JP2007142514A - 可変利得電力増幅器 - Google Patents
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- 230000007274 generation of a signal involved in cell-cell signaling Effects 0.000 claims abstract description 21
- 230000003321 amplification Effects 0.000 claims abstract description 18
- 238000003199 nucleic acid amplification method Methods 0.000 claims abstract description 18
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 8
- 230000008859 change Effects 0.000 description 5
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 4
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 3
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 2
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 2
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 2
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 2
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 2
- 241001125929 Trisopterus luscus Species 0.000 description 1
- 238000013459 approach Methods 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 1
- 230000005669 field effect Effects 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 229920006395 saturated elastomer Polymers 0.000 description 1
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- H03F3/45076—Differential amplifiers with semiconductor devices only characterised by the way of implementation of the active amplifying circuit in the differential amplifier
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- H03F2203/45494—Indexing scheme relating to differential amplifiers the CSC comprising one or more potentiometers
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- H03F2203/45508—Indexing scheme relating to differential amplifiers the CSC comprising a voltage generating circuit as bias circuit for the CSC
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- H03F2203/00—Indexing scheme relating to amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements covered by H03F3/00
- H03F2203/45—Indexing scheme relating to differential amplifiers
- H03F2203/45656—Indexing scheme relating to differential amplifiers the LC comprising one diode of a current mirror, i.e. forming an asymmetrical load
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- H—ELECTRICITY
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- H03F2203/00—Indexing scheme relating to amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements covered by H03F3/00
- H03F2203/45—Indexing scheme relating to differential amplifiers
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Abstract
【解決手段】可変利得電力増幅器1は、電力増幅部10および信号生成部20を備えている。電力増幅部10は、制御端子12を有し、制御端子12に与えられる制御信号によって利得が可変である。信号生成部20は、制御端子12に与える制御信号を生成する。この信号生成部20は、2値信号によってオン状態またはオフ状態に制御されるスイッチ回路22と、定電流を発生する定電流源24と、可変電流を発生する可変電流源26とを含んでいる。また、信号生成部20は、スイッチ回路22がオン状態のとき、電力増幅部10をオンさせるとともに、上記定電流と上記可変電流との和の大きさに依存した大きさの制御信号を生成する。一方、信号生成部20は、スイッチ回路22がオフ状態のとき、電力増幅部10をオフさせる大きさの制御信号を生成する。
【選択図】図1
Description
図1は、本発明による可変利得電力増幅器の第1実施形態を示すブロック図である。可変利得電力増幅器1は、電力増幅部10および信号生成部20を備えている。電力増幅部10は、制御端子12を有し、当該制御端子12に与えられる制御信号によって利得が可変である。また、端子14および端子16は、それぞれ電力増幅部10の入力端子および出力端子である。
図4は、本発明による可変利得電力増幅器の第2実施形態を示す回路図である。可変利得電力増幅器2は、電力増幅部10および信号生成部20を備えている。電力増幅部10の構成は、図2で説明したとおりである。本実施形態の信号生成部20においては、スイッチ回路を構成するバイポーラトランジスタQ4,Q5がPNP型のバイポーラトランジスタである。また、図2の信号生成部20においては定電流源および可変電流源がスイッチ回路のグランド側に設けられていたのに対して、本実施形態においては定電流源および可変電流源がスイッチ回路の電源側に設けられている。可変利得電力増幅器2の動作は、図2の可変利得電力増幅器1と同様である。
2 可変利得電力増幅器
10 電力増幅部
12 制御端子
14 端子
16 端子
20 信号生成部
22 スイッチ回路
24 定電流源
26 可変電流源
28 バイアス回路
32 端子
C1 カップリングコンデンサ
D1 ダイオード
Q1〜Q8 バイポーラトランジスタ
R1〜R9 抵抗素子
Z1 負荷
Claims (8)
- 制御端子を有し、当該制御端子に与えられる制御信号によって利得が可変な電力増幅部と、
前記制御端子に与える前記制御信号を生成する信号生成部と、を備え、
前記信号生成部は、
2値信号によってオン状態またはオフ状態に制御されるスイッチ回路と、定電流を発生する定電流源と、可変電流を発生する可変電流源とを含み、
前記スイッチ回路がオン状態のとき、前記電力増幅部をオンさせるとともに、前記定電流と前記可変電流との和の大きさに依存した大きさの前記制御信号を生成し、
前記スイッチ回路がオフ状態のとき、前記電力増幅部をオフさせる大きさの前記制御信号を生成することを特徴とする可変利得電力増幅器。 - 請求項1に記載の可変利得電力増幅器において、
前記スイッチ回路は、互いに差動対を構成する2つのトランジスタを有している可変利得電力増幅器。 - 請求項2に記載の可変利得電力増幅器において、
前記トランジスタは、PNP型トランジスタである可変利得電力増幅器。 - 請求項1乃至3いずれかに記載の可変利得電力増幅器において、
前記可変電流源は、可変抵抗素子を有しており、当該可変抵抗素子の抵抗値に依存した大きさの電流を前記可変電流として発生する可変利得電力増幅器。 - 請求項1乃至4いずれかに記載の可変利得電力増幅器において、
前記信号生成部は、前記電力増幅部の前記制御端子に一端が接続された第1の抵抗素子の他端に接続されたバイアス回路を含み、
当該バイアス回路は、第2の抵抗素子を介してグランドに接続されたダイオードを有している可変利得電力増幅器。 - 請求項5に記載の可変利得電力増幅器において、
前記信号生成部は、カレントミラー回路を含み、
前記スイッチ回路は、当該カレントミラー回路を介して前記第1の抵抗素子の前記他端に接続されている可変利得電力増幅器。 - 請求項1乃至6いずれかに記載の可変利得電力増幅器において、
前記電力増幅部は、バイポーラトランジスタを含み、
当該バイポーラトランジスタのベース端子が前記制御端子に相当する可変利得電力増幅器。 - 制御端子を有し、当該制御端子に与えられる制御信号によって利得が可変な電力増幅部と、
前記制御端子に与える前記制御信号を生成する信号生成部と、を備え、
前記信号生成部は、
定電流を発生する定電流源と、可変電流を発生する可変電流源とを含み、
前記定電流と前記可変電流との和の大きさに依存した大きさの前記制御信号を生成することを特徴とする可変利得電力増幅器。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2005329719A JP2007142514A (ja) | 2005-11-15 | 2005-11-15 | 可変利得電力増幅器 |
US11/559,220 US7671682B2 (en) | 2005-11-15 | 2006-11-13 | Variable gain power amplifier |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2005329719A JP2007142514A (ja) | 2005-11-15 | 2005-11-15 | 可変利得電力増幅器 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2007142514A true JP2007142514A (ja) | 2007-06-07 |
Family
ID=38086826
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2005329719A Pending JP2007142514A (ja) | 2005-11-15 | 2005-11-15 | 可変利得電力増幅器 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US7671682B2 (ja) |
JP (1) | JP2007142514A (ja) |
Families Citing this family (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
TW200729697A (en) * | 2005-12-26 | 2007-08-01 | Toshiba Kk | Power amplifier |
US7944300B2 (en) * | 2009-08-25 | 2011-05-17 | Micron Technology, Inc. | Bias circuit and amplifier providing constant output current for a range of common mode inputs |
US9154154B2 (en) * | 2013-08-28 | 2015-10-06 | Maxlinear, Inc. | Method and system for a low input voltage low impedance termination stage for current inputs |
US9496830B1 (en) * | 2013-12-03 | 2016-11-15 | Qorvo Us, Inc. | Threshold voltage-tracking bias circuit for radio frequency power amplifier |
Citations (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH02228109A (ja) * | 1989-02-28 | 1990-09-11 | Nec Corp | 中間周波増幅器 |
JPH02308606A (ja) * | 1989-05-24 | 1990-12-21 | Hitachi Ltd | 無線受信器 |
JPH0918297A (ja) * | 1995-06-29 | 1997-01-17 | Nec Corp | ヒステリシス付きコンパレータ |
JPH1098336A (ja) * | 1996-09-20 | 1998-04-14 | Hitachi Ltd | 高周波増幅回路 |
JP2002009558A (ja) * | 2000-06-27 | 2002-01-11 | Fujitsu Quantum Devices Ltd | 高周波増幅器バイアス回路、高周波電力増幅器および通信装置 |
JP2002520895A (ja) * | 1998-07-02 | 2002-07-09 | クゥアルコム・インコーポレイテッド | 改良された指数関数電流発生器と方法 |
JP2002536860A (ja) * | 1999-01-28 | 2002-10-29 | ノーテル・ネットワークス・リミテッド | データ・パルス・レシーバ |
JP2002335135A (ja) * | 2001-03-05 | 2002-11-22 | Toshiba Corp | 高周波電力増幅器及びその制御回路 |
JP2003133866A (ja) * | 2001-10-22 | 2003-05-09 | Nec Compound Semiconductor Devices Ltd | トランジスタのバイアス回路 |
JP2005512376A (ja) * | 2001-12-07 | 2005-04-28 | コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ | 電流ミラー回路を使用するバイアス補償を有する増幅器 |
JP2005136846A (ja) * | 2003-10-31 | 2005-05-26 | Sharp Corp | 可変増幅器およびそれを用いた携帯無線端末 |
Family Cites Families (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3299356A (en) * | 1964-04-10 | 1967-01-17 | Ncr Co | Pulsed carrier radio beacon transmitter |
JPH06164249A (ja) | 1992-11-25 | 1994-06-10 | Nec Corp | 可変利得増幅回路 |
JP2000295050A (ja) | 1999-04-09 | 2000-10-20 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 混成電力増幅装置 |
JP2001292060A (ja) * | 2000-04-07 | 2001-10-19 | Nec Corp | 位相比較装置および位相比較方法 |
JP2002217378A (ja) * | 2001-01-19 | 2002-08-02 | Toshiba Corp | 高周波電力増幅器 |
US6515840B2 (en) * | 2001-02-27 | 2003-02-04 | International Business Machines Corporation | Solid state circuit breaker with current overshoot protection |
JP2003234629A (ja) * | 2002-02-12 | 2003-08-22 | Hitachi Ltd | 自動利得調整回路及びそれを用いた増幅器 |
JP4088177B2 (ja) * | 2003-03-12 | 2008-05-21 | 株式会社東芝 | バイアス電流供給回路及び増幅回路 |
-
2005
- 2005-11-15 JP JP2005329719A patent/JP2007142514A/ja active Pending
-
2006
- 2006-11-13 US US11/559,220 patent/US7671682B2/en active Active
Patent Citations (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH02228109A (ja) * | 1989-02-28 | 1990-09-11 | Nec Corp | 中間周波増幅器 |
JPH02308606A (ja) * | 1989-05-24 | 1990-12-21 | Hitachi Ltd | 無線受信器 |
JPH0918297A (ja) * | 1995-06-29 | 1997-01-17 | Nec Corp | ヒステリシス付きコンパレータ |
JPH1098336A (ja) * | 1996-09-20 | 1998-04-14 | Hitachi Ltd | 高周波増幅回路 |
JP2002520895A (ja) * | 1998-07-02 | 2002-07-09 | クゥアルコム・インコーポレイテッド | 改良された指数関数電流発生器と方法 |
JP2002536860A (ja) * | 1999-01-28 | 2002-10-29 | ノーテル・ネットワークス・リミテッド | データ・パルス・レシーバ |
JP2002009558A (ja) * | 2000-06-27 | 2002-01-11 | Fujitsu Quantum Devices Ltd | 高周波増幅器バイアス回路、高周波電力増幅器および通信装置 |
JP2002335135A (ja) * | 2001-03-05 | 2002-11-22 | Toshiba Corp | 高周波電力増幅器及びその制御回路 |
JP2003133866A (ja) * | 2001-10-22 | 2003-05-09 | Nec Compound Semiconductor Devices Ltd | トランジスタのバイアス回路 |
JP2005512376A (ja) * | 2001-12-07 | 2005-04-28 | コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ | 電流ミラー回路を使用するバイアス補償を有する増幅器 |
JP2005136846A (ja) * | 2003-10-31 | 2005-05-26 | Sharp Corp | 可変増幅器およびそれを用いた携帯無線端末 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US7671682B2 (en) | 2010-03-02 |
US20070120602A1 (en) | 2007-05-31 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
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A621 | Written request for application examination |
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|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20100803 |
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