JP2013197550A - 熱電材料およびその製造方法 - Google Patents
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【解決手段】Mg、X(Xは、Si、Ge及びSnからなる群から選択される一種以上の元素)、及びLiを含む原料を混合して焼成することにより、Mg2Xで示される化合物にLiがドープされた熱電材料を製造する熱電材料の製造方法であって、上記原料が、Mg、あるいはXのうちの1種以上とLiとの固溶体を含む、熱電材料の製造方法を提供する。
【選択図】なし
Description
さらに、上記24Mg+が20カウント以上の領域が90%以上かつ、7Li+が1〜10カウントの領域が90%以上である微細構造を有することが好ましい。
また、Li含有量は、Mg及びX(Xは、Si、Ge及びSnからなる群から選択される一種以上の元素)の合計100molに対して、0.07〜8.0molであることが好ましい。
さらに、O含有量は、Mg及びX(Xは、Si、Ge及びSnからなる群から選択される一種以上の元素)の合計100molに対して、1.0mol以下であることが好ましい。
さらにまた、600℃におけるゼーベック係数は30μV・K-1以上であることが好ましい。
また、本発明の熱電材料では、上記XがSiを含み、Mg2X(220)とMgO(200)のX線回折のピーク高さ比が、MgO(200)/Mg2X(220)=0.03以下であり、Mg2X(220)とSiC−2H(002)のX線回折のピーク高さ比が、(SiC−2H(002)のピーク高さ)/(Mg2X(220)のピーク高さ)=0.003以下である微細構造を有することが好ましい。
また、上記固溶体のOおよびC含有量は、Mg及びX(Xは、Si、Ge及びSnからなる群から選択される一種以上の元素)の合計100molに対して、10mol以下であることが好ましい。
さらに、上記固溶体は、Mg−Li合金であることが好ましい。
さらにまた、上記Mg−Li合金のMgとLiのmol比は、97:3〜70:30であることが好ましい。
本発明の熱電材料は、Mg2X(Xは、Si、Ge及びSnからなる群から選択される一種以上の元素)で示される化合物にLiがドープされた熱電材料であって、飛行時間型二次イオン質量分析(TOF−SIMS)の200μm×200μmのマッピング測定(画素数256×256、サイクルタイム(1画素・1スキャンあたりの測定時間)60μs、スキャン24回)において、24Mg+が20カウント以上の領域が85%以上かつ、7Li+が1〜10カウントの領域が80%以上である微細構造を有している。このため、Mg,X,Liの各元素の材料中での均一性が非常に高く、高い導電率とゼーベック係数を実現している。
飛行時間型二次イオン質量分析(TOF−SIMS)の測定前に、試料表面を鏡面研磨し、さらに測定試料表面の汚染を取り除くため、TOF−SIMS装置内で試料表面をO2+のイオンビーム(0.5keV)にて数nm程度エッチングすることが好ましい。TOF−SIMSでは、原子の分布を100nm以下の空間分解能で観察でき、試料表面の構造解析を行うことができる。具体的には、数十keVのパルス状一次イオン(Bi)を照射量が1×1012(ions/cm2)以下になるような条件で試料(固体表面)に照射し、スパッタアウトされた二次イオンを分析して得られるスペクトルより試料表面の構造解析を行う。測定条件の例としては、一次イオン種Bi+、一次イオンエネルギー25kV、パルス幅100ns、バンチングなし(高空間分解能測定)、帯電中和なし、質量範囲0〜220、スキャン数24、ピクセル数256×256、サイクルタイム(1画素・1スキャンあたりの測定時間)60μs、後段加速10kV、測定真空度4×10-7Paで行うことができる。ここでは、試料表面の200μm×200μmの領域においてマッピング測定を行い、二次イオンとして24Mg+が20カウント以上、ならびに7Li+が1〜10カウントの領域(面積)の割合を測定することにより、MgとLiの分布構造を測定する。飛行時間型二次イオン質量分析(TOF−SIMS)は、例えば、ION−TOF社製のTOF.SIMS5を用いて行うことができる。
本発明の熱電材料では、Li含有量は例えば、Mg及びX(Xは、Si、Ge及びSnからなる群から選択される一種以上の元素)の合計100molに対して、0.05〜8.5molとすることができる。Li含有量がこのような範囲にある場合に、優れた導電率とゼーベック係数を実現できる。Liが0.05mol未満の場合には、n型となってしまう場合があり、8.5molより大きい場合には、キャリア濃度の増大に伴い、ゼーベック係数が減少する場合がある。Li含有量は、Mg及びX(Xは、Si、Ge及びSnからなる群から選択される一種以上の元素)の合計100molに対して、0.07〜8.0molが好ましく、0.2〜4.5molがより好ましい。
O(酸素原子)含有量は、Mg及びX(Xは、Si、Ge及びSnからなる群から選択される一種以上の元素)の合計100molに対して、2mol以下(例えば0.01〜2mol)であることが好ましく、1.5mol以下(例えば0.05〜1.5mol)であることがより好ましく、0.1〜1.0molであることがさらに好ましい。O含有量がこのような範囲にある場合に、熱電材料中の異相の発生が抑えられやすくなり、導電率が高くなりやすく且つゼーベック係数が高くなりやすいため好ましい。同様に、C(炭素原子)含有量は、Mg及びX(Xは、Si、Ge及びSnからなる群から選択される一種以上の元素)の合計100molに対して、0.3mol以下(例えば0.01〜0.3mol)であることが好ましい。C含有量がこのような範囲にある場合に、合成時、熱電材料中の異相の発生が抑えられやすくなり、導電率が高くなりやすく且つゼーベック係数が高くなりやすいため好ましい。
本発明の熱電材料は、好ましくは、上記XがSiを含み、Mg2X(220)(Xは、Si、Ge及びSnからなる群から選択される一種以上の元素)とMgO(200)のX線回折のピーク高さ比が、MgO(200)/Mg2X(220)=0.03以下(例えば、0〜0.03、ここでMgO(200)のピーク高さが検出限界以下の場合の高さを0とする)であり、Mg2XとSiC−2HのX線回折のピーク高さ比が、(SiC−2H(002)のピーク高さ)/(Mg2X(220)のピーク高さ)=0.003以下(例えば、0〜0.003、ここでSiC−2H(002)のピーク高さが検出限界以下の場合の高さを0とする)である微細構造を有する。この場合に、Mg2Xが主相であり、MgOならびにSiC−2Hは異相である。本発明の熱電材料では、X線回折のピーク高さが好ましくは上記の関係を有し、この場合に異相が極めて少ない構造となる。このため、導電率が高くなりやすく且つゼーベック係数が高くなりやすい。
本発明の熱電材料の製造方法では、Mg、X(Xは、Si、Ge及びSnからなる群から選択される一種以上の元素)、及びLiを含む原料を混合して焼成することにより、Mg2Xで示される化合物にLiがドープされたp型熱電材料を製造する。原料は、Mg、あるいはXのうちの1種以上とLiとの固溶体を含んでいる。
(2−1−1)固溶体
Mg、あるいはX(Xは、Si、Ge及びSnからなる群から選択される一種以上の元素)のうちの1種以上とLiとの固溶体としては任意の組み合わせの固溶体が使用できる。上記固溶体としては、例えば、LiとMgとを含む固溶体、又はLiとXとを含む固溶体が挙げられる。これらの固溶体は、Li原料として、大気中で取り扱うことができるため好ましい。固溶体(Li原料)中の酸素および炭素含有量は、Mg及びX(Xは、Si、Ge及びSnからなる群から選択される一種以上の元素)の合計100molに対して、20mol以下が好ましく、10mol以下がより好ましく、5mol以下であることがさらに好ましく、1mol以下(例えば0.01〜1mol)であることが特に好ましい。
Mg原料としては、上記固溶体の他に、Mg粉末などを使用できる。Mg粉末は任意の粒径のものを使用できるが、粒径が1000μm以下のものが好ましく、200μm以下のものがより好ましい。上記Xの原料としては、上記固溶体の他に、粉末状のXなどを使用できる。粉末状のXとしては任意の粒径のものを使用できるが、粒径が1000μm以下のものが好ましく、200μm以下のものがより好ましく、100μm以下のものがさらに好ましい。Li原料としては、上記固溶体の他に、Li粉末などを使用してもよい。Li粉末は任意の粒径のものを使用できるが、粒径が1000μm以下のものが好ましく、200μm以下のものがより好ましい。
各元素の配合割合は、mol比で、Mg:X:Li=2:1:0.001〜0.6とすることができる。Liの配合割合は、Mg及びX(Xは、Si、Ge及びSnからなる群から選択される一種以上の元素)の合計100molに対して、0.09〜15molであることが好ましい。
予備混合を行った原料粉を、例えばアルゴン等の不活性雰囲気下、600〜800℃で0.5〜4時間焼成し、LiドープMg2X粉を得る。得られたMg2X粉を20〜100kg・cm-2の圧力でプレス成形を行い、ホットプレス焼成を行い、LiドープMg2X焼結体(熱電材料)を得る。ホットプレスは、アルゴン等の不活性雰囲気下、プレス圧力100〜600kg・cm-2、700〜1100℃で1〜4時間行うことができる。プレス成形前に、LiドープMg2X粉を、例えば50μm以下まで粉砕してもよい。
前記焼結体は、目的に応じて所定の大きさに切り出し、研磨した後、熱電性能をはじめとする測定を行うことができる。
表1に示す元素割合になるように、表1の各原料を調合し、予備混合を行った。また、原料として用いたマグネシウムは180μmパスの粉末、シリコン、およびスズは45μmパスの粉末を用いた。実施例の原料として用いたマグネシウム−リチウム合金は板状であるため、3mm角に切断して、他の原料と混合した。表1においてマグネシウム−リチウム合金のMg:Liはmol比で示した。比較例の原料として用いたLi2CO3、およびCH3COOLiはボールミルで1μmまで粉砕したものを用いた。
元素分布の測定は、ION−TOF社製のTOF.SIMS5を用いて行った。各焼結体の測定面を、鏡面研磨し、さらに測定試料表面の汚染を取り除くため、TOF−SIMS装置内で試料表面をO2+のイオンビーム(0.5keV)にて数nm程度エッチングしてから、測定を行った。測定は、一次イオン種Bi+、一次イオンエネルギー25kV、パルス幅100ns、バンチングなし(高空間分解能測定)、帯電中和なし、質量範囲0〜220、スキャン数24、ピクセル数256×256、サイクルタイム(1画素・1スキャンあたりの測定時間)60μs、後段加速10kV、測定真空度4×10-7Paで、試料表面の200μm×200μmの領域においてマッピング測定を行い、二次イオンとして24Mg+が20カウント以上、ならびに7Li+が1〜10カウントの領域(面積)の割合を測定した。
実施例1〜17及び比較例1〜9で得られた熱電材料について、X線回折(XRD)ピーク高さ比の測定を行った。X線回折のピーク高さの測定は、リガク社製のRINT2000を用いて行った。焼結体を粉砕し、粉末XRD測定を行い、管電圧50kV、管電流300mAにて測定を行った。
実施例1〜17及び比較例1〜9で得られた熱電材料について、各サンプルを酸あるいは、アルカリを用いて、水に溶解させ、原子吸光光度法にてLi含有量を測定した。Li含有量は、Mg、Si、及びSnの合計100molに対するmol数として、表2に示した。
実施例1〜17及び比較例1〜9で得られた熱電材料について、各サンプルのOを不活性ガス融解−赤外線吸収法(JIS R1603)、およびC含有量を高周波加熱−赤外線吸収法(JIS R1603)により測定した。OならびにC含有量は、Mg、Si、及びSnの合計100molに対するmol数として、表2に示した。また、Li原料中のO含有量についても同様にした。
実施例1〜17、及び比較例1〜9で得られた熱電材料の熱電性能を、ゼーベック係数、および導電率により評価した。
導電率測定は、4端子法にて真空雰囲気下、600℃で行った。電流源より一定電流を流して、デジタルマルチメーターにて電圧値を読み取り、導電率を算出した。結果を以下のように評価した。
◎(優): 130S/cm超
○(良): 65S/cm超130S/cm以下
△(やや良): 50S/cm超 65S/cm以下
×(不良): 50S/cm以下
ゼーベック係数測定は、東洋テクニカ製のResi Test 8300を用いて、真空雰囲気で600℃で行った。p型材料の性能評価のため、結果を以下のように評価した。
◎(優): 200μV・K-1以上
○(良): 30μV・K-1以上200μV・K-1未満
△(やや良): 10μV・K-1以上30μV・K-1未満
×(不良): 10μV・K-1未満
Claims (10)
- Mg2X(Xは、Si、Ge及びSnからなる群から選択される一種以上の元素)で示される化合物にLiがドープされた熱電材料であって、飛行時間型二次イオン質量分析(TOF−SIMS)の200μm×200μmのマッピング測定(画素数256×256、サイクルタイム(1画素あたりの測定時間)60μs、スキャン24回)において、24Mg+が20カウント以上の領域が85%以上かつ、7Li+が1〜10カウントの領域が80%以上である微細構造を有する、熱電材料。
- 前記24Mg+が20カウント以上の領域が90%以上かつ、7Li+が1〜10カウントの領域が90%以上である微細構造を有する、請求項1記載の熱電材料。
- Li含有量が、Mg及びX(Xは、Si、Ge及びSnからなる群から選択される一種以上の元素)の合計100molに対して、0.07〜8.0molである、請求項2記載の熱電材料。
- O含有量が、Mg及びX(Xは、Si、Ge及びSnからなる群から選択される一種以上の元素)の合計100molに対して、1.0mol以下である、請求項1〜3のいずれか1項に記載の熱電材料。
- 600℃におけるゼーベック係数が30μV・K-1以上である、請求項1〜4のいずれか1項に記載の熱電材料。
- 前記XがSiを含み、Mg2X(220)とMgO(200)のX線回折のピーク高さ比が、MgO(200)/Mg2X(220)=0.03以下であり、Mg2X(220)とSiC−2H(002)のX線回折のピーク高さ比が、(SiC−2H(002)のピーク高さ)/(Mg2X(220)のピーク高さ)=0.003以下である微細構造を有する、請求項1〜5の何れか1項に記載の熱電材料。
- Mg、X(Xは、Si、Ge及びSnからなる群から選択される一種以上の元素)、及びLiを含む原料を混合して焼成することにより、Mg2Xで示される化合物にLiがドープされた熱電材料を製造する熱電材料の製造方法であって、前記原料が、Mg、あるいはXのうちの1種以上とLiとの固溶体を含む、熱電材料の製造方法。
- 前記固溶体のOおよびC含有量が、Mg及びX(Xは、Si、Ge及びSnからなる群から選択される一種以上の元素)の合計100molに対して、10mol以下である、請求項7記載の熱電材料の製造方法。
- 前記固溶体がMg−Li合金である、請求項7又は8記載の熱電材料の製造方法。
- 前記Mg−Li合金のMgとLiのmol比が97:3〜70:30である、請求項9記載の熱電材料の製造方法。
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