JP2007204652A - 熱硬化型接着剤 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】熱硬化型絶縁性接着成分に、活性エネルギー線の照射を受けることによりラジカルを発生する光ラジカル発生剤を含有させて熱硬化型接着剤を構成する。この熱硬化型接着剤を用いた場合のリペア方法は、基板から電子部品を分離する前に、基板側又は電子部品側から熱硬化型接着剤の硬化物に対して活性エネルギー線照射を行うことにより該硬化物に所定の溶媒に対する可溶性もしくは膨潤性を付与し、当該溶媒を用いて該硬化物を除去するか、基板から電子部品を分離した後、熱硬化型接着剤の硬化物に対して活性エネルギー線照射を行うことにより該硬化物に所定の溶媒に対する可溶性もしくは膨潤性を付与し、当該溶媒を用いて該硬化物を除去する。
【選択図】 なし
Description
ビスフェノールA型エポキシ樹脂(エピコート828、ジャパンエポキシレジン社製)40重量部、フェノキシ樹脂(フェノトートYP50、東都化成社製)30重量部、アクリルゴム(ライサン#1500、帝国化学産業社製)10重量部、潜在性硬化剤(HX3941HP、旭化成社製)20重量部、4μm径のNi/Auメッキ樹脂粒子(ミクロパールAU、積水化学工業社製)5重量部、シランカップリング剤(A187、日本ユニカー社製)1重量、及びアシルホスフィンオキサイド系光ラジカル発生剤(イルガキュア819、チバスペシャリティケミカルズ社)2重量部とをトルエン中で均一に混合し、得られた混合物を剥離処理済みポリエチレンテレフタレートフィルム(P−WPETA−07−50、東セロ社製)の剥離処理面上に、乾燥厚20μmとなるように塗布し、70℃で5分間乾燥することにより、異方性導電フィルムを得た。
アシルホスフィンオキサイド系光ラジカル発生剤に代えて、α−ヒドロキシケトン系光ラジカル発生剤(イルガキュア184、チバスペシャリティケミカルズ社)2重量部を使用する以外は、実施例1と同様の操作を繰り返すことにより異方性導電フィルムを得た。
α−ヒドロキシケトン系ラジカル発生剤を0.1重量部使用する以外は、実施例2と同様の操作を繰り返すことにより、異方性導電フィルムを得た。
実施例2と同様の操作を繰り返すことにより、異方性導電フィルムを得た。得られた異方性導電フィルムを、銅パターン端子が設けられたガラスエポキシ配線板の銅パターンと、銅箔パターン端子が形成されたポリイミドフレキシブル基板の銅箔パターン端子との間に挟持し、190℃で40MPaの圧力で10秒間圧着し、積層接続体を得た。
実施例2と同様の操作を繰り返すことにより、異方性導電フィルムを得た。得られた異方性導電フィルムを、銅パターン端子が設けられたガラスエポキシ配線板の銅パターンと、銅箔パターン端子が形成されたポリイミドフレキシブル基板の銅箔パターン端子との間に挟持し、190℃で40MPaの圧力で10秒間圧着し、積層接続体を得た。
光ラジカル発生剤を使用しない以外は、実施例1と同様の操作を繰り返すことにより異方性導電フィルム、更に積層接続体を得た。そして、得られた積層接続体のガラス基板側から、高圧水銀灯(キュアマックス210P、大宮化成社製)で紫外線(40mJ)を硬化した異方性導電フィルムに照射した後、ガラス基板からフレキシブル基板を手で引きはがし、ガラス基板上に付着している硬化した異方性導電フィルムを、それが無くなるまでアセトンをしみ込ませた綿棒で擦り、その擦り回数をカウントした。得られた結果を表1に示す。
光ラジカル発生剤を使用しない以外は、実施例2と同様の操作を繰り返すことにより異方性導電フィルム、更に積層接続体を得た。そして、得られた積層接続体のガラス基板側から、高圧水銀灯(キュアマックス210P、大宮化成社製)で紫外線(40mJ)を硬化した異方性導電フィルムに照射した後、ガラス基板からフレキシブル基板を手で引きはがし、ガラス基板上に付着している硬化した異方性導電フィルムを、それが無くなるまでアセトンをしみ込ませた綿棒で擦り、その擦り回数をカウントした。得られた結果を表1に示す。
Claims (14)
- 熱硬化型絶縁性接着成分と、活性エネルギー線の照射を受けることによりラジカルを発生する光ラジカル発生剤とを含有することを特徴とする熱硬化型接着剤。
- ラジカル発生剤が、ベンジルジメチルケタール系化合物、α−ヒドロキシケトン系化合物、ビスアシルフォスフィノキサイド系化合物又はα−アミノケトン系化合物である請求項1記載の熱硬化型接着剤。
- ベンジルジメチルケタール系化合物が、2,2−ジメトキシ−1,2−ジフェニルエタン−1−オンである請求項2記載の熱硬化型接着剤。
- α−ヒドロキシケトン系化合物が、1−ヒドロキシ−シクロヘキシル−フェニルケトン又は2−ヒドロキシ−2−メチル−1−フェニル−プロパン−1−オンである請求項2記載の熱硬化型接着剤。
- ビスアシルフォスフィノキサイド系化合物が、ビス(2,4,6−トリメチルベンゾイル)−フェニルフォスフィンオキサイドである請求項2記載の熱硬化型接着剤。
- α−アミノケトン系化合物が、2−ベンジル−2−ジメチルアミノ−1−(4−モルフォリノフェニル)−ブタン−1−オン又は2−メチル−1−[4−(メチルチオ)フェニル]−2−モリフォリノプロパン−1−オンである請求項2記載の熱硬化型接着剤。
- 光ラジカル発生剤の含有量が、0.001〜20重量%である請求項1〜6のいずれかに記載の熱硬化型接着剤。
- 熱硬化型絶縁性接着成分が、エポキシ樹脂及び/又はフェノキシ樹脂を含有する請求項1〜7のいずれかに記載の熱硬化型接着剤。
- IC又は電極パターンが形成された基板と、他の電極パターンが形成された基板との接続に用いられる請求項1記載の熱硬化型接着剤。
- 更に、異方性導電接続用導電粒子を含有する請求項1〜9のいずれかに記載の熱硬化型接着剤。
- 基板と電子部品とが接着剤で熱圧着により接続されている接続構造体の当該基板から電子部品を分離し、基板及び/又は電子部品に付着している接着剤を除去することにより、基板及び/又は電子部品を再使用することを可能とするリペア方法において、
接着剤として請求項1〜10のいずれかに記載の熱硬化型接着剤を使用し、基板から電子部品を分離する前に、基板側又は電子部品側から熱硬化型接着剤の硬化物に対して活性エネルギー線照射を行うことにより該硬化物に所定の溶媒に対する可溶性もしくは膨潤性を付与し、当該溶媒を用いて該硬化物を除去することを特徴とするリペア方法。 - 基板と電子部品とが接着剤で熱圧着により接続されている接続構造体の当該基板から電子部品を分離し、基板及び/又は電子部品に付着している接着剤を除去することにより、基板及び/又は電子部品を再使用することを可能とするリペア方法において、
接着剤として請求項1〜10のいずれかに記載の熱硬化型接着剤を使用し、基板から電子部品を分離した後、熱硬化型接着剤の硬化物に対して活性エネルギー線照射を行うことにより該硬化物に所定の溶媒に対する可溶性もしくは膨潤性を付与し、当該溶媒を用いて該硬化物を除去することを特徴とするリペア方法。 - 基板から電子部品を分離した後、熱硬化型接着剤の硬化物に対し所定の溶媒を接触させ、その後で活性エネルギー線照射を行う請求項12記載のリペア方法。
- 該溶媒が、カチオン発生塩溶液又はアセトアミド系溶剤である請求項13記載のリペア方法。
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