JP2007173484A5 - - Google Patents

Claims (8)

1. 第１レベル配線層と、第２レベル配線層と、第３レベル配線層とを備えるマルチレベル配線構造と、前記第２レベル配線層は、前記第１レベル配線層と前記第３レベル配線層との間にあり、
   前記第１レベル配線層として形成され、第１方向に延びる第１配線と、
   前記第２レベル配線層として形成され、前記第１配線を横切るように延伸する第２配線と、前記第２配線は、前記第１配線に関して互いに対向する第１と第２の側に置かれた第１部分と第２部分とを有し、前記第１部分と前記第２部分は、前記第１方向に互いに離れており、
   前記第３レベル配線層として形成され、前記第１配線を横切るように延伸する第３配線と、前記第３配線は、前記第１配線に関して前記第１と第２の側に置かれた第３部分と第４部分とを有し、
   前記第２配線の前記第２部分は、前記第１配線に関して前記第２の側の前記第３配線の前記第３部分にビアを介して接続される、半導体装置。
2. 請求項１に記載の半導体装置において、
   前記第２配線は、前記第１方向とは異なり、前記第１方向と直交しない第２方向に延伸し、
   前記第３配線は、前記第１方向と直交する第３方向に延伸し、
   前記第２レベル配線層として形成される第４配線を更に備え、
   前記第４配線は、前記第１配線に関して前記第１の側の前記第３配線の前記第４部分にビアを介して接続される第５部分を有し、前記第５部分から前記第２方向に延伸している、半導体装置。
3. 請求項１に記載の半導体装置において、
   前記第２配線は、前記第１方向とは異なり、前記第１方向と直交しない第２方向に延伸し、
   前記第３配線は、前記第１方向とは直交せず、前記第１と第２の方向とは異なる第３方向に延伸し、
   前記第３配線の前記第４部分は、前記第２方向に前記第２配線の前記第１と第２の部分とそれぞれ離れている、半導体装置。
4. 請求項３に記載の半導体装置において、
   前記第２レベル配線層として形成される第４配線を更に備え、
   前記第４配線は、前記第１配線に関して前記第１の側の前記第３配線の前記第４部分にビアを介して接続される第５部分を有し、前記第５部分から前記第２方向に延伸している、半導体装置。
5. 請求項１に記載の半導体装置において、
   前記第２配線の前記第１と第２の部分の各々は、前記第１方向に直交する方向に延伸し、前記第１と第２の部分を互いに接続するように前記第１配線上を横切る第６部分を有する、半導体装置。
6. 請求項５に記載の半導体装置において、
   前記第３配線は、前記第１方向に直交する方向に延伸し、
   前記第２レベル配線層として形成される第４配線を更に備え、
   前記第４配線は、前記第１配線に関して前記第１の側の前記第３配線の前記第４部分にビアを介して接続されている、半導体装置。
7. 請求項６に記載の半導体装置において、
   前記第４配線は、前記第１方向に延伸した後、前記第１方向に直交する方向に曲がり、更に前記第１の方向に再び曲がる、半導体装置。
8. 請求項１、２、３、４、７のいずれかひとつに記載の半導体装置において、
   前記第１配線層として形成され前記第１方向に延伸する複数の第５配線を更に備え、
   前記第３配線は、前記複数の第５配線の各々を横切る、半導体装置。