JP2014175324A - 低容量半導体装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】分離用トレンチ204と分離用トレンチ204Aを別々に形成し、分離用トレンチ204が高濃度第二導電型埋込み層202を突き抜けない構成とすることにより、ツェナーダイオード220の面積は高濃度第二導電型埋込み層202の面積だけで決まり、分離用トレンチ204の配置には依存しないため、ツェナーダイオード220の面積を小さくすることなく、低容量PNダイオード221の接合容量を小さくすることができ、過渡電圧に対する耐性を維持しつつ、半導体素子の容量を低減することができる。
【選択図】図1
Description
図3は従来の低容量半導体装置の構成を説明する図であり、図3(a)は従来の低容量半導体装置の断面構造図、図3(b)は従来の低容量半導体装置の等価回路図である。
このときの端子140のクランプ電圧VCL2は、PN接合ダイオード122の順方向電圧VF2で表される。いずれの場合においても、保護すべき回路の耐電圧に対して十分に低い値にクランプ電圧を設定することにより、信号線に接続される回路素子を保護することができる。
また、前記第一導電型層と前記第二導電型層との間において、前記第2の分離トレンチと前記第3の分離トレンチとが共有化されても良い。
(実施の形態1)
図1は実施の形態1における低容量半導体装置の構成を説明する図であり、図1(a)は実施の形態1の低容量半導体装置の断面構造図、図1(b)は実施の形態1の低容量半導体装置の等価回路図である。
このときの端子240のクランプ電圧VCL2は、低容量PNダイオード222の順方向電圧VF2で表される。いずれの場合においても、保護すべき回路の耐電圧に対して十分に低い値にクランプ電圧を設定することにより、信号線に接続される回路素子を保護することができる。
また、分離用トレンチ204を二本以上形成しても良く、この場合、ツェナーダイオード220と低容量PNダイオード222間に生ずる寄生容量を低減することができ、寄生容量による素子全体の容量増加を防ぐことができる。
(実施の形態2)
図2は実施の形態2における低容量半導体装置の構成を説明する図であり、図2(a)は実施の形態2の低容量半導体装置の断面構造図、図2(b)は実施の形態2の低容量半導体装置の等価回路図である。
このときの端子340のクランプ電圧VCL2は、低容量PNダイオード322の順方向電圧VF2で表される。いずれの場合においても、保護すべき回路の耐電圧に対して十分に低い値にクランプ電圧を設定することにより、信号線に接続される回路素子を保護することができる。
また、分離用トレンチ304を二本以上形成しても良く、この場合、ツェナーダイオード320と低容量PNダイオード322間に生ずる寄生容量を低減することができ、寄生容量による素子全体の容量増加を防ぐことができる。
102 埋込み層
103 エピタキシャル層
104 分離用トレンチ
105 第1の拡散層
106 第2の拡散層
107 分離用トレンチ
110 表面電極
120 ツェナーダイオード
121 PN接合ダイオード
122 PN接合ダイオード
140 端子
141 端子
201 第一導電型基板
202 高濃度第二導電型埋め込み層
203 低濃度第二導電型エピタキシャル層
204 分離用トレンチ
204A 分離用トレンチ
205 第一導電型層
206 第二導電型層
207 分離用トレンチ
208 コンタクト窓
209 コンタクト窓
210 表面電極
211 空乏層
214 絶縁膜
220 ツェナーダイオード
221 低容量PNダイオード
222 低容量PNダイオード
240 端子
241 端子
301 第一導電型基板
302 高濃度第二導電型埋め込み層
303 低濃度第一導電型エピタキシャル層
304 分離用トレンチ
304A 分離用トレンチ
305 第一導電型層
306 第二導電型層
307 分離用トレンチ
308 コンタクト窓
309 コンタクト窓
310 表面電極
311 空乏層
314 絶縁膜
320 ツェナーダイオード
321 低容量PNダイオード
322 低容量PNダイオード
340 端子
341 端子
Claims (4)
- 第一導電型基板と、
前記第一導電型基板上に形成される低濃度第二導電型エピタキシャル層と、
前記低濃度第二導電型エピタキシャル層の表面の一部に形成される第一導電型層と、
前記低濃度第二導電型エピタキシャル層の表面に前記第一導電型層と離間して形成される第二導電型層と、
前記第一導電型基板の前記低濃度第二導電型エピタキシャル層と接する表面の前記第一導電型層と向かい合う領域を含んで形成される高濃度第二導電型埋め込み層と、
前記第一導電型基板と前記高濃度第二導電型埋め込み層との境界部分を含んで形成される空乏層と、
前記第一導電型層を囲んで前記低濃度第二導電型エピタキシャルおよび前記高濃度第二導電型埋め込み層の前記空乏層の非形成領域のみに形成される第1の分離トレンチと、
前記高濃度第二導電型埋め込み層および空乏層を囲んで前記低濃度第二導電型エピタキシャル層から前記第一導電型基板にわたって形成される第2の分離トレンチと、
前記第二導電型層を囲んで前記低濃度第二導電型エピタキシャル層から前記第一導電型基板にわたって形成される第3の分離トレンチと、
前記第2の分離トレンチに囲まれる領域に前記第一導電型基板と前記高濃度第二導電型埋め込み層との境界をPN接合面として形成されるツェナーダイオードと、
前記第1の分離トレンチに囲まれる領域に前記第一導電型層と前記低濃度第二導電型エピタキシャル層との境界をPN接合面として形成される第1の低容量PNダイオードと、
前記第3の分離トレンチに囲まれる領域に前記第一導電型基板と前記低濃度第二導電型エピタキシャル層との境界をPN接合面として形成される第2の低容量PNダイオードと
を有し、前記ツェナーダイオードのPN接合面の面積が前記第1の低容量PNダイオードのPN接合面の面積より大きいことを特徴とする低容量半導体装置。 - 第一導電型基板と、
前記第一導電型基板上に形成される低濃度第一導電型エピタキシャル層と、
前記低濃度第一導電型エピタキシャル層の表面の一部に形成される第一導電型層と、
前記低濃度第一導電型エピタキシャル層の表面に前記第一導電型層と離間して形成される第二導電型層と、
前記第一導電型基板の前記低濃度第一導電型エピタキシャル層と接する表面の前記第一導電型層と向かい合う領域を含んで形成される高濃度第二導電型埋め込み層と、
前記第一導電型基板と前記高濃度第二導電型埋め込み層との境界部分を含んで形成される空乏層と、
前記第一導電型層を囲んで前記低濃度第一導電型エピタキシャル層および前記高濃度第二導電型埋め込み層の前記空乏層の非形成領域のみに形成される第1の分離トレンチと、
前記高濃度第二導電型埋め込み層および空乏層を囲んで前記低濃度第一導電型エピタキシャル層から前記第一導電型基板にわたって形成される第2の分離トレンチと、
前記第二導電型層を囲んで前記低濃度第一導電型エピタキシャル層から前記第一導電型基板にわたって形成される第3の分離トレンチと、
前記第2の分離トレンチに囲まれる領域に前記第一導電型基板と前記高濃度第二導電型埋め込み層との境界をPN接合面として形成されるツェナーダイオードと、
前記第1の分離トレンチに囲まれる領域に前記高濃度第二導電型埋め込み層と前記低濃度第一導電型エピタキシャル層との境界をPN接合面として形成される第1の低容量PNダイオードと、
前記第3の分離トレンチに囲まれる領域に前記第二導電型層と前記低濃度第一導電型エピタキシャル層との境界をPN接合面として形成される第2の低容量PNダイオードと
を有し、前記ツェナーダイオードのPN接合面の面積が前記第1の低容量PNダイオードのPN接合面の面積より大きいことを特徴とする低容量半導体装置。 - 前記第2の分離トレンチを複数有することを特徴とする請求項1または請求項2のいずれかに記載の低容量半導体装置。
- 前記第一導電型層と前記第二導電型層との間において、前記第2の分離トレンチと前記第3の分離トレンチとが共有化されることを特徴とする請求項1〜請求項3のいずれか1項に記載の低容量半導体装置。
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JP2013043607A JP2014175324A (ja) | 2013-03-06 | 2013-03-06 | 低容量半導体装置 |
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JP2013043607A JP2014175324A (ja) | 2013-03-06 | 2013-03-06 | 低容量半導体装置 |
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JP (1) | JP2014175324A (ja) |
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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2013
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