JP2007142027A - 表示装置の製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 ガラス基板101の上に窒化シリコン膜102と酸化シリコン膜103からなる下地膜上に成膜した非晶質または多結晶の半導体膜(シリコン基膜)104の表面に、膜厚が1.6nm以上のキャップ層301を形成するキャップ層形成工程と、キャップ層301を介して前記半導体膜104に連続発振レーザ105を照射しながら走査することにより、半導体膜104に帯状結晶を形成する帯状結晶形成工程とを備える。
【選択図】 図1
Description
(1)非晶質または多結晶の半導体膜の表面に、膜厚が1.6nm以上のキャップ層を形成するキャップ層形成工程と、前記キャップ層を介して前記半導体膜に連続発振レーザを照射しながら走査することにより、前記半導体膜に帯状結晶を形成する帯状結晶形成工程とを備える。
二高調波、第三高調波、第四高調波、などが適用可能であるが、出力の大きさ及び安定性を考慮すると、LD励起Nd:YAGレーザの第二高調波(波長λ=532nm)あるいはNd:YVO4レーザの第二高調波が最も望ましい。またエキシマレーザ、Arレーザ、半導体レーザ、固体パルスレーザ、などを用いても同様の効果が得られる。
Claims (14)
- 非晶質または多結晶の半導体膜の表面に、膜厚が1.6nm以上のキャップ層を形成するキャップ層形成工程と、
前記キャップ層を介して前記半導体膜に連続発振レーザを照射しながら走査することにより、前記半導体膜に帯状結晶を形成する帯状結晶形成工程とを備えることを特徴とする表示装置の製造方法。 - 前記キャップ層の膜厚は1.6nm以上、2.3nm以下であることを特徴とする請求項1に記載の表示装置の製造方法。
- 前記半導体膜はシリコンを含むことを特徴とする請求項1または2に記載の表示装置の製造方法。
- 前記キャップ層は酸化膜であることを特徴とする請求項1から3の何れかに記載の表示装置の製造方法。
- 前記キャップ層は、オゾンを含む溶液による処理、オゾン雰囲気にさらす処理、オゾン雰囲気での紫外線照射、酸素雰囲気でのプラズマ処理、酸素雰囲気または大気雰囲気での熱処理、酸素雰囲気または大気雰囲気での加圧処理、酸素雰囲気または大気雰囲気での紫外線照射のうちの何れかによって形成することを特徴とする請求項1から4の何れかに記載の表示装置の製造方法。
- 前記キャップ層はシリコン酸化膜よりも分極率が小さい膜であることを特徴とする請求項1から3の何れかに記載の表示装置の製造方法。
- 前記キャップ層は窒素が添加されたシリコン酸化膜、シリコン窒化膜、シリコンカーバイド、ダイヤモンドライクカーボンの何れかであることを特徴とする請求項1から3の何れかに記載の表示装置の製造方法。
- 前記帯状結晶形成工程よりも後に、前記キャップ層を除去するキャップ層除去工程を備えることを特徴とする請求項1から7の何れかに記載の表示装置の製造方法。
- 前記帯状結晶形成工程よりも後に、前記キャップ層の表面に薄膜トランジスタのゲート絶縁膜として用いられるゲート絶縁膜を形成するゲート絶縁膜形成工程を備えることを特徴とする請求項1から7の何れかに記載の表示装置の製造方法。
- 前記連続発振レーザの走査は、前記連続発振レーザのスポット光または前記半導体膜を有する基板のうち少なくとも一方を移動させることにより行うことを特徴とする請求項1から9の何れかに記載の表示装置の製造方法。
- 前記連続発振レーザをパルスに変調しながら前記半導体膜に照射することを特徴とする請求項1から10の何れかに記載の表示装置の製造方法。
- 前記半導体膜は、絶縁性基板の表面に形成した複数層の下地膜の最表面にシリコン酸化膜を有する下地層の上に形成され、前記下地層において、該シリコン酸化膜よりも分極率が小さい膜であることを特徴とする請求項1から11の何れかに記載の表示装置の製造方法。
- 前記シリコン酸化膜よりも分極率が小さい膜は、酸素サイトのうちの複数のサイトが酸素より電気陰性度が小さい元素で置換された膜であることを特徴とする請求項12に記載の表示装置の製造方法。
- 前記シリコン酸化膜よりも分極率が小さい膜は、シリコン窒化膜、シリコンカーバイド、ダイヤモンドライクカーボンの何れかであることを特徴とする請求項13に記載の表示装置の製造方法。
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Cited By (1)
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JP2015099853A (ja) * | 2013-11-19 | 2015-05-28 | 株式会社ジャパンディスプレイ | 多結晶化方法 |
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2005
- 2005-11-16 JP JP2005331606A patent/JP2007142027A/ja active Pending
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