JP5387247B2 - 導電性酸化物 - Google Patents
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まず、導電性酸化物の原料を準備する。原料粉末には酸化インジウム(In2O3)、酸化ガリウム(Ga2O3)、酸化亜鉛(ZnO)、窒化ガリウム(GaN)、窒化インジウム(InN)などを用いることができる。原料粉末の純度は、99.99%以上の高純度であることが好ましい。
1.材料粉末の粉砕混合
In2O3(純度99.99%、BET比表面積5m2/g)、Ga2O3(純度99.99%、BET比表面積11m2/g)、およびZnO(純度99.99%、BET比表面積4m2/g)の各粉末を、ボールミル装置を用いて3時間粉砕混合した。なお、分散媒には水を用いた。粉砕混合後スプレードライヤで乾燥した。
次に、得られた混合粉末をアルミナ製ルツボに入れ、大気雰囲気中、1100℃で5時間仮焼を行ない、仮焼粉体を得た。
次に、得られた仮焼粉体をCIPにより加圧成形し、直径100mm、厚さ約9mmの円板状の成形体を得た。得られた成形体を1気圧のN2雰囲気中、1550℃で12時間焼結して焼結体を得た。得られた焼結体は、直径が80mmに収縮(厚さは約7mm)していた。
次に、得られた焼結体を直径76.2mm、厚さ5.0mmに加工して実施例1のターゲットとした。
実施例2のターゲットは、基本的には実施例1のターゲットと同様に製造したが、材料粉末および焼結において異なっていた。材料粉末については、準備した材料粉末のモル比を変更して、ターゲットの組成が下記の表1の記載になるように各材料粉末を準備した。また、焼結については、得られた成形体を2気圧のNH3およびAr雰囲気中で焼結した。
実施例3のターゲットは、基本的には実施例1のターゲットと同様に製造したが、材料粉末のモル比において異なっていた。材料粉末については、準備した材料粉末のモル比を変更して、ターゲットの組成が下記の表1の記載になるように各材料粉末を準備した。
実施例4のターゲットは、基本的には実施例1のターゲットと同様に製造したが、材料粉末のモル比および焼結において異なっていた。材料粉末については、準備した材料粉末のモル比を変更して、ターゲットの組成が下記の表1の記載になるように各材料粉末を準備した。また、焼結については、得られた成形体を8気圧の雰囲気中で焼結した。
実施例5のターゲットは、基本的には実施例1のターゲットと同様に製造したが、材料粉末のモル比、仮焼および焼結において異なっていた。具体的には、以下の通りである。
In2O3(純度99.99%、BET比表面積5m2/g)、Ga2O3(純度99.99%、BET比表面積11m2/g)、ZnO(純度99.99%、BET比表面積4m2/g)、およびGaN(純度99.99%、BET比表面積2m2/g)の各粉末を、ボールミル装置を用いて3時間粉砕混合した。なお、分散媒には水を用いた。粉砕混合後スプレードライヤで乾燥した。
次に、得られた混合粉末をアルミナ製ルツボに入れ、大気雰囲気中、600℃で5時間仮焼を行ない、仮焼粉体を得た。
次に、得られた仮焼粉体を一軸加圧成形により加圧成形し、直径100mm、厚さ約9mmの円板状の成形体を得た。得られた成形体を1気圧のN2雰囲気中、1550℃で12時間焼結して焼結体を得た。得られた焼結体は、直径が80mmに収縮(厚さは約7mm)していた。
次に、得られた焼結体を直径76.2mm、厚さ5.0mmに加工して実施例5のターゲットとした。
実施例6のターゲットは、基本的には実施例1のターゲットと同様に製造したが、材料粉末のモル比および焼結において異なっていた。材料粉末については、準備した材料粉末のモル比を変更して、ターゲットの組成が下記の表1の記載になるように各材料粉末を準備した。また、焼結については、得られた成形体を1気圧のNH3およびAr雰囲気中で焼結した。
実施例7のターゲットは、基本的には実施例5と同様に製造したが、材料粉末のモル比および焼結において異なっていた。材料粉末については、準備した材料粉末のモル比を変更して、ターゲットの組成が下記の表1の記載になるように各材料粉末を準備した。また、焼結については、得られた成形体を1気圧のAr雰囲気中で焼結した。
実施例8のターゲットは、基本的には実施例5と同様に製造したが、材料粉末のモル比および焼結において異なっていた。材料粉末については、InNをさらに混合するために、準備した材料粉末のモル比を変更して、ターゲットの組成が下記の表1の記載になるように各材料粉末を準備した。また、焼結については、得られた成形体を6気圧の雰囲気中で焼結した。
比較例1のターゲットは、基本的には実施例1と同様に製造したが、成形体を1気圧の大気中で焼結した点において異なっていた。比較例1では、Nを含む原料を用いず、かつ焼結時にNを取り込めるガスを供給しなかったので、比較例1のターゲットにはNは含まれていなかった。
実施例1〜8および比較例1の焼結体について、X線回折測定、以下の条件でのRBSによるIn、Ga、およびZnの組成分析、およびSIMSによるNの定量測定を実施した。その結果を下記の表1に示す。
X線回折測定の結果、実施例1〜8および比較例1のターゲットは、結晶質であることがわかった。このため、ターゲットとして用いることができることがわかった。また、実施例1〜8および比較例1の膜は、非結晶質であることがわかった。
Claims (2)
- 結晶質の導電性酸化物であって、
インジウム、ガリウム、亜鉛、酸素および窒素を含み、
前記窒素の濃度が7×1019(atom/cc)以上であり、
スパッタリング法のターゲットに用いることを特徴とする、導電性酸化物。 - 前記インジウムの濃度と前記ガリウムの濃度と前記亜鉛の濃度との合計の濃度に対する前記インジウムの濃度の比が0.3以上0.6以下であることを特徴とする、請求項1に記載の導電性酸化物。
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