JP2011195923A - 導電性酸化物とその製造方法 - Google Patents
導電性酸化物とその製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2011195923A JP2011195923A JP2010065882A JP2010065882A JP2011195923A JP 2011195923 A JP2011195923 A JP 2011195923A JP 2010065882 A JP2010065882 A JP 2010065882A JP 2010065882 A JP2010065882 A JP 2010065882A JP 2011195923 A JP2011195923 A JP 2011195923A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- zno
- conductive oxide
- peak
- oxide
- less
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 16
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 7
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 134
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 claims description 65
- 239000000843 powder Substances 0.000 claims description 41
- 238000002156 mixing Methods 0.000 claims description 30
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 29
- 239000011701 zinc Substances 0.000 claims description 26
- 239000002245 particle Substances 0.000 claims description 17
- 238000005245 sintering Methods 0.000 claims description 15
- 238000005477 sputtering target Methods 0.000 claims description 10
- 238000000227 grinding Methods 0.000 claims description 6
- 238000000634 powder X-ray diffraction Methods 0.000 claims description 6
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 5
- AJNVQOSZGJRYEI-UHFFFAOYSA-N digallium;oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[Ga+3].[Ga+3] AJNVQOSZGJRYEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N indium(iii) oxide Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[In+3].[In+3] PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910052735 hafnium Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910003437 indium oxide Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910052758 niobium Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910052720 vanadium Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910052726 zirconium Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910052797 bismuth Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910001195 gallium oxide Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 claims 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 claims 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 abstract description 29
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 abstract description 25
- 238000000151 deposition Methods 0.000 abstract description 19
- 230000008021 deposition Effects 0.000 abstract description 19
- 238000005530 etching Methods 0.000 abstract description 19
- 239000000126 substance Substances 0.000 abstract 2
- 229910005555 GaZnO Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 239000010408 film Substances 0.000 description 55
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 15
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 9
- 238000001354 calcination Methods 0.000 description 9
- 238000010298 pulverizing process Methods 0.000 description 9
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 8
- 239000012298 atmosphere Substances 0.000 description 7
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 7
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 5
- 230000000996 additive effect Effects 0.000 description 5
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 5
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 5
- 238000009616 inductively coupled plasma Methods 0.000 description 5
- 238000000465 moulding Methods 0.000 description 5
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 description 5
- 229910005191 Ga 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 4
- 238000002441 X-ray diffraction Methods 0.000 description 4
- 229910007541 Zn O Inorganic materials 0.000 description 4
- QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N acetic acid Substances CC(O)=O QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000009694 cold isostatic pressing Methods 0.000 description 4
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 4
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 4
- 239000007921 spray Substances 0.000 description 4
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 4
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000002612 dispersion medium Substances 0.000 description 3
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 3
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000000463 material Substances 0.000 description 3
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 3
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 3
- 239000011812 mixed powder Substances 0.000 description 3
- 238000001004 secondary ion mass spectrometry Methods 0.000 description 3
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 3
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910015902 Bi 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 2
- NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N Phosphoric acid Chemical compound OP(O)(O)=O NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910006404 SnO 2 Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910010413 TiO 2 Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 2
- 230000002950 deficient Effects 0.000 description 2
- 238000001513 hot isostatic pressing Methods 0.000 description 2
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 2
- 238000003825 pressing Methods 0.000 description 2
- 230000003746 surface roughness Effects 0.000 description 2
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 2
- 229910000838 Al alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N Dioxygen Chemical compound O=O MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000831 Steel Inorganic materials 0.000 description 1
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GEIAQOFPUVMAGM-UHFFFAOYSA-N ZrO Inorganic materials [Zr]=O GEIAQOFPUVMAGM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000147 aluminium phosphate Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 description 1
- 239000011324 bead Substances 0.000 description 1
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 1
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 1
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 1
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000007812 deficiency Effects 0.000 description 1
- 229910001882 dioxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 1
- 238000005401 electroluminescence Methods 0.000 description 1
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 1
- 238000004993 emission spectroscopy Methods 0.000 description 1
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 1
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 1
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 1
- 238000010304 firing Methods 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- BHEPBYXIRTUNPN-UHFFFAOYSA-N hydridophosphorus(.) (triplet) Chemical compound [PH] BHEPBYXIRTUNPN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000007654 immersion Methods 0.000 description 1
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 1
- 238000001755 magnetron sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 1
- DOTMOQHOJINYBL-UHFFFAOYSA-N molecular nitrogen;molecular oxygen Chemical compound N#N.O=O DOTMOQHOJINYBL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 1
- 239000012299 nitrogen atmosphere Substances 0.000 description 1
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 1
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 1
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 1
- 239000010959 steel Substances 0.000 description 1
- 239000013077 target material Substances 0.000 description 1
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 description 1
- 238000004876 x-ray fluorescence Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
- Physical Deposition Of Substances That Are Components Of Semiconductor Devices (AREA)
- Thin Film Transistor (AREA)
- Conductive Materials (AREA)
Abstract
【解決手段】導電性酸化物は、結晶質In2Ga2(1−m)Zn1−qO7−p(0≦m<1、0≦q<1、0≦p≦3m+q)と結晶質Ga2ZnO4とを含む。
【選択図】なし
Description
ステップ1:原料粉末の粉砕混合
Ga2O3粉末(純度99.99%、BET比表面積11m2/g)およびZnO粉末(純度99.99%、BET比表面積4m2/g)が、ボールミル装置を用いて3時間粉砕混合され、第1の混合物としてのGa2O3−ZnO混合物が作製された。この際のmol混合比率は、Ga2O3:ZnO=1:1である。なお、粉砕混合の際の分散媒としては、水が用いられた。粉砕混合後の第1の混合物は、スプレードライヤで乾燥された。
得られた第1の混合物はアルミナ製ルツボに入れられ、大気雰囲気中で900℃の温度にて5時間の仮焼が行なわれ、こうして結晶質Ga2ZnO4からなる仮焼粉体が得られた。
得られたGa2ZnO4仮焼粉体とIn2O3粉末(純度99.99%、BET比表面積5m2/g)とが、ボールミル装置を用いて6時間粉砕混合され、これによって第2の混合物としてのGa2ZnO4−In2O3混合物が作製された。この際のmol混合比率は、Ga2ZnO4:In2O3=1:1である。なお、この際の粉砕混合の分散媒としても、水が用いられた。粉砕混合後の第2の混合物も、スプレードライヤで乾燥された。
得られた第2混合物であるGa2ZnO4−In2O3混合粉体をプレスにより成形し、さらにCIPにより加圧成形し、直径100mmで厚さ約9mmの円板状の成形体を得た。得られた成形体を酸素雰囲気中にて所定温度で5時間焼成し、これによって焼結体が得られた。なお、このときの実施例1〜5に関するそれぞれの焼結温度は、表1にまとめて示されている。
得られた焼結体の一部からサンプルを採取して、粉末X線回折法によって結晶解析が行なわれた。X線としてはCuのKα線が用いられ、回折角2θと回折強度Iが測定された。
得られた焼結体は、直径3インチ(76.2mm)で厚さ5.0mmのターゲットに加工された。
得られたターゲットを用いたスパッタリング法にて、酸化物半導体膜が堆積された。スパッタリング法としては、DC(直流)マグネトロンスパッタ法が用いられた。このとき、ターゲットの直径3インチの平面がスパッタ面であった。
その後、リン酸:酢酸:水=4:1:100のエッチング水溶液を調製し、In−Ga−Zn−O膜が形成された石英ガラス基板をそのエッチング液内に浸漬させた。このとき、エッチング液は、ホットバス内で50℃に昇温されていた。浸漬時間を2分に設定し、その間にエッチングされずに残った膜の厚さを触針式の表面粗さ計にて測定した。成膜直後の膜厚とエッチング後に残った膜の厚さとの差をエッチング時間で割ったものが、エッチング速度と判断された。実施例1〜5におけるエッチング速度は、比較例1のエッチング速度を1として規格化されて表1に示されている。
実施例6においても、前述のステップ1と2は実施例1〜5の場合と同様である。しかし、実施例6においては、ステップ3と4が部分的に変更されたことにおいて、実施例1〜5と異なっている。すなわち、実施例6においては、前述のステップ3と4が下記のステップ3aと4aのように部分的に変更された。
ステップ2の仮焼によって得られたGa2ZnO4粉体とIn2O3(純度99.99%、BET比表面積5m2/g)粉末およびGaN(純度99.99%、BET比表面積2m2/g)とが、ボールミル装置を用いて6時間粉砕混合された。このときのmol混合比率は、Ga2ZnO4:In2O3:GaN=1:1:0.05であった。なお、分散媒には水が用いられ、粉砕混合後の混合物はスプレードライヤで乾燥された。
次に、得られたGa2ZnO4−In2O3−GaN混合粉体をプレスにより成形し、さらにCIPにより加圧成形し、直径100mmで厚さ約9mmの円板状の成形体を得た。得られた成形体は、1気圧のN2雰囲気中において1390℃で5時間焼成することによって焼結体にされた。得られた焼結体は、直径が80mmに収縮し、厚さは約7mmに収縮していた。
実施例7〜19におけるターゲットは、基本的には実施例1〜5におけるターゲットと同様に製造されたが、ステップ3におけるGa2ZnO4粉体とIn2O3粉末との粉砕混合において、添加元素を含む酸化物粉体(Al2O3、SiO2、TiO2、V2O5、Cr2O3、ZrO2、Nb2O3、MoO2、HfO2、Ta2O3、WO3、SnO2、Bi2O3)が付加されて粉砕混合された点が異なっていた。添加元素の酸化物が、Al2O3、Cr2O3、Nb2O3、Ta2O3、またはBi2O3である場合、mol混合比率はGa2ZnO4:In2O3:添加元素の酸化物=1:1:(0.1以下0.01以上)である。また、添加元素の酸化物が、SiO2、TiO2、ZrO2、MoO2、HfO2、WO3、またはSnO2である場合、mol混合比率はGa2ZnO4:In2O3:添加元素の酸化物=1:1:(0.2以下0.02以上)である。以上のような実施例7〜19に関する結果も、表1にまとめて示されている。なお、添加元素の原子濃度は、スパッタリングで堆積された膜をSIMSで分析することによって、1cm3当りの原子数(atom/cc)として求められた。
実施例20におけるターゲットも、基本的には実施例1〜5におけるターゲットと同様に製造されたが、ステップ3におけるIn2O3粉末との粉砕混合において、仮焼で得られたGa2ZnO4粉体がIn2O3紛体およびInGaO3紛体と粉砕混合されたことのみにおいて異なっていた。このときのmol混合比率は、Ga2ZnO4:In2O3:InGaO3=1:1:1であった。このような実施例20に関する結果も、表1に示されている。
実施例21におけるターゲットも、基本的には実施例1〜5におけるターゲットと同様に製造されたが、ステップ3におけるIn2O3粉末との粉砕混合において、仮焼で得られたGa2ZnO4粉体がIn2O3紛体およびIn2Zn4O7紛体と粉砕混合されたことのみにおいて異なっていた。このときのmol混合比率は、Ga2ZnO4:In2O3:In2Zn4O7=1:4:1であった。このような実施例21に関する結果も、表1に示されている。
従来の導電性酸化物に相当する比較例1においては、その作製方法が少し変更されていた。具体的には、以下のステップ1b〜3bを経て作製された。
このステップ1bは、前述のステップ1に比べて、In2O3粉末(純度99.99%、BET比表面積5m2/g)が最初からGa2O3粉末およびZnO粉末に付加されて粉砕混合されることのみにおいて異なっていた。
ステップ1bで得られた混合粉末は、前述のステップ2の場合と同様の条件で仮焼され、それによって仮焼粉体が得られた。
ステップ2bで得られた仮焼粉体は一軸加圧成形によって成形され、直径100mmで厚さ約9mmの円板状の成形体が得られた。この成形体は酸素雰囲気中において1500℃で5時間焼成され、これよって焼結体が得られた。
Claims (8)
- 結晶質In2Ga2(1−m)Zn1−qO7−p(0≦m<1、0≦q<1、0≦p≦3m+q)と結晶質Ga2ZnO4とを含むことを特徴とする導電性酸化物。
- 粉末X線回折法を適用したときに、最大の回折強度を有するaピークの回折角2θが33.00°以上36.00°以下の範囲内にあり、かつ第2位の回折強度を有するbピークの回折角2θが29.00°以上30.75°以下の範囲内にあり、そして前記aピークに対する前記bピークの回折強度比Ib/Iaが0.1以上1.0以下であることを特徴とする請求項1に記載の導電性酸化物。
- 回折角2θが35.0°以上37.0°以下の範囲内において前記aピークとは異なるcピークが現れることを特徴とする請求項2に記載の導電性酸化物。
- 前記導電性酸化物においてZnの原子濃度比を1として規格化した場合に、Inの原子濃度比が1.5以上4以下であり、またはGaの原子濃度比が0.5以上3以下であることを特徴とする請求項1から3のいずれかに記載の導電性酸化物。
- 前記導電性酸化物の断面積に占める前記結晶質Ga2ZnO4の割合が、0.5%以上20%未満であることを特徴とする請求項1から4のいずれかに記載の導電性酸化物。
- N、Al、Si、Ti、V、Cr、Zr、Nb、Mo、Hf、Ta、W、Sn、およびBiから選ばれた少なくとも1種の元素をさらに含むことを特徴とする請求項1から5のいずれかに記載の導電性酸化物。
- スパッタリング法のターゲットに用いられることを特徴とする請求項1から6のいずれかに記載の導電性酸化物。
- 請求項1から7のいずれかに記載の導電性酸化物を製造するための方法であって、酸化亜鉛粉末と酸化ガリウム粉末を含む第1の混合物を調製し、前記第1の混合物を800℃以上1200℃未満の温度で仮焼してGa2ZnO4粒子を作製し、その後に酸化インジュウム粒子と前記Ga2ZnO4粒子とを混合または粉砕して混合することによって第2の混合物を調製し、前記第2の混合物の成形体を作製し、前記成形体を1375℃より高く1400℃以下の温度で焼結する工程を含むことを特徴とする製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2010065882A JP5407969B2 (ja) | 2010-03-23 | 2010-03-23 | 導電性酸化物とその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2010065882A JP5407969B2 (ja) | 2010-03-23 | 2010-03-23 | 導電性酸化物とその製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2011195923A true JP2011195923A (ja) | 2011-10-06 |
JP5407969B2 JP5407969B2 (ja) | 2014-02-05 |
Family
ID=44874506
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2010065882A Active JP5407969B2 (ja) | 2010-03-23 | 2010-03-23 | 導電性酸化物とその製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP5407969B2 (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2011195405A (ja) * | 2010-03-23 | 2011-10-06 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 導電性酸化物とその製造方法 |
JP2013001592A (ja) * | 2011-06-15 | 2013-01-07 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 導電性酸化物およびその製造方法、ならびに酸化物半導体膜 |
WO2015068535A1 (ja) * | 2013-11-06 | 2015-05-14 | 三井金属鉱業株式会社 | スパッタリングターゲットおよびその製造方法 |
Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH08245220A (ja) * | 1994-06-10 | 1996-09-24 | Hoya Corp | 導電性酸化物およびそれを用いた電極 |
JP2008163441A (ja) * | 2007-01-05 | 2008-07-17 | Idemitsu Kosan Co Ltd | スパッタリングターゲット及びその製造方法 |
WO2009148154A1 (ja) * | 2008-06-06 | 2009-12-10 | 出光興産株式会社 | 酸化物薄膜用スパッタリングターゲットおよびその製造法 |
JP2010047829A (ja) * | 2008-08-20 | 2010-03-04 | Toyoshima Seisakusho:Kk | スパッタリングターゲットおよびその製造方法 |
WO2010070832A1 (ja) * | 2008-12-15 | 2010-06-24 | 出光興産株式会社 | 複合酸化物焼結体及びそれからなるスパッタリングターゲット |
-
2010
- 2010-03-23 JP JP2010065882A patent/JP5407969B2/ja active Active
Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH08245220A (ja) * | 1994-06-10 | 1996-09-24 | Hoya Corp | 導電性酸化物およびそれを用いた電極 |
JP2008163441A (ja) * | 2007-01-05 | 2008-07-17 | Idemitsu Kosan Co Ltd | スパッタリングターゲット及びその製造方法 |
WO2009148154A1 (ja) * | 2008-06-06 | 2009-12-10 | 出光興産株式会社 | 酸化物薄膜用スパッタリングターゲットおよびその製造法 |
JP2010047829A (ja) * | 2008-08-20 | 2010-03-04 | Toyoshima Seisakusho:Kk | スパッタリングターゲットおよびその製造方法 |
WO2010070832A1 (ja) * | 2008-12-15 | 2010-06-24 | 出光興産株式会社 | 複合酸化物焼結体及びそれからなるスパッタリングターゲット |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2011195405A (ja) * | 2010-03-23 | 2011-10-06 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 導電性酸化物とその製造方法 |
JP2013001592A (ja) * | 2011-06-15 | 2013-01-07 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 導電性酸化物およびその製造方法、ならびに酸化物半導体膜 |
WO2015068535A1 (ja) * | 2013-11-06 | 2015-05-14 | 三井金属鉱業株式会社 | スパッタリングターゲットおよびその製造方法 |
CN105705673A (zh) * | 2013-11-06 | 2016-06-22 | 三井金属矿业株式会社 | 溅射靶及其制造方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP5407969B2 (ja) | 2014-02-05 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5288141B2 (ja) | スパッタリングターゲット、それを用いたアモルファス酸化物薄膜の形成方法、及び薄膜トランジスタの製造方法 | |
JP6137382B2 (ja) | 導電性酸化物およびその製造方法ならびに酸化物半導体膜の製造方法 | |
TWI403602B (zh) | In-Ga-Zn-based oxide sputtering target | |
KR101863467B1 (ko) | 산화물 소결체 및 그 제조 방법, 스퍼터 타겟, 및 반도체 디바이스 | |
JP6119773B2 (ja) | 酸化物焼結体およびその製造方法、スパッタターゲット、ならびに半導体デバイス | |
JP4891381B2 (ja) | In−Ga−Zn系焼結体、及びスパッタリングターゲット | |
KR102382128B1 (ko) | 산화물 소결체, 스퍼터링 타깃 및 산화물 반도체막 | |
JP2013001590A (ja) | 導電性酸化物およびその製造方法、ならびに酸化物半導体膜 | |
TW201808810A (zh) | 氧化物燒結體及其製造方法、濺鍍靶、以及半導體裝置之製造方法 | |
JP5407969B2 (ja) | 導電性酸化物とその製造方法 | |
JP5494082B2 (ja) | 導電性酸化物とその製造方法 | |
JP5526904B2 (ja) | 導電性酸化物焼結体とその製造方法 | |
JP5333525B2 (ja) | 導電性酸化物およびその製造方法、ならびに酸化物半導体膜 | |
JP2012017258A (ja) | In−Ga−Zn系酸化物スパッタリングターゲット | |
JP5526905B2 (ja) | 導電性酸化物焼結体の製造方法 | |
JP6233447B2 (ja) | 酸化物焼結体およびその製造方法、スパッタターゲット、ならびに半導体デバイス | |
JP5857775B2 (ja) | 導電性酸化物およびその製造方法 | |
JP6493601B2 (ja) | 酸化物焼結体およびその製造方法、スパッタターゲット、ならびに半導体デバイスの製造方法 | |
JP5811877B2 (ja) | 導電性酸化物およびその製造方法 | |
JP2016060686A (ja) | 酸化物焼結体およびその製造方法、スパッタリング用ターゲット、ならびに半導体デバイス | |
JP2014094862A (ja) | 導電性酸化物、酸化物半導体膜および半導体デバイス | |
JP2014152369A (ja) | 導電性酸化物および半導体酸化物膜 | |
JP2012056842A (ja) | In−Ga−Zn系酸化物、酸化物焼結体、及びスパッタリングターゲット |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20120118 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20130307 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20130416 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20130513 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20130806 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20130820 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20131008 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20131021 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5407969 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |