JP2007201220A - 半導体装置 - Google Patents

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Abstract

【課題】 小さな占有面積で分離構造の形成が可能であり、かつ、良好な素子特性が得られるトレンチ構造を有する半導体装置を提供する。
【解決手段】 第1導電型の半導体基板と、半導体基板の上に設けられた第2導電型の半導体層と、半導体層中に設けられたトレンチと、トレンチの壁面に沿って設けられた第1導電型のトレンチ拡散層と、トレンチに埋め込まれた埋め込み導電体とを含む半導体装置において、更に、トレンチの壁面と埋め込み導電体との間に絶縁膜が設けられている。
【選択図】図1

Description

本発明は半導体装置に関し、特に、トレンチ分離構造を有する半導体装置に関する。
半導体集積回路では、複数の半導体素子の間を分離するために、例えば、図20に示すようなトレンチ分離構造が用いられる。
全体が2000で表される半導体装置は、p基板1を含む。p基板1の上には、n層2が設けられている。n層2には、p基板1に達するようにトレンチ3が設けられている。トレンチ3の壁面にはp領域5が形成され、その中に、埋め込み電極31が設けられている。また、p基板1とn層2との間には、n埋め込み層4が設けられている。p基板1の裏面には裏面電極15が設けられている(例えば、特許文献1参照)。
特開2004−6555号公報
かかるトレンチ構造では、トレンチ3内に、埋め込み電極31が直接埋め込まれる構造となっている。このために、p基板1やn層2の材料(例えば、シリコン)と、埋め込み電極31の材料(例えばポリシリコン)との熱膨張係数の違いにより応力が発生し、リーク電流が発生し、素子特性の劣化原因となっていた。
そこで、本発明は、小さな占有面積で分離構造の形成が可能であり、かつ、良好な素子特性が得られるトレンチ構造を有する半導体装置の提供を目的とする。
本発明は、第1導電型の半導体基板と、半導体基板の上に設けられた第2導電型の半導体層と、半導体層中に設けられたトレンチと、トレンチの壁面に沿って設けられた第1導電型のトレンチ拡散層と、トレンチに埋め込まれた埋め込み導電体とを含む半導体装置であって、更に、トレンチの壁面と埋め込み導電体との間に絶縁膜が設けられたことを特徴とする半導体装置である。
以上の説明から明らかなように、本発明にかかる半導体装置では、半導体装置の小型化、高集積化を図るとともに、良好な半導体素子特性が得られる。
実施の形態1.
図1は、全体が100で表される、本発明の実施の形態1にかかる半導体装置であり、(a)は上面図、(b)は(a)をI−I方向に見た場合の断面図を示す。
図1に示すように、半導体装置100は、例えばシリコンからなるp型のp基板1を含む。p基板1の上には、例えばシリコンからなるn型のn層2が形成されている。n層2の表面からp基板1に達するようにトレンチ3が形成されている。また、p基板1の上には、n型のn埋め込み層4が形成されている。
トレンチ3の壁面(側面および底面)には、例えばイオン注入法を用いて、p型のp領域5が形成されている。更に、トレンチ3の内面には、例えば酸化シリコンからなる絶縁膜が堆積され、その中に例えばポリシリコンからなる埋め込み導電体7が埋め込まれている。トレンチ3の開口部に隣接して、p型(p)の反転防止層(第1拡散層)8が設けられている。(a)に示すように、反転防止層8は、p拡散層9の近傍のみに設けられている。
また、n層2にはp拡散層9が設けられ、更に、フィールド酸化膜10、層間絶縁膜11が設けられている。フィールド酸化膜10、層間絶縁膜11は、例えば酸化シリコンからなる。
拡散層9の上には、例えば酸化シリコンからなる活性部酸化膜12が設けられる。更に、活性部酸化膜12に形成された開口部を介して、p拡散層9に接続された電極13が設けられている。表面電極13は、例えばアルミニウムからなる。表面電極13および層間絶縁膜11を覆うように、例えば窒化シリコンからなるパッシベーション膜14が設けられている。
領域5は、反転防止層8、p拡散層9、および表面電極を介して埋め込み導電体7と電気的に接続されている。p領域5を埋め込み導電体7に接続することにより、局所的な電位差が発生することによる誤動作を防止できる。
一方、p基板1の裏面には、例えばアルミニウムからなる裏面電極15が設けられている。
なお、(a)においては、理解を容易にするために、フィールド酸化膜10、層間絶縁膜11、およびパッシベーション膜14は省略されている(以下の実施の形態で示す上面図も同じ)。
図1からわかるように、2つのトレンチ3により挟まれた分離領域(島領域)は、それ以外の領域から電気的に分離されている。ここでは、最も簡単な例として分離領域が1つの場合を示したが、トレンチ3の数を増やすことにより、複数の分離領域を設けることもできる。
次に、図2を用いて、本発明の実施の形態1にかかる半導体装置100の製造方法について説明する。半導体装置100の製造方法は、以下の工程1〜5を含む。
工程1:図2(a)に示すように、まずp基板1を準備し、その上に、n埋め込み層4、n層2を例えば結晶成長法を用いて形成する。更に、拡散法を用いて、反転防止層8、p拡散層9を形成する。
続いて、n層2の表面に、プラズマ酸化法等を用いて、例えば酸化シリコンからなるフィールド酸化膜10、活性部酸化膜12を形成する。
工程2:図2(b)に示すように、写真製版を行った後、異方性エッチングを用いて絶縁膜10、n層2をエッチングし、p基板1に達するようにトレンチ3を形成する。
工程3:図2(c)に示すように、トレンチ3の壁面に、イオン注入法等を用いてp領域5を形成する。p領域5は、必要に応じて、トレンチ3の壁面の特定の領域のみに形成してもよい。
工程4:図2(d)に示すように、トレンチ3の壁面を覆うように、例えばCVD法を用いて絶縁膜6を形成する。続いて、例えばCVD法を用いて、トレンチ3内にポリシリコン等を埋め込み、埋め込み導電体7を形成する。
工程5:例えばCVD法を用いて酸化シリコンからなる層間絶縁膜11を形成した後、必要な部分を開口して、p拡散層9に接続された電極13を形成する。電極13は、例えばアルミニウムからなり、蒸着法等を用いて形成する。最後に、CVD法等を用いて、例えば窒化シリコンからなるパッシベーション膜14を形成する。以上の工程で、図1に示すような半導体装置100が完成する。
このように、本発明の実施の形態1にかかる半導体装置100では、トレンチ分離による素子分離を行うため、拡散分離に比べて分離領域の占有面積を小さくすることができる。この結果、半導体装置の小型化、高集積化が可能となる。
また、トレンチ3の壁面に絶縁膜6を設けることにより、埋め込み導電体7とn層2との間で応力が発生しても、リーク電流の発生による素子特性の劣化を防止できる。
実施の形態2.
図3は、全体が200で表される、本発明の実施の形態2にかかる半導体装置であり、(a)は上面図、(b)は(a)をIII−III方向に見た場合の断面図を示す。図3中、図1と同一符号は、同一又は相当箇所を表す。
図3(a)に示すように、半導体装置200では、矩形に形成されたトレンチ3に沿って、トレンチの両側に、環状の反転防止層8が設けられている。反転防止層8は、p領域5の拡散深さ(トレンチ3の側面に対して垂直な方向の深さ)より深くなっている。
他の構造は、上述の半導体装置100と同じである。
本実施の形態2にかかる半導体装置200では、p基板1、p領域5、反転防止層8で囲まれて形成されている分離領域(島領域)に電圧が印加される場合、電界の集中はトレンチ3の上部近傍(図3(b)に符号Aで表示)で起こりやすい。このため、この部分に反転防止層8を設け、接合の曲率を大きくすることで電界の集中を緩和できる。この結果、耐圧の向上、リーク電流の低減が可能となる。
実施の形態3.
図4は、全体が300で表される、本発明の実施の形態3にかかる半導体装置であり、(a)は上面図、(b)は(a)をIV−IV方向に見た場合の断面図を示す。図4中、図3と同一符号は、同一又は相当箇所を表す。
図4(b)に示すように、半導体装置300では、実施の形態2にかかる半導体装置200に加えて、反転防止層8より深くて低濃度のp拡散層(第2拡散層)17が、p領域5と反転防止層8との間に設けられていることである。p拡散層17は、トレンチ3に沿って、トレンチ3の両側に、環状に設けられている。他の構造は、上述の半導体装置200と同じである。
上述のように、トレンチ3の上部近傍は電界が集中しやすいため、深くて低濃度の低いp拡散層17を形成することで、この領域における電界の集中を防止できる。この結果、
耐圧が高く、安定になるとともに、リーク電流の低減が可能となる。
なお、通常の集積回路の製造工程では、比較的低濃度のp型ウエルを形成することが多い。このため、このようなp型ウエルの形成工程を用いて、同時にp拡散層17を形成することにより、製造工程や製造コストを増やすことなくp拡散層17の形成が可能となる。
また、反転防止層8とp拡散層17とを組み合わせて、所望の特性を得るための最適な構造を作ることも可能である。
実施の形態4.
図5は、全体が400で表される、本発明の実施の形態4にかかる半導体装置であり、(a)は上面図、(b)は(a)をVa−Va方向に見た場合の断面図、(c)は(a)をVb−Vb方向に見た場合の断面図を示す。図5中、図4と同一符号は、同一又は相当箇所を表す。
図5(b)に示すように、半導体装置400では、トレンチ3が直線の領域では、トレンチ3に沿って、トレンチ3の両側に反転防止層8が設けられている。一方、図5(c)に示すように、トレンチ3がほぼ直角に曲がるコーナー部には、トレンチ3に沿って、トレンチ3の両側にp拡散層17が設けられている。他の構造は、上述の半導体装置300と同じである。
このように、本実施の形態4にかかる半導体装置400では、特に電界の集中が発生しやすいトレンチ3のコーナー部周辺にp拡散層17を設けることにより、コーナー部での電界の集中を緩和できる。この結果、耐圧の向上、リーク電流の低減が可能となる。
実施の形態5.
図6は、全体が500で表される、本発明の実施の形態5にかかる半導体装置の上面図である。図6中、図3と同一符号は、同一又は相当箇所を表す。
半導体装置200では図3に示すように4角形であったトレンチ3の配置を、本実施の形態5にかかる半導体装置500では、図6に示すように8角形としている。これにより、コーナー部でのトレンチ3の曲がる角度が、直角(半導体装置200)より緩やかになる。また、トレンチ3に沿って、トレンチ3の両側に反転防止層8が設けられている。
他の構造は、図3に示す半導体装置200と同じである。
このように、本実施の形態5にかかる半導体装置500では、トレンチ3の曲がる角度を緩和することにより、コーナー部での電界の集中を緩和できる。この結果、耐圧の向上やリーク電流の低減が可能となる。
なお、図6のようにトレンチ3を8角形にする以外に、他の多角形や円形とすることによっても、コーナー部での電界の集中を緩和することができる。
また、本実施の形態5にかかるトレンチ3の構造は、実施の形態2〜4で述べた半導体装置にも適用できる。
実施の形態6.
図7は、全体が600で表される、本発明の実施の形態6にかかる半導体装置の一部の上面図である。図7中、図4と同一符号は、同一又は相当箇所を表す。
本実施の形態にかかる半導体装置600は、トレンチ3に囲まれた複数の分離領域を含む。半導体装置600では、トレンチ3が略直角に曲げられた部分と、それより小さい角度で曲げられた部分とを含み、このうち、略直角に曲げられた部分に、p拡散層17が設けられている。
トレンチ3の内部の埋め込み導電体7は、トレンチ3の側壁のp領域5、反転防止層8、p拡散層9を介して一部で電気的に接続されている。
このように、本実施の形態6にかかる半導体装置600では、トレンチ3の曲げ角を直角より小さくするとともに、設計上、直角にせざるおえない部分にはp拡散層17が設けられている。これにより、トレンチ3が曲げられるコーナー部での電界の集中を緩和し、耐圧の向上やリーク電流の低減が可能となる。
もちろん、p拡散17を、コーナー部だけでなくトレンチ3に沿って形成しても構わない。
実施の形態7.
図8は、全体が700で表される、本発明の実施の形態7にかかる半導体装置の一部の上面図である。図8中、図4と同一符号は、同一又は相当箇所を表す。
本実施の形態にかかる半導体装置700は、トレンチ3に囲まれた複数の分離領域を含む。特に、半導体装置700では、それぞれ分離領域が8角形のトレンチ3により囲まれた構造となっている。
このように、本実施の形態7にかかる半導体装置700では、全てのトレンチ3において、トレンチ3の曲がる角度を緩和することにより、コーナー部での電界の集中を緩和できる。この結果、耐圧の向上やリーク電流の低減が可能となる。
トレンチ3の内部の埋め込み導電体7は、トレンチ3の側壁のp領域5、反転防止層8、p拡散層9を介して一部で電気的に接続されている。
なお、図8のようにトレンチ3を8角形とする以外に、他の多角形や円形とすることにより、電界の集中を低減することが可能である。
また、全てのトレンチ3をこのような形状にする必要はなく、リーク電流の低減が必要な分離領域のみに適用してもかまわない。
実施の形態8.
図9は、全体が800で表される、本発明の実施の形態8にかかる半導体装置であり、(a)は上面図、(b)は(a)をIX−IX方向に見た場合の断面図を示す。図9中、図4と同一符号は、同一又は相当箇所を表す。なお、図面中の符号に並記したアルファベットの添字は、同一構造の異なった部分を区別するために記載したものである(以下の実施の形態においても同様)。
本実施の形態8にかかる半導体装置800では、トレンチ3が2重に形成されている。他の構造は、実施の形態2の半導体装置200と同様である。ここでは、1つの分離領域を2重のトレンチ3で囲む構造としたが、それぞれがトレンチ3で囲まれた複数の分離領域を、更にトレンチ3で囲む構造としても構わない。
トレンチ3の内部の埋め込み導電体7は、トレンチ3の壁面のp領域5、反転防止層8、p拡散層9を介して一部で電気的に接続されている。
半導体装置800では、トレンチ3が2重に設けられているため隣接する分離領域の間隔が、トレンチ3が1重の場合より大きくなる。これにより、分離領域間に形成される寄生PNPトランジスタ(n層2a、p基板1、n層2bで形成される寄生NPNトランジスタ)の電流増幅率hFEを小さくすることが可能となる。
このような、分離領域間に形成される寄生トランジスタのhFEは、トレンチ3の数を増やし、分離領域の距離を大きくすることにより、低減することができる。従って、必要に応じてトレンチ3の数を増やすことによりhFEの低減が可能となる。
なお、本実施の形態8にかかる半導体装置800では、トレンチ3の周囲には反転防止層8を設けているが、上述のように、p領域17を形成することも可能である。また、トレンチ3の形状を多角形や円形にすることも可能である。
実施の形態9.
図10は、全体が900で表される、本発明の実施の形態9にかかる半導体装置であり、(a)は上面図、(b)は(a)をX−X方向に見た場合の断面図を示す。図10中、図9と同一符号は、同一又は相当箇所を表す。
本実施の形態9にかかる半導体装置900では、トレンチ3が2重に形成されている。そして、内側のトレンチ3bは、n埋め込み層4bに届き、n埋め込み層4bを貫通しないように形成され、一方外側のトレンチ3aは、p基板1に届くように形成されている。内側のトレンチ構造は、寄生動作防止用であり、外側のトレンチ構造は、素子分離用である。
半導体装置900では、n埋め込み層4bに届くように形成されたトレンチ3bで囲まれた分離領域を持ち、このトレンチ3bに埋め込まれた埋め込み導電体7bは、n拡散層18を介してn層2bに接続されている。
かかる構造の半導体装置900では、n層2bとp基板1との間に流れる電流のパスが無くなり、埋め込み層4bを通るパスのみとなる。このため、トレンチ構造部(5b、6b、7b)の内部に作られたn層2b、p基板1、n層2bで形成されるような寄生PNPトランジスタの動作を大幅に抑制できる。
半導体装置900は、外側の分離用トレンチ構造(5a、6a、7a)と、内側の寄生動作防止用トレンチ(6b、7b)の深さが異なる場合を示したが、内側のトレンチについては、n層2aとp基板1の接合より深いという条件と、n埋め込み層4bを貫通しないという条件を満たせば、外側のトレンチと同一の深さとすることも可能である。
この場合は2種類のトレンチ構造を同時に形成することが可能となり、製造工程の簡略化が可能となる。
このように、トレンチで囲まれた領域に、更にn埋め込み層4bに到達し、かつ環状のトレンチ構造(5b、6b、7b)を設けることにより、トレンチ構造(5b、6b、7b)に囲まれた領域の素子が、トレンチ構造(5b、6b、7b)の外部構造と干渉することを防止できる。
実施の形態10.
図11は、全体が1000で表される、本発明の実施の形態10にかかる半導体装置であり、(a)は上面図、(b)は(a)をXI−XI方向に見た場合の断面図を示す。図11中、図9と同一符号は、同一又は相当箇所を表す。
本実施の形態10にかかる半導体装置1000では、トレンチ3が2重に形成されている。内側のトレンチ3bは、n埋め込み層4bに届くように形成され、一方外側のトレンチ3aは、p基板1に届くように形成されており、内側のトレンチ構造は、寄生動作防止用であり、外側のトレンチ構造は、素子分離用となっている。
半導体装置1000では、PNPトランジスタ素子をトレンチ分離構造(5b、6b、7b)に囲まれた分離領域に形成するとともに、埋め込み導電体7bをPNPトランジスタのベース層18に接続している。
PNPトランジスタでは、エミッタがp拡散9aから形成され、コレクタがp拡散層9bから形成され、そしてベースがn拡散層18から形成される。また、ベースは、n層2bに接続されている。
更に、分離用トレンチ構造(5a、6a、7a)と、寄生動作防止用トレンチ構造(5b、6b、7b)とが同じトレンチ構造を有し、n層2aと基板1との接合より深くて、n埋め込み層4bには達するがn埋め込み層4bを貫通しないような深さに形成されている。
トレンチ3a、3bの壁面には、p拡散層5a、5bが形成されている。p拡散層5aはトレンチ内部の埋め込み導電体7aに接続され、p拡散層5bはトレンチ内部の埋め込み導電体7bと接続され、ともにベース電位となっている。
このようなPNPトランジスタを形成した場合、エミッタ9a、n層2b(n埋め込み層4b)、およびp基板1で、寄生のPNPトランジスタが形成される。寄生動作防止用トレンチ構造(5b、6b、7b)が無い場合、エミッタ33から流れた正孔がn層2bを経てコレクタ34で回収されずに基板に流れ込むことになり、これが誤動作の原因となる。
これに対して、本実施の形態10にかかる半導体装置1000では、寄生動作防止用トレンチ構造(5b、6b、7b)が設けられているため、エミッタ33、n層2b、およびp基板1の電流経路が遮断され、エミッタ33から流れた正孔はコレクタ34で回収されるため、寄生PNPトランジスタのhFEは大幅に低減され、誤動作の耐量が向上する。
本実施の形態10では、PNPトランジスタを例に説明しているが、寄生トランジスタを含む他の素子を有する場合でも、寄生動作防止用トレンチ構造(5b、6b、7b)を設けることにより、寄生PNPトランジスタのhFEを低減できる。
更に、本実施の形態10にかかる半導体装置1000では、分離用トレンチ構造(5a、6a、7a)と寄生動作防止用トレンチ構造(5b、6b、7b)とが同じ構造であり、同一の製造工程で作製できる。従って、実施の形態1で説明した製造工程(図2参照)を用いることで、新たな工程を追加することなくこれらのトレンチ構造を作製することができる。
このように、本実施の形態10にかかる半導体装置1000では、n埋め込み層4bに達するトレンチ構造部で回路部を囲むことにより、寄生動作を抑え、回路の誤動作を防止できる。
実施の形態11.
図12は、全体が1100で表される、本発明の実施の形態11にかかる半導体装置であり、(a)は上面図、(b)は(a)をXII−XII方向に見た場合の断面図を示す。図12中、図9と同一符号は、同一又は相当箇所を表す。
本実施の形態10にかかる半導体装置1100では、トレンチ3は、n埋め込み層4に届くように形成された寄生動作防止用となっている。
また、半導体装置1100は、Pch MOSFETとNch MOSFETとを含み、Pch MOSFETがトレンチ3に囲まれた分離領域に形成された構造となっている。トレンチ3内部の埋め込み導電体7bと、トレンチ3の壁面のp領域5とは、Pch MOSFETのバックゲート37に接続されている。
Nch MOSFETは、pウエル41中に形成されたソース38、ドレイン39、およびゲート20bからなる。一方、Pch MOSFETは、トレント3で囲まれたn層2a内に形成され,ソース35、ドレイン36、およびゲート20aからなる。
かかる構造では、Pch MOSFETのソース35、n層2、pウエル41等のような、2つのMOSFETの拡散領域の間でいくつか寄生トランジスタが形成される。
これに対して、寄生動作防止用トレンチ構造(5b、6b、7b)を形成することにより、Pch MOSFETとNch MOSFETとの間が分離され、これらの寄生パスのうちhFEが大きいn層2bを通る経路を遮断することができる。
この結果、寄生PNPトランジスタのhFEは大幅に低減され、誤動作に対する耐量が向上する。
実施の形態12.
図13は、全体が1200で表される、本発明の実施の形態12にかかる半導体装置であり、(a)は上面図、(b)は(a)をXIII−XIII方向に見た場合の断面図を示す。図13中、図9と同一符号は、同一又は相当箇所を表す。
半導体装置1200は、2重に設けられトレンチ3a、3bを含む。そして、電位の異なる領域A、Bの間に、hFEを低減するために領域Cが設けられている(領域A、B、およびCは、図13(b)中に表示)。領域Cは、n埋め込み層4c、共通コンタクトで接続されたn拡散層18cとp+拡散層9、およびp拡散層9に接続されたトレンチ構造の壁面のp領域5aを含む。
かかる構造では、領域Aから領域Bに向かって流れた電子が、n埋め込み層4cからn拡散層18へ流れ、共通コンタクトのp拡散層9cからp基板1へと流れる。このため、領域Bに流れる電流は大幅に低減される。つまり、領域Aのn層2a、p基板1、n層2bで形成される寄生NPNトランジスタを想定すると、この寄生NPNトランジスタのhFEを低減することが可能となる。
領域CによるhFEの低減効果は、n埋め込み層4cの幅が広いほど大きいが、一方で、幅を広くするとチップ面積が増大する。拡散分離構造にかえてトレンチ分離構造を用いて領域Cを形成することにより、チップ面積を大幅に低減できる。
実施の形態13.
図14は、全体が1300で表される、本発明の実施の形態13にかかる半導体装置であり、(a)は上面図、(b)は(a)をXIV−XIV方向に見た場合の断面図を示す。図14中、図9と同一符号は、同一又は相当箇所を表す。
本実施の形態13にかかる半導体装置1300は、トレンチ分離構造を用いて分離領域間のhFEを低減する構造(hFE低減構造)を、高電圧構造に適用したものである。半導体装置1300では、領域Aが高電圧部、領域Bが通常の回路部、そして領域CがhFE低減構造部である。
半導体装置1300は、高耐圧を保持するためのフィールドプレート構造(25、26)を高電圧部に有しており、電極24が高電圧側、電極23が低電圧側となる。符号21はn埋め込み層、符号22はn層を示す。
半導体装置がインバータ等に用いられた場合、高電圧側の電極24は、スイッチングによって電圧が変動する。この電極24の電圧は、配線の寄生インダクタンス等により、負電圧になることがある。この場合、高電圧部の領域Aから回路部Bに向かって電子が流れることになり、誤動作の原因となる。
これに対して、本実施の形態にかかる半導体装置1300では、領域Aと領域Bとの間に、hFE低減構造(領域C)を有するため、上述のように、高電圧部(領域A)のn層2a、p基板1、および回路部(領域B)のn層2bで形成される寄生NPNトランジスタのhFEを大幅に低減することができる。この結果、回路部(領域B)への電子の流入を抑えることができ、回路部(領域B)の誤動作を防止できる。
また、拡散分離ではなくトレンチ分離(5、6、7)を利用することで、チップ面積の増大を最小限に抑えながら、回路の誤動作を防止できる。
実施の形態14.
図15は、全体が1400で表される、本発明の実施の形態14にかかる半導体装置であり、(a)は上面図、(b)は(a)をXV−XV方向に見た場合の断面図を示す。図15中、図9と同一符号は、同一又は相当箇所を表す。
本実施の形態14にかかる半導体装置1400は、トレンチ分離構造を高電圧レベルシフト構造に適用するとともに、逆接続ダイオードを適用したものである。半導体装置1300は、高耐圧を保持するためのフィールドプレート構造(25、26)を高電圧部に有しており、電極24が高電圧側、電極23が低電圧側となる。更にゲート酸化膜19、ゲート電極20、pウエル17、ソース42、およびn層2aによりMOSFETが形成される。
また、高電圧側の電極24を取り囲み、かつ高電圧側のn埋め込み層4aに達するトレンチ構造部(5b、6b、7b)が形成されている。高電圧側の電極24にはp拡散9bのみが接続されており、低電圧側にはn型領域18a、18bを介して接続されている。高電圧側のn層2bは、低電圧側のn層2aと、トレンチ構造により分離されている。
半導体装置がインバータ等に用いられた場合、高電圧側の電極24は、スイッチングによって電圧(VS電圧)が変動する。この電極24の電圧は、配線の寄生インダクタンス等により、負電圧になることがある。p基板1とn層2が順バイアスになった場合、電極24に電流が流れ、n層2に正孔が流れ込み、誤動作の原因となる。
本実施の形態14にかかる半導体装置1400では、n層2bは、電極24に接するp拡散層9bとともに、pnダイオードを形成している。このpnダイオードは、電極24が負電圧になった場合に逆バイアスになる。このため、かかるpn接合が降伏を起こす電圧までは電流が流れず誤動作を防止できる。
正常動作の場合、pnダイオードには順バイアスが印加され、電流はn型領域18bからアルミニウム配線13、n型領域18aを通って低電圧部に流れる。半導体装置1400では、トレンチ分離部(5b、6b、7b)によってn層2a、2bが分離されているため、正常動作時にn層2aに正孔が流れ込むことはなく、誤動作を起こすことはない。
このように、本実施の形態14にかかる半導体装置1400では、高耐圧レベルシフタに直列のダイオードを形成し、かつトレンチ分離構造(5b、6b、7b)によって正常動作時のn層2aへの正孔の注入を防ぐことにより、VS電圧が負になった場合でも、素子の誤動作を防止できる。
本実施の形態14では、レベルシフタ構造の低電圧領域を1つのトレンチにより分離しているが、上述の実施の形態8の半導体装置800のように、複数のトレンチを形成したり、上述の実施の形態13の半導体装置1300のように、ロジック回路部との間に島領域を設けることで、複数の効果を兼ね備えることも可能である。
実施の形態15.
図16は、全体が1500で表される、本発明の実施の形態15にかかる半導体装置であり、(a)は上面図、(b)は(a)をXVI−XVI方向に見た場合の断面図を示す。図15中、図9と同一符号は、同一又は相当箇所を表す。
半導体装置1500は、実施の形態14にかかる半導体装置1400の領域Aに、p拡散層9b、9d、ゲート酸化膜19b、およびゲート電極28からなるPch MOSFETを形成したものであり、高電圧用のレベルシフト構造の誤動作を防止する構造である。
半導体装置1500では、正常動作時にはゲート電極28はオン状態で電流を流す。異常が発生し、ゲート電極24の電圧が低くなるとオフ状態となる。
誤動作時の基本動作は実施の形態14と同様であり、n層2bは、高電圧側電極24に接するp拡散層9bとの間でダイオードが逆バイアスとなり、電流を流さないことで誤動作を防いでいる。
一方、正常動作の場合は実施の形態14と異なり、ダイオードではなく上述のPch MOSFETを通して電流が流れる。Pch MOSFET部分は抵抗として作用し、レベルシフタ全体としてMOS動作する。
このように、高耐圧レベルシフタに直列のダイオードを形成し、かつトレンチ分離構造(5b、6b、7b)によって、正常動作時にn層2aに正孔が注入されるのを防ぐとともに、VS電圧が負電圧となった場合でも素子の誤動作を防止できる。
実施の形態16.
図17は、全体が1600で表される、本発明の実施の形態16にかかる半導体装置であり、(a)は上面図、(b)は(a)をXVII−XVII方向に見た場合の断面図を示す。図16中、図9と同一符号は、同一又は相当箇所を表す。
半導体装置1600は、実施の形態15にかかる半導体装置1500に対して、ゲート電極28を、n拡散層18bおよびp拡散層9dの共通コンタクトと接続したものである。必要な場合は埋め込みチャネル層44が設けられる。p拡散層9b、9d、ゲート酸化膜19b、およびゲート電極28で形成されるPch MOSFETは、通常はオン状態(ノーマリオン)であり、電極24が負にバイアスされ、n層2bとp拡散層9bとの間が逆バイアスになったときオフ状態になるように、しきい値が調整されている。
半導体装置1600が正常動作している場合は、Pch MOSFETを通じて電流が流れる。Pch MOSFET部分は抵抗として動作するのでレベルシフタ全体としてMOS動作する。
一方、半導体装置1600が誤動作した場合は、実施の形態15と同様に、n層2bは、高電圧側電極24に接するp拡散層9bとダイオードとの間が逆バイアスとなり、電流を流さないで誤動作を防ぐ。異常動作時に、Pch MOSFETのゲートがオフとなるのが本願の特徴である。
このように、高耐圧レベルシフタに直列のダイオードを形成し、かつトレンチ分離構造(5b、6b、7b)を採用し、正常動作時にn層2aへ正孔が注入されるのを防ぐ構造を設けることにより、VS電圧が負電圧となった場合の誤動作を防止できる。
実施の形態17.
図18は、全体が1700で表される、本発明の実施の形態17にかかる半導体装置であり、(a)は上面図、(b)は(a)をXVIII−XVIII方向に見た場合の断面図を示す。図18中、図9と同一符号は、同一又は相当箇所を表す。
半導体装置1700は、トレンチ分離構造を用いて、上部配線の影響を遮蔽、低減する構造である。半導体装置1700は、上述の実施の形態1と同様に、トレンチ分離構造(5、6、7)を用いた分離構造であるが、トレンチ3の埋め込み導電体7の上部を、フィールド酸化膜上に、断面がT字型になるように張り出させて(図18(b)参照)、張り出し領域を設けている。張り出し領域の上には、層間絶縁膜11を介して配線13bが設けられている。
表面濃度が低い基板領域の上を配線が通る場合、配線の電圧などの影響によって基板表面(n層2など)に反転現象等の悪影響を与える。悪影響を防止する手段として、固定電圧(GND等)の導電体で、両者の間を遮蔽する方法が考えられる。
本実施の形態17では、トレンチ内部導電体の一部を用いて配線13bとn層2との間を遮蔽する遮断構造を用いることで、配線13bの基板表面への影響を抑え、半導体装置1700の誤動作を防止する。
このように、トレンチ分離構造(5、6、7)による分離構造が、配線13から基板表面への影響を防ぐ遮蔽構造を兼ねることにより、チップ面積を縮小しつつ素子の誤動作を防止できる。
実施の形態19.
図19は、全体が1800で表される、本発明の実施の形態18にかかる半導体装置であり、(a)は上面図、(b)は(a)をXIX−XIX方向に見た場合の断面図を示す。図19中、図9と同一符号は、同一又は相当箇所を表す。
半導体装置1800は、上述の実施の形態13にかかる半導体装置1300に対して、トレンチ構造を兼ねた遮断構造を適用したものである。
図14に示すように、
構造は実施例13に対して、回路部(領域B)やhFE低減構造(領域C)が高電圧配線13により影響を受けるのを防止するため、トレンチ導電体7の上部に、T字型に張り出した張り出し領域を設け、遮蔽構造を形成したものである。
このように、トレンチ分離構造(5、6、7)による分離構造が、配線13から回路部(領域B)やhFE低減構造(領域C)への影響を防ぐ遮蔽構造を兼ねることにより、チップ面積を縮小しつつ素子の誤動作を防止できる。
なお、以上で述べた実施の形態において、p型とn型を相互に入れ替えて半導体装置を作製することも可能である。
本発明の実施の形態1にかかる半導体装置の(a)上面図、および(b)断面図である。 本発明の実施の形態1にかかる半導体装置の製造工程の断面図である。 本発明の実施の形態2にかかる半導体装置の(a)上面図、および(b)断面図である。 本発明の実施の形態3にかかる半導体装置の(a)上面図、および(b)断面図である。 本発明の実施の形態4にかかる半導体装置の(a)上面図、および(b)(c)断面図である。 本発明の実施の形態5にかかる半導体装置の上面図である。 本発明の実施の形態6にかかる半導体装置の上面図である。 本発明の実施の形態7にかかる半導体装置の上面図である。 本発明の実施の形態8にかかる半導体装置の(a)上面図、および(b)断面図である。 本発明の実施の形態9にかかる半導体装置の(a)上面図、および(b)断面図である。 本発明の実施の形態10にかかる半導体装置の(a)上面図、および(b)断面図である。 本発明の実施の形態11にかかる半導体装置の(a)上面図、および(b)断面図である。 本発明の実施の形態12にかかる半導体装置の(a)上面図、および(b)断面図である。 本発明の実施の形態13にかかる半導体装置の(a)上面図、および(b)断面図である。 本発明の実施の形態14にかかる半導体装置の(a)上面図、および(b)断面図である。 本発明の実施の形態15にかかる半導体装置の(a)上面図、および(b)断面図である。 本発明の実施の形態16にかかる半導体装置の(a)上面図、および(b)断面図である。 本発明の実施の形態17にかかる半導体装置の(a)上面図、および(b)断面図である。 本発明の実施の形態18にかかる半導体装置の(a)上面図、および(b)断面図である。 従来の半導体装置の断面図である。
符号の説明
1 p基板、2 n層、3 p拡散層、4 n埋め込み層、5 p領域、6 絶縁膜、7 埋め込み導電体、8 反転防止層、9 p拡散、10 フィールド絶縁膜、11 層間絶縁膜、12 活性部酸化膜、13 電極、14 パッシベーション膜、15 裏面電極、100 半導体装置。

Claims (17)

  1. 第1導電型の半導体基板と、
    該半導体基板の上に設けられた第2導電型の半導体層と、
    該半導体層中に設けられたトレンチと、
    該トレンチの壁面に沿って設けられた第1導電型のトレンチ拡散層と、
    該トレンチに埋め込まれた埋め込み導電体とを含む半導体装置であって、
    更に、該トレンチの壁面と該埋め込み導電体との間に絶縁膜が設けられたことを特徴とする半導体装置。
  2. 上記トレンチが、上記半導体基板に達するように設けられたことを特徴とする請求項1に記載の半導体装置。
  3. 上記半導体基板と上記半導体層との間に、部分的に設けられた第2導電型の埋め込み層を含み、
    上記トレンチの深さが上記半導体層の膜厚より小さく、かつ上記埋め込み層に達するように設けられたことを特徴とする請求項1の半導体装置。
  4. 上記埋め込み導電体が、上記トレンチ拡散層と電気的に接続されたことを特徴とする請求項1〜3のいずれかに記載の半導体装置。
  5. 上記トレンチの開口部周囲の上記半導体層に第1導電型の第1拡散層が設けられ、該第1拡散層の第1導電型の不純物濃度が、上記トレンチ拡散層の第1導電型の不純物濃度より低いことを特徴とする請求項1〜4のいずれかに記載の半導体装置。
  6. 上記トレンチの開口部近傍の上記トレンチ拡散層に沿って、第1導電型の第2拡散層が設けられ、該第2拡散層の第1導電型の不純物濃度が、該トレンチ拡散層の第1導電型の不純物濃度より低いことを特徴とする請求項1〜4のいずれかに記載の半導体装置。
  7. 上記トレンチが、上記半導体層の表面内で、コーナー部で略直角に曲げられた略矩形形状からなり、該コーナー部の周囲に上記第1拡散層が設けられたことを特徴とする請求項5に記載の半導体装置。
  8. 上記トレンチが、上記半導体層の表面内で、内角が90度より大きなコーナー部を有する多角形形状からなることを特徴とする請求項1〜4のいずれかに記載の半導体装置。
  9. 上記トレンチが、上記半導体層の表面内で、円弧状のコーナー部を有する形状からなることを特徴とする請求項1〜4のいずれかに記載の半導体装置。
  10. 上記トレンチに囲まれた領域に、半導体素子が設けられたことを特徴とする請求項7〜9のいずれかに記載の半導体装置。
  11. 上記トレンチが、上記半導体層の表面内で、分離領域を囲むように複数設けられ、
    最外周の該トレンチの開口部近傍の上記トレンチ拡散層に沿って、第1導電型の第2拡散層が設けられ、
    該第2拡散層の第1導電型の不純物濃度が、該トレンチ拡散層の第1導電型の不純物濃度より低いことを特徴とする請求項1に記載の半導体装置。
  12. 上記半導体基板と上記半導体層との間に、部分的に設けられた第2導電型の埋め込み層と、該埋め込み層の上方に設けられた回路部とを含み、
    上記トレンチが、上記埋め込み層に達し、該半導体素子を囲みように設けられ、
    上記トレンチ拡散層と上記埋め込み導電体が、該回路部に含まれる第2導電型の領域に接続されたことを特徴とする請求項1に記載の半導体装置。
  13. 上記トレンチが、上記半導体層の表面内で分離領域を囲むように、内周および外周に設けられ、
    該内周のトレンチに囲まれた分離領域に高圧回路部またはレベルシフタ回路部が設けられ、該外周のトレンチの外側に低圧ロジック回路部が設けられ、該内周および外周のトレンチに囲まれた領域の第2導電型領域と、該分離領域に設けられた該外周のトレンチ拡散層とが電気的に接続されたことを特徴とする請求項1又は2に記載の半導体装置。
  14. レベルシフタ回路部を有する半導体層において、
    該レベルシフタ回路部の高電圧部が第1導電型のドレインを有し、第2導電型の該半導体層とダイオードを形成し、第1導電型の該ドレインを囲むようにトレンチが形成されたことを特徴とする請求項3に記載の半導体装置。
  15. 更に、該トレンチに囲まれた該半導体層に、該ドレインと、第1導電型のソースと、ゲートとを含むMOSFETが設けられたことを特徴とする請求項14に記載の半導体装置。
  16. 上記MOSFETが、通常状態ではオン状態であり、上記トレンチに囲まれた上記半導体層の電位が上昇した異常状態でオフ状態となるようなしきい値に設計されたことを特徴とする請求項15に記載の半導体装置。
  17. 上記埋め込み導電体上部が、上記トレンチ拡散層の上部を覆うように張り出した張り出し領域を含むことを特徴とする請求項1〜4のいずれかに記載の半導体装置。

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