CN107078201B - 热电转换材料 - Google Patents

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Abstract

本发明提供由Mg3+mAaBbD2‑eEe表示的热电转换材料。在此，元素A表示选自Ca、Sr、Ba和Yb之中的至少一种，元素B表示选自Mn和Zn之中的至少一种，m的值为‑0.39以上且0.42以下，a的值为0以上且0.12以下，b的值为0以上且0.48以下，元素D表示选自Sb和Bi之中的至少一种，元素E表示选自Se和Te之中的至少一种，e的值为0.001以上且0.06以下，所述热电转换材料具有La2O3型晶体结构，并且，所述热电转换材料为n型。

Description

热电转换材料
技术领域
本发明涉及热电转换材料。
背景技术
非专利文献1公开了由化学式Mg3Bi2-xPnx(Pn＝P以及Sb)表示的热电转换材料。
非专利文献2公开了由化学式Mg3Sb2-xBix(0≤x≤0.4)表示的热电转换材料。
非专利文献3公开了由化学式Mg3-xMnxSb2(0≤x≤0.4)表示的热电转换材料。
在先技术文献
非专利文献
非专利文献1：V.Ponnambalam et.al.,“On the Thermoelectric Properties ofZintl Compounds Mg3Bi2-xPnx(Pn＝P and Sb)”,Journal of Electronic Materials,Vol.42,No.7,2013,pp.1307-1312
非专利文献2：A.Bhardwaj et.al.,“Mg3Sb2-based Zintl compound:a non-toxic,inexpensive and abundant thermoelectric material for power generation”,RSC Advances,2013,Vol.3,pp.8504-8516
非专利文献3：Soohyun Kim et.al,“Thermoelectric properties of Mn-dopedMg-Sb single crystals”,Journal of Materials Chemistry,2014, Vol.2,pp.12311-12316
发明内容
本发明的目的在于提供新型的热电转换材料。
本发明提供由以下的化学式(I)表示的热电转换材料。
Mg3+mAaBbD2-eEe (I)
其中，
元素A表示选自Ca、Sr、Ba和Yb之中的至少一种，
元素B表示选自Mn和Zn之中的至少一种，
m的值为-0.39以上且0.42以下，
a的值为0以上且0.12以下，
b的值为0以上且0.48以下，
元素D表示选自Sb和Bi之中的至少一种，
元素E表示选自Se和Te之中的至少一种，
e的值为0.001以上且0.06以下，
所述热电转换材料具有La2O3型晶体结构，并且，
所述热电转换材料为n型。
本发明提供新型的热电转换材料。
附图说明
图1表示La2O3型晶体结构的示意图。
图2A是表示La2O3型晶体结构的衍射光谱解析结果的曲线图。
图2B是表示实施例1的热电转换材料的X射线衍射分析的结果的曲线图。
图2C是表示实施例6的热电转换材料的X射线衍射分析的结果的曲线图。
图3是表示温度与实施例1、实施例6、以及比较例1的热电转换材料的热电转换性能指数ZT之间的关系的曲线图。
图4是表示温度与实施例1、实施例6、以及比较例1的热电转换材料的塞贝克系数S的关系的曲线图。
图5是表示实施例1中的能量色散型X射线光谱法的分析结果的曲线图。
图6是表示实施例1的热电转换材料的透射型电子显微镜图像的图。
具体实施方式
下面详细地说明本发明。
本发明的热电转换材料由以下的化学式(I)表示。
Mg3+mAaBbD2-eEe (I)
元素A表示选自Ca、Sr、Ba和Yb之中的至少一种，
元素B表示选自Mn和Zn之中的至少一种，
m的值为-0.39以上且0.21以下，
a的值为0以上且0.12以下，
b的值为0以上且0.48以下，
元素D表示选自Sb和Bi之中的至少一种，
元素E表示选自Se和Te之中的至少一种，且
e的值为0.001以上且0.06以下。
本发明的热电转换材料具有La2O3型晶体结构，并且为n型。
a的值可以是0。因此，本发明的热电转换材料不一定包含元素A。同样地，b的值可以是0。因此，本发明的热电转换材料不一定包含元素B。进而，可以满足以下的数学式(III)。
a＝b＝0 (III)
另一方面，本发明的热电转换材料必须含有元素Mg、元素D和元素 E。
本发明的热电转换材料，通过含有元素E、以及e的值为0.001以上且0.06以下这两项而被赋予特征。
如在热电转换材料的技术领域中众所周知的那样，热电转换材料的性能由热电转换性能指数ZT和塞贝克系数S表示。如在后述的实施例1～实施例4以及比较例1～比较例2中所证实的那样，在e的值为0.001以上且0.06以下的情况下，热电转换材料的性能飞跃性地提高。请参照表3。进而，这样的热电转换材料为n型。另一方面，如在比较例1中所证实的那样，在e的值等于0的情况下，热电转换材料的性能较低，且其为p型。在e的值超过0.06的情况下，热电转换材料的性能也低。优选e的值为0.004 以上且0.020以下。
本发明的热电转换材料具有La2O3型晶体结构。图1表示La2O3型晶体结构的示意图。本发明的热电转换材料可以是单晶性的，也可以是多晶性的。
m的值为-0.39以上且0.42以下。请参照后述的实施例26和实施例29。 m的值可以是-0.39以上且0.21以下。在a和b的值中的至少任一个大于0 的情况下，优选在m、a和b的值之间满足以下的数学式(II)。
m＝m’-a-b (II)
其中，
m’为0以上且0.42以下。
对于m’的值等于0的情况，请参照实施例26。在m’的值等于0.42 的情况下，请参照实施例29。
(制造方法)
下面说明本发明的热电转换材料的制造方法的一例。首先，通过在 1000℃～1500℃的温度下采用电弧熔化法使锑和铋熔化而得到锑铋合金。接着，将锑铋合金、镁粉末、以及硒粉末投入到坩埚中。坩埚被加热到800℃度～1500℃的温度，从而得到MgSbBiSe合金。
当在坩埚中加热时，元素会从坩埚飞出。因此，要注意所得到的热电转换材料的摩尔比与起始物质的摩尔比很少一致。
MgSbBiSe合金经火花等离子体烧结，得到MgSbBiSe的晶体。这样就可得到由MgSbBiSe的晶体形成的热电转换材料。
参照以下的实验例来更详细地说明本发明。
(实施例1)
(制造方法)
在实施例1中，如以下那样地制造出由化学式Mg3.08Sb1.49Bi0.49Se0.02表示且具有La2O3晶体结构的热电转换材料。
首先，采用电弧熔化法将粒状锑(5.48克，0.045摩尔)和粒状铋(3.01 克，0.0144摩尔)在1000～1500℃的温度下熔化，得到了锑与铋的合金。将合金在研钵中粉碎，得到了Sb-Bi的粉末。
接着，向Sb-Bi的粉末中添加了镁粉末(2.33克，0.096摩尔)和硒粉末(0.0474克，0.0006摩尔)。将这些粉末充分地混合。在实施例1中，起始物质的Mg：Sb：Bi：Se的摩尔比为0.096：0.045：0.0144：0.0006，即为3.2：1.5：0.48：0.02。
将混合后的粉末供给到压片机中，得到小块(tablet)。将小块投入到碳坩埚中。将碳坩埚充满氩气。将小块在800～1000℃的温度下加热10秒钟。这样，小块熔融，然后得到了锭。
将锭投入到在充满氩气的手套箱中放置的研钵中。将锭在手套箱中粉碎，得到了MgSbBiSe的粉末。各粉末具有100μm以下的粒径。
将粉末采用以下那样的火花等离子体烧结法(以下称为“SPS法”)进行烧结。首先，将粉末填充到由石墨形成的圆筒形的模具中。圆筒形的模具具有50毫米的外径和10毫米的内径。向圆筒形的模具中供给氩气。一边对填充到圆筒形的模具中的材料施加50MPa的压力，一边在材料中流动脉冲电流。这样，被填充到圆筒形的模具中的材料的温度以大约20℃/ 分的速度上升。材料的温度在600℃下维持了30分钟。接着，使材料的温度下降到室温，从而得到了致密的烧结体。这样，就得到了实施例1的热电转换材料。
(组成比的确定)
实施例1的热电转换材料的化学组成采用能量色散型X射线光谱法 (以下称为“EDX”)进行了分析。具体地讲，将实施例1的热电转换材料提供给X射线光谱器(Bruker公司制，商品名：XFlash6|10)。图5 是表示实施例1中的EDX的结果的曲线图。从图5明确可知，实施例1 的热电转换材料具有Mg3.08Sb1.49Bi0.49Se0.02这一组成。
(晶体结构的观察)
对实施例1的热电转换材料进行了X射线衍射分析。图2B示出其结果。图2A是表示具有0.460纳米的a轴向晶格常数、0.460纳米的b轴向晶格常数、以及0.729纳米的c轴向晶格常数的La2O3型晶体结构(或 CaAl2Si2型结构)的X射线衍射光谱的曲线图。实施例1中的衍射光谱中所包含的峰与图2A中的衍射峰一致。因此，从图2B明确可知实施例1 的热电转换材料具有La2O3型晶体结构。
图6表示实施例1的热电转换材料的透射型电子显微镜图像。具有上述三个晶格常数的La2O3型晶体结构中所包含的晶粒的原子排列周期与沿着图6所示的取向方向规定的原子排列周期一致。换言之，从图6明确可知实施例1的热电转换材料为具有La2O3型结构的多晶体。
以下的表1示出实施例1的热电转换材料的塞贝克系数S和热电转换性能指数ZT。对于塞贝克系数S和热电转换性能指数ZT的计算方法的详情，请参照美国专利申请号14/847321(国际申请号：PCT/JP2014/001882)、美国专利申请号14/847362(国际申请号：PCT/JP2014/001883)、以及美国专利申请号14/718491(国际申请号：PCT/JP2014/001885)。这三个专利申请均被引用到本申请中。
表1
温度(K) 塞贝克系数(μV/K) 热电转换性能指数ZT
331 -225 0.58
374 -244 0.73
423 -260 0.87
472 -270 0.98
520 -277 1.10
569 -280 1.23
617 -283 1.33
665 -288 1.42
713 -293 1.49
从表1明确可知，塞贝克系数S为负值。这表明实施例1的热电转换材料为n型。
实施例1的热电转换材料即使在331K的温度下也具有0.58这样的高热电转换性能指数ZT。同样地，实施例1的热电转换材料在713K的温度下具有1.49这样的高热电转换性能指数ZT。
(比较例1)
粒状锑、粒状铋、镁粉末、以及硒粉末的重量分别为5.48克(即0.045 摩尔)3.13克(即0.015摩尔)、2.33克(即0.096摩尔)、以及0克(即0 摩尔)，除此以外，进行了与实施例1同样的实验。请注意在比较例1中没有使用硒。在比较例1中，得到了由化学式Mg3.07Sb1.47Bi0.53表示的热电转换材料。在比较例1中，起始物质的Mg：Sb：Bi：Se的摩尔比为0.096： 0.045：0.015：0，即为3.2：1.5：0.5：0。
以下的表2示出比较例1的热电转换材料的塞贝克系数S和热电转换性能指数ZT。
表2
温度(K) 塞贝克系数:S(μV/K) 热电转换性能指数ZT
329 350 0.005
374 380 0.009
423 381 0.020
472 361 0.035
520 333 0.047
569 303 0.071
617 279 0.099
665 256 0.122
713 234 0.130
通过表1和表2的比较明确可知，由不含Se的MgD合金形成的热电转换材料为p型。向MgD合金添加Se会使热电转换性能指数ZT飞跃性地提高。另外，向MgD合金添加Se会使塞贝克系数S的值成为负值。这表明向MgD合金添加Se会使热电转换材料成为n型。
(实施例2～实施例4以及比较例2)
在实施例2～实施例4以及比较例2中，起始物质的Mg：Sb：Bi：Se的摩尔比为表3所示的摩尔比，除此以外，进行了与实施例1同样的实验。
表3
从表3明确可知，为了得到高的热电转换性能指数ZT和负的塞贝克系数S，e(即，热电转换材料中所含有的Se的摩尔比率)的值需为0.001 以上且0.06以下。由比较例1明确可知，在e的值等于0的情况下，热电转换材料为p型。由比较例2明确可知，在e的值等于0.08的情况下，ZTmax的值、ZT330K的值、以及S330K的值均低。这表明比较例2涉及的热电转换材料的性能低。
(实施例5～实施例8以及比较例3)
在实施例5～实施例8以及比较例3中，使用Te来代替Se。起始物质的Mg：Sb：Bi：Te的摩尔比为表4所示的摩尔比，除此以外，进行了与实施例1同样的实验。对实施例6的热电转换材料进行了X射线衍射分析。图2C示出其结果。与图2B(即实施例1)的情况同样地，从图2C明确可知实施例6的热电转换材料也具有La2O3型晶体结构。换言之，通过图 2C明确可知含有Te以代替Se的热电转换材料也具有La2O3型晶体结构。
表4
从表4明确可知，e的值(即，热电转换材料中所含有的Te的摩尔比率)优选为0.001以上且0.04以下。如果考虑到表3的话，则即使在使用 Te来代替Se的情况下，只要e的值为0.06以下，热电转换材料也会具有高的性能。由比较例3明确可知，在e的值等于0.09的情况下，ZTmax的值、ZT330K的值、以及S330K的值均低。这表明比较例3涉及的热电转换材料的性能低。
(实施例9～实施例12)
在实施例9～实施例12中，起始物质的Mg：Sb：Bi：Se的摩尔比为表5所示的摩尔比，除此以外，进行了与实施例1同样的实验。
表5
从表5明确可知，即使是不含Sb和Bi中的任一方的情况，本发明的热电转换材料也具有高的性能。
(实施例13～实施例20以及比较例4)
实施例13～实施例20以及比较例4的热电转换材料还含有选自Ca、 Sr、Ba和Yb之中的至少一种。换言之，在实施例13～实施例20以及比较例4中，起始物质的Mg：A：Sb：Bi：Se的摩尔比(A表示选自Ca、 Sr、Ba和Yb之中的至少一种)为表6所示的摩尔比，除此以外，进行了与实施例1同样的实验。Ca粉末、Sr粉末、Ba粉末、以及Yb粉末是与粒状Bi以及粒状Sb一起采用电弧熔化法来熔化的。
表6
从表6明确可知，本发明的热电转换材料可以还含有选自Ca、Sr、 Ba和Yb之中的至少一种。
(实施例21～实施例26以及比较例5～比较例6)
实施例21～实施例26以及比较例5～比较例6的热电转换材料还含有选自Mn和Zn之中的至少一种。换言之，在实施例21～实施例26以及比较例5～比较例6中，起始物质的Mg：B：Sb：Bi：Se的摩尔比(B表示选自Mn和Zn之中的至少一种)为表7所示的摩尔比，除此以外，进行了与实施例1同样的实验。Mn粉末是与粒状Bi以及粒状Sb一起采用电弧熔化法来熔化的。Zn粉末是与小块一起被导入到碳坩埚中的。
表7
从表7明确可知，本发明的热电转换材料可以还含有选自Mn和Zn 之中的至少一种。
(实施例27～实施例29)
在实施例27～实施例29中，起始物质的Mg：Sb：Bi：Se的摩尔比为表8所示的摩尔比，除此以外，进行了与实施例1同样的实验。
表8
从表8明确可知，实施例27～实施例29的热电转换材料也具有高的热电转换性能指数ZT。
图3是表示温度和实施例1、实施例6、以及比较例1的热电转换材料的热电转换性能指数ZT之间的关系的曲线图。
图4是表示温度和实施例1、实施例6、以及比较例1的热电转换材料的塞贝克系数S的关系的曲线图。
从图3和图4明确可知，向MgD合金添加Se会使热电转换性能指数 ZT飞跃性地提高。另外，向MgD合金添加Se会使塞贝克系数S的值成为负值。这表明向MgD合金添加Se会使热电转换材料成为n型。
产业上的可利用性
本发明的热电转换材料可用于将热能转换为电能的热电转换装置。

Claims (5)

1.一种热电转换材料，由以下的化学式(I)表示，
Mg3+mAaBbD2-eEe (I)
其中，
元素A表示选自Ca、Sr、Ba和Yb之中的至少一种，
元素B表示选自Mn和Zn之中的至少一种，
m的值为-0.39以上且0.42以下，
a的值为0以上且0.12以下，
b的值为0以上且0.48以下，
元素D表示选自Sb和Bi之中的至少一种，
元素E表示选自Se和Te之中的至少一种，
e的值为0.001以上且0.06以下，
所述热电转换材料具有La2O3型晶体结构，并且，
所述热电转换材料为n型。
2.根据权利要求1所述的热电转换材料，
满足以下的数学式(II)，
m＝m’-a-b (II)
其中，
a和b的值中的至少一个大于0，并且，
m’的值为0以上且0.21以下。
3.根据权利要求1所述的热电转换材料，
e的值为0.004以上且0.020以下。
4.根据权利要求2所述的热电转换材料，
e的值为0.004以上且0.020以下。
5.根据权利要求1所述的热电转换材料，
满足以下的数学式(III)，
a＝b＝0 (III)。
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP7209167B2 (ja) * 2017-05-08 2023-01-20 パナソニックＩｐマネジメント株式会社 ジントル相熱電変換材料
CN108963064B (zh) * 2017-12-28 2019-11-29 中国科学院物理研究所 热压烧结装置、微纳多孔结构的块体热电材料及其制法
US20200370965A1 (en) * 2018-02-28 2020-11-26 Arthur Beckman Thermopile Assembly Providing a Massive Electrical Series of Thermocouple Elements
CN108531795B (zh) * 2018-03-07 2020-09-22 南方科技大学 n-型Mg-Sb基室温热电材料及其制备方法
JP7138307B2 (ja) * 2018-06-27 2022-09-16 パナソニックＩｐマネジメント株式会社 熱電変換素子及び熱電変換モジュール
WO2020168105A1 (en) * 2019-02-13 2020-08-20 Beckman Arthur Thermopile assembly providing a massive electrical series of wire thermocouple elements
JP7165931B2 (ja) * 2019-03-26 2022-11-07 パナソニックＩｐマネジメント株式会社 熱電変換材料及びこれを用いた熱電変換素子
WO2021049167A1 (ja) 2019-09-09 2021-03-18 パナソニックＩｐマネジメント株式会社 熱電変換材料、熱電変換素子、熱電変換材料を用いて電力を得る方法及び熱を輸送する方法
JPWO2021131408A1 (zh) 2019-12-25 2021-07-01
CN115398657A (zh) * 2020-04-10 2022-11-25 松下知识产权经营株式会社 热电转换元件、热电转换组件、接合材料和热电转换元件的制造方法
JPWO2022009586A1 (zh) 2020-07-07 2022-01-13
JPWO2022054577A1 (zh) 2020-09-10 2022-03-17
CN112310269A (zh) * 2020-11-03 2021-02-02 哈尔滨工业大学（深圳） 兼具发电和制冷潜力的Mg3(Sb,Bi)2基热电材料及其制备方法
CN112921205B (zh) * 2021-01-26 2022-06-14 广西大学 一种高热电性能n型Mg3Sb2基热电材料及其制备方法
WO2022259759A1 (ja) * 2021-06-08 2022-12-15 パナソニックＩｐマネジメント株式会社 熱電変換素子、熱電変換モジュール、及び、熱電変換素子の製造方法
CN117413635A (zh) * 2021-06-08 2024-01-16 松下知识产权经营株式会社 热电转换材料、热电转换材料用组合物、热电转换元件、热电转换模块和热电转换材料的制造方法
JPWO2023281926A1 (zh) * 2021-07-05 2023-01-12
WO2023248840A1 (ja) * 2022-06-24 2023-12-28 パナソニックＩｐマネジメント株式会社 熱電変換モジュール、熱電変換装置、発電方法及び伝熱方法

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2001018884A1 (en) * 1999-09-09 2001-03-15 Symyx Technologies, Inc. Improved thermoelectric material system
WO2005114757A3 (de) * 2004-05-21 2006-06-08 Basf Ag NEUE TERNÄRE HALBLEITENDE LEGIERUNGEN MIT BANDLÜCKEN KLEINER ALS 0,8 eV

Family Cites Families (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE19955788A1 (de) * 1999-11-19 2001-05-23 Basf Ag Thermoelektrisch aktive Materialien und diese enthaltende Generatoren

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2001018884A1 (en) * 1999-09-09 2001-03-15 Symyx Technologies, Inc. Improved thermoelectric material system
WO2005114757A3 (de) * 2004-05-21 2006-06-08 Basf Ag NEUE TERNÄRE HALBLEITENDE LEGIERUNGEN MIT BANDLÜCKEN KLEINER ALS 0,8 eV

Non-Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
Faraz Ahmadpour et al.."Structural and physical properties of Mg3−xZnxSb2 (x=0–1.34)".《Journal of Solid State Chemistry》.2007,第180卷(第9期),2420-2428.
H X Xin et al.."Electrical and thermoelectric properties of nanocrystal substitutional semiconductor alloys Mg3(BixSb1−x)2 prepared by mechanical alloying".《Journal of Physics D: Applied Physics》.2006,第39卷(第24期),5331-5337.

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