JP2007147620A - 光応力発生器及び検出器 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】機械的特性及び熱特性の測定による薄膜と薄膜間の界面との特性調査のためのシステムにおいて、レーザ136からの光は、薄膜や、複数の薄膜で作製された構造物に吸収され、光の透過あるいは反射の変化が測定されて、解析器134を使用して分析される。反射や透過の変化が使用されて、構造物で生成される超音波に関する情報を与える。この測定方法及び装置の使用から得られる情報は、(a)初期の方法と比較して改善された速度および精度での薄膜の厚さの測定、(b)薄膜の熱特性、弾性特性、光特性の測定、(c)薄膜内の応力の測定、(d)粗さと欠陥との存在を含む、界面の特性の特性調査、を含む。
【選択図】図18
Description
(Spinger−Verlag、N.Y.1984)第106ページ乃至第110ページを参照のこと。
また、この方法は、プローブパルスが応力パルスを遮った後のプローブビームの強度を測定することによって、応力パルスによって誘起された光学定数の変化も検出する。
検出器60からの出力は、入射ポンプビーム強度(e)と、入射プローブビーム強度(f)と、反射ポンプビーム強度(g)と、反射プローブビーム強度(h)
と、プローブ変調強度(i)、すなわち反射プローブ強度の変調部分のみ、に比例した信号を含む。これらの検出器出力は、プロセッサ66に供給される。プロセッサ66は、入力からサンプルの反射率Rの断片的な変化(すなわち、ΔR/R)を計算し、入射ポンプビームの強度によってこの変化を規格化する。
(図3b) サンプル平面に本質的に垂直であり、互いに平行であり、さらに(図6に示すように)共通レンズ98を通過して集束されるポンプ及びプローブビーム
(図3c) 入射面に直角な面内に位置して互いに平行であり、共通レンズ48,52によって集束されるポンプ及びプローブビーム
(図3e) (i)別々に集束される垂直なポンプビームと、傾斜しているプローブビーム、あるいは(ii)垂直なプローブと、傾斜したポンプ
(図3f) サンプル面に垂直であり且つ同軸であり、共通レンズ74によって収束されるポンプビーム及びプローブビーム
ポンプビームとプローブビームと間の可変遅延は、プローブビームパスのコンピュータ制御遅延ステージ44によって図2に示すように実行される。または、同様な遅延ステージは、プローブパルスに対する時間のポンプビームパルスを「進める」ためにポンプビームパス内に挿入される。非常に長い遅延が、単一の並進ステージ44に複数の逆反射体46を配置することによって、図9に示すように実行される。本実施例において、複数のビーム操作鏡110aが使用されて、逆反射体46の各々にプローブビーム21bを導くので、ポンプビームパス長に対するプローブビームパス長が相当量増加する。連続するパルスの間の時間よりも長い遅延を実行することは可能であり、故に、プローブの前の1つのパルス間隔以上でサンプルに到着するポンプパルスの影響が検知される。
1992年10月12日、第1787頁乃至第1789頁)ことは注目すべきである。タスらは、エコーではなく、アルミニウムの鳴動音(ringing)を観察した。さらに、その結果は、非常に柔軟な材料の高度に均一且つ超薄膜層の上面に金属フィルムが蒸着された非常に狭いクラスの構造物に対するものであった。
の複雑であるが計算可能な変化を引き起こす。エコーも、時間特性の簡単な事例である。他のより複雑な時間特性も、ナノ構造体や多層サンプルの超音波振動に相当するもの等として、検出される。これらの他の時間特性は、表面へ戻る応力パルスに対応しない。検出の必要条件は、ポンプによって生成された応力が、プローブビームと相互に影響し合うサンプルの深さにあるということである。
に対して移動する。これは、大きな物体(直径300mmのウェハや機械構造物等)の走査に対して特に重要である。本実施例では、ポンプビーム、プロープビーム、ビデオは、光ファイバやファイバ束によって並進可能なヘッドに送られる。
のDC成分は、基準ビーム入力D5、あるいはその一部を引いてD1の未変調部をキャンセルすることによって、または、変調のそれ以外の周波数を抑えるためにD1の出力を電気的にフィルタ処理することによって、抑制される。次に、信号の小さな変調部は、増幅されて保存される。偏光解析法に対しては、小さな変調部は存在せず、全信号は、回転補償器(図17を参照)の各回転の間に多数回サンプリングされ、生じた波形は、分析されて偏光解析的なパラメータを生成する。反射率測定に対しては、サンプルによる未変調プローブビーム全体の強度変化は、D1及びD2出力信号(D2は入射プローブの強度に比例した信号を測定する)の使用によって測定される。同様に、さらなる反射率測定データは、検出器D3,D4を使用してポンプビームから得られる。ビームの一方または両方からの反射率測定データの分析が使用されて、サンプルの特性を調べる。2つのビームの使用は、分解能の改善、さらに関連した式の解のあいまいな点を解くのに有効である。
(2) 透過プローブビームの強度の変化ΔT
(3) 反射プローブビームの偏光の変化Δ
(4) 反射プローブビームの光位相の変化Δφ
(5) プローブビームの反射角の変化Δθ
これらの量(1)−(5)は、全てポンプパルスによって誘起されるサンプルの過渡応答とすべて見なされる。これらの測定値は、下記のうちの少なくとも1つとともに作成される。
(a) ポンプまたはプローブ光の入射角の関数としてリストされた量(1)−(5)の一部またはすべての測定
(b) ポンプやプローブ光に対する複数の波長の関数としての量(1)−(5)の任意のものの測定
(c) ポンプまたはプローブビームの平均入射及び反射強度の測定による光の反射率の測定
(d) 反射時のポンプやプローブビームの平均位相変化の測定
(e) 入射及び反射ポンプまたはプローブビームの平均偏光及び光位相の測定
量(c)、(d)及び(e)は、ポンプビームに対するサンプルの平均あるいは静的反応であると考えられる。
何となれば、絶対速度を測定するために、膜厚の非常に正確な値を有することが必要であるからである。一方、音速の温度依存性を測定することは、音響走行時間の温度依存性の測定のみを必要とする。この量から音速の温度依存性を測定するために、補正を適用してサンプルの熱膨張を許容することのみが必要である。
(1) 反射プローブビームの強度の小さな変調変化ΔR
(2) 透過プローブビームの強度の変化ΔT
(3) 反射プローブビームの偏光の変化ΔP
(4) 反射プローブビームの光位相の変化Δφ
(5) プローブビームの反射角度の変化Δθ
導関数を測定するために、プローブパルス遅延は、ポンプまたはプローブパスにて振動する光成分によって小範囲に対して周期的に変化する。10Hzから1MHzまでの周波数範囲が、この目的に適している。
(b) ポンプまたはプローブのサンプルへの案内
(c) サンプルから反射されりサンプルを透過したプローブの収集
(d) 入力状態を変えるための一定のプローブ出力分布及び位置の維持
本発明によるピコ秒超音波システムは、以下の特徴を備えた光源を組入んでいる。
(A) 初期応力分布
ポンプパルスの吸収の結果生成されたサンプルの応力分布は、サンプルに存在する様々な材料の光吸収と、これらの材料の比熱と、熱の膨張係数と、弾性定数との既知の値を使用して計算される。応力分布を計算するために、熱拡散の影響を考慮する。各フィルムの全体にわたって均一の材料特性を備えた様々な材料からなる複数の平面フィルムから構成されたサンプルに対して、下記プロシージャが使用される。
(B) 時間による応力及び歪みの変化
次に、サンプルの応力及び歪みの変化は、物理的な音響学の法則を使用して、時間及び位置の関数として計算される。この計算は、以下の計算を実行する「ステッピングアルゴリズム」によって効果的に実行される。
次に、各ビンの応力は、2つの成分に分解され、一方は、サンプルの自由面に向かって且つそれから遠ざかるように最初は伝搬する。あるフィルム内で、これらの2つの成分は、適切な方向へビンからビンに向けて前にステップする。2つのフィルムの間の界面に隣接するビンに対して、界面に向かって伝搬する応力は、一部が界面の反対側の第1のビンへステップされ、それでもなお、逆方向への伝搬ではなく、同じ方向へ伝搬され、一部がオリジナルのビンへ伝搬する。界面を横切ってステップされる応力の一部と、方向を逆にする部分とは、物理音響学の法則から計算される。構造物の上面(自由面)で、表面に隣接しているビンにあり表面に向けて伝搬する応力は、同じビンに残るが、その方向は逆になる。すなわち、それは、上面に向かうよりも構造物の内部へと伝搬する応力パルスになる。このプロシージャを多数の時間ステップτに対するすべてのビンに適用することによって、応力分布は、測定される結果との比較のために必要とされる長時間に対して計算される。計算された応力から、歪みは、適切な弾性の係数による除算によって計算される。
(1) 各時間ステップτで、基板の単一のビンにあり且つ基板に向かって伝搬する応力は、基板の残りの部分に完全に伝達されて反射される応力が無いと考えられる。
(2) 基板ビン内にあり且つフィルム構造物に向かって伝搬する応力は、0とされる。基板に達する量の光は、基板に蒸着されたすべてのフィルムを通り抜けた後で、無視できれば、基板の処理のこの説明は、当てはまる。この条件は、現在の産業の対象である大多数の構造物に適用できる。
(C) プローブによって測定された過渡応答の計算
サンプルへの深さの関数として計算された歪み分配から、光学定数の変化Δn,Δκが計算される。このステップは弾性の歪みについての光学定数n及びκの導関数の情報を必要とする。
一連のかかるシミュレーションは、構造物中のフィルムの想定厚さが変化するときに実行される。シミュレーションの結果を測定された量ΔR、ΔT、ΔP、Δφ,Δθの少なくともいくつかと比較することによって、フィルムの厚さが測定される。
すなわち、
(a)ポンプやプローブビームの平均入射及び反射強度の測定による光の反射率の測定、
(b)反射時のポンプやプローブビームの平均位相変化の測定、
(c)入射及び反射ポンプまたはプローブビームの平均偏光及び光位相の測定。
(1)測定された反射係数Rpumpとシミュレーションとの比較
(2)測定された反射係数Rprobeとシミュレーションとの比較
(3)反射プローブ光の電力の測定された瞬間的な変化ΔPprobe-reflとシュミレーションとの比較
シミュレーションの変化と測定された変化との比較を行うために、前述の式(6)から、Aeffectiveの値を知ることが必要であることが分かる。これは、下記の方法によって実行される。
(a) 第1の方法は、サンプルの表面に対するポンプ及びプローブビームの強度変化、すなわち位置の関数として、
(b) 第2の方法は、面積Aeffectiveが周知のシステムSでのサンプルに対する過渡応答ΔPprobe-reflを測定する。次に、この方法は、面積Aeffectiveが測定されることになっているシステムS'での同一サンプルの反応ΔPprobe-reflを測定する。2つのシステムでの反応の比は、2つのシステムに対する有効面積の比の逆数を与える。これは有効な方法である。何となれば、システムSは、ポンプ及びプローブビームによって照射される面積が、高速測定能力を備えた器具に対して必要とされるものよりも大きくなるように特別に構成されたシステムとなるように選択されるからである。その面積がこのシステムにとっては大きいので、サンプルの表面に対するポンプ及びプローブビームの強度変化、位置の関数としてすなわち
(c) 第3の方法は、サンプルの単位面積当たり単位エネルギのポンプパルスで照射される場合、サンプルのシミュレートされた反射率変化ΔRsim(t)の計算を始める全ての量が周知である、サンプルに対する過渡応答ΔPprobe-reflを測定する。次に、測定された過渡応答ΔPprobe-reflを式(6)から予測された反応と比較することによって、有効面積Aeffectiveが測定される。
(a) 第1の方法は、サンプルの単位面積当たり単位エネルギのポンプパルスで照射される時、サンプルのシミュレートされた反射率変化ΔRsim(t)の計算を始める量のすべてが周知のサンプルに対する、過渡応答ΔVprobe-reflを測定する。次に、方法はVprobe-incとVpump-incとを測定し、次に、測定あるいはコンピュータシミュレーションのいずれかによってRpumpを測定する。次に、この方法は、式(8)を満たすような定数Cの値を見つける。
(b) 第2の方法は、過渡光反応ΔR(t)が、サンプルの単位面積当たり単位エネルギのポンプパルスで照射される時、例えば上記方法によって、予め較正されたシステムを使用して測定される基準サンプルに対する過渡応答ΔVprobe-reflを測定する。次に、方法は、Vprobe-inc及びVpump-incを測定し、測定によってRpumpを測定し、次に、次式を満たすように定数Cの値を見いだす。
Claims (45)
- サンプルの特性を調べる非破壊システムであって、
光ポンプパルスを生成して、サンプルの表面の領域にポンプパルスを導く手段と、
光プローブパルスを生成して、ポンプパルスの後に到着するように、サンプルの表面の同一領域あるいは異なる領域にプローブパルスを導き、ポンプパルスはプローブパルスと同じ波長あるいはプローブパルスの波長とは異なる波長を有する、手段と、
サンプルの表面にポンプおよびプローブパルスの集束を自動的に制御する手段と、
ポンプパルスに対する構造物の少なくとも1つの過渡応答を測定し、測定された過渡応答は、プローブパルスの反射部分の強度における変調変化ΔR、プローブパルスの透過部分の強度変化ΔT、反射プローブパルスの偏光の変化ΔP、反射プローブパルスの光位相の変化Δφ、プローブパルスの反射角度の変化Δθ、の少なくとも1つの測定値からなる、手段と、
サンプルの光過渡応答の振幅を測定する測定システムを較正する手段と、
構造物の対象の少なくとも1つの特性に、前記測定手段の出力を相関させる手段と、
からなることを特徴とする非破壊システム。 - ポンプまたはプローブパルスの入射角度の少なくとも一方の関数として、さらにポンプおよびプローブパルスの少なくとも一方の波長の関数として、過渡応答の導関数を測定する手段をさらに有することを特徴とする請求項1記載のサンプルの特性を調べる非破壊システム。
- ポンプパルスに対するサンプルの少なくとも1つの静止反応を測定する手段をさらに有し、静止反応測定値は、ポンプおよびプローブパルスの少なくとも一方の平均入射及び反射強度に応じた光反射率と、構造物から反射されたときのポンプ及びプローブパルスの少なくとも一方の平均位相変化と、入射及び反射ポンプおよびプローブパルスの少なくとも一方の平均偏光および光位相との少なくとも1つの測定値からなることを特徴とする請求項1記載のサンプルの特性を調べる非破壊システム。
- 対象の前記特性は、サンプルの少なくとも1層の厚さと、少なくとも1層の機械的性質と、少なくとも1つの層と別の1層及び基板の少なくとも一方との間の界面の特性と、を含むことを特徴とする請求項1記載のサンプルの特性を調べる非破壊システム。
- 前記ポンプおよびプローブパルスの少なくとも一方に対して前記サンプルの位置を変える手段をさらに有することを特徴とする請求項1記載のサンプルの特性を調べる非破壊システム。
- 前記測定手段の動作中に前記サンプルの温度を変える手段と、温度に対する前記サンプル内での音波の速度の導関数を測定する手段と、測定された導関数を前記サンプル内の静止応力と相関させる手段と、をさらに有することを特徴とする請求項1記載のサンプルの特性を調べる非破壊システム。
- 前記ポンプおよびプローブパルスは、前記サンプルに前記ポンプおよびプローブパルスをフォーカスせしめるように配置された焦点対物レンズに向けて平行な光路に沿って印加されることを特徴とする請求項1記載のサンプルの特性を調べる非破壊システム。
- 前記ポンプおよびプローブパルスは、前記サンプルに前記ポンプおよびプローブパルスをフォーカスせしめるように配置された焦点対物レンズに向けて平行な光路に沿って印加され、前記サンプルに対して法線角度または傾斜した入射角度のうちの一方で印加されることを特徴とする請求項1記載のサンプルの特性を調べる非破壊システム。
- 前記ポンプおよびプローブパルスの一方は、法線入射角度で前記サンプルの前記表面に印加され、前記ポンプおよびプローブパルスの他方は、傾斜した入射角度で前記サンプルの前記表面に印加されることを特徴とする請求項1記載のサンプルの特性を調べる非破壊システム。
- 前記ポンプおよびプローブパルスは、単一のレーザパルスから導出されれることを特徴とする請求項1記載のサンプルの特性を調べる非破壊システム。
- 前記ポンプおよびプローブパルスは、それぞれ別々のレーザパルスから導出されることを特徴とする請求項1記載のサンプルの特性を調べる非破壊システム。
- 前記ポンプおよびプローブパルスは、単一のレーザパルスから導出され、前記単一のレーザパルスの波長を前記波長の高調波に変換してポンプおよびプローブパルスの一方が他方のパルスの波長とは異なる波長を有するようにする手段をさらに有することを特徴とする請求項1記載のサンプルの特性を調べる非破壊システム。
- 前記ポンプおよびプローブパルスの少なくとも一方に対して強度変調を行う手段をさらに有することを特徴とする請求項1記載のサンプルの特性を調べる非破壊システム。
- 強度変調を行う前記手段は、前記ポンプまたはプローブパルスを生成するレーザのパルス反復周期と同期していることを特徴とする請求項13記載のサンプルの特性を調べる非破壊システム。
- 強度変調を行う前記手段は、最初に前記ポンプパルスに強度変調周波数を与え、次に前記プローブパルスに異なる強度変調周波数を与えることを特徴とする請求項13記載のサンプルの特性を調べる非破壊システム。
- 持続波光で前記サンプルの表面の一部を照射する持続波レーザ源と、
反射された持続波光に反応して、前記サンプルの偏光解析測定を実行する手段と、
をさらに有することを特徴とする請求項1記載のサンプルの特性を調べる非破壊システム。 - 前記サンプルの表面の一部を照射する光源と、
前記照らされた部分のイメージを形成し、オペレータあるいはパターン識別ソフトウェアの一方に画像を提供する手段と、
をさらに有することを特徴とする請求項1記載のサンプルの特性を調べる非破壊システム。 - システムの動作中に、熱放射で前記サンプルの表面の一部を照射して前記サンプルの温度を制御自在に変える熱源をさらに有することを特徴とする請求項1記載のサンプルの特性を調べる非破壊システム。
- 前記測定手段は、前記ポンプパルスと前記プローブパルスとの間の時間遅延に関するサンプルの前記少なくとも1つの過渡応答の導関数を直接測定することを特徴とする請求項1記載のサンプルの特性を調べる非破壊システム。
- ポンプおよびプローブパルスの一方は、他方のパルスの波長とは異なる波長を有し、さらに、プローブパルスの光路に波長選択フィルタを有してプローブパルスを通過せしめながらもポンプパルスの散乱部分を遮断することを特徴とする請求項1記載のサンプルの特性を調べる非破壊システム。
- プローブパルスがサンプルに入射する位置とポンプパルスがサンプルに入射する位置との間の空間関係を変更する手段をさらに有することを特徴とする請求項1記載のサンプルの特性を調べる非破壊システム。
- 前記ポンプおよびプローブパルスは、第1および第2のパルスレーザ源からそれぞれ導かれ、前記第1レーザ源のパルス反復周期は、前記第2レーザ源のパルス反復周期とは異なることを特徴とする請求項1記載のサンプルの特性を調べる非破壊システム。
- プローブパルスエネルギに対するポンプパルスエネルギの比を自動的に変える手段をさらに有することを特徴とする請求項1記載のサンプルの特性を調べる非破壊システム。
- プローブパルスとポンプパルスとの間の時間オフセットの範囲に対して、サンプルでのプローブパルスの本質的に一定な位置、形状、サイズを自動的に維持する手段をさらに有することを特徴とする請求項1記載のサンプルの特性を調べる非破壊システム。
- 前記ポンプパルスとは独立に前記サンプルの表面に前記プローブパルスを集束せしめて並進移動せしめる手段をさらに有することを特徴とする請求項1記載のサンプルの特性を調べる非破壊システム。
- 前記集束且つ並進移動手段は、前記プローブパルスのニアフィールドフォーカシングを実行するために端部にテーパが付された直径を有する光ファイバと、前記ポンプパルスの焦点に対して前記光ファイバの前記テーパが付された端部を並進移動せしめる手段と、からることを特徴とする請求項25記載のサンプルの特性を調べる非破壊システム。
- 前記集束且つ並進移動手段は、反射プローブ光を収集するように端部が配置された光ファイバと、前記サンプルの表面に向けて前記光ファイバを並進移動せしめる手段と、からなることを特徴とする請求項25記載のサンプルの特性を調べる非破壊システム。
- 前記サンプルに対して前記ポンプおよびプローブパルスを導くために、各々が前記サンプルの表面に対して端部が配置された複数の光ファイバからなることを特徴とする請求項1記載のサンプルの特性を調べる非破壊システム。
- 反射プローブ光を集めるために表面に対して端部が配置された光ファイバをさらに有することを特徴とする請求項28記載のサンプルの特性を調べる非破壊システム。
- 前記サンプルは、前記ポンプまたはプローブパルスの一方の焦点直径よりも小なる直径を有する複数のパターン化サブ構造物で構成され、前記サブ構造物の複数は、前記ポンプおよびプローブパルスによって同時に照射されることを特徴とする請求項1記載のサンプルの特性を調べる非破壊システム。
- 前記サンプルは、周期的に配置された複数のサブ構造物で構成され、ポンプパルスに対する前記サブ構造物の震動反応のシミュレーションに、前記サブ構造物の光反応を比較することにより、前記サブ構造物の少なくとも1つの特性を測定する手段をさらに有することを特徴とする請求項1記載のサンプルの特性を調べる非破壊システム。
- プローブパルスの反射部分の少なくとも1つの音響エコーの存在を検出する手段をさらに有することを特徴とする請求項1記載のサンプルの特性を調べる非破壊システム。
- 前記検出手段は、音響エコーの対象の特性の時間で位置を検出することにより音響エコーの到着時間を測定することを特徴とする請求項32記載のサンプルの特性を調べる非破壊システム。
- 前記検出手段は、検出された音響エコーを所定の関数とコンボリューションすることにより音響エコーの到着時間を測定することを特徴とする請求項32記載のサンプルの特性を調べる非破壊システム。
- 前記測定手段は、前記プローブパルスの少なくとも2つの異なる入射角度での過渡応答を測定することを特徴とする請求項1記載のサンプルの特性を調べる非破壊システム。
- 前記サンプルは、透明層および部分吸収層の一方をさらに有することを特徴とする請求項1記載のサンプルの特性を調べる非破壊システム。
- 前記サンプルは、少なくともつの第2の層の下に配置された少なくとも1つの第1の層をさらに有し、少なくとも前記プローブパルスは、前記少なくとも1つの第2の層を通過して前記少なくとも1つの第1の層に到達することを特徴とする請求項1記載のサンプルの特性を調べる非破壊システム。
- 前記相関手段は、ポンプおよびプローブパルスの印加、あるいは基準サンプルへのポンプおよびプローブパルスの印加の結果に対する、サンプルのシミュレーションの少なくとも1つと、前記測定手段の出力とを比較する手段をさらに有することを特徴とする請求項1記載のサンプルの特性を調べる非破壊システム。
- 前記ポンプパルスは、サンプルの表面の第1の位置に印加され、前記プローブパルスは、同じ位置またはサンプルの異なる表面の第2の位置に印加され、前記相関手段は、第1及び第2の位置の間に位置するサンプルの部分に対する対象の特性を測定することを特徴とする請求項1記載のサンプルの特性を調べる非破壊システム。
- 前記サンプルは、少なくとも1つの3次元多層サブ構造物へパターン化され、前記相関手段は、ポンプおよびプローブパルスの印加に対する少なくとも1つの多層サブ構造物の3次元シミュレーションと前記測定手段の出力とを比較する手段をさらに有することを特徴とする請求項1記載のサンプルの特性を調べる非破壊システム。
- 前記対象の特性は、少なくとも1つの層と別の層及び基板の一方との中間層の特性を含むことを特徴とする請求項1記載のサンプルの特性を調べる非破壊システム。
- 中間層の前記特性は、中間層の厚さ、中間層の構造的位相、中間層内に位置する化学種の少なくとも1つを含むことを特徴とする請求項1記載のサンプルの特性を調べる非破壊システム。
- 前記対象の特性は、別の隣接する層への、あるいは基板への少なくとも1つの層の接着特性を含むことを特徴とする請求項1記載のサンプルの特性を調べる非破壊システム。
- 前記対象の特性は、ポンプパルスによって誘起される応力や歪みについての消滅係数の導関数或いは屈折率の導関数の少なくとも1つを含むことを特徴とする請求項1記載のサンプルの特性を調べる非破壊システム。
- サンプルの特性を調べる非破壊方法であって、
光ポンプパルスを生成してサンプルの表面領域にポンプパルスを導く行程と、
生成された光ポンプパルスの各々に対して、光プローブパルスを生成してポンプパルスの後に到着するようにサンプルの表面にプローブパルスを導く行程と、
自動的にポンプおよびプローブパルスを集束せしめて所定のフォーカス状態を得る行程と、
ポンプパルスに対する構造物の少なくとも1つの過渡応答の測定する行程であって、測定される過渡応答は、プローブパルスの反射部分の強度の変調変化ΔRと、プローブパルスの透過部分の強度変化ΔTと、反射プローブパルスの偏光の変化ΔPと、反射プローブパルスの光位相の変化Δφと、プローブパルスの反射角度の変化Δβとのうちの少なくとも1の測定からなる行程と、
少なくとも1つの較正要素を少なくとも1つの過渡応答に適用する行程と、
前記測定手段の出力を構造物の対象の少なくとも1つの特性と相関させる行程と、
基準データセットを測定された過渡応答と一致せしめるために構造物の1つ以上の特性の値を調節する行程と、
1つ以上の特性の調節された値を構造物の1つ以上の実際の特性の値に相関させる行程と、
からなることを特徴とする非破壊方法。
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