JP2007146283A - マグネシウム、珪素、スズからなる金属間化合物の焼結体およびその製造方法 - Google Patents
マグネシウム、珪素、スズからなる金属間化合物の焼結体およびその製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2007146283A JP2007146283A JP2006243251A JP2006243251A JP2007146283A JP 2007146283 A JP2007146283 A JP 2007146283A JP 2006243251 A JP2006243251 A JP 2006243251A JP 2006243251 A JP2006243251 A JP 2006243251A JP 2007146283 A JP2007146283 A JP 2007146283A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- silicon
- magnesium
- intermetallic compound
- tin
- dopant
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 229910000765 intermetallic Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 50
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 45
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 44
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 42
- 239000011135 tin Substances 0.000 title claims description 70
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 title claims description 50
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims description 45
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims description 43
- FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N Magnesium Chemical compound [Mg] FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims description 40
- 239000010703 silicon Substances 0.000 title claims description 39
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 26
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 claims abstract description 41
- 229910052797 bismuth Inorganic materials 0.000 claims abstract description 28
- 239000006104 solid solution Substances 0.000 claims abstract description 24
- 229910052787 antimony Inorganic materials 0.000 claims abstract description 21
- 239000000843 powder Substances 0.000 claims abstract description 17
- 239000011863 silicon-based powder Substances 0.000 claims abstract description 9
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims abstract description 8
- 238000002156 mixing Methods 0.000 claims abstract description 6
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims abstract description 5
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims abstract 3
- 229910019018 Mg 2 Si Inorganic materials 0.000 claims description 24
- JCXGWMGPZLAOME-UHFFFAOYSA-N bismuth atom Chemical group [Bi] JCXGWMGPZLAOME-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 19
- WATWJIUSRGPENY-UHFFFAOYSA-N antimony atom Chemical group [Sb] WATWJIUSRGPENY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 14
- 239000002994 raw material Substances 0.000 claims description 7
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 6
- 238000003746 solid phase reaction Methods 0.000 claims description 6
- 230000002194 synthesizing effect Effects 0.000 claims description 4
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 abstract description 9
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 abstract description 7
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 abstract description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 abstract description 2
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 abstract description 2
- 239000000243 solution Substances 0.000 abstract 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 13
- 239000012071 phase Substances 0.000 description 8
- 238000005245 sintering Methods 0.000 description 7
- 238000002441 X-ray diffraction Methods 0.000 description 6
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 6
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 5
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 238000007731 hot pressing Methods 0.000 description 4
- 229910019021 Mg 2 Sn Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000012300 argon atmosphere Substances 0.000 description 2
- 239000012298 atmosphere Substances 0.000 description 2
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 2
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 2
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 2
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 2
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 2
- 239000011734 sodium Substances 0.000 description 2
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical compound [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M Ilexoside XXIX Chemical compound C[C@@H]1CC[C@@]2(CC[C@@]3(C(=CC[C@H]4[C@]3(CC[C@@H]5[C@@]4(CC[C@@H](C5(C)C)OS(=O)(=O)[O-])C)C)[C@@H]2[C@]1(C)O)C)C(=O)O[C@H]6[C@@H]([C@H]([C@@H]([C@H](O6)CO)O)O)O.[Na+] DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M 0.000 description 1
- WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N Lithium Chemical compound [Li] WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910002665 PbTe Inorganic materials 0.000 description 1
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZLMJMSJWJFRBEC-UHFFFAOYSA-N Potassium Chemical compound [K] ZLMJMSJWJFRBEC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052785 arsenic Inorganic materials 0.000 description 1
- RQNWIZPPADIBDY-UHFFFAOYSA-N arsenic atom Chemical compound [As] RQNWIZPPADIBDY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000013329 compounding Methods 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000003814 drug Substances 0.000 description 1
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 1
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 1
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052746 lanthanum Inorganic materials 0.000 description 1
- FZLIPJUXYLNCLC-UHFFFAOYSA-N lanthanum atom Chemical compound [La] FZLIPJUXYLNCLC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052744 lithium Inorganic materials 0.000 description 1
- 231100000053 low toxicity Toxicity 0.000 description 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
- 239000004570 mortar (masonry) Substances 0.000 description 1
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 description 1
- 229910052700 potassium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011591 potassium Substances 0.000 description 1
- 229910052706 scandium Inorganic materials 0.000 description 1
- SIXSYDAISGFNSX-UHFFFAOYSA-N scandium atom Chemical compound [Sc] SIXSYDAISGFNSX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 1
- 229910052708 sodium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- OCGWQDWYSQAFTO-UHFFFAOYSA-N tellanylidenelead Chemical compound [Pb]=[Te] OCGWQDWYSQAFTO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 231100000419 toxicity Toxicity 0.000 description 1
- 230000001988 toxicity Effects 0.000 description 1
- 229910052727 yttrium Inorganic materials 0.000 description 1
- VWQVUPCCIRVNHF-UHFFFAOYSA-N yttrium atom Chemical compound [Y] VWQVUPCCIRVNHF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N10/00—Thermoelectric devices comprising a junction of dissimilar materials, i.e. devices exhibiting Seebeck or Peltier effects
- H10N10/80—Constructional details
- H10N10/85—Thermoelectric active materials
- H10N10/851—Thermoelectric active materials comprising inorganic compositions
- H10N10/855—Thermoelectric active materials comprising inorganic compositions comprising compounds containing boron, carbon, oxygen or nitrogen
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Powder Metallurgy (AREA)
Abstract
【解決手段】Si粉末にドーパントとしてSbまたはBi粉末を混合させた混合物と、MgとSiとを用いて固−液相反応をさせて固溶体を合成した後、該固溶体の粉末をホットプレスして目的とする焼結体を得ることで、ゼーベック係数αと比抵抗ρについてキャリア濃度nの制御によってコントロールできる熱電性能に優れた単相の焼結化合物を製造する。
【選択図】図4
Description
Mg2Si1−XSnX
であらわされるものが知られている。そしてこの金属間化合物において、X=0.4〜0.6の範囲のものが熱電特性に優れることが既に報告されている(特許文献1)。
Mg2Si1−XSnX :但しX=0.4〜0.6
で示される固溶体を合成し、該固溶体を焼結して金属間化合物の焼結体を製造するにあたり、前記固溶体はドーパントが添加された原料から合成されていることを特徴とするマグネシウム、珪素、スズからなる金属間化合物の製造方法である。
請求項2の発明は、ドーパントはアンチモンであることを特徴とする請求項1記載のマグネシウム、珪素、スズからなる金属間化合物の製造方法である。
請求項3の発明は、アンチモンの添加量は5000ppm以上であることを特徴とするマグネシウム、珪素、スズからなる請求項2記載の金属間化合物の製造方法である。
請求項4の発明は、ドーパントはビスマスであることを特徴とする請求項1記載のマグネシウム、珪素、スズからなる金属間化合物の製造方法である。
請求項5の発明は、ビスマスの添加量は1000ppm以上であることを特徴とするマグネシウム、珪素、スズからなる請求項4記載の金属間化合物の製造方法である。
請求項6の発明は、ビスマスの添加量は2500ppm以上7500ppm以下であることを特徴とする請求項4または5記載のマグネシウム、珪素、スズからなる金属間化合物の製造方法である。
請求項7の発明は、ドーパントは粉末とし、該粉末のドーパントを珪素粉末に混合することで原料に添加されていることを特徴とする請求項1乃至6の何れか1記載のマグネシウム、珪素、スズからなる金属間化合物の製造方法である。
請求項8の発明は、ドーパント粉末が混合された珪素粉末の一部を反応容器の底に均一状に敷き、その上に粒状となったスズの一部を均一状に敷き、その上に塊状のマグネシウムを均一状に並べた後、残りのドーパント粉末が混合された珪素粉末、残りのスズを順次上に敷いたものを加熱して液−固相反応させて固溶体を合成するようにしたことを特徴とする請求項7記載のマグネシウム、珪素、スズからなる金属間化合物の製造方法である。
請求項9の発明は、原料のマグネシウム、珪素、スズを液−固相反応せしめて一般化学式
Mg2Si1−XSnX :但しX=0.4〜0.6
で示される固溶体を合成し、該固溶体を焼結して金属間化合物の焼結体を製造するにあたり、前記固溶体はドーパントが添加された原料から合成されていることを特徴とするマグネシウム、珪素、スズからなる金属間化合物の焼結体である。
請求項10の発明は、ドーパントはアンチモンであることを特徴とする請求項9記載のマグネシウム、珪素、スズからなる金属間化合物の焼結体である。
請求項11の発明は、アンチモンの添加量は5000ppm以上であることを特徴とする請求項10記載のマグネシウム、珪素、スズからなる金属間化合物の焼結体である。
請求項12の発明は、ドーパントはビスマスであることを特徴とする請求項9記載のマグネシウム、珪素、スズからなる金属間化合物の焼結体である。
請求項13の発明は、ビスマスの添加量は1000ppm以上であることを特徴とする請求項12記載のマグネシウム、珪素、スズからなる金属間化合物の焼結体である。
請求項14の発明は、ビスマスの添加量は2500ppm以上7500ppm以下であることを特徴とする請求項12または13記載のマグネシウム、珪素、スズからなる金属間化合物の焼結体である。
Mg2Si1−XSnX :但しX=0.4〜0.6
で示される金属間化合物の焼結体について、ドーパントを添加しても単相でしかも安定しかつ半導体特性が優れたものを容易に製造することができる。
請求項2または10の発明とすることにより、ドーパントをアンチモンとしたものを簡単に製造することができる。
請求項3または11の発明とすることにより、ドーパントをアンチモンとし、ゼーベック係数、比抵抗をキャリア濃度の制御によってコントロールした焼結体を得ることができ、必要とする半導体特性のものを容易に製造できる。
請求項4または12の発明とすることにより、ドーパントをビスマスとしたものを簡単に製造することができる。
請求項5または13の発明とすることにより、ドーパントをビスマスとし、ゼーベック係数、比抵抗をキャリア濃度の制御によってコントロールした焼結体を得ることができ、必要とする半導体特性のものを容易に製造できる。
請求項6または14の発明とすることにより、優れた半導体特性のものを容易に製造することができる。
請求項7の発明とすることにより、ドーパントの均一的な混合が容易となる。
請求項8の発明とすることにより、マグネシウム、珪素、そしてスズにドーパントとしてアンチモンを混合させた固溶体の合成がムラなく均一的にできることになる。
Mg2Si1−XSnX
で表され、この場合に
X=0.4〜0.6
の範囲のものである。これらの金属間化合物の焼結体を生成するにあたりドーパントを含有した状態で固溶体を製造し、このものを焼結することにより前記目的とするマグネシウム、珪素、スズからなる金属間化合物の焼結体を製造する。ドーパントとしては5A族のアンチモン(Sb)、ビスマス(Bi)に代表されるが、1A族のリチウム(Li)、ナトリウム(Na)、カリウム(K)等、3A族のスカンジウム(Sc)、イットリウム(Y)、ランタン(La)、1B族の銅(Cu)、銀(Ag)、金(Au)、3B族のホウ素(B)、アルミニウム(Al)、ガリウム(Ga)、インジウム(In)、5A族のリン(P)、砒素(As)を例示することができる。そしてドーパントをアンチモンとした場合、その添加量は5000ppm以上、ビスマスとした場合、その添加量は1000ppm以上であることが実験の結果、確認されている。特にビスマスは、医薬品の材料となるものもあって毒性が低く、本発明を実施するためのドーパントとして好適である。
純度99.9%のMgを約5mm角の立方体形状に成形したものと、純度99.9999%のSi微粉末と、純度99.999%のSnを1〜2mmの粒状にしたものと、純度99.9%のSbの数十μmの粉状のものを用意する。これらの配合比は、モル比でMg:Si:Sn=2.05:0.50:0.50となるように秤量し、さらにSbについては、0、5000、7500、10000、15000ppm(=1000000×Sb/Mg+Si+Sn)となるようにそれぞれ秤量する。そしてこれら秤量したものの合計が10gとなるようにする。これらのうち、まず、SiとSbとを予め良く混合した後、これら混合したもののうちの約0.8gをカーボンボードの底にうっすらと均一状に敷く。次いでその上にSnの約0.8gをうっすらと均一状に敷き、その上に全てのMg(約5.0g)を一面に均一状に並べる。しかる後、残りのSiとSbとの混合物(約1.6g)を均一状にふりかけ、さらにその上に残りのSn(約1.6g)を均一状にふりかける。このようにして全ての材料が仕込まれたカーボンボードを電気炉に入れ、0.1MPaのアルゴン−3%H2雰囲気下で830℃、4時間の液−固相反応による合成をして固溶体を生成した。
該生成した固溶体を粉砕し、粒径が38〜75μmの範囲となるように分級し、これをホットプレスにより焼結して目的とする金属間化合物の焼結体を得た。ホットプレスの条件としては、0.2MPaのアルゴン雰囲気下で、焼結温度770℃、80MPaで5時間の焼結を行い、直径16mm、厚さ5mmのタブレット状の目的化合物の焼結体を得た。
κ=κel+κph
で表される。またWiedeman−Franz(ウィーデマン−フランツ)則により、κelは
κel=LT/ρ L:ローレンツ数
と表せるから、測定値のκから計算で求めたκelを差し引いてκphを求めた。キャリア成分κelはSb添加量が5000ppmよりも7500ppmの方が大きい値を示しており、フォノン成分κphは、極小値を示す温度以下ではともに1/Tに比例していたが、該温度以上では急激に大きくなっており、これはバイポーラ(電子と正孔)による成分の増加によるものと考えられる。
純度99.9%のMgを約5mm角の立方体形状に成形したものと、純度99.9999%のSi微粉末と、純度99.999%のSnを1〜2mmの粒状にしたものと、純度99.9%のBiの数十μmの粉状のものを用意する。これらの配合比は、モル比でMg:Si:Sn=2.05:0.50:0.50となるように秤量し、さらにBiについては、0、1000、2500、5000、7500、10000、15000ppm(=1000000×Bi/Mg+Si+Sn)となるようにそれぞれ秤量する。そしてこれら秤量したものの合計が10gとなるようにする。これらのうち、まず、SiとBiとを予め良く混合した後、これら混合したもののうちの約0.8gをカーボンボードの底にうっすらと均一状に敷く。次いでその上にSnの約0.8gをうっすらと均一状に敷き、その上に全てのMg(約5.0g)を一面に均一状に並べる。しかる後、残りのSiとBiとの混合物(約1.6g)を均一状にふりかけ、さらにその上に残りのSn(約1.6g)を均一状にふりかける。このようにして全ての材料が仕込まれたカーボンボードを電気炉に入れ、0.1MPaのアルゴン−3%H2雰囲気下で830℃、4時間の液−固相反応による合成をして固溶体を生成した。
該生成した固溶体を粉砕し、粒径が38〜75μmの範囲となるように分級し、これをホットプレスにより焼結して目的とする金属間化合物の焼結体を得た。ホットプレスの条件としては、0.2MPaのアルゴン雰囲気下で、焼結温度770℃、80MPaで5時間の焼結を行い、直径16mm、厚さ5mmのタブレット状の目的化合物の焼結体を得た。
またさらに、図18に、Biをドーパントとして2500、5000、7500ppm添加してそれぞれ製造したMg2Si0.50Sn0.50の性能指数Zについて、温度変化させたときのグラフ図を示す。これによると、5000ppm添加したものは、絶対温度約600度Kのとき1.8×10−3以上という優れた半導体特性を示すことが確認されるが、他の二者についてもそれなりに優れた半導体特性を示すことが確認される。
Claims (14)
- 原料のマグネシウム、珪素、スズを液−固相反応せしめて一般化学式
Mg2Si1−XSnX :但しX=0.4〜0.6
で示される固溶体を合成し、該固溶体を焼結して金属間化合物の焼結体を製造するにあたり、前記固溶体はドーパントが添加された原料から合成されていることを特徴とするマグネシウム、珪素、スズからなる金属間化合物の製造方法。 - ドーパントはアンチモンであることを特徴とする請求項1記載のマグネシウム、珪素、スズからなる金属間化合物の製造方法。
- アンチモンの添加量は5000ppm以上であることを特徴とするマグネシウム、珪素、スズからなる請求項2記載の金属間化合物の製造方法。
- ドーパントはビスマスであることを特徴とする請求項1記載のマグネシウム、珪素、スズからなる金属間化合物の製造方法。
- ビスマスの添加量は1000ppm以上であることを特徴とする請求項4記載のマグネシウム、珪素、スズからなる金属間化合物の製造方法。
- ビスマスの添加量は2500ppm以上7500ppm以下であることを特徴とする請求項4または5記載のマグネシウム、珪素、スズからなる金属間化合物の製造方法。
- ドーパントは粉末とし、該粉末のドーパントを珪素粉末に混合することで原料に添加されていることを特徴とする請求項1乃至6の何れか1記載のマグネシウム、珪素、スズからなる金属間化合物の製造方法。
- ドーパント粉末が混合された珪素粉末の一部を反応容器の底に均一状に敷き、その上に粒状となったスズの一部を均一状に敷き、その上に塊状のマグネシウムを均一状に並べた後、残りのドーパント粉末が混合された珪素粉末、残りのスズを順次上に敷いたものを加熱して液−固相反応させて固溶体を合成するようにしたことを特徴とする請求項7記載のマグネシウム、珪素、スズからなる金属間化合物の製造方法。
- 原料のマグネシウム、珪素、スズを液−固相反応せしめて一般化学式
Mg2Si1−XSnX :但しX=0.4〜0.6
で示される固溶体を合成し、該固溶体を焼結して金属間化合物の焼結体を製造するにあたり、前記固溶体はドーパントが添加された原料から合成されていることを特徴とするマグネシウム、珪素、スズからなる金属間化合物の焼結体。 - ドーパントはアンチモンであることを特徴とする請求項9記載のマグネシウム、珪素、スズからなる金属間化合物の焼結体。
- アンチモンの添加量は5000ppm以上であることを特徴とする請求項10記載のマグネシウム、珪素、スズからなる金属間化合物の焼結体。
- ドーパントはビスマスであることを特徴とする請求項9記載のマグネシウム、珪素、スズからなる金属間化合物の焼結体。
- ビスマスの添加量は1000ppm以上であることを特徴とする請求項12記載のマグネシウム、珪素、スズからなる金属間化合物の焼結体。
- ビスマスの添加量は2500ppm以上7500ppm以下であることを特徴とする請求項12または13記載のマグネシウム、珪素、スズからなる金属間化合物の焼結体。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2006243251A JP4726747B2 (ja) | 2005-10-25 | 2006-09-07 | マグネシウム、珪素、スズからなる金属間化合物の焼結体およびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2005309943 | 2005-10-25 | ||
JP2005309943 | 2005-10-25 | ||
JP2006243251A JP4726747B2 (ja) | 2005-10-25 | 2006-09-07 | マグネシウム、珪素、スズからなる金属間化合物の焼結体およびその製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2007146283A true JP2007146283A (ja) | 2007-06-14 |
JP4726747B2 JP4726747B2 (ja) | 2011-07-20 |
Family
ID=38208038
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2006243251A Active JP4726747B2 (ja) | 2005-10-25 | 2006-09-07 | マグネシウム、珪素、スズからなる金属間化合物の焼結体およびその製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP4726747B2 (ja) |
Cited By (21)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2010112956A1 (en) * | 2009-04-02 | 2010-10-07 | Commissariat A L'energie Atomique Et Aux Energies Alternatives | Magnesium based nanocomposite materials for thermoelectric energy conversion |
JP2011151329A (ja) * | 2010-01-25 | 2011-08-04 | Mitsuba Corp | 熱電材料およびその製造方法 |
JP2011216568A (ja) * | 2010-03-31 | 2011-10-27 | Ube Industries Ltd | マグネシウム、錫及び珪素からなる熱電変換材料並びにその製造方法 |
JP2012190984A (ja) * | 2011-03-10 | 2012-10-04 | Hitachi Chem Co Ltd | マグネシウムシリサイド粉末及び、それを用いた焼結体、熱電変換素子、それらの製造方法 |
JP2013008747A (ja) * | 2011-06-22 | 2013-01-10 | Ibaraki Univ | Mg2Si1−xSnx系多結晶体およびその製造方法 |
JP2013197550A (ja) * | 2012-03-22 | 2013-09-30 | Ngk Insulators Ltd | 熱電材料およびその製造方法 |
KR101343319B1 (ko) | 2012-05-22 | 2013-12-20 | 한국교통대학교산학협력단 | 마그네슘 합금 고용체 열전재료의 제조방법 및 그에 의해 제조된 열전재료 |
KR101514233B1 (ko) * | 2013-12-03 | 2015-04-22 | 한국교통대학교산학협력단 | 고용체 열전재료의 제조방법 및 열전재료 |
JP2015110820A (ja) * | 2013-12-06 | 2015-06-18 | トヨタ紡織株式会社 | ナノコンポジット及びその製造方法 |
KR20150133041A (ko) * | 2014-05-19 | 2015-11-27 | 한국교통대학교산학협력단 | 비스무트가 도핑된 고용체 열전재료 및 그 제조방법 |
KR101574973B1 (ko) | 2014-04-28 | 2015-12-08 | 한국교통대학교 산학협력단 | 안티몬이 도핑된 고용체 열전재료 및 그 제조방법 |
JP2016122685A (ja) * | 2014-12-24 | 2016-07-07 | 古河機械金属株式会社 | 熱電変換材料の製造方法 |
JP2017195339A (ja) * | 2016-04-22 | 2017-10-26 | トヨタ自動車株式会社 | 熱電材料の製造方法 |
WO2018066657A1 (ja) * | 2016-10-06 | 2018-04-12 | 株式会社ミツバ | 熱電材料 |
JP2018170373A (ja) * | 2017-03-29 | 2018-11-01 | 株式会社日立製作所 | 熱電変換素子及び熱電変換モジュール |
JP2018182087A (ja) * | 2017-04-14 | 2018-11-15 | トヨタ紡織株式会社 | Mg系熱電材料の製造方法、及びMg系熱電材料の性能回復方法 |
JP2019149545A (ja) * | 2018-02-27 | 2019-09-05 | 三菱マテリアル株式会社 | 熱電変換材料、熱電変換素子、熱電変換モジュール、及び、熱電変換材料の製造方法 |
CN110622328A (zh) * | 2017-05-19 | 2019-12-27 | 日东电工株式会社 | 半导体烧结体、电气电子部件及半导体烧结体的制造方法 |
US10892395B2 (en) | 2017-03-31 | 2021-01-12 | Toyota Jidosha Kabushiki Kaisha | Thermoelectric conversion material and production method thereof |
CN112279652A (zh) * | 2020-10-29 | 2021-01-29 | 南京工程学院 | 一种关于Mg-Si-Sn-Sb基热电材料的快速非平衡制备方法 |
JP7506894B2 (ja) | 2019-10-25 | 2024-06-27 | 株式会社ミツバ | 熱電変換素子とその製造方法、および熱電変換デバイス |
Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2005133202A (ja) * | 2003-10-07 | 2005-05-26 | National Institute For Materials Science | マグネシウム−金属化合物およびその製造方法 |
-
2006
- 2006-09-07 JP JP2006243251A patent/JP4726747B2/ja active Active
Patent Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2005133202A (ja) * | 2003-10-07 | 2005-05-26 | National Institute For Materials Science | マグネシウム−金属化合物およびその製造方法 |
Cited By (27)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2010112956A1 (en) * | 2009-04-02 | 2010-10-07 | Commissariat A L'energie Atomique Et Aux Energies Alternatives | Magnesium based nanocomposite materials for thermoelectric energy conversion |
JP2011151329A (ja) * | 2010-01-25 | 2011-08-04 | Mitsuba Corp | 熱電材料およびその製造方法 |
JP2011216568A (ja) * | 2010-03-31 | 2011-10-27 | Ube Industries Ltd | マグネシウム、錫及び珪素からなる熱電変換材料並びにその製造方法 |
JP2012190984A (ja) * | 2011-03-10 | 2012-10-04 | Hitachi Chem Co Ltd | マグネシウムシリサイド粉末及び、それを用いた焼結体、熱電変換素子、それらの製造方法 |
JP2013008747A (ja) * | 2011-06-22 | 2013-01-10 | Ibaraki Univ | Mg2Si1−xSnx系多結晶体およびその製造方法 |
JP2013197550A (ja) * | 2012-03-22 | 2013-09-30 | Ngk Insulators Ltd | 熱電材料およびその製造方法 |
KR101343319B1 (ko) | 2012-05-22 | 2013-12-20 | 한국교통대학교산학협력단 | 마그네슘 합금 고용체 열전재료의 제조방법 및 그에 의해 제조된 열전재료 |
KR101514233B1 (ko) * | 2013-12-03 | 2015-04-22 | 한국교통대학교산학협력단 | 고용체 열전재료의 제조방법 및 열전재료 |
JP2015110820A (ja) * | 2013-12-06 | 2015-06-18 | トヨタ紡織株式会社 | ナノコンポジット及びその製造方法 |
KR101574973B1 (ko) | 2014-04-28 | 2015-12-08 | 한국교통대학교 산학협력단 | 안티몬이 도핑된 고용체 열전재료 및 그 제조방법 |
KR20150133041A (ko) * | 2014-05-19 | 2015-11-27 | 한국교통대학교산학협력단 | 비스무트가 도핑된 고용체 열전재료 및 그 제조방법 |
KR101616841B1 (ko) * | 2014-05-19 | 2016-04-29 | 한국교통대학교 산학협력단 | 비스무트가 도핑된 고용체 열전재료 및 그 제조방법 |
JP2016122685A (ja) * | 2014-12-24 | 2016-07-07 | 古河機械金属株式会社 | 熱電変換材料の製造方法 |
JP2017195339A (ja) * | 2016-04-22 | 2017-10-26 | トヨタ自動車株式会社 | 熱電材料の製造方法 |
US10662507B2 (en) | 2016-04-22 | 2020-05-26 | Toyota Jidosha Kabushiki Kaisha | Method for producing a thermoelectric material |
WO2018066657A1 (ja) * | 2016-10-06 | 2018-04-12 | 株式会社ミツバ | 熱電材料 |
JPWO2018066657A1 (ja) * | 2016-10-06 | 2019-08-29 | 株式会社ミツバ | 熱電材料 |
US11706986B2 (en) | 2016-10-06 | 2023-07-18 | Mitsuba Corporation | Thermoelectric material |
JP2018170373A (ja) * | 2017-03-29 | 2018-11-01 | 株式会社日立製作所 | 熱電変換素子及び熱電変換モジュール |
US10892395B2 (en) | 2017-03-31 | 2021-01-12 | Toyota Jidosha Kabushiki Kaisha | Thermoelectric conversion material and production method thereof |
JP2018182087A (ja) * | 2017-04-14 | 2018-11-15 | トヨタ紡織株式会社 | Mg系熱電材料の製造方法、及びMg系熱電材料の性能回復方法 |
CN110622328A (zh) * | 2017-05-19 | 2019-12-27 | 日东电工株式会社 | 半导体烧结体、电气电子部件及半导体烧结体的制造方法 |
CN110622328B (zh) * | 2017-05-19 | 2023-12-08 | 日东电工株式会社 | 半导体烧结体、电气电子部件及半导体烧结体的制造方法 |
JP7251187B2 (ja) | 2018-02-27 | 2023-04-04 | 三菱マテリアル株式会社 | 熱電変換材料、熱電変換素子、熱電変換モジュール、及び、熱電変換材料の製造方法 |
JP2019149545A (ja) * | 2018-02-27 | 2019-09-05 | 三菱マテリアル株式会社 | 熱電変換材料、熱電変換素子、熱電変換モジュール、及び、熱電変換材料の製造方法 |
JP7506894B2 (ja) | 2019-10-25 | 2024-06-27 | 株式会社ミツバ | 熱電変換素子とその製造方法、および熱電変換デバイス |
CN112279652A (zh) * | 2020-10-29 | 2021-01-29 | 南京工程学院 | 一种关于Mg-Si-Sn-Sb基热电材料的快速非平衡制备方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP4726747B2 (ja) | 2011-07-20 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP4726747B2 (ja) | マグネシウム、珪素、スズからなる金属間化合物の焼結体およびその製造方法 | |
US10658560B2 (en) | Thermoelectric materials based on tetrahedrite structure for thermoelectric devices | |
Li et al. | Enhanced thermoelectric performance of Yb-single-filled skutterudite by ultralow thermal conductivity | |
Peng et al. | Structure and thermoelectric performance of β-Cu2Se doped with Fe, Ni, Mn, In, Zn or Sm | |
US6069312A (en) | Thermoelectric materials with filled skutterudite structure for thermoelectric devices | |
Chen et al. | Miscibility gap and thermoelectric properties of ecofriendly Mg2Si1− xSnx (0.1≤ x≤ 0.8) solid solutions by flux method | |
EP3017485B1 (en) | Thermoelectric materials based on tetrahedrite structure for thermoelectric devices | |
Ma et al. | Effect of secondary phases on thermoelectric properties of Cu2SnSe3 | |
CN107710429B (zh) | P型方钴矿热电材料、其制备方法和包含其的热电装置 | |
Hu et al. | The effect of Ni/Sn doping on the thermoelectric properties of BiSbTe polycrystalline bulks | |
JP6176885B2 (ja) | p型熱電材料、熱電素子およびp型熱電材料の製造方法 | |
JP4726452B2 (ja) | マグネシウム−金属化合物 | |
Mukherjee et al. | Microstructure and thermoelectric properties of Cu2Te-Sb2Te3 pseudo-binary system | |
Aminzare et al. | Effect of spark plasma sintering and Sb doping on the thermoelectric properties of Co4Ge6Te6 skutterudite | |
Hao et al. | Synergetic improvement strategy on thermoelectric performance of CuAlO2 compacts | |
JP7448259B2 (ja) | 熱電材料、その製造方法、および、熱電発電素子 | |
WO2022054577A1 (ja) | 熱電材料、その製造方法、および、熱電発電素子 | |
JP2010037641A (ja) | マグネシウム、珪素、スズからなる熱電半導体およびその製造方法 | |
CN109415208B (zh) | 含有硫属元素的化合物、其制备方法和包含其的热电元件 | |
WO2017023353A1 (en) | Thermoelectric materials based on tetrahedrite structure for thermoelectric devices | |
Iida et al. | Thermoelectric Properties of Mg2Si1-x-yGexSby Prepared by Spark Plasma Sintering | |
CN103258949B (zh) | Ag1‑xCuSe热电材料及其制备和用途 | |
KR101616841B1 (ko) | 비스무트가 도핑된 고용체 열전재료 및 그 제조방법 | |
KR101574973B1 (ko) | 안티몬이 도핑된 고용체 열전재료 및 그 제조방법 | |
JP2020514210A (ja) | カルコゲン化合物、その製造方法、及びこれを含む熱電素子 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20090806 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A821 Effective date: 20090806 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20110228 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20110331 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20110412 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 4726747 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140422 Year of fee payment: 3 |
|
S533 | Written request for registration of change of name |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313533 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |