JP2007201220A - 半導体装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 第1導電型の半導体基板と、半導体基板の上に設けられた第2導電型の半導体層と、半導体層中に設けられたトレンチと、トレンチの壁面に沿って設けられた第1導電型のトレンチ拡散層と、トレンチに埋め込まれた埋め込み導電体とを含む半導体装置において、更に、トレンチの壁面と埋め込み導電体との間に絶縁膜が設けられている。
【選択図】図1
Description
全体が2000で表される半導体装置は、p−基板1を含む。p−基板1の上には、n−層2が設けられている。n−層2には、p−基板1に達するようにトレンチ3が設けられている。トレンチ3の壁面にはp+領域5が形成され、その中に、埋め込み電極31が設けられている。また、p−基板1とn−層2との間には、n+埋め込み層4が設けられている。p−基板1の裏面には裏面電極15が設けられている(例えば、特許文献1参照)。
図1は、全体が100で表される、本発明の実施の形態1にかかる半導体装置であり、(a)は上面図、(b)は(a)をI−I方向に見た場合の断面図を示す。
続いて、n−層2の表面に、プラズマ酸化法等を用いて、例えば酸化シリコンからなるフィールド酸化膜10、活性部酸化膜12を形成する。
図3は、全体が200で表される、本発明の実施の形態2にかかる半導体装置であり、(a)は上面図、(b)は(a)をIII−III方向に見た場合の断面図を示す。図3中、図1と同一符号は、同一又は相当箇所を表す。
他の構造は、上述の半導体装置100と同じである。
図4は、全体が300で表される、本発明の実施の形態3にかかる半導体装置であり、(a)は上面図、(b)は(a)をIV−IV方向に見た場合の断面図を示す。図4中、図3と同一符号は、同一又は相当箇所を表す。
耐圧が高く、安定になるとともに、リーク電流の低減が可能となる。
また、反転防止層8とp拡散層17とを組み合わせて、所望の特性を得るための最適な構造を作ることも可能である。
図5は、全体が400で表される、本発明の実施の形態4にかかる半導体装置であり、(a)は上面図、(b)は(a)をVa−Va方向に見た場合の断面図、(c)は(a)をVb−Vb方向に見た場合の断面図を示す。図5中、図4と同一符号は、同一又は相当箇所を表す。
図6は、全体が500で表される、本発明の実施の形態5にかかる半導体装置の上面図である。図6中、図3と同一符号は、同一又は相当箇所を表す。
他の構造は、図3に示す半導体装置200と同じである。
図7は、全体が600で表される、本発明の実施の形態6にかかる半導体装置の一部の上面図である。図7中、図4と同一符号は、同一又は相当箇所を表す。
もちろん、p拡散17を、コーナー部だけでなくトレンチ3に沿って形成しても構わない。
図8は、全体が700で表される、本発明の実施の形態7にかかる半導体装置の一部の上面図である。図8中、図4と同一符号は、同一又は相当箇所を表す。
図9は、全体が800で表される、本発明の実施の形態8にかかる半導体装置であり、(a)は上面図、(b)は(a)をIX−IX方向に見た場合の断面図を示す。図9中、図4と同一符号は、同一又は相当箇所を表す。なお、図面中の符号に並記したアルファベットの添字は、同一構造の異なった部分を区別するために記載したものである(以下の実施の形態においても同様)。
図10は、全体が900で表される、本発明の実施の形態9にかかる半導体装置であり、(a)は上面図、(b)は(a)をX−X方向に見た場合の断面図を示す。図10中、図9と同一符号は、同一又は相当箇所を表す。
この場合は2種類のトレンチ構造を同時に形成することが可能となり、製造工程の簡略化が可能となる。
図11は、全体が1000で表される、本発明の実施の形態10にかかる半導体装置であり、(a)は上面図、(b)は(a)をXI−XI方向に見た場合の断面図を示す。図11中、図9と同一符号は、同一又は相当箇所を表す。
更に、分離用トレンチ構造(5a、6a、7a)と、寄生動作防止用トレンチ構造(5b、6b、7b)とが同じトレンチ構造を有し、n−層2aと基板1との接合より深くて、n+埋め込み層4bには達するがn+埋め込み層4bを貫通しないような深さに形成されている。
図12は、全体が1100で表される、本発明の実施の形態11にかかる半導体装置であり、(a)は上面図、(b)は(a)をXII−XII方向に見た場合の断面図を示す。図12中、図9と同一符号は、同一又は相当箇所を表す。
また、半導体装置1100は、Pch MOSFETとNch MOSFETとを含み、Pch MOSFETがトレンチ3に囲まれた分離領域に形成された構造となっている。トレンチ3内部の埋め込み導電体7bと、トレンチ3の壁面のp+領域5とは、Pch MOSFETのバックゲート37に接続されている。
これに対して、寄生動作防止用トレンチ構造(5b、6b、7b)を形成することにより、Pch MOSFETとNch MOSFETとの間が分離され、これらの寄生パスのうちhFEが大きいn−層2bを通る経路を遮断することができる。
この結果、寄生PNPトランジスタのhFEは大幅に低減され、誤動作に対する耐量が向上する。
図13は、全体が1200で表される、本発明の実施の形態12にかかる半導体装置であり、(a)は上面図、(b)は(a)をXIII−XIII方向に見た場合の断面図を示す。図13中、図9と同一符号は、同一又は相当箇所を表す。
図14は、全体が1300で表される、本発明の実施の形態13にかかる半導体装置であり、(a)は上面図、(b)は(a)をXIV−XIV方向に見た場合の断面図を示す。図14中、図9と同一符号は、同一又は相当箇所を表す。
半導体装置1300は、高耐圧を保持するためのフィールドプレート構造(25、26)を高電圧部に有しており、電極24が高電圧側、電極23が低電圧側となる。符号21はn−埋め込み層、符号22はn+層を示す。
図15は、全体が1400で表される、本発明の実施の形態14にかかる半導体装置であり、(a)は上面図、(b)は(a)をXV−XV方向に見た場合の断面図を示す。図15中、図9と同一符号は、同一又は相当箇所を表す。
図16は、全体が1500で表される、本発明の実施の形態15にかかる半導体装置であり、(a)は上面図、(b)は(a)をXVI−XVI方向に見た場合の断面図を示す。図15中、図9と同一符号は、同一又は相当箇所を表す。
図17は、全体が1600で表される、本発明の実施の形態16にかかる半導体装置であり、(a)は上面図、(b)は(a)をXVII−XVII方向に見た場合の断面図を示す。図16中、図9と同一符号は、同一又は相当箇所を表す。
図18は、全体が1700で表される、本発明の実施の形態17にかかる半導体装置であり、(a)は上面図、(b)は(a)をXVIII−XVIII方向に見た場合の断面図を示す。図18中、図9と同一符号は、同一又は相当箇所を表す。
図19は、全体が1800で表される、本発明の実施の形態18にかかる半導体装置であり、(a)は上面図、(b)は(a)をXIX−XIX方向に見た場合の断面図を示す。図19中、図9と同一符号は、同一又は相当箇所を表す。
図14に示すように、
構造は実施例13に対して、回路部(領域B)やhFE低減構造(領域C)が高電圧配線13により影響を受けるのを防止するため、トレンチ導電体7の上部に、T字型に張り出した張り出し領域を設け、遮蔽構造を形成したものである。
Claims (17)
- 第1導電型の半導体基板と、
該半導体基板の上に設けられた第2導電型の半導体層と、
該半導体層中に設けられたトレンチと、
該トレンチの壁面に沿って設けられた第1導電型のトレンチ拡散層と、
該トレンチに埋め込まれた埋め込み導電体とを含む半導体装置であって、
更に、該トレンチの壁面と該埋め込み導電体との間に絶縁膜が設けられたことを特徴とする半導体装置。 - 上記トレンチが、上記半導体基板に達するように設けられたことを特徴とする請求項1に記載の半導体装置。
- 上記半導体基板と上記半導体層との間に、部分的に設けられた第2導電型の埋め込み層を含み、
上記トレンチの深さが上記半導体層の膜厚より小さく、かつ上記埋め込み層に達するように設けられたことを特徴とする請求項1の半導体装置。 - 上記埋め込み導電体が、上記トレンチ拡散層と電気的に接続されたことを特徴とする請求項1〜3のいずれかに記載の半導体装置。
- 上記トレンチの開口部周囲の上記半導体層に第1導電型の第1拡散層が設けられ、該第1拡散層の第1導電型の不純物濃度が、上記トレンチ拡散層の第1導電型の不純物濃度より低いことを特徴とする請求項1〜4のいずれかに記載の半導体装置。
- 上記トレンチの開口部近傍の上記トレンチ拡散層に沿って、第1導電型の第2拡散層が設けられ、該第2拡散層の第1導電型の不純物濃度が、該トレンチ拡散層の第1導電型の不純物濃度より低いことを特徴とする請求項1〜4のいずれかに記載の半導体装置。
- 上記トレンチが、上記半導体層の表面内で、コーナー部で略直角に曲げられた略矩形形状からなり、該コーナー部の周囲に上記第1拡散層が設けられたことを特徴とする請求項5に記載の半導体装置。
- 上記トレンチが、上記半導体層の表面内で、内角が90度より大きなコーナー部を有する多角形形状からなることを特徴とする請求項1〜4のいずれかに記載の半導体装置。
- 上記トレンチが、上記半導体層の表面内で、円弧状のコーナー部を有する形状からなることを特徴とする請求項1〜4のいずれかに記載の半導体装置。
- 上記トレンチに囲まれた領域に、半導体素子が設けられたことを特徴とする請求項7〜9のいずれかに記載の半導体装置。
- 上記トレンチが、上記半導体層の表面内で、分離領域を囲むように複数設けられ、
最外周の該トレンチの開口部近傍の上記トレンチ拡散層に沿って、第1導電型の第2拡散層が設けられ、
該第2拡散層の第1導電型の不純物濃度が、該トレンチ拡散層の第1導電型の不純物濃度より低いことを特徴とする請求項1に記載の半導体装置。 - 上記半導体基板と上記半導体層との間に、部分的に設けられた第2導電型の埋め込み層と、該埋め込み層の上方に設けられた回路部とを含み、
上記トレンチが、上記埋め込み層に達し、該半導体素子を囲みように設けられ、
上記トレンチ拡散層と上記埋め込み導電体が、該回路部に含まれる第2導電型の領域に接続されたことを特徴とする請求項1に記載の半導体装置。 - 上記トレンチが、上記半導体層の表面内で分離領域を囲むように、内周および外周に設けられ、
該内周のトレンチに囲まれた分離領域に高圧回路部またはレベルシフタ回路部が設けられ、該外周のトレンチの外側に低圧ロジック回路部が設けられ、該内周および外周のトレンチに囲まれた領域の第2導電型領域と、該分離領域に設けられた該外周のトレンチ拡散層とが電気的に接続されたことを特徴とする請求項1又は2に記載の半導体装置。 - レベルシフタ回路部を有する半導体層において、
該レベルシフタ回路部の高電圧部が第1導電型のドレインを有し、第2導電型の該半導体層とダイオードを形成し、第1導電型の該ドレインを囲むようにトレンチが形成されたことを特徴とする請求項3に記載の半導体装置。 - 更に、該トレンチに囲まれた該半導体層に、該ドレインと、第1導電型のソースと、ゲートとを含むMOSFETが設けられたことを特徴とする請求項14に記載の半導体装置。
- 上記MOSFETが、通常状態ではオン状態であり、上記トレンチに囲まれた上記半導体層の電位が上昇した異常状態でオフ状態となるようなしきい値に設計されたことを特徴とする請求項15に記載の半導体装置。
- 上記埋め込み導電体上部が、上記トレンチ拡散層の上部を覆うように張り出した張り出し領域を含むことを特徴とする請求項1〜4のいずれかに記載の半導体装置。
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