JP2007059790A - 半導体集積回路および半導体装置の製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】デバイス領域110にMOSトランジスタ111を含む集積回路を形成するとともに、グリッド領域120に放電用拡散領域121を形成する。放電用拡散領域121は、コンタクトホール134を介して、集積回路の金属配線137に接続される。このため、ドライエッチング法で金属配線137を形成する際に、この金属配線137内の電荷は放電用拡散領域121から半導体基板100に放出され、したがって、MOSトランジスタ111のエッチングダメージが低減される。また、放電用拡散領域121およびコンタクトホール134は、グリッド領域120内に形成されているので、ダイシング工程で切除され、したがって、半導体装置のチップ面積が増大することはない。
【選択図】図1
Description
この発明の第1の実施形態について、図1〜図3を用いて説明する。
次に、この発明の第2の実施形態について、図4および図5を用いて説明する。
110 デバイス領域
111 MOSトランジスタ
112 チャネル形成領域
113 ソース領域
114 ドレイン領域
115 ゲート絶縁膜
116 ゲート配線
117 保護酸化膜
120 グリッド領域
121 放電用拡散領域
131 素子分離領域
132 中間絶縁膜
133,134 コンタクトホール
135,136 層間配線
137 金属配線
301 金属材料層
Claims (5)
- 半導体基板のショット領域毎に形成される半導体集積回路であって、
前記ショット領域内のデバイス領域に形成された電界効果トランジスタと、
前記ショット領域内のグリッド領域に形成された放電用高濃度不純物領域と、
前記半導体基板上に形成された中間絶縁膜と、
該中間絶縁膜上にドライエッチング法を用いて形成された配線パターンと、
前記デバイス領域上の前記中間絶縁膜に形成された第1コンタクトホールを介して、前記電界効果トランジスタのゲート電極と前記配線パターンとを接続する第1層間配線と、
前記グリッド領域上の前記中間絶縁膜に形成された第2コンタクトホールを介して、前記放電用高濃度不純物領域と前記配線パターンとを接続する第2層間配線と、
を備えることを特徴とする半導体集積回路。 - 前記配線パターンの、少なくとも前記デバイス領域と前記グリッド領域との境界上の部分が、非金属導電材料で形成されたことを特徴とする請求項1に記載の半導体集積回路。
- 半導体基板表面のデバイス領域に電界効果トランジスタを形成するとともに、該半導体基板表面のグリッド領域に放電用高濃度不純物領域を形成する第1工程と、
前記半導体基板上に中間絶縁膜を形成する第2工程と、
前記デバイス領域上の該中間絶縁膜に設けられた第1コンタクトホールを介して前記電界効果トランジスタのゲート電極に接続され且つ前記グリッド領域上の該中間絶縁膜に設けられた第2コンタクトホールを介して前記放電用高濃度不純物領域に接続された配線パターンを、ドライエッチング法を用いて形成する第3工程と、
前記デバイス領域と前記グリッド領域との境界を切断する第4工程と、
を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 前記第3工程が、
前記中間絶縁膜をエッチング加工することにより、前記電界効果トランジスタのゲート電極上に前記第1コンタクトホールを形成するとともに前記放電用高濃度不純物領域上に前記第2コンタクトホールを形成するコンタクトホール形成工程と、
前記第1、第2コンタクトホール内および前記中間絶縁膜上に導電性材料層を堆積する堆積工程と、
前記中間絶縁膜上の前記導電性材料層をドライエッチング法を用いて加工することにより、前記配線パターンを形成するパターニング工程と、
を含むことを特徴とする請求項3に記載の半導体装置の製造方法。 - 前記第3工程が、
前記デバイス領域と前記グリッド領域とを跨ぐ領域間配線パターンを、非金属導電材料で形成する領域間配線工程と、
前記中間絶縁膜上に層間絶縁膜を形成する層間絶縁膜形成工程と、
前記中間絶縁膜および前記層間絶縁膜をエッチング加工することにより、前記電界効果トランジスタのゲート電極上に前記第1コンタクトホールを形成し、前記放電用高濃度不純物領域上に前記第2コンタクトホールを形成し、前記デバイス領域の前記領域間配線上に第3コンタクトホールを形成し、且つ、前記グリッド領域の前記領域間配線上に第4コンタクトホールを形成するコンタクトホール形成工程と、
前記第1〜第4コンタクトホール内および前記層間絶縁膜上に導電性材料層を堆積する堆積工程と、
前記層間絶縁膜上の前記導電性材料層をドライエッチング法を用いて加工することにより、前記第1、第3コンタクトホール間および前記第2、第4コンタクトホール間に領域内配線パターンを形成するパターニング工程と、
を含むことを特徴とする請求項3に記載の半導体装置の製造方法。
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