KR100721233B1 - 저온 경화형 이방 도전성 접착제 및 이를 이용한 이방도전성 접착필름 - Google Patents

저온 경화형 이방 도전성 접착제 및 이를 이용한 이방도전성 접착필름 Download PDF

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Abstract

본 발명은 이방 도전성 접착제 및 접착필름에 관한 것으로, 불포화 이중결합을 갖는 라디칼 중합성 수지 성분, 불포화 이중결합을 갖지 않는 수지 성분, 라디칼 중합 개시제 및 하기 화학식 1로 표현되는 아민 결합을 가지는 인 화합물을 포함하는 절연성 수지 조성물에 도전성 입자를 배합하는 것을 특징으로 하며, 본 발명에 의하면 저온에서 경화되어 높은 접착력과 고도의 신뢰특성을 갖는 이방 도전성 접착제 및 접착필름을 제공할 수 있다.
[화학식 1]
Figure 112006011136710-pat00001
아민 결합을 가지는 인 화합물, 이방 도전성, 접착제 수지 조성물, 접착필름, 라디칼 중합

Description

저온 경화형 이방 도전성 접착제 및 이를 이용한 이방 도전성 접착필름 {Low-Temperature Cure Type Anisotropic Conductive Adhesive and Anisotropic Conductive Film Using The Same}
도 1은 도전성 미립자 (A)와 관능기가 도입된 고분자 입자 (B)의 흡착으로 형성되는 본 발명의 고분자-금속 복합입자를 나타내는 모식도이다.
<도면의 주요부분에 대한 부호의 설명>
1. 도전성 금속 2. 고분자 입자
3. 금속입자의 표면활성 기재 4. 표면개질용 고분자 입자
5. 관능기
본 발명은 저온 경화형 이방 도전성 접착제 및 접착필름에 관한 것으로, 보다 상세하게는 반도체칩 등의 전자부품, COF실장 (Chip on Flex) 및 COF실장에 있어서의 OLB (Outer Lead Bonding) 및 COG실장 (Chip on Glass)에 적용되는 이방 도전성 접착제 및 이를 이용한 이방 도전성 접착필름에 관한 것이다.
회로가 점점 미세화 되면서 이를 뒷받침하는 패키징 기술이 중요해지고 있 다. 특히 디스플레이의 고해상도 및 칼라화가 진행되어 픽셀 피치(pixel pitch)가 감소되고 기판 위에 인쇄된 리드(lead) 수가 증가되고 있는 추세이어서 LCD 패널(panel)과 구동 집적회로(driver IC) 및 인쇄회로기판(printed circuit board, PCB)을 접속하는 LCD 패키징(packaging) 기술의 중요성은 더욱 부각되고 있으며, 그 중에서도 상기 기술의 핵심이라고 할 수 있는 이방 도전성 필름(anisotropic conductive film, ACF)으로 접속시키는 패키징 방법은 말할 나위없이 중요하다.
오늘날 이방 도전성 필름을 이용한 접속 기술이 파인피치(fine pitch)화 되고, IC 범프(bump)의 면적이 미세화 되어 감에 따라 이방 도전성 필름 중에 함유되는 도전성 입자의 입경을 작게 할 필요성이 대두되었고, 그에 따라 도전성 입자의 수를 증가시켜 접속 신뢰성을 보완해야 하는 문제가 제기되었다.
이를 해결하기 위한 기술로 도전성 입자의 표면을 절연층으로 피복한 절연 코트입자를 사용하는 방법이 있으며, 여기에는 일본특개 소 62-076215호에 개시된 화학적 방법 또는 물리/화학적 방법, 그리고 일본특개 평 2001-195921호에 개시된 물리적/기계적 방법이 있다. 미립자의 표면을 피복한 절연 코트 입자가 전기적 접속을 하게 되는 원리는 상기 절연 코트 입자를 가열 압착할 때, 절연층이 파괴되고, 입자의 도전층이 노출됨으로써 전기적 접속이 이루어지게 되는 것이다.
그러나, 일반적으로 범프(bump)와 도전성 입자 또는 패턴(pattern)과 도전성 입자 간에 있는 파괴된 절연층을 용이하게 제거하지 않을 경우 잔류 절연층으로 인하여 장기적 통전 신뢰성의 확보가 불가능해지는 문제점이 발생한다. 특히 열경화성 절연 수지로 피복한 미립자의 경우, 절연층의 파괴시에 미세 범프의 손상까지도 야기될 수 있다.
이에 더하여, 최근의 10 ㎛ 이하의 파인피치화로 인한 범프 면적의 감소 경향과 이방 도전성 접착제 수지 조성물의 저온 속경화 추세까지 고려해 본다면, 상기 절연층의 제거는 단시간 내에 용이한 방법으로 이루어져야 하고, 이는 제조 공정상 매우 큰 경제적 시간적 부담으로 작용할 수 밖에 없다.
일반적으로 이방 도전성 접착제 수지 조성물 및 접착필름은 회로기판 간의 접속시 고온, 고압력, 단시간의 압착 접속을 예정하여 설계되어 있는데, 통상의 경우는 170℃, 20초 정도, 저온 접속용의 경우라면, 150℃, 20초 전후의 압착접속을 예정한다. 종래에는 이러한 조건에 알맞은 이방 도전성 접착제 수지 조성물 및 접착필름(ACF)이 사용되어 왔지만, COG(chip on glass), COF(chip on film) 모듈 공정의 합리화, 플라스틱 필름 액정의 실용화 및 PCB(printed circuit board)와 TCP(tape carrier package)의 접속시 PCB의 열변형 특성 등의 영향으로 종래의 경화온도 보다 낮은 140℃ 이하에서 접속할 수 있는 특성이 요구되고 있다.
지금까지, 높은 신뢰성을 얻을 수 있는 이방도전성 접착 필름은 각종 에폭시 수지를 주성분으로 하고, 여기에 아민계 또는 이미다졸계 경화제, 루이스 산, 그 밖의 경화제를 마이크로 캅셀화 및 블록화한, 소위 잠재성 경화제를 첨가하여 필름상으로 가공한 것이 주류였다.
그러나, 이와 같은 경화제를 사용한 종래의 이방 도전성 접착필름은 마이크로 캅셀의 파괴 및 용융, 블록제의 해리에 150℃ 이상의 압착온도가 필요하기 때문에 상기 저온 속경화 요구를 만족시키지 못하며, 설사 150℃ 이하의 온도에서 접속 가능성을 만족시키더라도 수명이 짧아 그 실용성 측면에서 상용하기 어려운 문제점을 안고 있다.
반면, 에폭시 수지를 주성분으로 하지 않는 이방 도전성 접착필름은 주로 불포화 결합 촉매에 의하여 중합되는 라디칼 중합을 하는 유형에 해당하는데, 이에 대해서는 일본 특개 소 61-276873호, 제 2001-115132호, 제 2001-181595호, 제 2001-049228호 등에 다수 개시되어 있으며, 이러한 유형은 에폭시 수지를 주성분으로 하는 것들과 달리, 당량반응이라 할 수 있는 에폭시 경화반응이 일어나지 않기 때문에 접착력이 떨어지는 문제와 함께 고온에서의 열안정성이 크게 떨어지는 문제점을 안고 있다.
이에, 절연층을 제거하여야만 하는 경제적 시간적 부담을 덜고, 높은 접착력을 유지하면서 우수한 열안정성을 가지며 저온 경화성 및 높은 전기적 신뢰도가 보장된 이방 도전성 접착제 수지 조성물 및 접착필름을 개발하기 위한 노력이 계속되어 왔다.
본 발명은 상기와 같은 종래기술의 문제점을 해결하기 위한 것으로, 라디칼 중합반응에 의해 경화하는 이방 전도성 접착제 수지 조성물에 아민 결합을 가지는 인 화합물을 첨가하여 접착성과 열 안정성을 보장하며, 최종적으로는 접착력, 고 신뢰성을 만족시킬 수 있는 절연성 접착제 수지 조성물을 제공하는 것을 목적으로 한다.
본 발명의 다른 목적은 상기 이방 도전성 접착제 수지 조성물를 이용하여 우 수한 접착력과 전기적 신뢰성을 갖는 저온 경화형 이방 도전성 접착필름을 제공하는 것이다.
본 발명의 상기 및 기타의 목적들은 하기 설명되는 본 발명에 의하여 모두 달성될 수 있다.
상술한 목적을 달성하기 위한 본 발명의 하나의 양상은 불포화 이중결합을 갖는 라디칼 중합성 수지 성분, 불포화 이중결합을 갖지 않는 수지 성분, 라디칼 중합 개시제 및 아민 결합을 가지는 인 화합물을 포함하는 절연성 수지 조성물에 도전성 입자를 배합하여 제조되는 이방 도전성 접착제에 관계한다.
상술한 목적을 달성하기 위한 본 발명의 다른 양상은 상기 이방 도전성 접착제에 의해 제조되는 이방 도전성 접착필름에 관계한다.
본 발명의 저온 경화형 이방 도전성 접착제 및 이를 이용한 이방 도전성 접착필름은 저온에서 경화 가능하고, 높은 접착력과 높은 전기적 신뢰도를 획득하기 위하여 불포화 이중결합을 갖는 라디칼 중합성 수지 성분, 불포화 이중결합을 갖지 않는 수지 성분, 라디칼 중합 개시제 및 하기 화학식로 표현되는 아민 결합을 가지는 인 화합물을 포함하는 절연성 수지 조성물에 도전성 입자를 배합하여 제조된 이방 도전성 접착제에 있어서, 상기 아민결합을 가지는 인 화합물은 이방도전성 접착제 고형분 총량을 기준으로 하여 0.5 내지 10중량%로 포함되는 것을 특징으로 한다.
Figure 112007011036305-pat00002
삭제
상기 식에서, R1,R2,R3 및 R4는 수소원자 또는 탄소수가 1 내지 10인 알킬기 또는 아릴기이며, R5 는 탄소수 1 내지 10의 알킬렌기 또는 벤젠링이다
이하 본 발명의 저온 경화 이방 도전성 접착제 및 접착필름의 각 성분에 대하여 상세하게 설명한다.
본 발명에 따른 불포화 이중 결합을 갖는 라디칼 중합성 수지 성분으로는 적어도 1분자 중에 1개 이상의 (메타)아크릴로일기를 갖는 (메타)아크릴레이트 수지 및 그 변성물, 불포화 폴리에스테르디아릴프탈레이트 수지, 비닐에스테르 수지, 비스말레이미드 수지 및 이들의 변성물, 점도 조정용 각종 단량체 등이 있으며, 이 중에서도 에폭시아크릴레이트의 경화물이 내약품성, 강인성, 접착성의 면에서 특히 바람직하다.
본 발명에 따른 불포화 이중결합을 갖지 않는 수지 성분으로는, 페녹시 수지 및 그 변성물, 우레탄 수지 및 그 변성물, 아크릴 고무 및 그 변성물, 부타디엔계 고무 및 그 변성물, 폴리비닐부티랄, 폴리비닐아세탈 및 이들의 변성물, 셀룰로오스 유도체 및 그 변성물, 폴리올 수지 및 그 변성물, 폴리스티렌-폴리이소프렌-폴리스티렌 (SIS), 폴리스티렌-폴리부타디엔-폴리스티렌(SBS), 폴리스티렌-폴리(에틸렌-부틸렌)-폴리스티렌(SEBS), 폴리스티렌-폴리(에틸렌-프로필렌)-폴리스티렌(SEPS) 등의 고무 성상 수지 및 이들의 변성물 등이 있으며, 이들의 2이상의 혼합물로도 사용할 수 있다. 이 중에서도 페녹시 수지가 내약품성 및 강인성의 면에서 특히 바람직하며, 이외에도 부타디엔계 고무 또한 바람직하다.
본 발명에 따른 라디칼 중합 개시제로는 유기 과산화물 외에, 광개시제를 사용할 수도 있다. 또한 이들 개시제에는 적절히 경화 촉진제, 촉진 보조제, 중합금지제를 첨가할 수도 있고, 상기 라디칼 중합 개시제 등을 캅셀화 또는 블록화 함으로써 잠재성을 부여할 수도 있다. 상기 유기 과산화물의 예로는 디아실퍼옥시드, 퍼옥시디카르보네이트, 퍼옥시에스테르, 퍼옥시케탈, 디알킬퍼옥시드, 히드로퍼옥시드, 실릴퍼옥시드 및 이들의 혼합물 등을 들 수 있다.
본 발명에 따른 아민결합을 가지는 인 화합물은 하기 화학식 1로 표현될 수 있고, 이방 도전성 필름내 조성물 각각에 대한 열 안정성을 증진시켜 최종적인 전기적 신뢰성을 크게 향상시키는 역할을 한다.
[화학식 1]
Figure 112006011136710-pat00003
상기 식에서, R1,R2,R3 및 R4는 수소원자 또는 탄소수가 1 내지 10인 알킬기 또는 아릴기이며, R5 는 탄소수 1 내지 10의 알킬렌기 또는 벤젠링이다
상기 아민결합을 가지는 인 화합물은 이방도전성 접착제 고형분 총량을 기준으로 하여 0.5 내지 10중량%로 포함되는 것이 바람직하다. 이는 0.5 중량% 미만이면 얻고자 하는 접착력 강화특성을 나타낼 수 없고 회로기판의 접속공정 및 사용시 의 접속구조체에서의 열 안정성에도 효과가 없어 통상의 신뢰성시험에 문제가 발생되는 수준이며, 10중량% 초과이면 과다한 투입량에 의한 가소화 효과에 의하여 필름 형성성이 열악해지는 단점이 생기기 때문이다. 보다 더 바람직하기로는 이방도전성 접착제 고형분 총량을 기준으로 3 내지 7 중량%가 좋다.
한편, 상기 아민결합을 가지는 인 화합물로는 포스포릴디메틸에탄올아민, 2-디메틸아미노페놀디페닐 포스페이트, 2-디에틸아미노에탄올디메틸 포스페이트, 2-에틸프로필아미노페놀디하이드로겐 포스페이트, 2-디부틸아미노페놀디하이드로겐 포스페이트 및 이들의 혼합물 등이 사용될 수 있다. 이 중에서도 포스포릴디메틸에탄올아민의 경우가 아크릴레이트 화합물과의 반응 용이성에 의한 접착력 향상의 측면에서 더욱 바람직하다.
본 발명에 따른 절연성 수지 조성물은 잔량의 용제를 포함한다. 상기 용제는 필름 표면 형성에 영향을 미치기 때문에 용제의 선택을 주의하여 시행할 필요가 있는데, 상기 용제의 예로는 톨루엔(Toluene), 메틸에틸케톤 (MEK), 에틸아세테이트(Ethyl acetate; EtAc) 및 이들의 혼합물 등을 들 수 있으나 반드시 이들로 제한되는 것은 아니다.
또한 본 발명의 절연성 수지 조성물에는 비닐실란 커플링제 및 인산계 커플링제와 같은 각종 커플링제를 추가로 첨가할 수 있다.
본 발명에 따른 도전성 입자는 (A1) 금, 은, 니켈 또는 구리 등의 금속입자 또는 (A2) 고분자입자 표면에 금속층이 피복된 도전성 미립자와 같은 도전성 미립자(A)를 통상의 조건으로 사용할 수 있고, 가열압착 후에 통전시키고자 하는 대향전극만을 통전시키기 위하여 상기 도전성 미립자(A)와 화학적 친화력을 가지는 관능기가 표면에 도입된 고분자 입자(B)가 흡착에 의하여 상호 결합된 고분자-금속 복합입자가 사용될 수 있다.
도 1에 나타난 바와 같이, 도전성 금속(1)으로 코팅된 구형의 고분자 입자(2)와 말단기를 강한 화학적 친화력을 가진 관능기(5)로 치환된 표면 개질용 고분자 입자(4)는 화학적으로 서로 흡착하여 상기 고분자-금속 복합입자를 형성한다. 상기 고분자-금속 복합입자는 직경이 큰 도전성 미립자(A)표면에 작은 입경의 고분자 입자(B)를 흡착시키거나 반대로 직경이 큰 고분자 입자(B)에 입경이 작은 도전성 미립자(A)를 도입하는 것을 포함하며 각각 선택적으로 흡착되어 활용될 수 있다.
본 발명의 다른 양상은 이방 도전성 접착필름에 관계한다.
본 발명의 이방 도전성 접착필름은 통상의 방법에 의하여 제조할 수 있다. 즉, 상기 용제에 라디칼 중합성 수지 등을 용해하여 조제한 절연성 수지 조성물에 도전성 입자를 분산시키고, 이 용액을 이형시트상에 도포하고, 가열 건조 등의 공정을 적용하여 용제를 휘발시킴으로써 목적하는 바의 이방 도전성 접착필름을 얻을 수 있다. 상기 이형시트는 불소계 수지로 이루어진 사불화폴리에틸렌 수지(PTFE)필름으로 이루어진 것이나, 실리콘계 재료를 사용하여 제조된 폴리에스테르 필름 혹은 비실리콘계 재료(예로서 폴리프로필렌)를 사용하여 제조된 폴리에스테르 필름이 사용될 수 있다.
본 발명에 따르는 이방 도전성 접착필름은 상기 고분자-금속 복합입자를 500 내지 100,000개/㎟ 함유하는 것이 바람직하며, 1,000 내지 80,000개/㎟ 함유하는 것이 보다 바람직하다. 이는 상기 복합입자의 수가 500개/㎟ 미만이면 전도성이 충분하지 못한 문제가 발생하고, 100,000개/㎟ 를 초과하면 과도한 충진량에 의하여 압착공정에서 용융 흐름상에 저해요소로 작용할 문제가 발생하기 때문이다.
본 발명은 하기의 실시예에 의하여 보다 더 잘 이해될 수 있으며, 하기의 실시예는 본 발명의 예시 목적을 위한 것이며 첨부된 특허청구범위에 의하여 한정되는 본 발명의 보호범위를 제한하고자 하는 것은 아니다.
실시예
이방 도전성 접착제를 제조한 후 이를 이용하여 접착필름을 만들고, 이 접착필름적용한 회로접속 구조체를 각각 제조하여 접착강도, 전기저항, 절연특성의 물성평가를 하였다.
[ 실시예1 ]
(1) 이방 도전성 접착제의 제조
에폭시 아크릴레이트 수지((주) 애경, DION 9100) 50중량부 (반응성 희석제 45중량% 포함), Phenoxy 수지 (분자량 30,000, 국도화학, YP-50) 20중량부, 아크릴로니트릴부타디엔고무 (금호석유화학, KNB-35H) 10중량부, LPO (Lauryl peroxide, 호성케멕스) 3중량부, 비닐실란 커플링제 (신에츠실리콘, KBM 503) 0.5중량부 및 아민 결합을 가지는 인화합물로서 포스포릴디메틸에탄올아민 2.5 중량부를 MEK(메틸에틸케톤)/Toluene(톨루엔)=1/1인 혼합용제 100중량부에 용해시켜 절연성 수지 조성물을 만든 후 도전성 입자 (평균 입경 4㎛)로서 고분자-금속 복합입자를 필름형성시에서 20,000개/㎟ 수준이 될 수 있도록 배합하여 이방 도전성 접착제를 제조하였다.
(2) 이방도전성 접착필름의 제조
상기 접착제를 두께 50㎛의 실리콘계 이형처리된 PET (폴리에스테르) 시트상에 도포하고, 잔류 용제가 1.5중량% 이하가 되도록 용제를 휘발시켜, 두께 25㎛의 이방 도전성 접착필름을 제조하였다. 상기 필름에 대한 도전성 입자의 개수는 슬라이드 글라스 표면에 이방 도전성 필름을 가볍게 얹어 눌러 붙인 후, 이형 필름을 제거한 뒤, 광학현미경을 이용하여 (Nikon제 ME600L) 측정하였으며, 이에 대한 투과모드로 촬영한 사진을 확보하였다. 사전에 스케일이 조정되어 치수를 측정할 수 있도록 보정된 Image analyzer software (Image Proplus ver.4.5 Cybernetics Inc.)를 이용하여 평균입자경(經), 단위면적당 개수(개/㎟)를 계산하여 20,000개/㎟ 수준임을 확인하였다.
(3) 회로 접속구조체의 시편 제작
1) 회로 접속구조체 (A)
범프면적 50㎛×50㎛, 피치 100㎛, 높이 20㎛의 금(Au) 범프를 배치한 IC 칩과, 두께 1.1㎜의 유리상의 ITO (인듐주석산화물)를 증착하여 형성한 ITO기판(표면저항 < 20Ω/ㅁ)에 상기 접착필름을 100MPa 압력과 140℃, 10초의 압착조건으로 가열 가압하여 접속을 실시하였다. 이때, 미리 ITO기판 위에 접착필름의 접착면을 70℃, 0.5MPa로 5초간 가열 가압하여 부착한 뒤, PET 이형필름을 제거하여 IC 칩과 접속시켜 접착강도 이외의 물성평가를 위한 회로접속구조체(A)를 완성하였다.
2) 회로 접속구조체 (B)
접착강도의 측정을 위한 접속구조체를 제작하기 위하여 ITO 유리기판 대신, 플라스틱 액정 기판용 ITO 필름 (PET재질의 것)을 이용하여 접속구조체를 형성하는 것을 제외하고 나머지는 상기 회로 접속수조체(A)와 동일하게 하여 최종의 압착조건 1N/범프의 압력으로 가열 및 가압하여 접속을 실시하였다
[ 실시예 2]
도전성 입자로 고분자-금속 복합입자 대신 일반 도전입자를 사용한 것 외에는 실시예 1과 동일하게 실시하였다. 여기서 일반 도전입자라 함은 단분산 고분자 미립자 표면에 Ni/Au 도금 처리된 입자를 말한다.
[ 비교예 1]
포스포릴 메틸에타올아민을 11중량부로 첨가한 것을 제외하고는 실시예 1과 동일하게 실시하였다.
[ 비교예 2]
포스포릴 메틸에탄올아민을 첨가하지 않은 것을 제외하고는 실시예 1과 동일하게 실시하였다.
[ 비교예 3]
포스포릴 메틸에탄올아민을 첨가하지 않은 것을 제외하고는 실시예 2와 동일하게 실시하였다.
실시예 및 비교예에서의 조성비 및 물성평가 결과를 하기 표 1에 정리하였다.
실시예 1 실시예 2 비교예 1 비교예 2 비교예 3
포스포릴디메틸에탄올아민 (중량부) 2.5 2.5 11 무첨가 무첨가
도전성 입자의 종류 복합입자 일반 도전입자 복합입자 복합입자 일반 도전입자
압착조건a 140℃ 10초 140℃ 10초 140℃ 10초 140℃ 10초 140℃ 10초
필름형성성 판정 양호 양호 불량 양호 양호
접착강도(gf/cm) 초기값 신뢰성시험후b ◎ ◎ ◎ ◎ - - △ × △ ×
전기저항(Ω) 초기값 신뢰성시험후 ◎ ◎ ◎ ◎ - - △ × △ ×
절연특성 초기상태 신뢰성시험후 ◎ ◎ △ × - - ◎ × △ ×
a : 압착조건에서의 온도 설정은 이방 도전성 필름의 경화반응 온도로 보정된 값으로 함
b : 신뢰성 시험은 -40℃/30분과 100℃/30분의 온도사이클로써 500사이클 유지시킴
* 물성평가
(1) 접착강도
상기 실시예 및 비교예의 이방 도전성 접착필름 (폭 2mm)을 사용하여, 회로접속 방법 (B)에 맞추어 제작된 측정용 시편을 준비하였다. 초기치와 신뢰성 시험후의 수치를 각각 측정하여 기록하였다. 접착강도를 측정하기 위하여는 IC 칩을 유리 상에 고정하고 ITO 필름 회로기판을 90°방향으로 50㎜/min 의 인장속도로 박리하여 박리강도를 측정했다. 박리강도가 600gf/cm 초과이면 양호(◎), 400 내지 600gf/cm 수준이라면 보통(△), 400gf/cm 미만이면 미흡(×)으로 판정하였다.
(2) 전기저항
회로를 접속한 다음, 상기 접속부의 전기 저항을 초기치와 신뢰성 시험 후의 수치로 나누어 각각 측정하여 기록하였다. 이 때 저항치가 1Ω 미만이면 양호(◎), 1 내지 10Ω 수준이면 보통(△), 10Ω 초과이면 불량(×)으로 판정하였다.
(3) 인접 전극간의 절연저항
회로의 접속 후 상기 접속부에 직류(DC) 50V의 전압을 1분간 인가하고, 인가 후의 절연저항을 2단자 측정법을 이용하여 측정하여 기록하였다. 이 때 절연저항 측정값이 1012Ω 초과이면 양호(◎), 109 내지 1012Ω 수준이면 보통(△), 109Ω 미만인 경우 불량(×)으로 판정하였다.
표 1에서 보는 바와 같이, 본 발명에 따른 이방 도전성 접착제 수지 조성물 및 이를 이용한 접착필름은 140℃의 저온, 10초의 단시간의 압착을 하여도, 신뢰성시험 전후로도 변함없이 접착강도 및 전기 저항특성이 양호하게 유지되었다.
본 발명은 라디칼 중합 반응으로 인하여 140℃, 저온에서도 경화될 수 있고, 규정된 적정한 양의 아민결합을 가지는 인계 화합물을 적용하여 우수한 열안정성과 접착성을 가지며, 매우 우수한 신뢰특성을 갖는 이방 도전성 접착제 및 이를 이용한 이방 도전성 접착필름을 제공할 수 있다. 이에 더하여 화학적 흡착력을 이용한 고분자-금속의 복합입자를 도전입자로 사용하는 경우, 기존 절연층의 제거 단계없이 고도의 화인 피치(Fine pitch)의 접속구조체에서 특히 절연/도전 신뢰성이 매우 우수한 이방 도전성 접착제 및 이를 이용한 이방 도전성 접착필름을 제공할 수 있다.
본 발명의 단순한 변형 내지 변경은 이 분야의 통상의 지식을 가진 자에 의하여 용이하게 이용될 수 있으며, 이러한 변형이나 변경은 모두 본 발명의 영역에 포함되는 것으로 볼 수 있다.

Claims (6)

  1. 불포화 이중결합을 갖는 라디칼 중합성 수지 성분, 불포화 이중결합을 갖지 않는 수지 성분, 라디칼 중합 개시제 및 하기 화학식 1로 표현되는 아민 결합을 가지는 인 화합물 및 상호 흡착에 의하여 결합된 고분자-금속 복합입자를 배합하여 제조되는 것을 특징으로 하는 이방 도전성 접착제에 있어서, 상기 아민결합을 가지는 인 화합물은 이방도전성 접착제 고형분 총량을 기준으로 하여 0.5 내지 10중량%로 포함되는 것을 특징으로 하는 이방 도전성 접착제.
    [화학식 1]
    Figure 112006011136710-pat00004
    상기 식에서, R1,R2,R3 및 R4는 수소원자 또는 탄소수가 1 내지 10인 알킬기 또는 아릴기이며, R5 는 탄소수 1 내지 10의 알킬렌기 또는 벤젠링이다.
  2. 제 1항에 있어서, 상기 아민결합을 가지는 인 화합물은 포스포릴디메틸에탄올아민, 2-디메틸아미노페놀디페닐 포스페이트, 2-디에틸아미노에탄올디메틸 포스페이트, 2-에틸프로필아미노페놀디하이드로겐 포스페이트, 2-디부틸아미노페놀디하이드로겐 포스페이트 및 이들의 혼합물로 구성된 군으로부터 선택되는 1종 이상인 것을 특징으로 하는 이방 도전성 접착제.
  3. 제 1항에 있어서, 상호 흡착에 의하여 결합된 고분자-금속 복합입자는 도전성 미립자에 대한 화학적 친화력을 가지는 관능기가 표면에 도입된 고분자 입자가 상기 도전성 미립자와 상호 흡착에 의하여 이루어지고, 상기 도전성 미립자는 금, 은, 니켈 또는 구리로 이루어진 금속입자이거나 고분자입자 표면에 금속층이 피복된 도전성 미립자인 것을 특징으로 하는 이방 도전성 접착제.
  4. 제 1항 내지 제 3항 중 어느 하나의 항에 따른 이방 도전성 접착제를 이형시트상에 도포하고, 가열 건조하여 용제를 휘발시킴으로써 제조되는 이방 도전성 접착필름.
  5. 제 4항에 있어서, 상기 이방 도전성 접착필름은 고분자-금속 복합입자 500 내지 100,000개/㎟를 포함하는 것을 특징으로 하는 이방 도전성 접착필름.
  6. 삭제
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KR20030057131A (ko) * 2001-12-28 2003-07-04 제일모직주식회사 이방성 도전 접착제용 수지 조성물

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