JP6176885B2 - p型熱電材料、熱電素子およびp型熱電材料の製造方法 - Google Patents
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Description
熱電変換には、熱エネルギーと電気エネルギーとを相互に変換できる材料である熱電材料が用いられる。
熱電材料としては、Mg−Si−Sn系、Bi−Te系、Pb−Te系などの材料が知られている(例えば、特許文献1を参照。)。
Bi−Te系、Pb−Te系材料は、希少性や有害性の高い元素を用いるため、高価であり、しかも取り扱いに注意が必要となる。これに対し、Mg−Si−Sn系材料は、希少性や有害性の高い元素を用いないため、コストおよび安全性の点で優れている。
Mg−Si−Sn系熱電材料は、n型の熱電材料として用いられることが多いが、組成によってはp型の特性を示すことが報告されている(例えば、特許文献2及び特許文献3を参照。)。
本発明は、前記事情に鑑みてなされたもので、p型熱電材料としての性能に優れた熱電材料およびその製造方法を提供することを目的とする。
すなわち、上記課題を解決するため、本発明は以下の手段を採用した。
MgA(SiXSnYGeZ) ・・・(1)
ただし、1.98≦A≦2.01、0.00<X≦0.25、0.60≦Y≦0.95、Z>0、X+Y+Z=1、かつ−1.00X+0.40≧Z≧−2.00X+0.10(0.00<X≦0.25)、−1.00Y+1.00≧Z≧−1.00Y+0.75(0.60≦Y≦0.90)、−2.00Y+1.90≧Z≧−1.00Y+0.75(0.90<Y≦0.95)を満たす。
MgA(SiXSnYGeZ) ・・・(1)
ただし、1.98≦A≦2.01、0.00<X≦0.25、0.60≦Y≦0.95、Z>0、X+Y+Z=1、かつ−1.00X+0.40≧Z≧−2.00X+0.10(0.00<X≦0.25)、−1.00Y+1.00≧Z≧−1.00Y+0.75(0.60≦Y≦0.90)、−2.00Y+1.90≧Z≧−1.00Y+0.75(0.90<Y≦0.95)を満たす。
本発明の一態様にかかるp型熱電材料は、マグネシウム(Mg)、ケイ素(Si)、スズ(Sn)、ゲルマニウム(Ge)からなる下記一般式(1)で表される化合物のMgサイト、Siサイト、Snサイト及び/またはGeサイトのいずれかのうち少なくとも一つが、1A族のアルカリ金属、1B族の金(Au)、銀(Ag)、銅(Cu)、亜鉛(Zn)、カルシウム(Ca)、ガリウム(Ga)からなる群のいずれか一つ以上の元素で置換されたものである。
MgA(SiXSnYGeZ) ・・・(1)
ただし、1.98≦A≦2.01、0.00<X≦0.25、0.60≦Y≦0.95、Z>0、X+Y+Z=1、かつ−1.00X+0.40≧Z≧−2.00X+0.10(0.00<X≦0.25)、−1.00Y+1.00≧Z≧−1.00Y+0.75(0.60≦Y≦0.90)、−2.00Y+1.90≧Z≧−1.00Y+0.75(0.90<Y≦0.95)を満たす。
本発明の一態様に係るp型熱電材料は、この逆蛍石構造を有するマグネシウム(Mg)、ケイ素(Si)、スズ(Sn)、ゲルマニウム(Ge)からなる化合物を基礎構造として用いる。このような4種の元素を用いた4元系の化合物からなるp型熱電材料は、従来検討されてきたマグネシウム(Mg)、ケイ素(Si)、スズ(Sn)の3元系の化合物(特許文献2及び3)と比較して熱伝導率を低減することができる。
ZT=α2T/ρκ ・・・(2)
図2は、Mg、Si、Sn、Geの4元系の化合物においてp型伝導とn型伝導を示す組成領域を示した図である。図3は伝導型に対するGeとSiの組成の関係を示し、図4は伝導型に対するGeとSnの組成の関係を示す。
このような組成領域は、4元系の化合物がMg2Si、Mg2Sn、Mg2Geの固溶体であり、それぞれの固溶体における伝導型の影響を受けるために生じると考えられる。
Mg2Siはn型、Mg2Snはp型、Mg2Geはn型であるという報告が既にされている。このため、Siが多い組成領域ではMg2Siの影響を受けてn型を示し、Snが多い組成領域ではMg2Snの影響を受けてp型を示す。従来のMg2(Si1−xSnx)では、Mg2Si及びMg2Snの影響によりその伝導型は決定するが、4元系ではさらにGeがSiまたはSnと置換されている。そのため、Siに対してGeを置換するとp型伝導を示しやすく、Snに対してGeを置換するとn型伝導を示しやすくなる。
すなわち、組成式(1)の化合物のMgが、1A族のアルカリ金属、1B族の金(Au)、銀(Ag)、銅(Cu)、亜鉛(Zn)、カルシウム(Ca)に置換された後の化合物の組成式は、以下の組成式(3)となる。
MgA−BDB(SiXSnYGeZ) ・・・(3)
Dは、1B族の金(Au)、銀(Ag)、銅(Cu)、亜鉛(Zn)、カルシウム(Ca)のいずれか一つ以上の元素である。Bは、0.005〜0.05であることが好ましい。
これに対し、組成式(1)の化合物のSiサイト、SnサイトまたはGeサイトのいずれか一つが、Gaに置換された後の化合物の組成式は以下の組成式(4)となる。
MgA(GaBSiSSnTGeU) ・・・(4)
ここで、Siサイト、SnサイトまたはGeサイトのいずれか一つが、Gaに置換されるため、B+S+T+Uは1.0となる。この場合もBは、0.005〜0.05であることが好ましい。
組成式(1)の化合物の2価のMgが、Zn及び/またはCaに置換された場合は、Zn及びCaは2価であるためキャリアが導入されるわけではない。しかしながら、組成式(3)の化合物は、組成式(1)の化合物に対し熱電性能を高めることができることが確認されている。
これは、ZnとCa元素は金属元素であり、本来の比抵抗が小さい元素であるため、熱電性能を高めることができると考えられる。キャリア濃度が増加しないのでゼーベック係数は変化しないが、金属的性質によって比抵抗を低減でき、熱電性能を高めることができる。
置換元素の添加量が多すぎると、置換元素自体またはその化合物が金属的に偏析してしまい高い熱電性能を実現することが難しくなる。置換元素の添加量が少なすぎると、比抵抗を十分低下させることが難しく、高い熱電性能を実現することが難しくなる。
本発明の一態様に係るp型熱電材料は、4元系の化合物であること、及びその一部が置換されていることにより有効質量を高くすることができる。したがって、本発明の一態様に係るp型熱電材料は、熱伝導率及び比抵抗を低減することに伴う熱電性能の向上だけでなく、ゼーベック係数を高くすることに伴う熱電性能の向上も実現することができる。すなわち、高い熱電性能を有する熱電材料を得ることができる。
本発明の一態様にかかるp型熱電材料の製造方法は、マグネシウム(Mg)、ケイ素(Si)、スズ(Sn)、ゲルマニウム(Ge)および置換元素として1A族のアルカリ金属、1B族の金(Au)、銀(Ag)、銅(Cu)、亜鉛(Zn)、カルシウム(Ca)、ガリウム(Ga)からなる群のいずれかのうち少なくとも一つ以上を加熱用部材に収容する工程と、前記加熱用部材を加熱し、固溶体を合成する工程と、前記固溶体を粉砕し、さらに加圧焼結する工程とを有する。この製造方法によれば、マグネシウム(Mg)、ケイ素(Si)、スズ(Sn)、ゲルマニウム(Ge)からなる下記一般式(1)で表される化合物のMgサイト、Siサイト、Snサイト及び/またはGeサイトのいずれか一つが、前記置換元素で置換された熱電材料を製造することができる。
MgA(SiXSnYGeZ) ・・・(1)
ただし、1.98≦A≦2.01、0.00<X≦0.25、0.60≦Y≦0.95、Z>0、X+Y+Z=1、かつ−1.00X+0.40≧Z≧−2.00X+0.10(0.00<X≦0.25)、−1.00Y+1.00≧Z≧−1.00Y+0.75(0.60≦Y≦0.90)、−2.00Y+1.90≧Z≧−1.00Y+0.75(0.90<Y≦0.95)を満たす。
まず、上述の組成範囲を満たすように、単体のMg、Si、Sn、Ge及び置換元素を秤量する。このときMgは、3〜5mmであることが好ましい。サイズが大きすぎるとMgが溶融しにくくなり、単体Mgが残留してしまうおそれがある。サイズが小さすぎると、大気中で酸化される表面積が大きくなり、Mgの酸化物の混入量が増えてしまう。
Si及びGeは粉状または粒状として用いることが好ましく、数十μm程度の微粉末が好ましい。Snは、粒状であることが好ましく、その平均粒径は例えば1〜3mmとすることができる。置換元素は、粉状にして添加することが好ましい。
置換元素としてアルカリ金属を用いる場合、アルカリ金属は単体での反応性が非常に高いため取扱いが難しい。そのため、有機酸(例えば、カルボン酸)の塩とすることが好ましい。例えば、アルカリ金属としてリチウムを用いる場合は、酢酸リチウム、ステアリン酸リチウムなどを使用することが好ましい。
Mg、Si、Sn、Ge、および置換元素の使用量は、組成比が前記式(1)を満たすように定める。
Si、Geおよび置換元素からなる粉末混合物2と、粒状のSn3とからなる混合物4を加熱用部材1の底面1a上に均一に敷き詰める。
次いで、その上に前記混合物4を均一に敷き詰める。
これによって、Mg2Si、Mg2Sn、Mg2Geおよび置換元素を含む固溶体である合金が合成される。
得られた粉末は分級し、平均粒径が所定範囲にあるもの、例えば平均粒径38〜75μmのものを使用するのが好ましい。分級方法としては、気流分級法、篩分法等がある。
平均粒径は、例えば体積基準の粒子径分布における50%累積粒径であってよい。平均粒径はレーザー回折式粒度分布計などによって測定することができる。
焼結時の温度条件は600〜800℃が好ましい。加圧条件(プレス圧)は10〜100MPaが好ましい。焼結時の雰囲気はアルゴン(Ar)等の不活性ガス雰囲気が好ましい。加圧時間は、例えば1〜10時間とすることができる。
粉末は、加圧によって、緻密化した焼結体となる。焼結の方法としては、このほか、HIP、プラズマ焼結法などがある。
焼結体は、目的に応じて所定の大きさに切り出し、研磨した後、熱電特性を測定することができる。
原料としてMg粒(純度99.9%)、Si粉末(99.9999%)、Sn粉末(99.999%)、Ge粉末(99.999%)、Ag粉末(99.99%)を準備した。
これらを組成比に合せて秤量し、カーボンボート内に並べて合成炉に投入し、固溶体からなる合金を作製した。この固溶体からなる合金は、液−固相反応合成法によって作製した。合成温度は1103K(830℃)、合成時間は4時間、反応雰囲気はAr+3%H2の還元雰囲気とした。
続いて得られた合金を粉砕して粒径dを38μm≦d≦75μmに分級した。分級した粉末をホットプレスにより焼結し焼結体を作製した。焼結体の焼結温度は933K(660℃)、焼結時間は3時間、焼結圧力は50MPa、反応雰囲気はAr雰囲気とした。
上述の手順で、Mg1.975Ag0.025(Si0.25Sn0.65Ge0.10)の組成式で表記される熱電材料を得た。このとき置換元素であるAgの添加量としては、25000ppmであった。
実施例1の熱電材料は、そのX線回折プロファイルが、図7に示すように、Mg2SiおよびMg2SnのX線回折プロファイルの間に位置し、逆蛍石構造(空間群Fm3m)である。またMg2(SiSnGe)組成の単相である。
原料にGeを加えていない点以外は、実施例1と同様の方法で作製した。熱電材料の組成式は、Mg1.975Ag0.025(Si0.25Sn0.75)とした。このとき置換元素であるAgの添加量としては、25000ppmであった。
置換元素であるAgを原料に加えていない点以外は、実施例1と同様の方法で作製した。熱電材料の組成式は、Mg2.00(Si0.25Sn0.65Ge0.10)とした。
原料比を変更した点のみが比較例2と異なる。熱電材料の組成式は、以下である。
比較例3:Mg2.00(Si0.15Sn0.75Ge0.10)
比較例4:Mg2.00(Si0.30Sn0.60Ge0.10)
比較例5:Mg2.00(Sn0.90Ge0.10)
比較例6:Mg2.00(Si0.90Ge0.10)
実施例1、比較例1〜6のそれぞれの比抵抗を測定した。比抵抗は、直流4端子法を用いて測定した。図8は比較例2〜6の比抵抗の測定結果であり、図9は実施例1及び比較例1の比抵抗の測定結果である。図8においてxは、比較例2〜6の熱電材料を組成式でMg2.00(Si0.90−xSnxGe0.10)と表記する際のxの値に対応する。
図8と図9を比較すると、置換元素が添加されている実施例1及び比較例1の比抵抗が低減している。
実施例1、比較例1〜6のそれぞれの熱伝導率を測定した。熱伝導率は、石英(κ=1.37W/mK)との静的比較法を用いて測定した。熱伝導率の温度依存性は、レーザーフラッシュ法(アルバック理工株式会社;TC−7000)を用いて測定した。図10は比較例2〜6の熱伝導率の測定結果であり、図11は実施例1及び比較例1の熱伝導率の測定結果である。図10におけるxは、図8と同様である。
図11に示すように実施例1は、全温度領域において比較例1よりも低い熱伝導率を示す。また図10の比較例2(x=0.65)と図11の実施例1の結果を比較すると、熱伝導率に大きな差がない。すなわち、熱伝導率は熱電材料を4元系にしたことに伴い低下している。
実施例1、比較例1〜6のそれぞれのゼーベック係数を測定した。室温でのゼーベック係数は、2K以内の温度差で得られた熱電起電力から算出し、温度依存性は大温度差法を用いて測定した。
図12は比較例2〜6のゼーベック係数の測定結果であり、図13は実施例1及び比較例1のゼーベック係数の測定結果である。図12におけるxは、図8と同様である。
図12と図13を比較すると、ゼーベック係数の温度依存性が大きく異なる。置換元素が添加されていない比較例2〜6は、図12に示すように温度上昇とともにゼーベック係数が0に近づく。これは、温度上昇に伴い、熱電材料を形成する半導体内の電子が価電子帯から伝導帯へ熱励起され、熱励起された電子と価電子帯の電子が抜けたことで生成された正孔が急激に増加し、真性領域を形成したためと考えられる。そのため、比較例2〜6の熱電材料は、温度上昇に伴いp型伝導からn型伝導へ反転している。すなわち、安定的なp型熱電材料として機能することができない。
これに対し、図13に示すように置換元素を加えた実施例1及び比較例1は、温度に対しても安定的なp型伝導の熱電材料である。実施例1の熱電材料は、比較例1の熱電材料と比較して高いゼーベック係数を示している。
無次元性能指数は、熱電材料の性能指数Zに絶対温度をかけたものであり、ZTと一般に表記される。ZTは、一般式(2)で示すように、上記で測定した熱伝導率、比抵抗、ゼーベック係数から求めることができる。
図14は実施例1、比較例1および比較例2の無次元性能指数ZTの測定結果である。
置換元素を添加した実施例1および比較例1は、比較例2と比較して高い熱電性能を示す。比較例2は十分なキャリアを有さないため無次元熱電性能が低いが、実施例1及び比較例1は、置換によるキャリアの導入に伴う比抵抗の低下により無次元熱電性能が高くなったと考えられる。また実施例1は、比較例1と比較して高い熱電性能を示す。それぞれの最大値は、実施例1は650Kで0.28であるのに対し、比較例1は550Kで0.26である。実施例1は、比較例1に対して熱電性能を8%も向上できている。
実施例2は、原料のAgをGaに代えた点のみが実施例1と異なる。
すなわち、Mg2.00(Si0.25Sn0.65Ge0.10)の4元系の組成物のSi,Sn,Geのいずれかのサイトを添加したGa(添加量:25000ppm)で置換した。得られた組成物の組成式は、Mg2.00(Ga0.025Si0.25−αSn0.65−βGe0.10−γ)である。ここでα、β、γは、α≧0、β≧0、γ≧0及びα+β+γ=0.025の関係を満たす。
実施例3は、原料にLiを加えた点が実施例1と異なる。すなわち、Mg2.00(Si0.25Sn0.65Ge0.10)の4元系の組成物のMgサイトを添加したAg(添加量:20000ppm)及びLi(添加量:5000ppm)で置換した。得られた組成物の組成式は、Mg1.975Ag0.020Li0.005(Si0.25Sn0.65Ge0.10)である。
実施例4は、原料にLiとGaを加えた点が実施例1と異なる。すなわち、Mg2.00(Si0.25Sn0.65Ge0.10)の4元系の組成物のMgサイトを添加したAg(添加量:20000ppm)及びLi(添加量:5000ppm)で置換し、Si,Sn,Geのいずれかのサイトを添加したGa(添加量:25000ppm)で置換した。得られた組成物の組成式は、Mg1.975Ag0.020Li0.005(Ga0.025Si0.25−αSn0.65−βGe0.10−γ)である。ここでα、β、γは、α≧0、β≧0、γ≧0及びα+β+γ=0.025の関係を満たす。
Claims (7)
- マグネシウム(Mg)、ケイ素(Si)、スズ(Sn)、ゲルマニウム(Ge)からなる下記一般式(1)で表される化合物のMgサイト、Siサイト、Snサイト及び/またはGeサイトのいずれかのうち少なくとも一つが、
1A族のアルカリ金属、1B族の金(Au)、銀(Ag)、銅(Cu)、亜鉛(Zn)、カルシウム(Ca)、ガリウム(Ga)からなる群のいずれか一つ以上の元素で置換されていることを特徴とするp型熱電材料;
MgA(SiXSnYGeZ) ・・・(1)
ただし、
1.98≦A≦2.01、
0.00<X≦0.25、0.60≦Y≦0.95、Z>0、X+Y+Z=1、
かつ
−1.00X+0.40≧Z≧−2.00X+0.10(0.00<X≦0.25)、 −1.00Y+1.00≧Z≧−1.00Y+0.75(0.60≦Y≦0.90)、 −2.00Y+1.90≧Z≧−1.00Y+0.75(0.90<Y≦0.95)を満たす。 - 前記一般式(1)で表される化合物が、銀(Ag)と、1A族のアルカリ金属および/または1B族の金(Au)、銅(Cu)、亜鉛(Zn)、カルシウム(Ca)、ガリウム(Ga)とによって複合置換されていることを特徴とする請求項1に記載のp型熱電材料。
- 置換される元素が銀(Ag)であることを特徴とする請求項1に記載のp型熱電材料。
- 置換される元素が、5000ppm〜50000ppm添加されていることを特徴とする請求項1に記載のp型熱電材料。
- 前記一般式(1)で表される化合物のMgサイト、Siサイト、Snサイト及び/またはGeサイトのいずれかのうち少なくとも一つが、
1A族のアルカリ金属、1B族の金(Au)、銀(Ag)、銅(Cu)、亜鉛(Zn)、カルシウム(Ca)、ガリウム(Ga)からなる群のいずれか二つ以上の元素で置換されていることを特徴とする請求項1に記載のp型熱電材料。 - マグネシウム(Mg)、ケイ素(Si)、スズ(Sn)、ゲルマニウム(Ge)および置換元素として1A族のアルカリ金属、1B族の金(Au)、銀(Ag)、銅(Cu)、亜鉛(Zn)、カルシウム(Ca)、ガリウム(Ga)からなる群のいずれか一つ以上を加熱用部材に収容する工程と、
前記加熱用部材を加熱し固溶体を合成する工程と、
前記固溶体を粉砕し、さらに加圧焼結する工程とを有し、
マグネシウム(Mg)、ケイ素(Si)、スズ(Sn)、ゲルマニウム(Ge)からなる下記一般式(1)で表される化合物のMgサイト、Siサイト、Snサイト及び/またはGeサイトのいずれかのうち少なくとも一つが、前記置換元素で置換されたp型熱電材料の製造方法;
MgA(SiXSnYGeZ) ・・・(1)
ただし、
1.98≦A≦2.01、
0.00<X≦0.25、0.60≦Y≦0.95、Z>0、X+Y+Z=1、
かつ
−1.00X+0.40≧Z≧−2.00X+0.10(0.00<X≦0.25)、 −1.00Y+1.00≧Z≧−1.00Y+0.75(0.60≦Y≦0.90)、 −2.00Y+1.90≧Z≧−1.00Y+0.75(0.90<Y≦0.95)を満たす。 - 請求項1に記載のp型熱電材料を備える熱電素子。
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