処理板１６２と第３の熱処理板１６３との間のウェハＷの搬送を行う第２の搬送部材群Ｄ２と，第３の熱処理板１６３と第４の熱処理板１６４との間のウェハＷの搬送を行う第３の搬送部材群Ｄ３が設けられている。

第１の搬送部材群Ｄ１は，例えば４つの搬送部材１８０から構成されている。搬送部材１８０は，各溝１７０に２つずつ配置されている。各搬送部材１８０は，例えば図６に示すように方形の平板状のスライダ部１８０ａと，スライダ部１８０ａに設けられたピン部１８０ｂを備えている。ピン部１８０ｂは，例えばスライダ部１８０ａの中央に形成された孔１８０ｃに設けられており，例えばスライダ部１８０ａに内蔵されたシリンダなどの昇降駆動部１８０ｄにより昇降できる。ピン部１８０ｂは，溝１７０内から熱処理板１６１，１６２の上方まで突出できる。スライダ部１８０ａは，例えば内蔵されたモータなどの水平駆動部１８０ｅにより溝１７０内を水平移動できる。第１の搬送部材群Ｄ１の搬送部材１８０は，ピン部１８０ｂによりウェハＷを支持した状態で，スライダ部１８０ａをＹ方向に移動させて，第１の熱処理板１６１と第２の熱処理板１６２との間でウェハＷを搬送できる。

第２の搬送部材群Ｄ２及び第３の搬送部材群Ｄ３は，上記第１の搬送部材群Ｄ１と同様の構成を有している。第２の搬送部材群Ｄ２は，４つの搬送部材１８１から構成され，各搬送部材１８１は，図６に示すようにスライダ部１８１ａ，ピン部１８１ｂ，孔１８１ｃ，昇降駆動部１８１ｄ及び水平駆動部１８１ｅを有している。第３の搬送部材群Ｄ３は，４つの搬送部材１８２から構成され，各搬送部材１８２は，スライダ部１８２ａ，ピン部１８２ｂ，孔１８２ｃ，昇降駆動部１８２ｄ及び水平駆動部１８２ｅを有している。なお，本実施の形態においては，第１〜第３の搬送部材群Ｄ１〜Ｄ３により基板搬送機構が構成されている。

なお，本実施の形態において加熱処理装置６０，１１０，１２０は，上記加熱処理装置５０と同じ構成を有しているので，説明を省略する。

以上のような塗布現像処理システム１で行われるウェハ処理の制御は，例えば図１に示すようにカセットステーション２に設けられた制御部１９０によって行われる。制御部１９０は，例えばコンピュータであり，プログラム格納部を有している。そのプログラム格納部には，上述の加熱処理装置５０の各熱処理板１６１〜１６４のヒータ１６５や搬送部材１８０〜１８２などの動作を制御して所定のレシピのウェハ処理を実行するプログラムＰが格納されている。なお，このプログラムＰは，コンピュータに読み取り可能な記録媒体に記録されていたものであって，その記録媒体から制御部１９０にインストールされたものであってもよい。

次に，以上のように構成された塗布現像処理システム１で行われる処理プロセスについて説明する。

先ず，ウェハ搬送体１１によって，カセット載置台１０上のカセットＣから複数枚のウェハＷが連続的に取り出され，処理ステーション３の主搬送装置２３に受け渡される。各ウェハＷは，主搬送装置２３によって例えば第１の処理領域２１の第６段Ａ６のアドヒージョン装置８０に順次搬送され，疎水化処理され，その後冷却装置８１に搬送されて冷却される。その後，ウェハＷは，例えば第２段Ａ２のレジスト塗布装置４０に搬送され，レジスト膜が形成される。レジスト膜が形成されたウェハＷは，主搬送装置２３によって順次第３段Ａ３の加熱処理装置５０に搬送され，熱処理（プリベーキング処理）が施される。本実施の形態におけるプリベーキング処理は，例えばウェハＷに対してＴ℃の設定温度でＳ秒間の加熱を行うものとする。

レジスト膜の形成されたウェハＷは，主搬送装置２３によって図１に示すように加熱処理装置５０のＹ方向負方向側にある第１の熱処理板１６１に順次搬送される。このとき，ウェハＷは，主搬送装置２３から図７に示すように予め上昇して待機していた第１の搬送部材群Ｄ１の搬送部材１８０のピン部１８０ｂに受け渡される。その後，ピン部１８０ｂが下降して，ウェハＷが，Ｔ℃に温度設定された第１の熱処理板１６１上に載置される。ウェハＷは，この第１の熱処理板１６１上で例えばＳ／４秒間加熱される。加熱が終了すると，ピン部１８０ｂが上昇して，ウェハＷが第１の熱処理板１６１から持ち上げられる。次に搬送部材１８０のスライダ部１８０ａがＹ方向正方向側に移動し，ウェハＷが第２の熱処理板１６２の上方まで移動される（図７に点線で示す）。その後，搬送部材１８０のピン部１８０ｂが下降し，ウェハＷがＴ℃に温度設定された第２の熱処理板１６２上に載置される。

第２の熱処理板１６２上に載置されたウェハＷは，ここでもＳ／４秒間加熱される。この間，第１の搬送部材群Ｄ１の搬送部材１８０は，元の第１の熱処理板１６１の位置に戻され，次のウェハＷを受け取るために待機する。また，第２の搬送部材群Ｄ２の搬送部材１８１は第２の熱処理板１６２の位置に移動して待機する。

その後，第２の熱処理板１６２上のウェハＷは，図８に示すように搬送部材１８１のピン部１８１ｂにより持ち上げられ，その後スライダ部１８１ａがＹ方向正方向側に移動して，ウェハＷが第３の熱処理板１６３の上方まで搬送される。その後，ピン部１８１ｂが下降し，ウェハＷがＴ℃に温度設定された第３の熱処理板１６３上に載置される。

第３の熱処理板１６３上に載置されたウェハＷは，Ｓ／４秒間加熱される。この間に，例えば第２の搬送部材群Ｄ２の搬送部材１８１は，元の第２の熱処理板１６２の位置に戻され，次のウェハＷを受け取るために待機する。また，第３の搬送部材群Ｄ３の搬送部材１８２は第３の熱処理板１６３の位置に移動して待機する。

第３の熱処理板１６３上のウェハＷは，図９に示すように搬送部材１８２のピン部１８２ｂにより持ち上げられ，その後スライダ部１８２ａがＹ方向正方向側に移動して，ウェハＷが第４の熱処理板１６４の上方まで搬送される。その後，ピン部１８２ｂが下降し，ウェハＷがＴ℃に温度設定された第４の熱処理板１６４上に載置され，Ｓ／４秒間加熱される。

第４の熱処理板１６４の加熱が終了すると，ウェハＷが搬送部材１８２のピン部１８２ｂにより持ち上げられ，主搬送装置２３に受け渡される。そしてウェハＷは，加熱処理装置５０から搬出され，ウェハＷに対してＴ℃で合計Ｓ秒間のプリベーキング処理が終了する。この加熱処理装置５０には，ウェハＷが連続的に投入され，それらのウェハＷが各熱処理板１６１〜１６４に直列的に連続して搬送される。このように加熱処理装置５０では，複数枚のウェハＷが同時期に連続して処理される。

プリベーキング処理の終了したウェハＷは，主搬送装置２３によって例えば第６段Ａ６の冷却装置８２に搬送され，冷却される。その後，ウェハＷは，インターフェイスステーション４のウェハ搬送体１５１に受け渡され，周辺露光装置１５０で周辺露光処理され，その後露光装置に搬送される。露光装置で露光処理の終了したウェハＷは，ウェハ搬送体１５１によって処理ステーション３に戻され，主搬送装置２３によって例えば第２の処理領域２２の第３段Ｂ３の加熱処理装置１１０に搬送される。加熱処理装置１１０では，例えば上述の加熱処理装置５０と同様に，複数枚のウェハＷが順次４つの熱処理板に搬送されて，所定の熱処理（ポストエクスポージャーベーキング処理）が行われる。

ポストエクスポージャーベーキング処理が終了したウェハＷは，主搬送装置２３によって例えば第６段Ｂ６の冷却装置１４０に搬送され，冷却された後，例えば第２段Ｂ２の現像処理装置１００に搬送され，現像処理される。現像処理の終了したウェハＷは，第４段Ｂ４の加熱処理装置１２０に搬送され，例えば上述の加熱処理装置５０と同様に，複数枚のウェハＷが順次４つの熱処理板に搬送されて，所定の熱処理（ポストベーキング処理）が行われる。

その後，ウェハＷは，主搬送装置２３によって例えば第５段Ｂ５の冷却装置１３０に搬送され，冷却された後，主搬送装置２３によりカセットステーション２のウェハ搬送体１１に受け渡される。その後，ウェハＷは，ウェハ搬送体１１によってカセットＣに戻されて，レジストパターンを形成する一連のウェハ処理が終了する。

以上の実施の形態によれば，加熱処理装置５０に直列的に配置された４つの熱処理板１６１〜１６４が設けられ，その熱処理板１６１〜１６４においてプリベーキング処理を分割して行うことができる。この場合，各ウェハＷが同じ経路を通って熱処理されるので，ウェハ間の熱履歴のばらつきを防止できる。この結果，最終的にウェハＷ上に形成されるレジストパターンの寸法のウェハＷ間のばらつきを抑制できる。また，加熱処理装置５０には，隣り合う熱処理板１６１〜１６４の間の各区間のウェハＷの搬送を行う搬送部材群Ｄ１〜Ｄ３が設けられたので，各熱処理板１６１〜１６４にウェハＷを順次搬送でき，複数枚のウェハＷを同時期に連続して処理することができる。この結果，一つの熱処理を分割して直列的に行ったことによるスループットの低下も防止できる。

以上の実施の形態において，熱処理板１６１〜１６４相互間のウェハＷの搬送を行う搬送部材１８０〜１８２は，ウェハ面内の同じ位置を支持していたが，各搬送部材１８０，１８１，１８２がウェハ面内の異なる位置を支持するようにしてもよい。例えば図１０に示すように第２の搬送部材群Ｄ２の搬送部材１８１は，第１の搬送部材群Ｄ１の搬送部材１８０よりもウェハＷの外周側の位置を支持し，第３の搬送部材群Ｄ３の搬送部材１８２は，第１の搬送部材群Ｄ１の搬送部材１８０よりもウェハＷの中心側の位置を支持する。こうすることにより，ウェハＷが４つの熱処理板１６１〜１６４で順に加熱される際に，ウェハＷと各搬送部材１８０，１８１，１８２との接触位置が変えられるので，搬送部材１８０〜１８２との接触によりウェハＷの一部の温度が低下することが抑制され，ウェハ面内の温度のばらつきが抑制される。この結果，ウェハＷの熱処理がウェハ面内で均一に行われる。

また，図１１に示すように隣り合う熱処理板１６１〜１６４の間の区間毎に，基台１６０上のＸ方向の位置が異なる溝１９０，１９１，１９２をそれぞれ２本ずつ形成し，その溝１９０，１９１，１９２に，搬送部材１８０，１８１，１８２を設けるようにしてもよい。こうすることによっても，各搬送部材１８０〜１８２がウェハＷを支持する位置をＸ方向にずらすことができる。

以上の実施の形態では，搬送部材１８０〜１８２がピン部によってウェハＷを支持していたが，複数本のワイヤ部によって支持するようにしてもよい。この場合，例えば図１２に示すように隣り合う熱処理板１６１〜１６４の間の区間毎に，それぞれワイヤ部を備える搬送部材２００，２０１，２０２が設けられる。例えば第１の搬送部材２００は，基台１６０上にＸ方向に沿って形成された２本のワイヤ部２００ａと，基台１６０の両側面においてワイヤ部２００ａの端部を保持する保持部２００ｂを備えている。例えば保持部２００ｂは，例えば内部に設けられたシリンダなどの昇降駆動部２００ｃにより昇降できる。また，保持部２００ｂは，例えば基台１６０の側面にＹ方向に形成されたレール２１０上に設けられ，例えば保持部２００ｂの内部に設けられたモータなどの水平駆動部２００ｄによりそのレール２１０上を移動できる。

また，保持部２００ｂの内部には，例えば図１３に示すようにモータ２００ｅによってガイド軸２００ｆ上をＹ方向に移動する２つの移動体２００ｇが設けられている。その各移動体２００ｇには，ワイヤ部２００ａが一本ずつ保持されている。これにより，二本のワイヤ部２００ａは，左右に開閉可能であり，二本のワイヤ部２００ａを開いてその間にウェハＷを上下方向に通過させることができる。

他の第２の搬送部材２０１と第３の搬送部材２０２は，第１の搬送部材２００と同様の構成を有している。例えば第２の搬送部材２０１は，図１２及び図１３に示すようにワイヤ部２０１ａ，保持部２０１ｂ，昇降駆動部２０１ｃ，水平駆動部２０１ｄ，モータ２０１ｅ，ガイド軸２０１ｆ及び移動体２０１ｇを備えている。第３の搬送部材２０２は，ワイヤ部２０２ａ，保持部２０２ｂ，昇降駆動部２０２ｃ，水平駆動部２０２ｄ，モータ２０２ｅ，ガイド軸２０２ｆ及び移動体２０２ｇを備えている。

また，各熱処理板１６１〜１６４の中央部には，図１４に示すように複数の孔２２０が形成されており，その孔２２０には，ウェハＷを支持して昇降する昇降ピン２２１ａ，２２１ｂ，２２１ｃ，２２１ｄがそれぞれ設けられている。

そして，加熱処理装置５０において加熱処理を行う際には，先ず主搬送装置２３から予め上昇して待機していた第１の熱処理板１６１の昇降ピン２２１ａにウェハＷが受け渡され，昇降ピン２２１ａによりウェハＷが第１の熱処理板１６１上に載置される。このとき，図１５に示すように第１の搬送部材２００の二本のワイヤ部２００ａは，第１の熱処理板１６１上でウェハＷの径よりも広く開かれている（このときのワイヤ部２００ａの位置は，図１５の熱処理板１６１上の点線で示す。）。第１の熱処理板１６１における加熱が終了すると，ウェハＷが昇降ピン２２１ａにより持ち上げられる。その後，二本のワイヤ部２００ａの間が狭められ，ワイヤ部２００ａがウェハＷの下面側に位置される。この状態で，例えばワイヤ部２００ａが上昇し，ウェハＷがワイヤ部２００ａ上に支持される（このときのワイヤ部２００ａの位置は，図１５の熱処理板１６１上の実線で示す。）。

ウェハＷがワイヤ部２００ａに支持されると，保持部２００ｂがＹ方向に移動して，ウェハＷが第２の熱処理板１６２上まで移動する（このときのワイヤ部２００ａの位置は，図１５の熱処理板１６２上の点線で示す。）。次に，例えばワイヤ部２００ａが下降し，ウェハＷが予め上昇して待機していた昇降ピン２２１ｂに支持される。その後，二本のワイヤ部２００ａが再び開いて，ウェハＷの外側に退避する（このときのワイヤ部２００ａの位置は，図１５の熱処理板１６２上の実線で示す。）。その後に昇降ピン２２１ｂが下降してウェハＷが第２の熱処理板１６２上に載置される。ワイヤ部２００ａは，第２の熱処理板１６２上から第１の熱処理板１６１上に戻され，次のウェハＷの搬送を行うために待機する。

第２の熱処理板１６２に載置されたウェハＷは，所定時間加熱された後，昇降ピン２２１ｂにより持ち上げられる。その後，上述の第１の搬送部材２００によるウェハＷの搬送と同様に，第２の搬送部材２０１のワイヤ部２０１ａに受け渡され，第３の熱処理板１６３上に搬送され，第３の熱処理板１６３の昇降ピン２２１ｃに受け渡される。その後，ウェハＷは，昇降ピン２２１ｃにより第３の熱処理板１６３上に載置され，加熱される。

その後，同様にして，ウェハＷが昇降ピン２２１ｃ及び第３の搬送部材２０２により第４の熱処理板１６４上に搬送され，第４の熱処理板１６４の昇降ピン２２１ｄに受け渡される。そして，ウェハＷは，昇降ピン２２１ｄにより第４の熱処理板１６４上に載置され，加熱される。加熱の終了したウェハＷは，昇降ピン２２１ｄから主搬送装置２３に受け渡され，一連の熱処理が終了する。

この例によっても，ワイヤ部を有する各搬送部材２００，２０１，２０２によって各熱処理板１６１〜１６４間のウェハＷの搬送を適正に行うことができる。また，ワイヤ部２００ａ，２０１ａ，２０２ａによってウェハＷを支持するので，ウェハＷとの接触面積が小さくなり，搬送部材２００，２０１，２０２の熱的影響によりウェハ面内に温度斑ができることを抑制できる。

上述のワイヤ部を有する搬送部材２００〜２０２を用いた例において，搬送部材２００，２０１，２０２同士のウェハＷを支持する位置を変えるようにしてもよい。この場合，二本のワイヤ部２００ａ，２０１ａ，２０２ａのそれぞれの間隔を変えて，ウェハＷとの接触位置を変えるようにしてもよい。こうすることにより，搬送部材２００〜２０２の熱的影響によりウェハ面内の温度がばらつくことが抑制され，ウェハＷを均一に加熱できる。

以上の実施の形態で記載した熱処理板１６１〜１６４は，複数の領域に分割され，その各熱処理板１６１〜１６４の各領域毎に温度調節するようにしてもよい。図１６はかかる一例を示すものであり，例えば各熱処理板１６１〜１６４が径方向の放射状に４つの領域Ｒ１，Ｒ２，Ｒ３，Ｒ４に分割され，その各領域Ｒ１〜Ｒ４毎にそれぞれ別個のヒータ２３０が設けられる。各熱処理板１６１〜１６４の各領域Ｒ１〜Ｒ４の総てのヒータ２３０は，例えば制御部１９０により別個に制御され，各熱処理板１６１〜１６４の各領域Ｒ１〜Ｒ４の温度がそれぞれ独立して調整される。制御部１９０による各熱処理板１６１〜１６４の温度調整は，総ての熱処理板１６１〜１６４に搬送されたウェハＷの面内の熱履歴が均一になるように行われる。

この場合，例えば一つの熱処理板で生じるウェハ面内の温度斑を，複数の熱処理板１６１〜１６４の各領域Ｒ１〜Ｒ４の温度設定により補正し，最終的なウェハ面内の熱履歴を一定にすることができる。この結果，最終的にウェハＷ上に形成されるレジストパターンの寸法をウェハ面内で均一に揃えることができる。

熱処理板１６１〜１６４のうちの少なくとも一つの熱処理板は，分割パターンが異なるようにしてもよい。例えば図１７に示すように第１〜第３の熱処理板１６１〜１６３が放射状に分割されている場合に，第４の熱処理板１６４が多重の同心円状に分割されていてもよい。また，図１８に示すように例えば第４の熱処理板１６４は，複数の平行な直線により分割されていてもよい。このように異なる分割パターンの熱処理板を組み合わせて用いることにより，ウェハ面内の温度補正をより細かく行うことができ，ウェハ面内の熱履歴をより厳密に揃えることができる。なお，この場合の分割パターンの形状やその分割パターンの組み合わせは，任意に選択でき，例えば総ての熱処理板の分割パターンが異なるようにしてもよい。

以上の実施の形態では，加熱処理装置５０の熱処理板１６１〜１６４が水平方向に並べて設けられていたが，垂直方向に並べて設けられていてもよい。かかる場合，例えば図１９に示すように４つの熱処理部２５０，２５１，２５２，２５３が垂直方向に並べて配置される。熱処理部２５０〜２５３は，例えば下から上に向けて左右（Ｙ方向）交互に千鳥状に配置される。

最下段の第１の熱処理部２５０は，例えば図２０に示すように基台２５０ａと，その基台２５０ａ上に設けられた熱処理板２５０ｂを備えている。熱処理板２５０ｂの中央には，複数の孔２５０ｃが形成され，それらの孔２５０ｃ内には，熱処理板２５０ｂの上方まで昇降可能な昇降ピン２５０ｄが設けられている。

下から２段目の第２の熱処理部２５１は，例えば図２１に示すように第１の熱処理部２５０と同様に基台２５１ａと，熱処理板２５１ｂと，孔２５１ｃと，昇降ピン２５１ｄを備えている。また，第２の熱処理部２５１の熱処理板２５１ｂは，基台２５１ａに対してＹ方向正方向に移動可能であり，図２２に示すように第１の熱処理部２５０の上方の位置まで突出できる。また，熱処理板２５１ｂには，Ｙ方向正方向側の端部から孔２５１ｃに通じる切り欠き２５１ｅが形成されている。この切り欠き２５１ｅにより，熱処理板２５１ｂが第１の熱処理部２５０の上方の位置に突出した際に熱処理板２５１ｂと第１の熱処理部２５０の昇降ピン２５０ｄが干渉することを防止できる。

第３の熱処理部２５２と第４の熱処理部２５３は，第２の熱処理部２５１と同様の構成を有している。第３の熱処理部２５２は，図２１に示すように基台２５２ａと，熱処理板２５２ｂと，孔２５２ｃと，昇降ピン２５２ｄと，切り欠き２５２ｅを備えている。熱処理板２５２ｂは，基台２５２ａに対してＹ方向負方向側の第２の熱処理部２５１の上方の位置まで移動できる。第４の熱処理部２５３は，基台２５３ａと，熱処理板２５３ｂと，孔２５３ｃと，昇降ピン２５３ｄと，切り欠き２５３ｅを備えている。熱処理板２５３ｂは，基台２５３ａに対してＹ方向正方向側の第３の熱処理部２５２の上方の位置まで移動できる。

そして，加熱処理装置５０においてプリベーキング処理が行われる際には，先ずウェハＷが第１の熱処理部２５０の熱処理板２５０ｂ上に載置され，加熱される。図１９には，この熱処理におけるウェハＷの移動順路を矢印により示す。その後，図２２に示すように昇降ピン２５０ｄにより第２の熱処理部２５１と同じ高さまでウェハＷが持ち上げられる。第２の熱処理部２５１の熱処理板２５１ａがＹ方向正方向に水平移動し，ウェハＷの下方の位置まで移動する。続いて昇降ピン２５０ｄが下降し，ウェハＷが熱処理板２５１ｂ上に載置される。熱処理板２５１ｂは，基台２５１ａ上に戻されて，ウェハＷが加熱される。

第２の熱処理部２５１の加熱が終了すると，昇降ピン２５１ｄによりウェハＷが第３の熱処理部２５２と同じ高さまで持ち上げられる。次に，第３の熱処理部２５２の熱処理板２５２ｂがＹ方向負方向側に水平移動し，ウェハＷの下方の位置まで移動する。その後昇降ピン２５１ｄが下降し，ウェハＷが熱処理板２５２ｂ上に載置され，熱処理板２５２ｂが基台２５２ａ上に戻されて，ウェハＷが加熱される。

同様にして，第３の熱処理部２５２の加熱が終了すると，昇降ピン２５２ｄによりウェハＷが第４の熱処理部２５３と同じ高さまで持ち上げられる。その後，第４の熱処理部２５３の熱処理板２５３ｂがＹ方向正方向側に移動し，ウェハＷの下方の位置まで移動する。昇降ピン２５２ｄが下降し，ウェハＷが熱処理板２５３ｂ上に載置され，熱処理板２５３ｂが基台２５３ａ上に戻されてウェハＷが加熱される。その後，第４の熱処理部２５３からウェハＷが搬出され，一連のプリベーキング処理が終了する。

かかる例においても，プリベーキング処理が分割して行われ，各ウェハＷが同じ経路で熱処理されるので，最終的に形成されるレジストパターンのウェハ間のばらつきを低減できる。

以上の実施の形態では，プリベーキング処理が４つの熱処理板を用いて４つに分割されて行われていたが，その数は４つに限られず任意に選択できる。

以上の実施の形態では，主にレジスト塗布処理後のプリベーキング処理を分割する例について説明したが，塗布現像処理システム１で行われる他の熱処理，例えばポストエクスポージャーベーキング処理やポストベーキング処理を分割して行ってもよい。また，塗布現像処理システム１で行われる冷却処理を分割して行ってもよい。

また，以上の実施の形態では，塗布現像処理システム１で行われる熱処理を分割して行っていたが，レジスト塗布処理を分割して行ってもよい。かかる場合，例えば図２３に示すように塗布現像処理システム１の処理ステーション３の第１の処理領域２１の第２段Ａ２に，一台のレジスト塗布装置２６０が設けられる。レジスト塗布装置２６０は，例えば図２４及び図２５に示すようにケーシング２６０ａ内に３つの処理部である吐出処理部２６１，拡散処理部２６２，乾燥処理部２６３を備えている。この吐出処理部２６１，拡散処理部２６２，乾燥処理部２６３は，例えばＹ方向正方向側に向けてこの順に並べて設けられている。

吐出処理部２６１は，例えばウェハＷを水平に保持するチャック２６１ａを備えている。チャック２６１ａの中央部の上方には，レジスト液を吐出する第１のノズル２６１ｂが設けられている。第１のノズル２６１ｂは，例えば供給管２６１ｃによってレジスト液供給源２６１ｄに接続されている。

拡散処理部２６２は，例えばウェハＷを水平に保持し回転させるスピンチャック２６２ａを備えている。スピンチャック２６２ａの周囲には，ウェハＷから飛散又は落下する液体を受け止め，回収するカップ２６２ｂが設けられている。カップ２６２ｂの下面には，回収した液体を排出する排出管２６２ｃと，カップ２６２ｂ内の雰囲気を排気する排気管２６２ｄが接続されている。

乾燥処理部２６３は，例えばウェハＷを水平に保持し回転させるスピンチャック２６３ａを備えている。スピンチャック２６３ａの周囲には，カップ２６３ｂが設けられている。カップ２６３ｂの下面には，排出管２６３ｃと，排気管２６３ｄが接続されている。スピンチャック２６３ａに保持されるウェハＷの周縁部の上方には，レジスト液の溶剤を吐出する第２のノズル２６３ｅが設けられている。第２のノズル２６３ｅは，例えば供給管２６３ｆによって溶剤供給源２６３ｇに接続されている。これにより，第２のノズル２６３ｅからウェハＷの周縁部に溶剤を吐出して，ウェハＷの周縁部のレジスト液を溶解して除去することができる。

レジスト塗布装置２６０は，以上のように構成されている。このレジスト塗布装置２６０においてレジスト塗布処理が行われる際には，先ずウェハＷが主搬送装置２３によりレジスト塗布装置２６０の吐出処理部２６１に搬送される。吐出処理部２６１では，ウェハＷがチャック２６１ａに吸着保持され，そのウェハＷの中心部に第１のノズル２６１ｂから所定量のレジスト液が供給される。

次に，例えば主搬送装置２３によりウェハＷが拡散処理部２６２に搬送される。拡散処理部２６２では，ウェハＷがスピンチャック２６２ａに吸着保持され，所定の回転速度で回転される。これにより，ウェハＷ上のレジスト液が外方向に拡散し，ウェハＷの表面に所定の膜厚のレジスト膜が形成される。

続いてウェハＷは，例えば主搬送装置２３によって乾燥処理部２６３に搬送される。乾燥処理部２６３では，ウェハＷがスピンチャック２６３ａに吸着保持され，高速回転される。これにより，ウェハＷ上のレジスト膜が乾燥される。また，第２のノズル２６３ｅからウェハＷの周縁部に溶剤が供給され，ウェハＷの周縁部の不要なレジスト膜が除去される。

乾燥処理部２６３の乾燥処理が終了したウェハＷは，主搬送装置２３によりレジスト塗布装置２６０から搬出され，一連のレジスト塗布処理が終了する。レジスト塗布装置２６０には，例えば主搬送装置２３によってウェハＷが連続的に搬入され，それらのウェハＷが順次各処理部２６１，２６２，２６３に搬送され，複数枚のウェハＷが同時期に連続して処理される。

この例によれば，レジスト塗布処理を３つの処理部２６１〜２６３において分割して行うことができる。この場合，各ウェハＷが同じ経路を通ってレジスト塗布処理されるので，各ウェハＷに同じ膜厚のレジスト膜を形成できる。このようにウェハ間で同じ膜厚のレジスト膜を形成した結果，その後の露光処理や現像処理も均一に行われるので，最終的にウェハＷ上に形成されるレジストパターンも均一化できる。

なお，前記例では，３つの処理部２６１〜２６３間のウェハＷの搬送を主搬送装置２３によって行っていたが，レジスト塗布装置２６０内に副搬送装置を設けて，その副搬送装置によってウェハＷを順次各処理部２６１，２６２，２６３に搬送するようにしてもよい。

レジスト塗布処理の他に，塗布現像処理システム１で行われる現像処理についても分割して行ってもよい。かかる場合，例えば図２６に示すように塗布現像処理システム１の処理ステーション３の第２の処理領域２２の第１段Ｂ１及び第２段Ｂ２に，それぞれ現像処理装置２７０が設けられる。現像処理装置２７０は，例えば図２７及び図２８に示すようにケーシング２７０ａ内に３つの処理部である現像液供給処理部２７１，洗浄液供給処理部２７２，乾燥処理部２７３を備えている。これらの現像液供給処理部２７１，洗浄液供給処理部２７２，乾燥処理部２７３は，Ｙ方向正方向側に向けてこの順に並べて設けられている。

現像液供給処理部２７１は，例えばウェハＷを水平に保持して回転させるスピンチャック２７１ａを備えている。例えばスピンチャック２７１ａの中央部の上方には，現像液を吐出する第１のノズル２７１ｂが設けられている。第１のノズル２７１ｂは，例えば供給管２７１ｃによって現像液供給源２７１ｄに接続されている。スピンチャック２７１ａの周囲には，ウェハＷから飛散又は落下する液体を受け止め，回収するカップ２７１ｅが設けられている。カップ２７１ｅの下面には，回収した液体を排出する排出管２７１ｆと，カップ２７１ｅ内の雰囲気を排気する排気管２７１ｇが接続されている。

洗浄液供給処理部２７２は，例えばウェハＷを水平に保持し回転させるスピンチャック２７２ａを備えている。スピンチャック２７２ａの中央部の上方には，純水などの洗浄液を吐出する第２のノズル２７２ｂが設けられている。第２のノズル２７２ｂは，例えば供給管２７２ｃによって洗浄液供給源２７２ｄに接続されている。スピンチャック２７２ａの周囲には，カップ２７２ｅが設けられている。カップ２７２ｅの下面には，排出管２７２ｆと，排気管２７２ｇが接続されている。

乾燥処理部２７３は，例えばウェハＷを水平に保持し回転させるスピンチャック２７３ａを備えている。スピンチャック２７３ａの周囲には，カップ２７３ｂが設けられている。カップ２７３ｂの下面には，排出管２７３ｃと，排気管２７３ｄが接続されている。

現像処理装置２７０は，以上のように構成されている。この現像処理装置２７０において現像処理が行われる際には，先ずウェハＷが主搬送装置２３により現像液供給処理部２７１に搬送される。現像液供給処理部２７１では，ウェハＷがスピンチャック２７１ａに吸着保持され，所定の回転速度で回転される。その回転されたウェハＷの中央部に第１のノズル２７１ｂから現像液が吐出される。これにより，ウェハＷの表面の全面に現像液が供給される。

次に，例えば主搬送装置２３によりウェハＷが洗浄液供給処理部２７２に搬送される，洗浄液供給処理部２７２では，ウェハＷがスピンチャック２７２ａに吸着保持され，回転される。その回転されたウェハＷの中央部に第２のノズル２７２ｂから洗浄液が吐出される。これにより，ウェハＷ上の現像液が洗浄液に置換され，現像が停止される。

続いてウェハＷは，例えば主搬送装置２３によって乾燥処理部２７３に搬送される。乾燥処理部２７３では，ウェハＷがスピンチャック２７３ａに吸着保持され，高速回転される。これにより，ウェハＷ上の洗浄液が振り切られ，ウェハＷが乾燥される。

乾燥処理部２７３で乾燥処理の終了したウェハＷは，主搬送装置２３により現像処理装置２７０から搬出され，一連の現像処理が終了する。現像処理装置２７０には，例えば主搬送装置２３によってウェハＷが連続的に搬入され，それらのウェハＷが順次各処理部２７１，２７２，２７３に搬送され，複数枚のウェハＷが同時期に連続して処理される。

この例によれば，現像処理を３つの処理部２７１〜２７３で分割して行うことができる。この場合，各ウェハＷが同じ経路を通って現像処理されるので，各ウェハＷのレジスト膜に同じ現像が施される。この結果，最終的にウェハＷ上に形成されるレジストパターンのウェハ間のばらつきが低減される。

なお，前記例では，３つの処理部２７１〜２７３間のウェハＷの搬送を主搬送装置２３によって行っていたが，現像処理装置２７０内に副搬送装置を設けて，その副搬送装置によってウェハＷを順次各処理部２７１，２７２，２７３に搬送するようにしてもよい。

以上，添付図面を参照しながら本発明の好適な実施の形態について説明したが，本発明はかかる例に限定されない。当業者であれば，特許請求の範囲に記載された思想の範疇内において，各種の変更例または修正例に相到し得ることは明らかであり，それらについても当然に本発明の技術的範囲に属するものと了解される。

例えば以上の実施の形態では，例えばプリベーキング処理，ポストエクスポージャーベーキング処理及びポストベーキング処理の熱処理や，レジスト塗布処理，現像処理を，複数の処理部で分割して行っていたが，本発明は，かかる処理に限られず，塗布現像処理システム１で行われるフォトリソグラフィー工程の他の処理についても複数の処理部で分割して行ってもよい。例えばレジスト塗布処理の前にボトムコーティング処理を行う場合には，ボトムコーティング処理や，その直後の加熱処理や冷却処理を，複数の処理部で分割して行ってもよい。またアドヒージョン処理や，その直後の冷却処理についても複数の処理部で分割して行ってもよい。また，塗布現像処理システム１で行われる上述の総ての処理を分割して行ってもよいし，そのうちのいずれかの任意の数の処理を分割して行ってもよい。

本発明は，ウェハ以外の例えばＦＰＤ（フラットパネルディスプレイ），フォトマスク用のマスクレチクルなどの他の基板の処理システムに適用してもよい。

本発明は，レジストパターンの基板間のばらつきを抑制する際に有用である。

本実施の形態にかかる塗布現像処理システムの構成の概略を示す平面図である。塗布現像処理システムの正面図である。塗布現像処理システムの背面図である。加熱処理装置の構成の概略を示す平面図である。基台と熱処理板の縦断面図である。搬送部材の構成を示す説明図である。第１の熱処理板から第２の熱処理板までのウェハの搬送を説明するための基台の縦断面図である。第２の熱処理板から第３の熱処理板までのウェハの搬送を説明するための基台の縦断面図である。第３の熱処理板から第４の熱処理板までのウェハの搬送を説明するための基台の縦断面図である。搬送部材の位置を変えた場合の加熱処理装置の平面図である。複数の溝を設けた場合の加熱処理装置の平面図である。ワイヤ部を有する搬送部材を用いる場合の加熱処理装置内の斜視図である。搬送部材の保持部内の構成を示す横断面の説明図である。加熱処理装置の平面図である。第１の熱処理板から第２の熱処理板までのウェハの搬送を説明するための基台と熱処理板の縦断面図である。熱処理板を分割した場合の加熱処理装置の模式図である。熱処理板の分割パターンを示す加熱処理装置の模式図である。熱処理板の分割パターンを示す加熱処理装置の模式図である。垂直方向に熱処理部を配置した加熱処理装置の概略を示す模式図である。第１の熱処理部の構成を示す斜視図である。第２の熱処理部の構成を示す斜視図である。熱処理板が移動した状態を示す第１の熱処理部と第２の熱処理部の斜視図である。複数の処理部を有するレジスト塗布装置が搭載された塗布現像処理システムの正面図である。レジスト塗布装置の構成の概略を示す縦断面図である。レジスト塗布装置の構成の概略を示す横断面の説明図である。複数の処理部を有する現像処理装置が搭載された塗布現像処理システムの背面図である。現像処理装置の構成の概略を示す縦断面図である。現像処理装置の構成の概略を示す横断面の説明図である。

符号の説明

１塗布現像処理システム
５０加熱処理装置
１６０基台
１６１〜１６４熱処理板
１８０〜１８２搬送部材
Ｄ１〜Ｄ３搬送部材群
Ｗウェハ

Claims

基板にレジスト液を塗布する塗布処理装置と，基板の現像処理を行う現像処理装置と，基板の熱処理を行う熱処理装置を少なくとも備え，基板上にレジストパターンを形成する基板の処理システムであって，
塗布処理装置，現像処理装置又は熱処理装置の少なくともいずれかの処理装置は，処理を分割して行う複数の処理部を備えていることを特徴とする，基板の処理システム。
前記複数の処理部の各処理部に所定の順で基板を搬送し，なおかつ当該複数の処理部内において複数の基板を連続的に搬送可能な基板搬送機構を備えていることを特徴とする，請求項１に記載の基板の処理システム。
前記複数の処理部を備えた処理装置には，塗布処理装置が含まれ，
前記塗布処理装置は，基板にレジスト液を吐出する吐出処理部と，基板を回転させてレジスト液を基板上に拡散する拡散処理部と，基板を乾燥させる乾燥処理部を有することを特徴とする，請求項１又は２のいずれかに記載の基板の処理システム。
前記乾燥処理部は，基板の周縁部のレジスト液を除去する機能を有することを特徴とする，請求項３に記載の基板の処理システム。
前記複数の処理部を備えた処理装置には，現像処理装置が含まれ，
前記現像処理装置は，基板に現像液を供給する現像液供給処理部と，基板に洗浄液を供給する洗浄液供給処理部と，基板を乾燥させる乾燥処理部を有することを特徴とする，請求項１〜４のいずれかに記載の基板の処理システム。
前記複数の処理部を備えた処理装置には，熱処理装置が含まれ，
前記熱処理装置は，基板を同じ温度で加熱する複数の熱処理部を有することを特徴とする，請求項１〜５のいずれかに記載の基板の処理システム。
基板にレジスト液を塗布する塗布処理と，基板の現像処理と，基板の熱処理を少なくとも含み，基板上にレジストパターンを形成する基板の処理方法であって，
塗布処理，現像処理又は熱処理の少なくともいずれかの処理は，処理を分割して行う複数の処理部に，基板を順次搬送することにより行われることを特徴とする，基板の処理方法。
前記複数の処理部で分割して行われる処理には，塗布処理が含まれ，
前記塗布処理では，基板にレジスト液を吐出する吐出処理と，基板を回転させてレジスト液を基板上に拡散する拡散処理と，基板を乾燥させる乾燥処理が，各処理部で行われることを特徴とする，請求項７に記載の基板の処理方法。
前記乾燥処理を行う処理部では，基板の周縁部のレジスト液を除去する処理が行われることを特徴とする，請求項８に記載の基板の処理方法。
前記複数の処理部で分割して行われる処理には，現像処理装置が含まれ，
前記現像処理では，基板に現像液を供給する現像液供給処理と，基板に洗浄液を供給する洗浄液供給処理と，基板を乾燥させる乾燥処理が，前記各処理部で行われることを特徴とする，請求項７〜９のいずれかに記載の基板の処理方法。
前記複数の処理部で分割して行われる処理には，熱処理が含まれ，
前記熱処理は，基板を同じ温度で加熱する複数の熱処理部で行われることを特徴とする，請求項７〜１０のいずれかに記載の基板の処理方法。
請求項７〜１１のいずれかに記載の基板の処理方法をコンピュータに実現させるためのプログラム。