KR20080089618A - 열경화형 접착제 - Google Patents

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KR20080089618A
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소니 케미카루 앤드 인포메이션 디바이스 가부시키가이샤
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Abstract

기판 상에 이방성 도전 접착제 등의 열경화형 접착제를 이용하여 전자 부품을 압착한 경우에 용이하게 리페어가 가능한 열경화형 접착제는, 열경화형 절연성 접착 성분에 활성 에너지선의 조사를 받음으로써 라디칼을 발생하는 광 라디칼 발생제를 함유시킴으로써 구성되어 있다.
이 열경화형 접착제를 사용한 경우의 리페어 방법은, 기판으로부터 전자 부품을 분리하기 전에, 기판측 또는 전자 부품측으로부터 열경화형 접착제의 경화물에 대하여 활성 에너지선 조사를 실시함으로써 그 경화물에 소정의 용매에 대한 가용성 혹은 팽윤성을 부여하고, 당해 용매를 이용하여 그 경화물을 제거하거나, 기판으로부터 전자 부품을 분리한 후, 열경화형 접착제의 경화물에 대하여 활성 에너지선 조사를 실시함으로써 그 경화물에 소정의 용매에 대한 가용성 혹은 팽윤성을 부여하고, 당해 용매를 이용하여 그 경화물을 제거한다.

Description

열경화형 접착제{HEAT CURABLE ADHESIVE}
본 발명은 열경화형 절연성 접착 성분으로 이루어지는 열경화형 접착제, 바람직하게는 추가로 이방성 도전 입자를 함유하고, 이방성 도전 접착제로서 유용한 열경화형 접착제에 관한 것이다. 보다 상세하게는, 기판 상에 전자 부품을 압착한 후에도 리페어가 용이한 열경화형 접착제에 관한 것이다.
이방성 도전 접착제는 다양한 기판 상에 여러 가지 전자 부품을 압착할 때에 이용되고 있지만, 이방성 도전 접착제를 이용하여 기판과 전자 부품을 압착한 경우, 압착 후에 전자 부품의 위치 어긋남이나 이방성 도전 접착제의 경화 불량 등에서 기인되는 도통(導通) 불량이 드물게 발생하는 경우가 있다. 이와 같은 경우, 부재 비용이 염가이면 폐기 처분하지만, 매우 고가인 액정 패널 기판이나 로직 보드 기판 등이 기판으로서 이용되어 있는 경우에는, 제조 비용의 상승을 막고 생산성의 향상을 도모하기 위하여, 액정 패널 기판이나 로직 보드 기판을 재사용할 수 있도록 리페어 처리하는 것이 행해지고 있다.
이방성 도전 접착제에 의해 전자 부품이 압착된 기판의 종래의 리페어 처리로서는, (1) 기판으로부터 전자 부품을 떼어내고, 기판에 부착되어 있는 접착제를, 용제를 스며들게 한 면봉이나 브러시로 사람의 손으로 문질러 제거하는 방법이나, (2) 이방성 도전 필름의 편면에 열가소성 수지층을 형성하고, 가열에 의해 그 열가소성 수지층을 연화시켜 전자 부품을 떼어내는 방법 (특허 문헌 1) 이나, (3) 라디칼 중합성의 접착성 매트릭스 수지에 라디칼 개시제 등을 배합하고, 접착성 매트릭스 수지로 기판에 전자 부품을 가고정시키고, 그 상태에서 문제가 있으면 전자 부품을 떼어내고, 문제가 없으면 가열에 의해 라디칼 중합 반응을 개시시키는 방법 (특허 문헌 2) 이 제안되어 있다.
특허 문헌 1 : 일본 공개특허공보 평6-103819호
특허 문헌 2 : 일본 공개특허공보 평6-295617호
발명의 개시
발명이 해결하고자 하는 과제
그러나, 상기 서술한 (1) 의 방법에서는, 인건비와 시간이 과대해진다는 문제가 있고, (2) 의 방법에서는, 접착제 전체를 경화시키고 있지 않기 때문에, 열에 의해 치수 변화나 위치 어긋남이 발생할 우려가 있어, 도통 신뢰성이 부족하다는 문제가 있다. (3) 의 방법에서는, 리페어 공정 외에 가고정 공정과 경화 공정의 2 공정이 필수가 되기 때문에 공정이 번잡해지고, 그에 수반하여 제조 비용의 상승도 피할 수 없다는 문제가 있다. 또한, 경화 공정 후 리페어해야 하는 상황이 된 경우에는, 이미 경화되어 있기 때문에 전술한 (1) 과 동일한 문제가 발생한다. 이들 문제는 동일한 장면에서 이용되고 있는 절연성 접착제에 있어서도 발생하고 있다.
본 발명은 이상의 종래의 기술의 과제를 해결하고자 하는 것으로서, 기판 상에 이방성 도전 접착제나 절연성 접착제 등의 열경화형 접착제를 이용하여 전자 부품을 압착한 경우에, 용이하게 리페어가 가능한 이방성 도전 접착제 등의 열경화형 접착제를 제공하는 것이다.
과제를 해결하기 위한 수단
본 발명자는 활성 에너지선의 조사를 받음으로써 라디칼을 발생하는 광 라디칼 발생제를 배합한 열경화형 접착제를 이용하여 기판과 전자 부품을 열압착하여 열경화형 접착제를 경화시키고, 또한 그 경화물에 광 조사를 실시한 경우, 광 라디칼 발생제가 라디칼을 발생하고, 그 라디칼이 혹은 그것이 산소와 다시 반응하여 발생하는 퍼옥사이드 라디칼이 그 경화물 중의 고분자의 분자 사슬 절단 반응을 일으키기 때문에, 그 경화물이 소정의 용제에 대하여 용이하게 가용화 혹은 팽윤화되고, 결과적으로 리페어 처리가 용이해지는 것을 알아내어, 본 발명을 완성시키기에 이르렀다.
즉, 본 발명은 열경화형 절연성 접착 성분과, 활성 에너지선의 조사를 받음으로써 라디칼을 발생하는 광 라디칼 발생제를 함유하는 것을 특징으로 하는 열경화형 접착제를 제공한다.
또한, 본원 발명은 기판과 전자 부품이 접착제로 열압착에 의해 접속되어 있는 접속 구조체의 당해 기판으로부터 전자 부품을 분리하고, 기판 및/또는 전자 부품에 부착되어 있는 접착제를 제거함으로써, 기판 및/또는 전자 부품을 재사용하는 것을 가능하게 하는 리페어 방법에 있어서, 접착제로서 전술한 열경화형 접착제를 사용하여, 기판으로부터 전자 부품을 분리하기 전에, 기판측 또는 전자 부품측으로부터 열경화형 접착제의 경화물에 대하여 활성 에너지선 조사를 실시함으로써 그 경화물에 소정의 용매에 대한 가용성 혹은 팽윤성을 부여하고, 당해 용매를 이용하여 그 경화물을 제거하는 것을 특징으로 하는 리페어 방법, 또는 접착제로서 전술한 열경화형 접착제를 사용하여, 기판으로부터 전자 부품을 분리한 후, 열경화형 접착제의 경화물에 대하여 활성 에너지선 조사를 실시함으로써 그 경화물에 소정의 용매에 대한 가용성 혹은 팽윤성을 부여하고, 당해 용매를 이용하여 그 경화물을 제거하는 것을 특징으로 리페어 방법을 제공한다.
발명의 효과
본 발명의 이방성 도전 접착제 등의 열경화형 접착제는 열경화형이므로, 기판과 전자 부품 사이에 배치하여 열압착함으로써 확실하게 접속할 수 있다. 또한, 광 라디칼 발생제를 함유하고 있으므로, 열경화된 후에 열경화형 접착제의 경화물에 활성 에너지선 조사를 실시하면, 발생한 라디칼이 경화물 중의 고분자의 분자 사슬 절단 반응을 실시한다. 따라서, 열경화형 접착제는 열경화되었음에도 불구하고, 용제에 의해 용해 혹은 팽윤되기 쉬워져 리페어 처리가 용이해진다.
발명을 실시하기 위한 최선의 형태
본 발명의 열경화형 접착제는 열경화형 절연성 접착 성분과, 활성 에너지선의 조사를 받음으로써 라디칼을 발생하는 광 라디칼 발생제를 함유하는 것을 특징으로 한다.
본 발명에서 사용하는 광 라디칼 발생제로서는, 열압착시의 가열에 의해 라디칼을 원칙적으로 발생하지 않지만, 가시광, 자외선, 전자선, X 선 등의 활성 에너지선의 조사를 받음으로써 라디칼을 발생하는 종래 공지된 광 라디칼 발생제를 사용할 수 있다. 예를 들어, 2,2-디메톡시-1,2-디페닐에탄-1-온 등의 벤질디메틸케탈계 화합물, 1-히드록시-시클로헥실-페닐케톤, 2-히드록시-2-메틸-1-페닐-프로판-1-온 등의α-히드록시케톤계 화합물, 비스(2,4,6-트리메틸벤조일)-페닐포스핀옥사이드 등의 비스아실포스핀옥사이드계 화합물, 2-벤질-2-디메틸아미노-1-(4-모르폴리노페닐)-부탄-1-온, 2-메틸-1-[4-(메틸티오)페닐]-2-모르폴리노프로판-1-온 등의 α-아미노케톤계 화합물 등을 들 수 있다. 이와 같은 광 라디칼 발생제는 발명의 효과를 향상시키기 위하여, 지방족 아민이나 방향족 아민 등의 광 증감제 등의 보조제를 병용할 수 있다.
열경화형 접착제에 있어서의 광 라디칼 발생제의 함유량은, 너무 적으면 열경화형 접착제의 경화물 중의 고분자의 분자 사슬의 절단이 충분하지 않고, 너무 많으면 열경화형 접착제의 접착성이나 도통 신뢰성을 저하시키므로, 열경화형 접착제 (용제를 제외함) 의 바람직하게는 0.001 ∼ 20 중량%, 보다 바람직하게는 0.01 ∼ 10 중량% 이다.
본 발명의 열경화형 접착제의 바인더에 상당하는 열경화형 절연성 접착 성분으로서는, 종래의 이방성 도전 접착제 등에 있어서 이용되고 있는 열경화형 절연성 접착 성분을 사용할 수 있다. 예를 들어, 이와 같은 열경화형의 절연성 접착 성분으로서는, 광 라디칼 발생제가 발생하는 라디칼에 의해 중합되는 탄소 탄소 이중 결합 등을 갖지 않지만, 경화제에 의해 가교되는 관능기 (에폭시기, 옥세탄기 등) 를 갖는 여러 가지 수지나 올리고머 등의 라디칼 중합 비반응성으로 열경화형의 에폭시 수지, 페녹시 수지, 옥세탄 수지 등의 주수지 성분, 열압착시의 가열에 의해 경화 반응을 유발하는 이미다졸계 잠재성 경화제, 아민계 잠재성 경화제 등의 잠재성 경화제, 또한 실란계 커플링제 등의 커플링제, 아크릴 고무 등의 열가소성 엘라스토머 등을 들 수 있다. 이들의 배합량에는 특별히 제한은 없지만, 일반적으로는 주수지 성분 100 중량부에 대하여 잠재성 경화제를 1 ∼ 100 중량부, 실란계 커플링제를 0.1 ∼ 10 중량부, 열가소성 엘라스토머를 0 ∼ 50 중량부이다. 그 중에서도 주수지 성분으로서는, 도통 신뢰성 확보의 점에서 에폭시 수지 및/또는 페녹시 수지를 사용하는 것이 바람직하다.
또한, 본 발명의 열경화형 접착제는 이방성 도전 접속용 도전 입자를 배합함으로써 이방성 도전 접착제로서 사용할 수 있다. 그러한 이방성 도전 접속용 도전 입자로서는, 종래의 이방성 도전 접착제에 있어서 이용되고 있는 도전 입자를 사용할 수 있다. 예를 들어, 1 ∼ 10㎛ 직경의 금, 니켈, 땜납 등의 금속 또는 합금 입자, 수지 입자의 표면에 이들의 박막이 형성되어 이루어지는 금속 또는 합금 피복 수지 입자, 또한 이들의 표면에 절연 박막이 형성된 절연 피복 도전 입자를 들 수 있다.
이방성 도전 접속용 도전 입자의 열경화형 접착제 (용제를 제외함) 중의 배합량은, 너무 적으면 접속 신뢰성이 불충분해지고, 너무 많으면 쇼트의 발생이 우려되므로, 바람직하게는 0.5 ∼ 70 중량%, 보다 바람직하게는 3 ∼ 40 중량% 이다.
본 발명의 열경화형 접착제는 필요에 따라 용제, 케톤류, 알코올류, 톨루엔 등을 함유할 수 있다. 사용량은 열경화형 접착제의 접속부에 대한 적용 방법 등에 따라 적절히 결정할 수 있다.
본 발명의 열경화형 접착제의 형태로서는, 통상적인 방법에 의해 페이스트 형상으로 할 수도 있고, 필름 형상으로 할 수도 있다. 예를 들어, 본 발명의 열경화형 접착제를 페이스트 형상으로 하는 경우에는, 주수지 성분, 잠재성 경화제, 광 라디칼 발생제, 또한 필요에 따라 커플링제, 열가소성 엘라스토머와 용제를 통상적인 방법에 의해 균일하게 혼합함으로써 제조할 수 있다. 필름 형상으로 하는 경우에는, 도포에 적합한 점도로 용제에 의해 희석한 후, 롤 코터, 콤마 코터 등의 방법을 이용하여 막형성함으로써 제조할 수 있다.
본 발명의 리페어 방법은, 액정 패널 기판이나 로직 보드 등의 기판과, IC 칩이나 플렉시블 배선판 등의 액정 전자 부품이 열경화형 접착제로 열압착에 의해 접속되어 있는 접속 구조체로부터, 기계로 혹은 사람의 손으로 기판으로부터 전자 부품을 떼어내듯이 분리하고, 기판 및/또는 전자 부품에 부착되어 있는 열경화형 접착제를 제거함으로써, 기판 및/또는 전자 부품을 재사용하는 것을 가능하게 하는 리페어 방법으로서, 열경화형 접착제로서 광 라디칼 발생제를 함유하는 전술한 본 발명의 열경화형 접착제를 사용한다.
본 발명의 리페어 방법은, 열경화형 접착제의 경화물에 활성 에너지선을 조사하는 것이지만, 기판이나 전자 부품의 활성 에너지선의 투과성의 정도에 따라 다른 구체적 순서를 채용하는 것이 바람직하다. 예를 들어, 가시광이나 자외선 등의 활성 에너지선을 투과하는 액정 패널 유리 기판 등을 사용한 경우에는, 전자 부품과 기판에 협지되어 있는 열경화형 접착제의 경화물에 대하여, 기판으로부터 전자 부품을 분리하기 전에, 활성 에너지선을 투과시키는 기판측 또는 전자 부품측으로부터 활성 에너지선 조사를 실시한다. 이로써 열경화형 접착제의 경화물에 소정의 용매에 대한 가용성 혹은 팽윤성을 부여할 수 있기 때문에, 당해 용매를 이용하여 그 경화물을 제거하는 것이 가능해진다. 여기서, 당해 용매를 이용하여 열경화형 접착제의 경화물을 제거하는 경우, 광 조사한 후에 기판과 전자 부품을 기계로 혹은 사람의 손으로 떼어내듯이 분리하고, 열경화형 접착제의 경화물이 부착된 기판 또는 전자 부품을 용제 중에 침지시킴으로써, 혹은 용제를 스며들게 한 브러시나 면봉으로 문지름으로써 실시할 수도 있다.
또한, 기판과 전자 부품 중 어느 하나가 활성 에너지선 투과성인 경우 외에, 특히 기판과 전자 부품의 양방이 활성 에너지선 투과성이 아닌 경우에는, 기판으로부터 전자 부품을 분리한 후, 노출된 열경화형 접착제의 경화물에 대하여 활성 에너지선 조사를 실시함으로써 그 경화물에 소정의 용매에 대한 가용성 혹은 팽윤성을 부여하고, 당해 용매를 이용하여 그 경화물을 제거할 수 있다. 그 때, 당해 용매를, 노출된 열경화형 접착제의 경화물에, 광 조사 전에 미리 도포용 스프레이나 브러시 혹은 스포이드 등으로 공급하여 접촉시켜 둘 수도 있고, 광 조사 후에 공급하여 접촉시켜도 된다.
본 발명의 리페어 방법에 있어서, 용매로서는, 열경화형 접착제의 조성 등에 따라 달라지지만, 일반적으로는 용질이 용해되어 있지 않은 순용제 (아세톤, 아세트아미드계 용제 (예를 들어, 아세트아미드, N,N-디메틸아세트아미드) 등) 를 바람직하게 들 수 있다. 또한, 발명의 효과를 해치지 않는 한, 여러 가지 용액 (술포늄염 용액, 옥소늄염 용액 등의 카티온 발생 염 용액) 을 본 발명의 리페어 방법에 있어서의 용매로서 사용할 수도 있다.
그 중에서도, 카티온 발생 염 용액을 사용하는 경우에는, 기판으로부터 전자 부품을 분리한 후에, 노출된 열경화형 접착제의 경화물에 대하여 카티온 발생 염 용액을 적용하고, 그 후에 활성 에너지선 조사를 실시하는 것이 바람직하다. 이로써, 닦아내는 횟수의 대폭적인 저감을 도모할 수 있다. 그 이유는 명확하지 않지만, 카티온 발생 염으로부터 발생한 카티온이 열경화형 접착제의 경화물의 분자 사슬의 절단을 촉진하기 때문이라고 생각된다. 이와 같은 카티온 발생 염 용액의 구체예로서는, 산에이드 SI80L (산신 화학 제조) 등을 들 수 있다.
또한, 아세트아미드계 용제를 사용하는 경우에도, 기판으로부터 전자 부품을 분리한 후에, 노출된 열경화형 접착제의 경화물에 대하여 아세트아미드계 용제를 적용하고, 그 후에 활성 에너지선 조사를 실시하는 것이 바람직하다. 이로써, 닦아내는 횟수의 대폭적인 저감을 도모할 수 있다. 이 이유는 명확하지 않지만, 아세트아미드계 용제는 용해력이 높고, 게다가 자외선의 조사에 의해 라디칼이 발생하고, 발생한 라디칼이 열경화형 접착제의 경화물의 분자 사슬의 절단을 촉진하기 때문이라고 생각된다.
본 발명의 열경화형 접착제와 리페어 방법을 이용함으로써, 리페어의 필요성을 판단하는 공정을 갖는 접속 구조체의 제조 방법을 실현할 수 있다.
이하, 본 발명을 실시예에 의해 구체적으로 설명한다.
실시예 1
비스 페놀 A 형 에폭시 수지 (에피코트 828, 재팬 에폭시 레진사 제조) 40 중량부, 페녹시 수지 (페노토토 YP50, 토토 화성사 제조) 30 중량부, 아크릴 고무 (라이산 #1500, 테이코쿠 화학산업사 제조) 10 중량부, 잠재성 경화제 (HX3941HP, 아사히 화성사 제조) 20 중량부, 4㎛ 직경의 Ni/Au 도금 수지 입자 (미크로펄 AU, 세키스이 화학공업사 제조) 5 중량부, 실란 커플링제 (A187, 닛폰 유니카사 제조) 1 중량부, 및 아실포스핀옥사이드계 광 라디칼 발생제 (이르가큐아 819, 치바 스페셜티 케미컬즈사) 2 중량부를 톨루엔 중에서 균일하게 혼합하고, 얻어진 혼합물을 박리 처리된 폴리에틸렌 테레프탈레이트 필름 (P-WPETA-07-50, 토세로사 제조) 의 박리 처리면 상에 건조 후 20㎛ 가 되도록 도포하고, 70℃ 에서 5 분간 건조시킴으로써 이방성 도전 필름을 얻었다.
얻어진 이방성 도전 필름을 ITO 전극 단자가 형성된 유리 기판의 ITO 전극과, 구리박 패턴 단자가 형성된 폴리이미드 플렉시블 기판의 구리박 패턴 단자 사이에 협지하고, 190℃ 에서 40Mpa 의 압력으로 10 초간 압착하여 적층 접속체를 얻었다.
다음으로, 얻어진 적층 접속체의 유리 기판측으로부터, 고압 수은등 (큐아막스 210P, 오오미야 화성사 제조) 으로 자외선 (40mJ) 을 경화된 이방성 도전 필름에 조사한 후, 유리 기판으로부터 플렉시블 기판을 손으로 떼어내고, 유리 기판 상에 부착되어 있는 경화된 이방성 도전 필름을 그것이 없어질 때까지 아세톤을 스며 들게 한 면봉으로 문지르고, 그 문지른 횟수를 카운트하였다. 얻어진 결과를 표 1 에 나타낸다.
실시예 2
아실포스핀옥사이드계 광 라디칼 발생제 대신에, α-히드록시케톤계 광 라디칼 발생제 (이르가큐아 184, 치바 스페셜티 케미컬즈사) 2 중량부를 사용하는 것 이외에는 실시예 1 과 동일한 조작을 반복함으로써 이방성 도전 필름을 얻었다.
얻어진 이방성 도전 필름을 구리 패턴 단자가 형성된 유리 에폭시 배선판의 구리 패턴과, 구리박 패턴 단자가 형성된 폴리이미드 플렉시블 기판의 구리박 패턴 단자 사이에 협지하고, 190℃ 에서 40Mpa 의 압력으로 10 초간 압착하여 적층 접속체를 얻었다.
다음으로, 얻어진 적층 접속체의 유리 에폭시 기판으로부터 플렉시블 기판을 손으로 떼어내고, 유리 에폭시 기판 상에 부착되어 있는 경화된 이방성 도전 필름에 고압 수은등 (큐아막스 210P, 오오미야 화성사 제조) 으로 자외선 (40mJ) 을 조사한 후, 유리 에폭시 기판 상에 부착되어 있는 경화된 이방성 도전 필름을 그것이 없어질 때까지 아세톤을 스며들게 한 면봉으로 문지르고, 그 문지른 횟수를 카운트하였다. 얻어진 결과를 표 1 에 나타낸다.
실시예 3
α-히드록시케톤계 라디칼 발생제를 0.1 중량부 사용하는 것 이외에는, 실시예 2 와 동일한 조작을 반복함으로써 이방성 도전 필름을 얻었다.
얻어진 이방성 도전 필름을 구리 패턴 단자가 형성된 유리 에폭시 배선판의 구리 패턴과, 구리박 패턴 단자가 형성된 폴리이미드 플렉시블 기판의 구리박 패턴 단자 사이에 협지하고, 190℃ 에서 40Mpa 의 압력으로 10 초간 압착하여 적층 접속체를 얻었다.
다음으로 얻어진 적층 접속체의 유리 에폭시 기판으로부터 플렉시블 기판을 손으로 떼어내고, 유리 에폭시 기판 상에 부착되어 있는 경화된 이방성 도전 필름에 고압 수은등 (큐아막스 210P, 오오미야 화성사 제조) 으로 자외선 (40mJ) 을 조사한 후, 유리 에폭시 기판 상에 부착되어 있는 경화된 이방성 도전 필름을 그것이 없어질 때까지 아세톤을 스며들게 한 면봉으로 문지르고, 그 문지른 횟수를 카운트하였다. 그 결과, 실시예 2 와 동일한 결과가 얻어졌다.
실시예 4
실시예 2 와 동일한 조작을 반복함으로써 이방성 도전 필름을 얻었다. 얻어진 이방성 도전 필름을 구리 패턴 단자가 형성된 유리 에폭시 배선판의 구리 패턴과, 구리박 패턴 단자가 형성된 폴리이미드 플렉시블 기판의 구리박 패턴 단자 사이에 협지하고, 190℃ 에서 40Mpa 의 압력으로 10 초간 압착하여 적층 접속체를 얻었다.
다음으로 얻어진 적층 접속체의 유리 에폭시 기판으로부터 플렉시블 기판을 손으로 떼어내고, 유리 에폭시 기판 상에 부착되어 있는 경화된 이방성 도전 필름에 술포늄염 용액 (산에이드 SI80L, 산신 화학 제조) 을 스포이드로 소량 도포하고, 고압 수은등 (큐아막스 210P, 오오미야 화성사 제조) 으로 자외선 (40mJ) 을 조사한 후, 유리 에폭시 기판 상에 부착되어 있는 경화된 이방성 도전 필름을 그것 이 없어질 때까지 아세톤을 스며들게 한 면봉으로 문지르고, 그 문지른 횟수를 카운트하였다. 얻어진 결과를 표 1 에 나타낸다.
실시예 5
실시예 2 와 동일한 조작을 반복함으로써, 이방성 도전 필름을 얻었다. 얻어진 이방성 도전 필름을 구리 패턴 단자가 형성된 유리 에폭시 배선판의 구리 패턴과, 구리박 패턴 단자가 형성된 폴리이미드 플렉시블 기판의 구리박 패턴 단자 사이에 협지하고, 190℃ 에서 40Mpa 의 압력으로 10 초간 압착하여 적층 접속체를 얻었다.
다음으로 얻어진 적층 접속체의 유리 에폭시 기판으로부터 플렉시블 기판을 손으로 떼어내고, 유리 에폭시 기판 상에 부착되어 있는 경화된 이방성 도전 필름에 N,N-디메틸아세트아미드를 스포이드로 소량 도포하고, 고압 수은등 (큐아막스 210P, 오오미야 화성사 제조) 으로 자외선 (40mJ) 을 조사한 후, 유리 에폭시 기판 상에 부착되어 있는 경화된 이방성 도전 필름을 그것이 없어질 때까지 아세톤을 스며들게 한 면봉으로 문지르고, 그 문지른 횟수를 카운트하였다. 얻어진 결과를 표 1 에 나타낸다.
비교예 1
광 라디칼 발생제를 사용하지 않는 것 이외에는, 실시예 1 과 동일한 조작을 반복함으로써 이방성 도전 필름, 그리고 적층 접속체를 얻었다. 그리고, 얻어진 적층 접속체의 유리 기판측으로부터, 고압 수은등 (큐아막스 210P, 오오미야 화성사 제조) 으로 자외선 (40mJ) 을 경화된 이방성 도전 필름에 조사한 후, 유리 기 판으로부터 플렉시블 기판을 손으로 떼어내고, 유리 기판 상에 부착되어 있는 경화된 이방성 도전 필름을 그것이 없어질 때까지 아세톤을 스며들게 한 면봉으로 문지르고, 그 문지른 횟수를 카운트하였다. 얻어진 결과를 표 1 에 나타낸다.
비교예 2
광 라디칼 발생제를 사용하지 않는 것 이외에는, 실시예 2 와 동일한 조작을 반복함으로써 이방성 도전 필름, 그리고 적층 접속체를 얻었다. 그리고, 얻어진 적층 접속체의 유리 기판측으로부터, 고압 수은등 (큐아막스 210P, 오오미야 화성사 제조) 으로 자외선 (40mJ) 을 경화된 이방성 도전 필름에 조사한 후, 유리 기판으로부터 플렉시블 기판을 손으로 떼어내고, 유리 기판 상에 부착되어 있는 경화된 이방성 도전 필름을 그것이 없어질 때까지 아세톤을 스며들게 한 면봉으로 문지르고, 그 문지른 횟수를 카운트하였다. 얻어진 결과를 표 1 에 나타낸다.
항목 실시예 1 실시예 2 실시예 4 실시예 5 비교예 1 비교예 2
닦아낸 횟수 (5회 평균) 20 19 8 2 31 30
표 1 로부터, 광 라디칼 발생제를 배합한 실시예의 이방성 도전 필름은 비교예에 비해 리페어성이 향상되어 있음을 알 수 있다. 광 라디칼 발생의 효과에 대하여, 실시예 2 의 이방성 도전 필름 자체에 대하여 열경화를 실시하고, 자외선을 조사하고, 동적 점탄성 측정 장치 (DMS6100, 세이코 인스트루사 제조) 를 이용하여, 1㎐ 의 조건으로 Tg (tanδ 피크) 를 측정한 결과, 조사 전에는 131℃, 40mJ 조사에서 128℃, 400mJ 조사에서 124℃ 라는 결과가 얻어졌다. 이로부터, 자외선 조사에 의해 명백히 Tg 의 저하가 관찰되었다. 따라서, 자외선 조사에 의해 분자 사슬의 절단이 발생하였음을 알 수 있다.
본 발명의 열경화형 접착제는 열경화형 절연성 접착 성분에 추가하여 광 라디칼 발생제를 함유하고 있으므로, 열경화된 후에 활성 에너지선을 조사하면 분자 사슬의 절단이 발생한다. 따라서, 용매에 대하여 용해 혹은 팽윤되기 쉬워지고, 결과적으로 리페어성이 향상되므로, 고가의 기판이나 전자 부품을 사용한 접속 구조체의 제조에 유용하다.

Claims (14)

  1. 열경화형 절연성 접착 성분과, 활성 에너지선의 조사를 받음으로써 라디칼을 발생하는 광 라디칼 발생제를 함유하는 것을 특징으로 하는 열경화형 접착제.
  2. 제 1 항에 있어서,
    라디칼 발생제가 벤질디메틸케탈계 화합물, α-히드록시케톤계 화합물, 비스아실포스핀옥사이드계 화합물 또는 α-아미노케톤계 화합물인 열경화형 접착제.
  3. 제 2 항에 있어서,
    벤질디메틸케탈계 화합물이 2,2-디메톡시-1,2-디페닐에탄-1-온인 열경화형 접착제.
  4. 제 2 항에 있어서,
    α-히드록시케톤계 화합물이 1-히드록시-시클로헥실-페닐케톤 또는 2-히드록시-2-메틸-1-페닐-프로판-1-온인 열경화형 접착제.
  5. 제 2 항에 있어서,
    비스아실포스핀옥사이드계 화합물이 비스(2,4,6-트리메틸벤조일)-페닐포스핀옥사이드인 열경화형 접착제.
  6. 제 2 항에 있어서,
    α-아미노케톤계 화합물이 2-벤질-2-디메틸아미노-1-(4-모르폴리노페닐)-부탄-1-온 또는 2-메틸-1-[4-(메틸티오)페닐]-2-모르폴리노프로판-1-온인 열경화형 접착제.
  7. 제 1 항 내지 제 6 항 중 어느 한 항에 있어서,
    광 라디칼 발생제의 함유량이 0.001 ∼ 20 중량% 인 열경화형 접착제.
  8. 제 1 항 내지 제 7 항 중 어느 한 항에 있어서,
    열경화형 절연성 접착 성분이 에폭시 수지 및/또는 페녹시 수지를 함유하는 열경화형 접착제.
  9. 제 1 항 내지 제 8 항 중 어느 한 항에 있어서,
    IC 또는 전극 패턴이 형성된 기판과, 다른 전극 패턴이 형성된 기판의 접속에 사용되는 열경화형 접착제.
  10. 제 1 항 내지 제 9 항 중 어느 한 항에 있어서,
    추가로, 이방성 도전 접속용 도전 입자를 함유하는 열경화형 접착제.
  11. 기판과 전자 부품이 접착제로 열압착에 의해 접속되어 있는 접속 구조체의 당해 기판으로부터 전자 부품을 분리하고, 기판 및/또는 전자 부품에 부착되어 있는 접착제를 제거함으로써, 기판 및/또는 전자 부품을 재사용하는 것을 가능하게 하는 리페어 방법에 있어서,
    접착제로서 제 1 항 내지 제 10 항 중 어느 한 항에 기재된 열경화형 접착제를 사용하여, 기판으로부터 전자 부품을 분리하기 전에, 기판측 또는 전자 부품측으로부터 열경화형 접착제의 경화물에 대하여 활성 에너지선 조사를 실시함으로써 그 경화물에 소정의 용매에 대한 가용성 혹은 팽윤성을 부여하고, 당해 용매를 이용하여 그 경화물을 제거하는 것을 특징으로 하는 리페어 방법.
  12. 기판과 전자 부품이 접착제로 열압착에 의해 접속되어 있는 접속 구조체의 당해 기판으로부터 전자 부품을 분리하고, 기판 및/또는 전자 부품에 부착되어 있는 접착제를 제거함으로써, 기판 및/또는 전자 부품을 재사용하는 것을 가능하게 하는 리페어 방법에 있어서,
    접착제로서 제 1 항 내지 제 10 항 중 어느 한 항에 기재된 열경화형 접착제를 사용하여, 기판으로부터 전자 부품을 분리한 후, 열경화형 접착제의 경화물에 대하여 활성 에너지선 조사를 실시함으로써 그 경화물에 소정의 용매에 대한 가용성 혹은 팽윤성을 부여하고, 당해 용매를 이용하여 그 경화물을 제거하는 것을 특징으로 리페어 방법.
  13. 제 12 항에 있어서,
    기판으로부터 전자 부품을 분리한 후, 열경화형 접착제의 경화물에 대하여 소정의 용매를 접촉시키고, 그 후에 활성 에너지선 조사를 실시하는 리페어 방법.
  14. 제 13 항에 있어서,
    그 용매가 카티온 발생 염 용액 또는 아세트아미드계 용제인 리페어 방법.
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