JP2007214433A - 半導体装置およびその製造方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】適切な開口が形成された半導体装置およびその製造方法を提供する。
【解決手段】半導体層10の上方に設けられた第1層間絶縁層20と、前記第1層間絶縁層の上方に設けられたヒューズ22と、前記ヒューズの上方に設けられた第2層間絶縁層30と、前記第2層間絶縁層の上方であって、前記ヒューズの上方以外に設けられ、少なくとも金属層32bと金属窒化物層32cとが積層された電極パッド32と、前記電極パッドおよび前記第2層間絶縁層の上方に設けられたパッシベーション層40と、前記パッシベーション層に設けられ、前記電極パッドの前記金属層の少なくとも一部を露出させる第1開口部50と、前記ヒューズの上方に設けられ、前記パッシベーション層を貫通し、前記第2層間絶縁層の一部が底面をなす前記第2開口部60と、前記第2開口部は、前記第1開口部より小さい平面形状で、且つ、該第2開口部の幅は2μm以上、6μm以下である。
【選択図】図1
【解決手段】半導体層10の上方に設けられた第1層間絶縁層20と、前記第1層間絶縁層の上方に設けられたヒューズ22と、前記ヒューズの上方に設けられた第2層間絶縁層30と、前記第2層間絶縁層の上方であって、前記ヒューズの上方以外に設けられ、少なくとも金属層32bと金属窒化物層32cとが積層された電極パッド32と、前記電極パッドおよび前記第2層間絶縁層の上方に設けられたパッシベーション層40と、前記パッシベーション層に設けられ、前記電極パッドの前記金属層の少なくとも一部を露出させる第1開口部50と、前記ヒューズの上方に設けられ、前記パッシベーション層を貫通し、前記第2層間絶縁層の一部が底面をなす前記第2開口部60と、前記第2開口部は、前記第1開口部より小さい平面形状で、且つ、該第2開口部の幅は2μm以上、6μm以下である。
【選択図】図1
Description
本発明は、半導体装置およびその製造方法に関する。
レーザーにより溶断されるヒューズ素子は、腐食の抑制および溶断のためのレーザーの効率を良くするために、その上に薄膜の絶縁層を残存させた開口を有することがある。この開口の形成方法の一つに、電極パッド(ボンディングパッド)を露出させる開口の形成と同一工程で行われる方法がある。
特開平8−213469号公報
しかしながら、電極パッドの上方の開口形成では、絶縁層を完全に除去することが望まれているため、同一の工程で良好なエッチングを行うことができないことがある。
本発明の目的は、それぞれの場所に応じて開口を形成された半導体装置およびその製造方法を提供することにある。
(1)本発明にかかる半導体装置は、
半導体層と、
前記半導体層の上方に設けられた第1層間絶縁層と、
前記第1層間絶縁層の上方に設けられたヒューズと、
前記第1層間絶縁層および前記ヒューズの上方に設けられた第2層間絶縁層と、
前記第2層間絶縁層の上方であって、前記ヒューズの上方以外に設けられ、少なくとも金属層と金属窒化物層とが積層された電極パッドと、
前記電極パッドおよび前記第2層間絶縁層の上方に設けられたパッシベーション層と、
前記パッシベーション層に設けられ、前記電極パッドの前記金属層の少なくとも一部を露出させる第1開口部と、
前記ヒューズの上方に設けられ、前記パッシベーション層を貫通し、前記第2層間絶縁層の一部が底面をなす前記第2開口部と、を含み、
前記第2開口部は、前記第1開口部と比して小さい平面形状を有し、かつ、該第2開口部の幅は、2μm以上、6μm以下である。
半導体層と、
前記半導体層の上方に設けられた第1層間絶縁層と、
前記第1層間絶縁層の上方に設けられたヒューズと、
前記第1層間絶縁層および前記ヒューズの上方に設けられた第2層間絶縁層と、
前記第2層間絶縁層の上方であって、前記ヒューズの上方以外に設けられ、少なくとも金属層と金属窒化物層とが積層された電極パッドと、
前記電極パッドおよび前記第2層間絶縁層の上方に設けられたパッシベーション層と、
前記パッシベーション層に設けられ、前記電極パッドの前記金属層の少なくとも一部を露出させる第1開口部と、
前記ヒューズの上方に設けられ、前記パッシベーション層を貫通し、前記第2層間絶縁層の一部が底面をなす前記第2開口部と、を含み、
前記第2開口部は、前記第1開口部と比して小さい平面形状を有し、かつ、該第2開口部の幅は、2μm以上、6μm以下である。
本発明にかかる半導体装置によれば、電極パッドが確実に露出した第1開口部と、前記ヒューズが第2層間絶縁層に覆われた状態の第2開口部とを有する半導体装置を提供することができる。第1開口部と第2開口部とを同時に形成する時に、第1開口部では、電極パッドを確実に露出させるために、パッシベーション層を除去するに足るエッチング条件と比して、過剰なエッチング条件で第1開口部および第2開口部が形成される。そのため、エッチング条件によっては、第2開口部の底面でヒューズが露出してしまうことがある。しかしながら、本発明にかかる半導体装置では、第2開口部の幅が、所定の範囲であるため、エッチング速度を低下させることができ、第1開口部と同時に形成した場合であってもヒューズが第2層間絶縁層に覆われた第2開口部を形成することができる。その結果、電極パッドを確実に露出させつつも、ヒューズが保護された半導体装置を提供することができる。
なお、本発明にかかる半導体装置において、第2開口部の幅とは、ヒューズの溶断方向に沿ってみたときの幅であり、金属層とは、単一の金属層の他、合金層をも含む。また、本発明において、特定のA層(以下、「A層」という。)の上方に設けられた特定のB層(以下、「B層」という。)というとき、A層の上に直接B層が設けられた場合と、A層の上に他の層を介してB層が設けられた場合とを含む意味である。
本発明にかかる半導体装置は、さらに、下記の態様をとることができる。
(2)本発明にかかる半導体装置において、
前記ヒューズの平面形状は矩形であり、
前記第2開口部の幅方向は、前記ヒューズの長手方向と並行であることができる。
前記ヒューズの平面形状は矩形であり、
前記第2開口部の幅方向は、前記ヒューズの長手方向と並行であることができる。
(3)本発明にかかる半導体装置において、
前記第2開口部は、複数設けられていることができる。
前記第2開口部は、複数設けられていることができる。
(4)本発明にかかる半導体装置において、
隣接する前記第2開口部同士の距離は、ほぼ等しいことができる。
隣接する前記第2開口部同士の距離は、ほぼ等しいことができる。
(5)本発明にかかる半導体装置において、
さらに、前記ヒューズの上方に設けられ、該ヒューズを露出させない犠牲開口部を含むことができる。
さらに、前記ヒューズの上方に設けられ、該ヒューズを露出させない犠牲開口部を含むことができる。
(6)本発明にかかる半導体装置の製造方法は、
半導体層の上方に第1層間絶縁層を形成する工程と、
前記第1層間絶縁層の上方にヒューズを形成する工程と、
前記第1層間絶縁層および前記ヒューズの上方に第2層間絶縁層を形成する工程と、
前記第2層間絶縁層の上方であって、前記ヒューズの上方以外に、少なくとも金属層と金属窒化物層とが積層された電極パッドを形成する工程と、
前記電極パッドおよび前記第2層間絶縁層の上方にパッシベーション層を形成する工程と、
前記電極パッドの上方に第1開口と、前記ヒューズの上方に第2開口とを有するマスク層を形成する工程と、
前記パッシベーション層および前記金属窒化物層を除去し、前記金属層を露出させた第1開口部を形成すると共に、前記ヒューズの上方のパッシベーション層および前記第2層間絶縁層の一部を除去し第2開口部を形成する工程と、を含み、
前記第2開口は、前記第1開口と比して小さい平面形状を有し、該第2開口の幅は2μm以上、6μm以下である。
半導体層の上方に第1層間絶縁層を形成する工程と、
前記第1層間絶縁層の上方にヒューズを形成する工程と、
前記第1層間絶縁層および前記ヒューズの上方に第2層間絶縁層を形成する工程と、
前記第2層間絶縁層の上方であって、前記ヒューズの上方以外に、少なくとも金属層と金属窒化物層とが積層された電極パッドを形成する工程と、
前記電極パッドおよび前記第2層間絶縁層の上方にパッシベーション層を形成する工程と、
前記電極パッドの上方に第1開口と、前記ヒューズの上方に第2開口とを有するマスク層を形成する工程と、
前記パッシベーション層および前記金属窒化物層を除去し、前記金属層を露出させた第1開口部を形成すると共に、前記ヒューズの上方のパッシベーション層および前記第2層間絶縁層の一部を除去し第2開口部を形成する工程と、を含み、
前記第2開口は、前記第1開口と比して小さい平面形状を有し、該第2開口の幅は2μm以上、6μm以下である。
本発明にかかる半導体装置の製造方法によれば、第2開口(第2開口部を形成するためのパターン)は、所定範囲の幅を有する。同一条件のエッチングを施す場合、マスク層において平面パターンが小さい開口ほど、エッチングされにくくなる。本発明にかかる半導体装置の製造方法では、第1開口(第1開口部を形成するためのパターン)と比して小さく、かつ、所定の幅を有する第2開口を形成している。そのため、エッチング速度が制御されることでヒューズは露出することなく、また、所定の範囲の幅は確保することでヒューズの溶断効率を低下させることのない第2開口部を形成することができる。その結果、電極パッドを確実に露出させつつも、ヒューズが保護された半導体装置を製造することができる。
本発明にかかる半導体装置の製造方法は、さらに、下記の態様をとることができる。
(7)本発明にかかる半導体装置の製造方法において、
前記第2開口において、前記マスク層の膜厚および前記第2開口部の所望の深さの和と、幅との比が1以上であることができる。
前記第2開口において、前記マスク層の膜厚および前記第2開口部の所望の深さの和と、幅との比が1以上であることができる。
(8)本発明にかかる半導体装置の製造方法において、
前記パッシベーション層の形成は、
前記電極パッドおよび前記第2層間絶縁層の上方に第1絶縁層を形成する工程と、
前記第1絶縁層を平坦化する工程と、
前記第1絶縁層の上方に第2絶縁層を形成する工程と、を含むことができる。
前記パッシベーション層の形成は、
前記電極パッドおよび前記第2層間絶縁層の上方に第1絶縁層を形成する工程と、
前記第1絶縁層を平坦化する工程と、
前記第1絶縁層の上方に第2絶縁層を形成する工程と、を含むことができる。
(9)本発明にかかる半導体装置の製造方法において、
前記第1開口部および前記第2開口部の形成は、同一のエッチング条件で行われることができる。
前記第1開口部および前記第2開口部の形成は、同一のエッチング条件で行われることができる。
以下、本発明の実施形態の一例について、図面を参照しつつ説明する。
1.第1の実施形態
1.1.半導体装置
まず、第1の実施形態にかかる半導体装置について、図1および図2を参照しつつ説明する。図1は、本実施形態にかかる半導体装置を模式的に示す断面図である。図2は、本実施形態にかかる半導体装置のヒューズ22と第2開口部との配置を模式的に示す平面図である。また、図1は、図2のI−I線に沿った方向の断面図である。
1.1.半導体装置
まず、第1の実施形態にかかる半導体装置について、図1および図2を参照しつつ説明する。図1は、本実施形態にかかる半導体装置を模式的に示す断面図である。図2は、本実施形態にかかる半導体装置のヒューズ22と第2開口部との配置を模式的に示す平面図である。また、図1は、図2のI−I線に沿った方向の断面図である。
図1に示すように、本実施形態にかかる半導体装置は、半導体層10と、第1層間絶縁層20と、ヒューズ22と、第2層間絶縁層30と、電極パッド32と、パッシベーション層40と、第1開口部50と、第2開口部60とを含む。
半導体層10は、例えばシリコン基板などからなることができる。半導体層10には、素子分離絶縁層(図示せず)が設けられ、画定された素子領域にMISトランジスタ(図示せず)などの半導体素子が形成されている。
第1層間絶縁層20は、半導体層10の上方に形成されている。具体的には、第1層間絶縁層20は、トランジスタを覆うように形成されている。第1層間絶縁層20としては、酸化シリコン膜、酸窒化シリコン膜、窒化シリコン膜、TEOS膜、オゾン-TEOS膜、FSG膜、SOG膜またはこれらの積層膜を用いることができる。
ヒューズ22は、第1層間絶縁層20の上に設けられている。また、図1には示していないが、第1層間絶縁層20の上には、ヒューズ22と同一の工程で形成された配線層が設けられていることができる。図2に示すように、ヒューズ22は、矩形を有し、複数のヒューズ22がそれぞれの長手方向が並行となるように配置されている。ヒューズ22の大きさは、長辺は約10μm、短辺は1.0ないし1.5μmであることができる。このヒューズ22の短辺方向は、ヒューズ22が溶断される方向である。
第1層間絶縁層20およびヒューズ22の上に、第2層間絶縁層30が設けられている。第2層間絶縁層30としては、たとえば、酸化シリコン、酸窒化シリコン膜、窒化シリコン膜、TEOS膜、FSG膜、SOG膜またはこれらの積層膜を適用することができる。
第2層間絶縁層30の上には、電極パッド32が形成されている。電極パッド32は、高融点金属の窒化物層32a、金属層32b、および高融点金属の窒化物層32cが積層されてなる。窒化物層(金属窒化物層に相当する)32a,32cは、たとえば、TiN層であることができる。また、金属層32bは、単一の金属層の他、合金層を用いることができる。
電極パッド32および第2層間絶縁層30の上には、パッシベーション層40が形成されている。パッシベーション層40は、酸化シリコン層42と、酸化シリコン層42の上に設けられた窒化シリコン層44とが積層されて構成されていることができる。
パッシベーション層40には、第1開口部50と、第2開口部60の一部とが形成されている。まず、第1開口部50について説明する。第1開口部50は、電極パッド32の上に設けられ、電極パッド32の上面の少なくとも一部が露出している。具体的には、電極パッド32の金属層32bが露出している。第1開口部50の底面は、電極パッド32の上面である。第1開口部50の平面形状は、電極パッド32の平面形状に含まれている。
第2開口部60は、ヒューズ22の上方に設けられている。本実施形態では、複数のヒューズ22の上方に一つの開口が設けられている場合を説明する。図2に示すように、本実施形態では、第2開口部60は、ヒューズ22の長辺方向(長手方向)と交差する矩形を有する。つまり、ヒューズ22の短辺方向と並行な方向が第2開口部60の長辺方向である。図1に示すように、第2開口部60は、パッシベーション層40を貫通し、第2層間絶縁層30の一部を除去して形成されている。具体的には、第2層間絶縁層30の一部が除去されて形成されている。つまり、第2開口部60では、ヒューズ22が露出することのないよう、その底面は、第2層間絶縁層30である。
また、第2開口部60の幅(短辺方向の幅)は、2μm以上、6μm以下であることができる。第2開口部60の幅が2μm未満である場合、ヒューズ22を溶断するレーザーのスポット径と比して小さくなることがあり、溶断効率が低下してしまうことがある。また、第2開口部60の幅が6μmを越える場合には、エッチングレートの低下の効果が低く、ヒューズ22の上方に確実に第2層間絶縁層30を残存させることができないことがある。
本実施形態にかかる半導体装置によれば、電極パッド32が確実に露出した第1開口部50と、前記ヒューズ22が第2層間絶縁層30に覆われた状態の第2開口部60とを有する半導体装置を提供することができる。第1開口部50と第2開口部60とを同時に形成する時に、第1開口部50では、電極パッド32の金属層32bを確実に露出させるために、パッシベーション層40を除去するに足るエッチング条件と比して、過剰なエッチング条件で第1開口部50および第2開口部60が形成される。そのため、エッチング条件によっては、第2開口部60の底面でヒューズ22が露出してしまうことがある。しかしながら、本実施形態にかかる半導体装置では、第2開口部60の幅が、所定の範囲であるため、エッチング速度を低下させることができ、第1開口部50と同時に形成した場合であってもヒューズ22が第2層間絶縁層30に覆われた第2開口部60を形成することができる。その結果、電極パッド32の金属層32bを確実に露出させつつも、ヒューズ22は保護された半導体装置を提供することができる。
1.2.半導体装置の製造方法
次に、本実施形態にかかる半導体装置の製造方法について、図3ないし図4を参照しつつさらに説明する。図3ないし図4は、本実施形態にかかる半導体装置の製造方法について模式的に示す断面図である。また、図3および図4は、図1に対応する断面を示す図である。
次に、本実施形態にかかる半導体装置の製造方法について、図3ないし図4を参照しつつさらに説明する。図3ないし図4は、本実施形態にかかる半導体装置の製造方法について模式的に示す断面図である。また、図3および図4は、図1に対応する断面を示す図である。
(1)図3に示すように、半導体層10にトランジスタ(図示せず)などの各種半導体素子を適宜形成する(素子分離絶縁層の形成も含む)。その後、半導体層10の全面に第1層間絶縁層20を形成する。ついで、第1層間絶縁層20の上に、ヒューズ22および配線層(図示せず)を形成する。ヒューズ22および配線層は、第1層間絶縁層20の全面に導電層を形成し、その後、公知のリソグラフィおよびエッチング技術によりパターニングすることで形成される。なお、ヒューズ22および配線層を形成する前に、第1層間絶縁層20にプラグ(図示せず)を形成する工程が含まれていることはいうまでもない。
ついで、ヒューズ22および第1層間絶縁層20の上に、第2層間絶縁層30を形成する。第2層間絶縁層30としては、たとえば、酸化シリコンを形成する。第2層間絶縁層30の形成は、たとえば、CVD法により形成することができる。第2層間絶縁層30の膜厚は、500nm〜1000nmであることができる。なお、ここでの膜厚は、ヒューズ22上の第2層間絶縁層の膜厚として定義する。
(2)次に、図3に示すように、第2層間絶縁層30の上に、電極パッド32を形成する。電極パッド32は、たとえば、上述した構成の材料をスパッタリング法により形成することができる。電極パッド32は、第2層間絶縁層30の上方全面に導電層(図示せず)を形成し、この導電層を公知のリソグラフィおよびエッチング技術によりパターニングすることで形成することができる。なお、電極パッド32を構成する窒化物層32aは、
20nm〜100nmであり、金属層32bは、400nm〜1000nmであり、窒化物層32cは、30nm以下であることができる。
20nm〜100nmであり、金属層32bは、400nm〜1000nmであり、窒化物層32cは、30nm以下であることができる。
ついで、電極パッド32および第1層間絶縁層30の上に、たとえば、酸化シリコン層42を形成する。酸化シリコン層42としては、たとえば、CVD法により形成することができる。ついで、酸化シリコン層42の上に、窒化シリコン層44を形成する。窒化シリコン層44は、たとえば、CVD法により形成することができる。このようにしてパッシベーション層40が形成される。酸化シリコン層42は、450nm〜11500nmであり、窒化シリコン層44は、200nm〜1000nmであることができる。
ついで、パッシベーション層40の上に、マスク層を形成する。図3には、マスク層として、レジスト層R1を形成する場合を図示する。レジスト層R1は、電極パッド32の上方に第1開口51およびヒューズ22の上に第2開口61を有する。第1開口51は、第2開口61と比して、開口の平面パターンが大きい。このとき、第2開口61の幅は、2μm以上、6μm以下であることができる。また、開口61において、レジスト層R1の膜厚X1および第2開口部60の所望の深さX2の和と、開口61の幅Yとの比((X1+X2)/Y)が1以上となるように、開口61の幅が決定されている必要がある。この比の値が1より小さい場合には、エッチングレートの低下効果が低く、ヒューズ22を露出させてしまうことがある。本実施形態にかかる半導体装置の製造方法において、第2開口61の幅とは、ヒューズ22が溶断される方向に沿った幅のことをいう。
(3)次に、図1に参照されるように、第1開口51に露出しているパッシベーション層40を除去して、第1開口部50を形成する。また、第2開口61に露出しているパッシベーション層40および第2層間絶縁層30の一部を除去した第2開口部60を形成する。第1開口部50および第2開口部60の形成は、同一のエッチング条件(同一工程)で行われる。第1開口部50の形成では、電極パッド32の上面が露出し、さらに、パッシベーション層40および第2層間絶縁層30の膜厚のばらつきを考慮してオーバーエッチングされるような条件でエッチングが行われる。第2開口部60の形成では、ヒューズ22の上に、200nmないし500nmの膜厚の第2層間絶縁層30を残存させる。
以上の工程により、本実施形態にかかる半導体装置を製造することができる。
本実施形態にかかる半導体装置の製造方法によれば、第2開口61(第2開口部60を形成するためのパターン)は、第1開口51(第1開口部50を形成するためのパターン)と比して小さく、かつ、所定範囲の幅を有している。同一条件のエッチングを施す場合、マスク層において平面パターンが小さい開口ほど、エッチングはされにくくなる。よって、本実施形態にかかる半導体装置の製造方法では、第1開口51と比して第2開口61でのエッチング量は少なくなることとなる。そのため、エッチング速度が制御されることでヒューズ22は露出することなく、また、所定の範囲の幅は確保することでヒューズ22の溶断効率を低下させることのない第2開口部60を形成することができる。その結果、電極パッド32を確実に露出させ、かつ、ヒューズ22が保護された半導体装置を製造することができる。
2.第2の実施形態
2.1.半導体装置
次に、第2の実施形態にかかる半導体装置について、図5および図6を参照しつつ説明する。第2の実施形態にかかる半導体装置は、第2開口部60が第1の実施形態と異なる例である。以下の説明では、第1の実施形態と異なる点について説明する。なお、図5は、図1に対応する断面を示し、図6は、図2に対応する平面を示す。
2.1.半導体装置
次に、第2の実施形態にかかる半導体装置について、図5および図6を参照しつつ説明する。第2の実施形態にかかる半導体装置は、第2開口部60が第1の実施形態と異なる例である。以下の説明では、第1の実施形態と異なる点について説明する。なお、図5は、図1に対応する断面を示し、図6は、図2に対応する平面を示す。
図5および図6に示すように、第2の実施形態では、ヒューズ22の上方に複数の第2開口部60が複数設けられている。図6に示すように、第1の実施形態にかかる半導体装置と同様に矩形のヒューズ22は、長辺方向が並行となるように配列されている。そして、ヒューズ22の上に、矩形の第2開口部60が複数配置されている。つまり、第2開口部60の長辺と、ヒューズ22の長辺とは交差しており、格子状を成している。また、隣り合う第2開口部60同士の相互間の距離Yは、開口に用いるレジストが倒壊しないように、使用するレジスト膜厚以上にすることが望ましく、且つ、第2開口部60のエッチング速度が抑制されるように、開口領域における開口部の幅と非開口部の幅の比を1:2以下にすることが好ましい。具体的に数値を上げると、1.5um以上、12um以下であることが好ましい。
第2の実施形態にかかる半導体装置によれば、ヒューズ22の上方に複数の第2開口部60が設けられていることで、第2開口部60を形成するときのエッチングレートを第1開口部50を形成する場合と比して低下させることができる。そのため、第1開口部50と第2開口部60とが同一工程で形成された場合であっても、電極パッド32が露出した第1開口部50と、第2開口部60の底面、つまり、ヒューズ22に上に第2層間絶縁層30を確実に残存させることができる。その結果、電極パッド32の金属層32bを確実に露出させつつも、ヒューズ22は保護された半導体装置を提供することができる。
2.2.半導体装置の製造方法
第2の実施形態にかかる半導体装置の製造方法は、第1開口部50および第2開口部60を形成するためのレジスト層R1の開口パターンを変更する以外は、第1の実施形態にかかる製造方法と同様にすることができる。
第2の実施形態にかかる半導体装置の製造方法は、第1開口部50および第2開口部60を形成するためのレジスト層R1の開口パターンを変更する以外は、第1の実施形態にかかる製造方法と同様にすることができる。
本実施形態にかかる製造方法によれば、開口61が複数設けられていることで、パッシベーション層のエッチングを抑制することができる。さらに、ヒューズ22の上方に複数の開口61が均等に設けられていることで、ヒューズ22の上方の全面で均一にエッチングレートの低下を図ることができる。その結果、ヒューズ22は、絶縁層に覆われた状態第2開口部60を形成することができる。
3.第3の実施形態
3.1.半導体装置
次に、第3の実施形態にかかる半導体装置について、図7および図8を参照しつつ説明する。第3の実施形態にかかる半導体装置は、ヒューズ22の上方に設けられる開口とパッシベーション層40の構成が第1の実施形態と異なる例である。以下の説明では、第1の実施形態と異なる点について説明する。なお、図7は、図1に対応する断面を示し、図8は、図2に対応する平面を示す。
3.1.半導体装置
次に、第3の実施形態にかかる半導体装置について、図7および図8を参照しつつ説明する。第3の実施形態にかかる半導体装置は、ヒューズ22の上方に設けられる開口とパッシベーション層40の構成が第1の実施形態と異なる例である。以下の説明では、第1の実施形態と異なる点について説明する。なお、図7は、図1に対応する断面を示し、図8は、図2に対応する平面を示す。
図7および図8に示すように、第3の実施形態にかかる半導体装置では、ヒューズ22の上方に、第2開口部60と、犠牲開口部64とが設けられている。図8に示すように、第2開口部60と犠牲開口部64とは、共に矩形の平面パターンを有し、長辺方向が並行になるように配置されている。第2の実施形態と同様に、第2開口部60および犠牲開口部64の長辺方向は、ヒューズ22の長辺方向と交差しており、格子状をなしている。犠牲開口部64の開口幅は、特に限定されることはない。また、本実施形態では、犠牲開口部64として、第2開口部60と同様の矩形パターンを有する場合を示したが、第2開口部60と比して小さい平面パターンである限り、これに限定されることはない。たとえば、正方形または円形の平面パターンを有することができる。
また、本実施形態にかかる半導体装置では、パッシベーション層40の上面が平坦な面をなしている。具体的には、図7に示すように、酸化シリコン層42の上面の高さが均一になっている。そのため、電極パッド32の上に位置する酸化シリコン層42は、ヒューズ22の上方に位置する酸化シリコン層42と比して膜厚が小さいこととなる。
第3の実施形態にかかる半導体装置によれば、ヒューズ22の上方に第2開口部60の他、犠牲開口部64が設けられていることで、第2開口部60を形成するときのエッチングレートを第1開口部50を形成する場合と比して低下させることができる。そのため、上述の実施形態と同様の利点を有し、ヒューズ22に上に第2層間絶縁層30を確実に残存させることができる。その結果、電極パッド32の金属層32bを確実に露出させつつも、ヒューズ22は保護された半導体装置を提供することができる。
3.2.半導体装置の製造方法
第3の実施形態にかかる半導体装置の製造方法は、第1開口部50、第2開口部60および犠牲開口部64を形成するためのレジスト層R1の開口パターンの変更、および、酸化シリコン層42を形成した後に平坦化処理を施すこと以外は、第1の実施形態にかかる製造方法と同様にすることができる。酸化シリコン層42の平坦化は、たとえば、CMP法により行うことができる。
第3の実施形態にかかる半導体装置の製造方法は、第1開口部50、第2開口部60および犠牲開口部64を形成するためのレジスト層R1の開口パターンの変更、および、酸化シリコン層42を形成した後に平坦化処理を施すこと以外は、第1の実施形態にかかる製造方法と同様にすることができる。酸化シリコン層42の平坦化は、たとえば、CMP法により行うことができる。
第3の実施形態にかかる半導体装置の製造方法によれば、ヒューズ22の上に犠牲開口部64が形成されることで、第2開口部60を形成するときのエッチング速度を制御することができる。また、酸化シリコン層42の平坦化を行うことで、電極パッド32とヒューズ22との上方に設けられる絶縁層(被エッチング絶縁層)の膜厚に差を設けることができる。つまり、ヒューズ22の上方に十分な膜厚の絶縁層(パッシベーション層40および第2層間絶縁層30)を残存させることができる。そのため、電極パッド32の上面を完全に露出させるよう、オーバーエッチングを行った場合であっても、ヒューズ22が露出することのないよう第2開口部60を形成することができる。その結果、溶断効率の劣化が抑制され、信頼性が向上した半導体装置を提供することができる。
なお、本発明は、上述した実施の形態に限定されるものではなく、種々の変形が可能である。たとえば、本発明は、実施の形態で説明した構成と実質的に同一の構成(たとえば、機能、方法及び結果が同一の構成、あるいは目的及び結果が同一の構成)を含む。また、本発明は、実施の形態で説明した構成の本質的でない部分を置き換えた構成を含む。また、本発明は、実施の形態で説明した構成と同一の作用効果を奏する構成又は同一の目的を達成することができる構成を含む。また、本発明は、実施の形態で説明した構成に公知技術を付加した構成を含む。
10…半導体層、 20…第1層間絶縁層、 22…ヒューズ、 30…層間絶縁層、 30…絶縁層、 30…第2層間絶縁層、 32…電極パッド、 32a,32c…窒化物層、 32b…金属層、 40…パッシベーション層、 42…酸化シリコン層、 44…窒化シリコン層、 50…第1開口部、 51,61…開口、 60…第2開口部、 64…犠牲開口部、
Claims (9)
- 半導体層と、
前記半導体層の上方に設けられた第1層間絶縁層と、
前記第1層間絶縁層の上方に設けられたヒューズと、
前記第1層間絶縁層および前記ヒューズの上方に設けられた第2層間絶縁層と、
前記第2層間絶縁層の上方であって、前記ヒューズの上方以外に設けられ、少なくとも金属層と金属窒化物層とが積層された電極パッドと、
前記電極パッドおよび前記第2層間絶縁層の上方に設けられたパッシベーション層と、
前記パッシベーション層に設けられ、前記電極パッドの前記金属層の少なくとも一部を露出させる第1開口部と、
前記ヒューズの上方に設けられ、前記パッシベーション層を貫通し、前記第2層間絶縁層の一部が底面をなす前記第2開口部と、を含み、
前記第2開口部は、前記第1開口部と比して小さい平面形状を有し、かつ、該第2開口部の幅は、2μm以上、6μm以下である、半導体装置。 - 請求項1において、
前記ヒューズの平面形状は矩形であり、
前記第2開口部の幅方向は、前記ヒューズの長手方向と並行である、半導体装置。 - 請求項1または2において、
前記第2開口部は、複数設けられている、半導体装置。 - 請求項3において、
隣接する前記第2開口部同士の距離は、ほぼ等しい、半導体装置。 - 請求項1ないし4のいずれかにおいて、
さらに、前記ヒューズの上方に設けられ、該ヒューズを露出させない犠牲開口部を含む、半導体装置。 - 半導体層の上方に第1層間絶縁層を形成する工程と、
前記第1層間絶縁層の上方にヒューズを形成する工程と、
前記第1層間絶縁層および前記ヒューズの上方に第2層間絶縁層を形成する工程と、
前記第2層間絶縁層の上方であって、前記ヒューズの上方以外に、少なくとも金属層と金属窒化物層とが積層された電極パッドを形成する工程と、
前記電極パッドおよび前記第2層間絶縁層の上方にパッシベーション層を形成する工程と、
前記電極パッドの上方に第1開口および前記ヒューズの上方に第2開口を有するマスク層を形成する工程と、
前記パッシベーション層および前記金属窒化物層を除去し、前記金属層を露出させた第1開口部を形成すると共に、前記ヒューズの上方のパッシベーション層および前記第2層間絶縁層の一部を除去し第2開口部を形成する工程と、を含み、
前記第2開口は、前記第1開口と比して小さい平面形状を有し、該第2開口の幅は2μm以上、6μm以下である、半導体装置の製造方法。 - 請求項6において、
前記第2開口において、前記マスク層の膜厚および前記第2開口部の所望の深さの和と、幅との比が1以上である、半導体装置の製造方法。 - 請求項6または7において、
前記パッシベーション層の形成は、
前記電極パッドおよび前記第2層間絶縁層の上方に第1絶縁層を形成する工程と、
前記第1絶縁層を平坦化する工程と、
前記第1絶縁層の上方に第2絶縁層を形成する工程と、を含む、半導体装置の製造方法。 - 請求項6ないし8のいずれかにおいて、
前記第1開口部および前記第2開口部の形成は、同一のエッチング条件で行われる、半導体装置の製造方法。
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JP2006033741A JP2007214433A (ja) | 2006-02-10 | 2006-02-10 | 半導体装置およびその製造方法 |
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Cited By (2)
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JP2016118558A (ja) * | 2014-12-23 | 2016-06-30 | イーエム・ミクロエレクトロニク−マリン・エス アー | 湿度センサ |
JP2017069436A (ja) * | 2015-09-30 | 2017-04-06 | エスアイアイ・セミコンダクタ株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
-
2006
- 2006-02-10 JP JP2006033741A patent/JP2007214433A/ja not_active Withdrawn
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