JPH08222503A - 加熱処理方法および装置 - Google Patents
加熱処理方法および装置Info
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- JPH08222503A JPH08222503A JP2444895A JP2444895A JPH08222503A JP H08222503 A JPH08222503 A JP H08222503A JP 2444895 A JP2444895 A JP 2444895A JP 2444895 A JP2444895 A JP 2444895A JP H08222503 A JPH08222503 A JP H08222503A
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- Japan
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- wafer
- processed
- heater
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- Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 被処理物の各部における加熱温度と時間の積
の分布を均一にする。 【構成】 複数のベークユニット１〜３の各々のホット
プレート４に、温度分布を測定する複数の温度センサ６
を配置するとともに、各ベークユニット１〜３の間を半
導体ウェハ８を移動させるウェハアームに、半導体ウェ
ハ８を回転させる機構を設け、個々のベークユニット１
〜３におけるホットプレート４の温度分布に起因する半
導体ウェハ８の加熱状態のばらつきが相殺されるよう
に、すなわち、加熱温度と時間の積が半導体ウェハ８の
全面で一様になるように、半導体ウェハ８の姿勢を変化
させながら、測定される温度分布が異なるベークユニッ
ト１〜３の間を逐次移動させて、半導体ウェハ８に塗布
されているホトレジストのベークを実行するベーク装置
である。
の分布を均一にする。 【構成】 複数のベークユニット１〜３の各々のホット
プレート４に、温度分布を測定する複数の温度センサ６
を配置するとともに、各ベークユニット１〜３の間を半
導体ウェハ８を移動させるウェハアームに、半導体ウェ
ハ８を回転させる機構を設け、個々のベークユニット１
〜３におけるホットプレート４の温度分布に起因する半
導体ウェハ８の加熱状態のばらつきが相殺されるよう
に、すなわち、加熱温度と時間の積が半導体ウェハ８の
全面で一様になるように、半導体ウェハ８の姿勢を変化
させながら、測定される温度分布が異なるベークユニッ
ト１〜３の間を逐次移動させて、半導体ウェハ８に塗布
されているホトレジストのベークを実行するベーク装置
である。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、加熱処理技術に関し、
特に、ホトレジストが塗布された半導体ウェハのベーク
処理工程等に適用して有効な技術に関するものである。
特に、ホトレジストが塗布された半導体ウェハのベーク
処理工程等に適用して有効な技術に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】たとえば、半導体製造技術の一つである
ホトリソグラフィー技術では、感光材料としてホトレジ
ストが使用されている。このホトレジストをウェハ上に
薄膜として形成するには、たとえば、Ｓｉｌｉｃｏｎ
Ｐｒｏｃｅｓｓｉｎｇ ｆｏｒｔｈｅ ＶＬＳＩ Ｅｒ
ａ（１９８６）、等の文献にも記載されているように、
スピン塗布と呼ばれる回転方式を用いてウェハ上のホト
レジストを均一に薄膜化し、さらに、ソフトベークと呼
ばれる加熱処理によりホトレジストの感度、膜厚を安定
化させることが知られている。
ホトリソグラフィー技術では、感光材料としてホトレジ
ストが使用されている。このホトレジストをウェハ上に
薄膜として形成するには、たとえば、Ｓｉｌｉｃｏｎ
Ｐｒｏｃｅｓｓｉｎｇ ｆｏｒｔｈｅ ＶＬＳＩ Ｅｒ
ａ（１９８６）、等の文献にも記載されているように、
スピン塗布と呼ばれる回転方式を用いてウェハ上のホト
レジストを均一に薄膜化し、さらに、ソフトベークと呼
ばれる加熱処理によりホトレジストの感度、膜厚を安定
化させることが知られている。
【０００３】ソフトベーク方式としては、たとえば、Ｕ
ＬＳＩ製造装置実用便覧（１９９１）に記載されている
ように２通りの方法が一般的である。ひとつは、ホット
プレートと呼ばれる複数のベークユニットを一枚のウェ
ハが順次送り込まれベーク処理するトラック方式と呼ば
れる方法、もう一つは、複数のホットプレート内の１ユ
ニットで１枚のウェハ処理を終了させるロボット使用の
ランダムアクセス方式である。
ＬＳＩ製造装置実用便覧（１９９１）に記載されている
ように２通りの方法が一般的である。ひとつは、ホット
プレートと呼ばれる複数のベークユニットを一枚のウェ
ハが順次送り込まれベーク処理するトラック方式と呼ば
れる方法、もう一つは、複数のホットプレート内の１ユ
ニットで１枚のウェハ処理を終了させるロボット使用の
ランダムアクセス方式である。
【０００４】このランダムアクセス方式が可能な装置
は、ウェハ処理フロープログラムの変更によりトラック
方式と同様に、一枚のウェハを複数のホットプレートで
処理することが可能である。これらをプロセス的に説明
すると定められたプロセス処理条件、たとえば９０℃、
９０ｓｅｃ処理ならばトラック方式の場合、温度を９０
℃に設定したホットプレートを３ケ用い３０ｓｅｃづつ
連続処理し、ランダムアクセス方式の場合は、１ケのホ
ットプレートにより９０℃にて９０ｓｅｃ処理するわけ
である。
は、ウェハ処理フロープログラムの変更によりトラック
方式と同様に、一枚のウェハを複数のホットプレートで
処理することが可能である。これらをプロセス的に説明
すると定められたプロセス処理条件、たとえば９０℃、
９０ｓｅｃ処理ならばトラック方式の場合、温度を９０
℃に設定したホットプレートを３ケ用い３０ｓｅｃづつ
連続処理し、ランダムアクセス方式の場合は、１ケのホ
ットプレートにより９０℃にて９０ｓｅｃ処理するわけ
である。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】ホトレジストの感度、
膜厚は、ソフトベーク処理条件により敏感に変化するこ
とは、既に知られている。従ってソフトベーク工程で
は、ベーク温度、ベーク時間を精度良く制御する必要が
ある。しかしながら従来の装置では、ホットプレートの
温度を面内均一に制御（理想±0.１℃）することは、困
難である。特にウェハの大口径化が進むにつれてホット
プレートの温度分布制御が困難を極めている。
膜厚は、ソフトベーク処理条件により敏感に変化するこ
とは、既に知られている。従ってソフトベーク工程で
は、ベーク温度、ベーク時間を精度良く制御する必要が
ある。しかしながら従来の装置では、ホットプレートの
温度を面内均一に制御（理想±0.１℃）することは、困
難である。特にウェハの大口径化が進むにつれてホット
プレートの温度分布制御が困難を極めている。
【０００６】その制御方法は、下記のようである。すな
わち、ホットプレートは、単一ヒータにより直接温度が
昇降する。そのヒータは、ホットプレート中心に埋め込
まれた単一温度センサにより温度が検出され、制御部に
帰還がかかりホットプレート中心の温度のみが制御され
ている。
わち、ホットプレートは、単一ヒータにより直接温度が
昇降する。そのヒータは、ホットプレート中心に埋め込
まれた単一温度センサにより温度が検出され、制御部に
帰還がかかりホットプレート中心の温度のみが制御され
ている。
【０００７】また、ウェハとホットプレートのベーク処
理中における位置関係は、一旦、ロボットアーム等でセ
ットされたウェハは、処理が終了するまで位置変化せず
ウェハの自重または、真空吸着により固定状態になって
いる。従って直接ホットプレート面内の温度分布バラツ
キの影響をウェハが受けることになり、ウェハに塗布さ
れたホトレジストの感度や膜厚のバラツキが発生する懸
念がある。特に、１ケのホットプレートにより１枚のウ
ェハが固定的に処理されるランダムアクセス方式の場合
は、前述の懸念が大きくなる。
理中における位置関係は、一旦、ロボットアーム等でセ
ットされたウェハは、処理が終了するまで位置変化せず
ウェハの自重または、真空吸着により固定状態になって
いる。従って直接ホットプレート面内の温度分布バラツ
キの影響をウェハが受けることになり、ウェハに塗布さ
れたホトレジストの感度や膜厚のバラツキが発生する懸
念がある。特に、１ケのホットプレートにより１枚のウ
ェハが固定的に処理されるランダムアクセス方式の場合
は、前述の懸念が大きくなる。
【０００８】本発明の目的は、被処理物の各部における
加熱温度と時間の積の分布を均一にすることが可能な加
熱処理技術を提供することにある。
加熱温度と時間の積の分布を均一にすることが可能な加
熱処理技術を提供することにある。
【０００９】本発明の他の目的は、半導体ウェハの面内
において温度制御精度の高いホトレジストベーキングが
可能なホトレジストベーキング処理技術を提供すること
にある。
において温度制御精度の高いホトレジストベーキングが
可能なホトレジストベーキング処理技術を提供すること
にある。
【００１０】本発明の前記ならびにその他の目的と新規
な特徴は、本明細書の記述および添付図面から明らかに
なるであろう。
な特徴は、本明細書の記述および添付図面から明らかに
なるであろう。
【００１１】
【課題を解決するための手段】本願において開示される
発明のうち、代表的なものの概要を簡単に説明すれば、
以下のとおりである。
発明のうち、代表的なものの概要を簡単に説明すれば、
以下のとおりである。
【００１２】ヒータとしてのベーク用ホットプレート内
部に複数の温度センサを設置する。設置する位置関係
は、たとえば、被処理物の中心（ホットプレート中心）
に１ケ、残りは、被処理物の径に応じ被処理物の外周よ
り内側に均等角度で設置する。これら温度センサの情報
は、リアルタイムで温度管理制御部に送信する。
部に複数の温度センサを設置する。設置する位置関係
は、たとえば、被処理物の中心（ホットプレート中心）
に１ケ、残りは、被処理物の径に応じ被処理物の外周よ
り内側に均等角度で設置する。これら温度センサの情報
は、リアルタイムで温度管理制御部に送信する。
【００１３】ホットプレート周辺およびホットプレート
には、ベーク処理中に被処理物を回転させる機構を設け
る。そして、その回転角は、被処理物の外周下に設置さ
れた温度センサの数で円周を均等分割した角度となる。
ベーク処理するためにベークユニット内にセットされた
被処理物は、ホットプレート外周に設置された温度セン
サ数に応じた割り出し角度分だけ回転移動し、処理時間
内に１回転する方法をとる。
には、ベーク処理中に被処理物を回転させる機構を設け
る。そして、その回転角は、被処理物の外周下に設置さ
れた温度センサの数で円周を均等分割した角度となる。
ベーク処理するためにベークユニット内にセットされた
被処理物は、ホットプレート外周に設置された温度セン
サ数に応じた割り出し角度分だけ回転移動し、処理時間
内に１回転する方法をとる。
【００１４】
【作用】上述した手段によれば、被処理物が回転するこ
と、およびホットプレート面内の温度分布は、リアルタ
イムにモニタされ、被処理物の中心が温度制御されるた
めにホットプレート外周の温度が規格内に入っていれば
被処理物面内の温度は、各センサの計測温度の和をセン
サ数で平均化した均一な温度でのベーク処理が可能とな
り、たとえば半導体ウェハ等の被処理物上に形成される
ホトレジストの膜厚、感度が均一化され、ホトレジスト
現像寸法精度が向上安定し歩留りが向上する。
と、およびホットプレート面内の温度分布は、リアルタ
イムにモニタされ、被処理物の中心が温度制御されるた
めにホットプレート外周の温度が規格内に入っていれば
被処理物面内の温度は、各センサの計測温度の和をセン
サ数で平均化した均一な温度でのベーク処理が可能とな
り、たとえば半導体ウェハ等の被処理物上に形成される
ホトレジストの膜厚、感度が均一化され、ホトレジスト
現像寸法精度が向上安定し歩留りが向上する。
【００１５】また、複数のベークユニットを用いて処理
する場合において処理中に回転させない時などは、下記
のようである。
する場合において処理中に回転させない時などは、下記
のようである。
【００１６】たとえば３ケのベークユニットを用いる時
は、各ベークユニットに被処理物がセットされる前に回
転機構により、温度制御部より送信される温度情報指令
に従い被処理物の面内の基準点が各ベークユニットの最
高温度位置、最低温度位置、平均温度位置にそれぞれセ
ットされるように位置決めし、平均化した温度でベーク
処理することにより面内の均一化を図る。
は、各ベークユニットに被処理物がセットされる前に回
転機構により、温度制御部より送信される温度情報指令
に従い被処理物の面内の基準点が各ベークユニットの最
高温度位置、最低温度位置、平均温度位置にそれぞれセ
ットされるように位置決めし、平均化した温度でベーク
処理することにより面内の均一化を図る。
【００１７】
【実施例】以下、本発明の実施例を図面を参照しながら
詳細に説明する。
詳細に説明する。
【００１８】図１は、本発明の一実施例である加熱処理
方法が実施される加熱処理装置の構成および作用の一例
を示す平面図であり、図２は、その構成の一例を示す平
面図、図３は、その構成の一例を示す断面図、図４は、
その一部を取り出して示す平面図、図５は、その一部を
取り出して示す断面図、図６は、その制御系の構成の一
例を示すブロック図である。
方法が実施される加熱処理装置の構成および作用の一例
を示す平面図であり、図２は、その構成の一例を示す平
面図、図３は、その構成の一例を示す断面図、図４は、
その一部を取り出して示す平面図、図５は、その一部を
取り出して示す断面図、図６は、その制御系の構成の一
例を示すブロック図である。
【００１９】本実施例では、加熱処理方法および装置の
一例として、ホトレジストが塗布された半導体ウェハの
ベーク方法および装置に適用した場合について説明す
る。
一例として、ホトレジストが塗布された半導体ウェハの
ベーク方法および装置に適用した場合について説明す
る。
【００２０】図１および図２に例示されるように、本実
施例のベーク装置は、被処理物である半導体ウェハ８を
ベークするベークユニット１、ベークユニット２、およ
びベークユニット３は、ホットプレート４の表面温度を
測定する温度センサ６、ホットプレートを直接加熱する
ヒータ７、半導体ウェハ８の受け渡し時にホットプレー
ト４上を上昇、下降するウェハ昇降ピン５、およびウェ
ハ回転ホルダ１０を有するウェハアーム１１で回転位置
決めされた半導体ウェハ８をホットプレート４上にセッ
トする時、かつホットプレート４からウェハアーム１１
に受け渡し時に一旦、半導体ウェハ８を保持するウェハ
用の開閉フィンガ９より構成されている。
施例のベーク装置は、被処理物である半導体ウェハ８を
ベークするベークユニット１、ベークユニット２、およ
びベークユニット３は、ホットプレート４の表面温度を
測定する温度センサ６、ホットプレートを直接加熱する
ヒータ７、半導体ウェハ８の受け渡し時にホットプレー
ト４上を上昇、下降するウェハ昇降ピン５、およびウェ
ハ回転ホルダ１０を有するウェハアーム１１で回転位置
決めされた半導体ウェハ８をホットプレート４上にセッ
トする時、かつホットプレート４からウェハアーム１１
に受け渡し時に一旦、半導体ウェハ８を保持するウェハ
用の開閉フィンガ９より構成されている。
【００２１】この場合、温度センサ６は、ベークユニッ
ト１〜３の各々のホットプレート４の中央部（測定温度
がＴｎＡで示される位置）と、当該中央部を軸として加
熱領域を周方向に３等分（Ｎ＝３）した複数の領域の各
々の中央部（測定温度がＴｎＢ〜ＴｎＤで示される位
置）の合計４ヵ所に配置されている。
ト１〜３の各々のホットプレート４の中央部（測定温度
がＴｎＡで示される位置）と、当該中央部を軸として加
熱領域を周方向に３等分（Ｎ＝３）した複数の領域の各
々の中央部（測定温度がＴｎＢ〜ＴｎＤで示される位
置）の合計４ヵ所に配置されている。
【００２２】図４および図５に例示されるように、ウェ
ハアーム１１は、先端部に、リング状のウェハ回転ホル
ダ１０を備えている。このウェハ回転ホルダ１０は、内
周部の三箇所に突設されたウェハ爪２０ａ，ウェハ爪２
０ｂ，ウェハ爪２０ｃによって半導体ウェハ８の外周部
を支持する。ウェハ回転ホルダ１０の中央部には、半導
体ウェハ８が載置される回転プーリ１２が配置されてお
り、タイミングベルト１４を介して、パルスモータ１３
によって所望の角度に回転駆動される。回転プーリ１２
は、その下部が、シャフト連結機構１２ａを介して単動
押し出しシリンダ１２ｂに支持されており、ウェハ回転
ホルダ１０を含む平面に交差する方向に回転プーリ１２
に載置された半導体ウェハ８を上下動させる動作が行わ
れる。
ハアーム１１は、先端部に、リング状のウェハ回転ホル
ダ１０を備えている。このウェハ回転ホルダ１０は、内
周部の三箇所に突設されたウェハ爪２０ａ，ウェハ爪２
０ｂ，ウェハ爪２０ｃによって半導体ウェハ８の外周部
を支持する。ウェハ回転ホルダ１０の中央部には、半導
体ウェハ８が載置される回転プーリ１２が配置されてお
り、タイミングベルト１４を介して、パルスモータ１３
によって所望の角度に回転駆動される。回転プーリ１２
は、その下部が、シャフト連結機構１２ａを介して単動
押し出しシリンダ１２ｂに支持されており、ウェハ回転
ホルダ１０を含む平面に交差する方向に回転プーリ１２
に載置された半導体ウェハ８を上下動させる動作が行わ
れる。
【００２３】すなわち、回転プーリ１２による半導体ウ
ェハ８の回転動作は、単動押し出しシリンダ１２ｂによ
る上昇動作によって、半導体ウェハ８をウェハ回転ホル
ダ１０から所定の高さに浮上させた状態で行われる。
ェハ８の回転動作は、単動押し出しシリンダ１２ｂによ
る上昇動作によって、半導体ウェハ８をウェハ回転ホル
ダ１０から所定の高さに浮上させた状態で行われる。
【００２４】一方、本実施例のベーク装置の制御系は、
図６に例示されるように、温度センサ６からの計測情報
によってヒータ７の温度を制御する温度制御部１５、パ
ルスモータ１３等からなるウェハアーム１１のウェハ回
転駆動部１８およびホットプレート４に設けられたウェ
ハ昇降ピン５からなる昇降支持ピン駆動部１９を制御す
るウェハ回転系制御部１７、これらの各部を統括して制
御するＣＰＵ１６、等で構成されている。
図６に例示されるように、温度センサ６からの計測情報
によってヒータ７の温度を制御する温度制御部１５、パ
ルスモータ１３等からなるウェハアーム１１のウェハ回
転駆動部１８およびホットプレート４に設けられたウェ
ハ昇降ピン５からなる昇降支持ピン駆動部１９を制御す
るウェハ回転系制御部１７、これらの各部を統括して制
御するＣＰＵ１６、等で構成されている。
【００２５】この制御系の動作は、たとえば、次のよう
に動作する。ホットプレート４の内部に挿入されている
温度センサ６の情報が温度制御部１５に送られウェハ中
心の温度が設定温度に入るようにヒータ７を制御する。
また温度センサ６の情報は、温度制御部１５を介しＣＰ
Ｕ１６に送られウェハ回転の有無判断、および回転が必
要な時の回転角の演算等、データ処理してウェハ回転系
制御部１７に半導体ウェハ８の回転に関する指示を出
す。指示が送られたウェハ回転系制御部１７は、ＣＰＵ
１６の指示に従い、ウェハ回転駆動部１８と昇降、およ
び昇降支持ピン駆動部１９を動作させる制御をしてい
る。
に動作する。ホットプレート４の内部に挿入されている
温度センサ６の情報が温度制御部１５に送られウェハ中
心の温度が設定温度に入るようにヒータ７を制御する。
また温度センサ６の情報は、温度制御部１５を介しＣＰ
Ｕ１６に送られウェハ回転の有無判断、および回転が必
要な時の回転角の演算等、データ処理してウェハ回転系
制御部１７に半導体ウェハ８の回転に関する指示を出
す。指示が送られたウェハ回転系制御部１７は、ＣＰＵ
１６の指示に従い、ウェハ回転駆動部１８と昇降、およ
び昇降支持ピン駆動部１９を動作させる制御をしてい
る。
【００２６】以下、本実施例の作用の一例について説明
する。
する。
【００２７】ホトレジストを塗布処理された半導体ウェ
ハ８は、ウェハアーム１１によりベークユニット１内の
ホットプレート４上に搬送され、ウェハ昇降ピン５によ
り半導体ウェハ８は、ウェハアーム１１より上の高さに
持ち上げられる。
ハ８は、ウェハアーム１１によりベークユニット１内の
ホットプレート４上に搬送され、ウェハ昇降ピン５によ
り半導体ウェハ８は、ウェハアーム１１より上の高さに
持ち上げられる。
【００２８】持ち上げられた半導体ウェハ８は、開閉フ
ィンガ９により一旦保持され、ウェハアーム１１がベー
クユニット外に逃げる。その後、開閉フィンガ９により
保持された半導体ウェハ８は、開閉フィンガ９の下降に
よりウェハ昇降ピン５上に載置される。その後、開閉フ
ィンガ９は、開の状態となり半導体ウェハ８上に逃げ
る。半導体ウェハ８を保持したウェハ昇降ピン５は、ホ
ットプレート４の内部に下降し、ホットプレート４に半
導体ウェハ８を載置し、その状態でベーク処理を開始す
る。
ィンガ９により一旦保持され、ウェハアーム１１がベー
クユニット外に逃げる。その後、開閉フィンガ９により
保持された半導体ウェハ８は、開閉フィンガ９の下降に
よりウェハ昇降ピン５上に載置される。その後、開閉フ
ィンガ９は、開の状態となり半導体ウェハ８上に逃げ
る。半導体ウェハ８を保持したウェハ昇降ピン５は、ホ
ットプレート４の内部に下降し、ホットプレート４に半
導体ウェハ８を載置し、その状態でベーク処理を開始す
る。
【００２９】たとえばベーク処理が温度Ｔ１Ａ℃で９０
ｓｅｃ処理をベークユニット３ケ用いて行う条件下での
回転動作を含むベーク処理について説明する。
ｓｅｃ処理をベークユニット３ケ用いて行う条件下での
回転動作を含むベーク処理について説明する。
【００３０】
【数１】
【００３１】
【数２】
【００３２】
【数３】
【００３３】
【数４】
【００３４】
【数５】
【００３５】
【数６】
【００３６】各ベークユニット１、２、３の温度センサ
によるホットプレート４の表面温度分布状態が、一例と
して、（数１）、（数２）、（数３）、（数４）、（数
５）、（数６）の場合は、一例として、以下のように制
御を行う。
によるホットプレート４の表面温度分布状態が、一例と
して、（数１）、（数２）、（数３）、（数４）、（数
５）、（数６）の場合は、一例として、以下のように制
御を行う。
【００３７】ホトレジストの塗布された半導体ウェハ８
のオリフラ部８ａが図４の如くウェハ爪２０ａの向きに
配向した姿勢でウェハ回転ホルダ１０に初期セットさ
れ、ベークユニット１にウェハアーム１１が入る。ベー
クユニット１の内部のウェハ昇降ピン５が上昇し、半導
体ウェハ８がウェハアーム１１より持ち上げられる。次
に開閉フィンガ９が開放状態で半導体ウェハ８より低い
位置に止まり、さらに、開閉フィンガ９は閉状態となっ
て上昇し、半導体ウェハ８が開閉フィンガ９に保持さ
れ、ウェハ昇降ピン５は一旦、下降し、この時、ウェハ
アーム１１は、ベークユニット１外に待避する。
のオリフラ部８ａが図４の如くウェハ爪２０ａの向きに
配向した姿勢でウェハ回転ホルダ１０に初期セットさ
れ、ベークユニット１にウェハアーム１１が入る。ベー
クユニット１の内部のウェハ昇降ピン５が上昇し、半導
体ウェハ８がウェハアーム１１より持ち上げられる。次
に開閉フィンガ９が開放状態で半導体ウェハ８より低い
位置に止まり、さらに、開閉フィンガ９は閉状態となっ
て上昇し、半導体ウェハ８が開閉フィンガ９に保持さ
れ、ウェハ昇降ピン５は一旦、下降し、この時、ウェハ
アーム１１は、ベークユニット１外に待避する。
【００３８】次に開閉フィンガ９と上昇するウェハ昇降
ピン５との間で半導体ウェハ８の受け渡しを行い、半導
体ウェハ８のオリフラ部８ａは、図１中のＴ１Ｂ部にセ
ットされ３０ｓｅｃベークされる。処理された半導体ウ
ェハ８は、ウェハ昇降ピン５、開閉フィンガ９、ウェハ
アーム１１の受け渡し動作によりウェハアーム１１にセ
ットされる。
ピン５との間で半導体ウェハ８の受け渡しを行い、半導
体ウェハ８のオリフラ部８ａは、図１中のＴ１Ｂ部にセ
ットされ３０ｓｅｃベークされる。処理された半導体ウ
ェハ８は、ウェハ昇降ピン５、開閉フィンガ９、ウェハ
アーム１１の受け渡し動作によりウェハアーム１１にセ
ットされる。
【００３９】ＣＰＵ１６の指令に従い、単動押し出しシ
リンダ１２ｂによって回転プーリ１２をウェハ回転ホル
ダ１０から所定の高さに上昇させた後、パルスモータ１
３を駆動させタイミングベルト１４を介し、回転プーリ
１２を１２０度（３６０／３）回転させることによっ
て、半導体ウェハ８を回転させ、ベークユニット２にセ
ットする。
リンダ１２ｂによって回転プーリ１２をウェハ回転ホル
ダ１０から所定の高さに上昇させた後、パルスモータ１
３を駆動させタイミングベルト１４を介し、回転プーリ
１２を１２０度（３６０／３）回転させることによっ
て、半導体ウェハ８を回転させ、ベークユニット２にセ
ットする。
【００４０】このベークユニット２では、半導体ウェハ
８はオリフラ部８ａが、図１中のベークユニット２のＴ
２Ｃ部の向きになる姿勢でセットされ３０ｓｅｃベーク
処理される。ベーク処理された半導体ウェハ８は、ベー
クユニット１で行った動作と同様にウェハアーム１１に
渡され、ウェハアーム１１上でさらに１２０度回転され
た後、ベークユニット３にセットされる。ここでの半導
体ウェハ８はオリフラ部８ａがＴ３Ｄの位置に向いた姿
勢で３０ｓｅｃ処理されベーク処理が完了する。
８はオリフラ部８ａが、図１中のベークユニット２のＴ
２Ｃ部の向きになる姿勢でセットされ３０ｓｅｃベーク
処理される。ベーク処理された半導体ウェハ８は、ベー
クユニット１で行った動作と同様にウェハアーム１１に
渡され、ウェハアーム１１上でさらに１２０度回転され
た後、ベークユニット３にセットされる。ここでの半導
体ウェハ８はオリフラ部８ａがＴ３Ｄの位置に向いた姿
勢で３０ｓｅｃ処理されベーク処理が完了する。
【００４１】この動作により半導体ウェハ８の面内は、
加熱温度にばらつきのある複数のベークユニット１〜３
の最高、中間、最低温度の領域でそれぞれベークされる
ので、面内の全域で加熱温度と時間の積がほぼ均一化さ
れ、均一な加熱エネルギによる一様なベークが行われ
る。この結果、半導体ウェハ８に塗布されているホトレ
ジストの膜厚や感度等が均一化され、安定した精度の良
いホトレジスト寸法が得られる。
加熱温度にばらつきのある複数のベークユニット１〜３
の最高、中間、最低温度の領域でそれぞれベークされる
ので、面内の全域で加熱温度と時間の積がほぼ均一化さ
れ、均一な加熱エネルギによる一様なベークが行われ
る。この結果、半導体ウェハ８に塗布されているホトレ
ジストの膜厚や感度等が均一化され、安定した精度の良
いホトレジスト寸法が得られる。
【００４２】以上本発明者によってなされた発明を実施
例に基づき具体的に説明したが、本発明は前記実施例に
限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で
種々変更可能であることはいうまでもない。
例に基づき具体的に説明したが、本発明は前記実施例に
限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で
種々変更可能であることはいうまでもない。
【００４３】たとえば、上述の本実施例の説明では、一
例として、ベークユニットを３ケ用いる場合を例示した
が単一のベークユニット内にてウェハの姿勢を回転させ
て加熱温度と時間の積の分布を均一化させてもよい。
例として、ベークユニットを３ケ用いる場合を例示した
が単一のベークユニット内にてウェハの姿勢を回転させ
て加熱温度と時間の積の分布を均一化させてもよい。
【００４４】
【発明の効果】本願において開示される発明のうち、代
表的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば、
以下のとおりである。
表的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば、
以下のとおりである。
【００４５】本発明の加熱処理方法によれば、被処理物
の各部における加熱温度と時間の積の分布を均一にする
ことができる、という効果が得られる。
の各部における加熱温度と時間の積の分布を均一にする
ことができる、という効果が得られる。
【００４６】また、半導体ウェハの面内において温度制
御精度の高いホトレジストベーキングをすることができ
る、という効果が得られる。
御精度の高いホトレジストベーキングをすることができ
る、という効果が得られる。
【００４７】本発明の加熱処理装置によれば、被処理物
の各部における加熱温度と時間の積の分布を均一にする
ことができる、という効果が得られる。
の各部における加熱温度と時間の積の分布を均一にする
ことができる、という効果が得られる。
【００４８】また、半導体ウェハの面内において温度制
御精度の高いホトレジストベーキングをすることができ
る、という効果が得られる。
御精度の高いホトレジストベーキングをすることができ
る、という効果が得られる。
【図１】本発明の一実施例である加熱処理装置の構成お
よび作用の一例を示す平面図である。
よび作用の一例を示す平面図である。
【図２】本発明の一実施例である加熱処理装置の構成の
一例を示す平面図である。
一例を示す平面図である。
【図３】本発明の一実施例である加熱処理装置の構成の
一例を示す断面図である。
一例を示す断面図である。
【図４】本発明の一実施例である加熱処理装置の一部を
示す平面図である。
示す平面図である。
【図５】本発明の一実施例である加熱処理装置の一部を
示す断面図である。
示す断面図である。
【図６】本発明の一実施例である加熱処理装置の制御系
の構成の一例を示すブロック図である。
の構成の一例を示すブロック図である。
１〜３ ベークユニット ４ ホットプレート ５ ウェハ昇降ピン ６ 温度センサ ７ ヒータ ８ 半導体ウェハ（被処理物） ８ａ オリフラ部 ９ 開閉フィンガ １０ ウェハ回転ホルダ １１ ウェハアーム １２ 回転プーリ １２ａ シャフト連結機構 １２ｂ 単動押し出しシリンダ １３ パルスモータ １４ タイミングベルト １５ 温度制御部 １６ ＣＰＵ １７ ウェハ回転系制御部 １８ ウェハ回転駆動部 １９ 昇降支持ピン駆動部 ２０ａ〜２０ｃ ウェハ爪
Claims (6)
- 【請求項１】 被処理物を加熱するヒータにおける温度
分布を加熱処理中に実時間で計測し、前記被処理物の各
部における加熱温度と時間の積の偏りが最少となるよう
に、前記ヒータと前記被処理物との位置関係を相対的に
変化させることを特徴とする加熱処理方法。 - 【請求項２】 前記ヒータの加熱領域を前記被処理物の
中心部を軸としてＮ個（Ｎは自然数）の領域に論理的に
分け、前記各領域毎に温度分布を測定し、前記温度分布
の偏りに起因する前記被処理物の各部における加熱温度
と時間の積の偏りが最少となるように前記被処理物を前
記中心部を軸として３６０／Ｎ度を単位として逐次回動
させることを特徴とする請求項１記載の加熱処理方法。 - 【請求項３】 前記被処理物はホトレジストが塗布され
た半導体ウェハであり、前記ホトレジストのベーク処理
を行うことを特徴とする請求項１または２記載の加熱処
理方法。 - 【請求項４】 被処理物が載置されるヒータと、このヒ
ータにおける温度分布を実時間で測定する複数の温度セ
ンサと、前記ヒータに対する前記被処理物の姿勢を相対
的に変化させる姿勢制御機構とを備え、前記温度センサ
による測定データに基づいて、前記被処理物の各部にお
ける加熱温度と時間の積の偏りが最少となるように、前
記姿勢制御機構によって前記ヒータと前記被処理物との
位置関係を相対的に変化させることを特徴とする加熱処
理装置。 - 【請求項５】 前記温度センサは、前記ヒータの加熱領
域を前記被処理物の中心部を軸としてＮ個に論理的に分
けられた領域毎に配置され、前記温度分布の偏りに起因
する前記被処理物の各部における加熱温度と時間の積の
偏りが最少となるように、前記姿勢制御機構を介して前
記被処理物を前記中心部を軸として３６０／Ｎ度を単位
として逐次回動させることを特徴とする請求項４記載の
加熱処理装置。 - 【請求項６】 前記被処理物はホトレジストが塗布され
た半導体ウェハであり、前記ホトレジストのベーク処理
を行うことを特徴とする請求項４または５記載の加熱処
理装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2444895A JPH08222503A (ja) | 1995-02-14 | 1995-02-14 | 加熱処理方法および装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2444895A JPH08222503A (ja) | 1995-02-14 | 1995-02-14 | 加熱処理方法および装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08222503A true JPH08222503A (ja) | 1996-08-30 |
Family
ID=12138444
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2444895A Pending JPH08222503A (ja) | 1995-02-14 | 1995-02-14 | 加熱処理方法および装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH08222503A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2000243687A (ja) * | 1999-02-19 | 2000-09-08 | Tokyo Electron Ltd | 基板温調装置、基板温調方法、基板処理装置及び基板処理方法 |
| JP2004273586A (ja) * | 2003-03-06 | 2004-09-30 | Toshiba Corp | パターン形成方法および該パターン形成方法を用いた半導体装置の製造方法 |
| JP2007214367A (ja) * | 2006-02-09 | 2007-08-23 | Tokyo Electron Ltd | 熱処理装置，熱処理方法及びプログラム |
| JP2007214450A (ja) * | 2006-02-10 | 2007-08-23 | Tokyo Electron Ltd | 基板の処理システム，基板の処理方法及びプログラム |
| JP2017117852A (ja) * | 2015-12-21 | 2017-06-29 | 東京エレクトロン株式会社 | 熱処理装置、基板を熱処理する方法及びコンピュータ読み取り可能な記録媒体 |
-
1995
- 1995-02-14 JP JP2444895A patent/JPH08222503A/ja active Pending
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2000243687A (ja) * | 1999-02-19 | 2000-09-08 | Tokyo Electron Ltd | 基板温調装置、基板温調方法、基板処理装置及び基板処理方法 |
| JP2004273586A (ja) * | 2003-03-06 | 2004-09-30 | Toshiba Corp | パターン形成方法および該パターン形成方法を用いた半導体装置の製造方法 |
| JP2007214367A (ja) * | 2006-02-09 | 2007-08-23 | Tokyo Electron Ltd | 熱処理装置，熱処理方法及びプログラム |
| KR101287736B1 (ko) * | 2006-02-09 | 2013-07-23 | 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 | 열처리 장치, 열처리 방법 및 컴퓨터 독취 가능한 기억매체 |
| JP2007214450A (ja) * | 2006-02-10 | 2007-08-23 | Tokyo Electron Ltd | 基板の処理システム，基板の処理方法及びプログラム |
| US7816276B2 (en) | 2006-02-10 | 2010-10-19 | Tokyo Electron Limited | Substrate treatment system, substrate treatment method, and computer readable storage medium |
| JP4657940B2 (ja) * | 2006-02-10 | 2011-03-23 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板の処理システム |
| US8168378B2 (en) | 2006-02-10 | 2012-05-01 | Tokyo Electron Limited | Substrate treatment system, substrate treatment method, and computer readable storage medium |
| JP2017117852A (ja) * | 2015-12-21 | 2017-06-29 | 東京エレクトロン株式会社 | 熱処理装置、基板を熱処理する方法及びコンピュータ読み取り可能な記録媒体 |
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