JP2007128036A - 有機反射防止膜重合体、これを含む有機反射防止膜組成物及びこれを用いたフォトレジストのパターン形成方法 - Google Patents

有機反射防止膜重合体、これを含む有機反射防止膜組成物及びこれを用いたフォトレジストのパターン形成方法 Download PDF

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Abstract

【課題】半導体素子の製造工程のうち、超微細パターン形成工程で使われる有機反射防止膜重合体、これを含む有機反射防止膜組成物及びこれを用いたフォトレジストのパターン形成方法を提供する。
【解決手段】下記一般式（１）で表示され、２０００〜１０００００の重量平均分子量を有する有機反射防止膜重合体を提供する。
【化１】

（１）
（式中、Ｒ１はＣ１〜Ｃ５の直鎖または側鎖アルキル基を表し、Ｒ２及びＲ３はそれぞれ水素またはメチル基を表し、Ｘはハロゲンを表し、ｎは１〜５を表し、ａ、ｂ及びｃは各単量体のモル分率であって、それぞれ０．１〜０．９を表す。）
【選択図】図２

Description

本発明は、半導体素子の製造工程のうち、超微細パターン形成工程で使用される有機反射防止膜重合体、これを含む有機反射防止膜組成物及びこれを用いたフォトレジストのパターン形成方法に関する。
近来、半導体素子の超微細化及び高集積化に伴い、フォトレジストパターンを用いて形成すべきパターンもより微細化しつつあり、これに応じてフォトレジストパターンの線幅もより微細化することが求められることになった。ところが、フォトレジストパターンの縦横比（aspect ratio）によるフォトレジストパターンの崩れを防止するためには、その微細化したフォトレジストパターンの線幅を考慮してフォトレジストパターンを所定厚さ以下に形成しなければならない。例えば、７０ｎｍ以下の微細パターンを形成しようとする場合、フォトレジストパターンの線幅もまた７０ｎｍ以下にならねばならないので、フォトレジストパターンは最大１５０ｎｍ以下の厚さに形成されなければならず、この厚さを上回ると、フォトレジストパターンの縦横比（aspect ratio）によるフォトレジストパターンの崩れにつながる。
一方、フォトレジストパターンの下部には、該フォトレジストパターンによってパターニングされる被エッチング層、すなわち、下部膜による乱反射または定在波等によって露光工程においてフォトレジストパターンが損傷するのを防止するために、露光光源の光をよく吸収する有機反射防止膜が形成される。ところが、フォトレジストパターンの形成厚さが薄くなるにつれ、該フォトレジストパターンの下部に形成される有機反射防止膜の厚さもより薄くならなければならない。
米国特許第６，８３５，５３２号明細書
しかしながら、現在使用されている有機反射防止膜の屈折率は、１．５〜１．６５に過ぎないため、有機反射防止膜の厚さが継続して薄くなると有機反射防止膜が露光光源に対する好ましい吸光特性を有することができず、これにより、上述の下部膜の乱反射などによって露光工程においてフォトレジストパターンが損傷するのを防止し難くなる。
このため、今まではフォトレジストパターンの厚さが継続して薄くなる場合でも、フォトレジストパターンの下部に少なくとも３０ｎｍ以上の厚さで有機反射防止膜を形成してきた。したがって、フォトレジストパターンをマスクとして下部の有機反射防止膜及び被エッチング層、すなわち、下部膜をエッチング・除去する工程で、有機反射防止膜が好適に除去されず、下部膜に対するパターニングが正確にできないなどの問題点が生じてきた。
このような従来技術の問題点を解決するためには、より高い屈折率、例えば、１．７０以上の屈折率を有することによってより薄い厚さで形成されても露光光源に対する好ましい吸光特性を有することができ、露光工程で下部膜による乱反射などからフォトレジストパターンが損傷するのを防止できる有機反射防止膜形成物質などの開発が切に要求される。
本発明は上記目的を達成するためのもので、その目的は、フォトレジストパターン下部の有機反射防止膜がより薄い厚さで形成されても、露光光源に対する高い吸光特性を呈することで、下部膜による乱反射などから露光工程においてフォトレジストパターンが損傷するのを防止できるようにする有機反射防止膜重合体及びこれを含む有機反射防止膜組成物を提供することにある。
また、本発明の他の目的は、上記の有機反射防止膜組成物を用いたフォトレジストのパターン形成方法を提供することにある。
上記目的を達成するために、本発明は、下記一般式（１）で表示され、２０００〜１０００００の重量平均分子量を有する有機反射防止膜重合体を提供する。

（１）
式中、Ｒ１はＣ１〜Ｃ５の直鎖または側鎖（分岐）アルキル基を表し、Ｒ２及びＲ３はそれぞれ水素またはメチル基を表し、Ｘはハロゲンを表し、ｎは１〜５を表し、ａ、ｂ及びｃは各単量体のモル分率であって、それぞれ０．１〜０．９を表す。
特に、上記本発明による有機反射防止膜重合体は、上記一般式（１）において、Ｒ１はメチル、Ｒ２はメチル、Ｒ３は水素、Ｘは４−臭素、ｎは１である構造を有することが好ましい。
本発明によれば、半導体素子の超微細化・高集積化につれてフォトレジストの形成厚さがさらに薄くなっても、これに対応して有機反射防止膜をより薄く形成できると同時に、この有機反射防止膜が反射防止膜としての役割を効果的に行えるようにする。
したがって、有機反射防止膜をより薄く形成しながらも、露光工程中に下部膜からの乱反射及び定在波等によるフォトレジストパターンの損傷を抑えることで、垂直する良好なフォトレジストパターンを形成できるため、半導体素子の超微細化・高集積化に大きく寄与可能である。
後述する実施例から明らかになるように、上記本発明の有機反射防止膜重合体は、ハロゲンが置換された芳香族の官能基を含み、よって、これを用いて形成される有機反射防止膜が、１．７以上の高い屈折率を有するようにすることができる。これにより、有機反射防止膜が、例えば、３０ｎｍ以下のより薄い厚さでフォトレジストパターンの下部に形成されても、露光光源に対する高い吸光特性を維持し、下部膜における乱反射または定在波等によるフォトレジストパターンの損傷を防止する反射防止膜としての役割を好適に行えるようにする。
また、上記一般式（１）の有機反射防止膜重合体は、基本的に有機反射防止膜組成物中で架橋剤重合体としての役割を担うところ、上記ハロゲンが置換された芳香族の官能基と共にアセタル官能基を含むことで、有機反射防止膜中に多数の架橋結合を形成し、フォトレジストの溶媒に溶解されない好適な有機反射防止膜が得られるようにする機能を担う。
上記本発明の有機反射防止膜重合体は、２０００〜１０００００の重量平均分子量を有するが、これよりも分子量が低くなると、有機反射防止膜中に架橋結合が十分に形成されないと同時に、有機反射防止膜の屈折率が低くなるため、有機反射防止膜がフォトレジスト溶媒などに溶解されて成膜性が落ちると同時に、有機反射防止膜がさらに薄い厚さで形成される場合では露光光源に対する高い吸光特性を呈さず、フォトレジストパターンの下部で反射防止膜としての役割を充分に果たせないという問題点につながる。一方、上記有機反射防止膜重合体の分子量が１０００００を上回ると、有機反射防止膜において架橋結合が過度になり、有機反射防止膜のエッチング速度が低くなることから、以降のパターニング工程などにおいて通常のエッチング条件の下で有機反射防止膜が好適に除去されなくなるという問題点につながる。
一方、上記一般式（１）で表示される本発明の有機反射防止膜重合体は、下記一般式（３）のアクロレイン系単量体、下記一般式（４）のアルキルアクリレイト系単量体及び下記一般式（５）のハロゲン化スチレン系単量体を、ラジカル重合開始剤の下で共重合した後、共重合された結果物を、Ｒ１ＯＨで表示されるアルコール（Ｒ１は、Ｃ１〜Ｃ５の直鎖または側鎖アルキル基を表す。）と反応させることで製造できる。

（３）

（４）

（５）
式中、Ｒ１はＣ１〜Ｃ５の直鎖または側鎖アルキル基を表し、Ｒ２及びＲ３はそれぞれ水素またはメチル基を表し、Ｘはハロゲンを表し、ｎは１〜５を表す。
このような製造方法についてより詳述すると、まず、上記一般式（３）のアクロレイン系単量体、一般式（４）のアルキルアクリレイト系単量体及び一般式（５）のハロゲン化スチレン系単量体を有機溶媒に溶かし、ここにラジカル重合開始剤を添加した後、真空状態の下に６０〜７０℃の温度で４〜８時間共重合反応を行う。その後、当該共重合された結果物を、パラトルエンスルホン酸触媒下に、６０〜８０℃の温度で２０〜３０時間、Ｒ１ＯＨで表示されるアルコール（Ｒ１は、Ｃ１〜Ｃ５の直鎖または側鎖アルキル基を表す。）と反応させることで、最終的に上記一般式（１）の重合体を製造する。
このような本発明による有機反射防止膜重合体の製造方法において、有機溶媒には、プロピレングリコールメチルエーテルアセテート（ＰＧＭＥＡ）、テトラヒドラフラン（ＴＨＦ）、シクロヘキサノン、ジメチルホルムアミド、ジメチルスルホキシド、ジオキサン、メチルエチルケトン、ベンゼン、トルエン及びキシレンからなるグループより選ばれた１またはそれ以上を混合して使用することができる。
また、上記ラジカル重合開始剤には、重合反応に使われる通常のラジカル重合開始剤、例えば、２，２−アゾビスイソブチロニトリル（ＡＩＢＮ）、ベンゾイルペルオキシド、アセチルペルオキシド、ラウリルペルオキシド、ｔ−ブチルペルアセテート、ｔ−ブチルヒドロペルオキシドまたはジ−ｔ−ブチルペルオキシドなどを使用することができる。
なお、本発明は、下記一般式（１）で表示され、２０００〜１０００００の重量平均分子量を有する上記有機反射防止膜重合体と、下記一般式（２）で表示されるポリビニルフェノール重合体と、熱酸発生剤と、有機溶媒とを含む有機反射防止膜組成物を提供する。

（１）
式中、Ｒ１はＣ１〜Ｃ５の直鎖または側鎖アルキル基を表し、Ｒ２及びＲ３はそれぞれ水素またはメチル基を表し、Ｘはハロゲンを表し、ｎは１〜５を表し、ａ、ｂ及びｃは各単量体のモル分率であって、それぞれ０．１〜０．９を表す。

（２）
すなわち、本発明の有機反射防止膜組成物は、上記一般式（１）で表示される有機反射防止膜重合体を架橋剤重合体として含むことを特徴としており、アセタル官能基のみ有する架橋剤重合体を含む従来の有機反射防止膜組成物とは違い、アセタル官能基と共にハロゲンが置換された芳香族官能基を有する上記一般式（１）の重合体を架橋剤重合体として含む。したがって、この有機反射防止膜組成物を用いることから、フォトレジストの下部に有機反射防止膜をさらに薄い厚さ、例えば、３０ｎｍ以下の厚さで形成する場合であっても、当該有機反射防止膜が露光光源に対する高い吸光特性を維持するため、下部膜による乱反射及び定在波等によってフォトレジストパターンが損傷することを有効に防止することが可能になる。
特に、後述する実施例からも明らかになるように、上記の本発明による有機反射防止膜組成物を使って有機反射防止膜を形成すると、該有機反射防止膜が１．７よりも大きい１．７２の屈折率を表すようになる。このため、有機反射防止膜が３０ｎｍ（３００Å）以下の薄い厚さに形成される場合であっても、露光光源に対する好ましい吸光特性（減衰係数ｋ＝０．６５）を表し、よって、露光工程で下部膜からの乱反射及び定在波等によりフォトレジストパターンが損傷するのを効果的に抑え、垂直する良好なフォトレジストパターンが得られる。
また、上述の如く、上記一般式（１）の重合体は、アセタル官能基を含むことから有機反射防止膜組成物の架橋剤重合体としての役割も担うため、上記本発明による有機反射防止膜組成物を使用すると、フォトレジスト溶媒に溶解されない良好な有機反射防止膜をフォトレジストパターンの下部に形成可能になる。
ただし、上記本発明の有機反射防止膜組成物は、上記一般式（１）の有機反射防止膜重合体を架橋剤重合体として含む以外は、従来から実施された有機反射防止膜組成物の通常の構成からなる。すなわち、本発明の有機反射防止膜組成物は、従来から有機反射防止膜組成物の光吸収性重合体として使われてきた上記一般式（２）のポリビニルフェノール重合体を含むと共に、有機反射防止膜組成物の通常の構成である有機溶媒及び熱酸発生剤を含む。
一方、上記本発明による有機反射防止膜組成物において、熱酸発生剤には従来から使われてきた物質のいずれも使用可能であり、より好ましくは、下記一般式（６）の構造を有する２−ヒドロキシシクロヘキシルパラトルエンスルホネートを使用する。

（６）
この熱酸発生剤は、上記一般式（１）の有機反射防止膜重合体のアセタル基と上記一般式（２）のポリビニルフェノール重合体のヒドロキシ基との間に起きる架橋反応を活性化させるための触媒であり、したがって、この熱酸発生剤を含む本発明の有機反射防止膜組成物をウエーハ上に塗布した後、ベークなどの熱工程を行うと、該熱酸発生剤から酸が発生し、発生した酸の存在下に、上述したような架橋反応が起き、フォトレジストの溶媒に溶解されない有機反射防止膜が形成される。
また、上記本発明の有機反射防止膜組成物において、有機溶媒には、従来から反射防止膜組成物への溶媒として使われてきた通常の有機溶媒のいずれも使用可能であり、好ましくは、エチル３−エトキシプロピオネート、メチル３−メトキシプロピオネート、シクロヘキサノン、プロピレングリコールメチルエーテルアセテート（ＰＧＭＥＡ）などを使用でき、特に好ましくは、プロピレングリコールメチルエーテルアセテートを使用することができる。
上記本発明による有機反射防止膜組成物において、光吸収剤とされる上記一般式（２）のポリビニルフェノール重合体は、組成物に含まれる一般式（１）の重合体の１００重量部に対して５０〜２００重量部の量で含まれることが好ましく、熱酸発生剤は、組成物に含まれる上記一般式（１）の重合体の１００重量部に対して１０〜２００重量部の量で含まれることが好ましく、有機溶媒は、本発明による有機反射防止膜組成物に含まれる上記一般式（１）の重合体及びポリビニルフェノール重合体の合計量１００重量部に対して１０００〜１００００重量部の量で含まれることが好ましい。
このように各構成成分の組成比とすることで、上記本発明の有機反射防止膜組成物は、フォトレジストの溶媒に溶解されない上に、下部膜における乱反射などを効果的に防止できる有機反射防止膜を、フォトレジストパターンの下部に良好に形成することができる。
なお、本発明は、前記本発明の有機反射防止膜組成物を、被エッチング層の上部に塗布する工程と、この結果物に対してベーク工程を行い架橋結合を形成することによって有機反射防止膜を形成する工程と、こうして形成された有機反射防止膜の上部に、フォトレジストを塗布し、露光後に現像してフォトレジストパターンを形成する工程と、を含むフォトレジストのパターン形成方法を提供する。
このような本発明のフォトレジストパターン形成方法においては、上記本発明の有機反射防止膜組成物を使ってフォトレジストの下部に有機反射防止膜を形成することによって、フォトレジストの厚さが薄くなるにつれて有機反射防止膜をさらに薄い厚さ、例えば、３０ｎｍ以下の厚さで形成しても、下部膜における乱反射及び定在波等によるフォトレジストパターンの損傷を効果的に防止でき、結果として垂直する良好なフォトレジストパターンを形成可能になる。
一方、上記本発明によるフォトレジストパターン形成方法において、ベーク工程は、１５０〜３００℃の温度で１〜５分間行うことが好ましい。この条件でベークを行うと、熱酸発生剤から酸が発生して有機反射防止膜中に多数の架橋結合が形成され、フォトレジストの溶媒に溶解されない有機反射防止膜が得られる。
また、上記本発明によるパターン形成方法において、フォトレジストのパターン形成工程中に露光する前や後にベーク工程をさらに行っても良く、このベーク工程は、７０〜２００℃の温度で行われることが好ましい。
上記本発明による有機反射防止膜組成物及びフォトレジストパターン形成方法は、主として１９３ｎｍのＡｒＦ光源を使用する超微細パターン形成工程に適用されるが、ＫｒＦ、ＥＵＶを含む深紫外線（ＤＵＶ）、Ｅ−ビーム、Ｘ線またはイオンビームを使って行われる超微細パターン形成工程においても同様に適用可能である。
以下、好適な実施例を挙げて本発明をより具体的に説明する。ただし、以下の実施例は、本発明を例示するためのもので、本発明の権利範囲を限定するためのものではない。
（実施例１）有機反射防止膜重合体の製造
４−ブロモスチレン３ｇ、アクロレイン単量体４ｇ、メタクリレート単量体３ｇ、及びＡＩＢＮ０．２ｇをＰＧＭＥＡ５０ｇとよく混合した後に、６７℃の温度で８時間重合反応させた。重合反応が完了すると、該反応結果物をノルマルヘキサンで沈殿しろ過して真空乾燥することで、ポリ（ブロモスチレン−アクロレイン−メタクリレート）共重合体を得た。
こうして得られた共重合体ポリ（ブロモスチレン−アクロレイン−メタクリレート）８ｇを、１００ｇのメタノールと１００ｇのＴＨＦからなる混合溶媒に溶解させた後、０．３ｇのパラトルエンスルホン酸を添加し、７０℃で２４時間還流しながら反応を進行させた。
その後、約５０ｇ（溶媒＋反応結果物）になるまでロータリー蒸発器を用いて反応溶液を濃縮し、ノルマルヘキサンで沈殿しろ過することで、下記一般式（７）のポリ（ブロモスチレン−３，３−ジメトキシプロペン−メチルメタクリレート）を得た。これに対するＮＭＲスペクトラムを、図１に示す。

（７）
式中、ａ、ｂ及びｃは各単量体のモル分率で、それぞれ０．１〜０．９を表す。
（実施例２）有機反射防止膜の形成
上記実施例１で製造された一般式（７）の重合体１ｇ、光吸収剤とされるポリビニルフェノール重合体０．２ｇ及び熱酸発生剤とされる２−ヒドロキシシクロヘキシルパラトルエンスルホネート０．８ｇを、プロピレングリコールメチルエーテルアセテート６０ｇに溶解させた後、０．０５μｍの微細フィルターに通過させて有機反射防止膜組成物を製造した。
このような方法で製造された有機反射防止膜組成物を、シリコンウエーハ上に約３０ｎｍ（３００Å）の厚さで塗布した後に、２３０℃で約１分間ベークし、有機反射防止膜を形成した。
このような有機反射防止膜の屈折率（ｎ）及び減衰係数（ｋ）を測定した結果、ｎは１．７２で、ｋは０．６５であった。
（実施例３）フォトレジストパターンの形成
実施例２によって有機反射防止膜が形成されたウエーハ上に、ＪＳＲのＡＲ１２２１Ｊ ＡｒＦ感光剤をコーティングし、１３０℃の温度で９０秒間ベークした。その後、ＡＳＭＬ社のＡｒＦスキャナー（ＮＡ＝０．６３）を使用して露光し、再び１３０℃で９０秒間ベークした後、２．３８重量％ＴＭＡＨ現像液で現像し、最終フォトレジストパターンを形成した。このフォトレジストパターンを、図２に示す。
上記実施例２及び３と図２から明らかなように、本発明によってフォトレジストの下部に有機反射防止膜を形成すると、フォトレジストの形成厚さが薄くなるにつれて有機反射防止膜をさらに薄い厚さ、例えば、３０ｎｍ以下の厚さで形成しても、有機反射防止膜が１．７を上回る高い屈折率を有するため、露光光源に対する高い吸光特性（減衰係数ｋ＝０．６５）を表し、これにより、下部膜における乱反射及び定在波等によるフォトレジストパターンの損傷を効果的に防止し、垂直する良好なフォトレジストパターンを形成することができる。
本発明の実施例１による有機反射防止膜重合体のＮＭＲデータを示すグラフである。 本発明の実施例３によるパターン形成方法によって形成されたフォトレジストパターンのＳＥＭ写真である。

Claims (14)

  1. 下記一般式（１）で表示され、２０００〜１０００００の重量平均分子量を有する有機反射防止膜重合体。

    （１）
    （式中、Ｒ１はＣ１〜Ｃ５の直鎖または側鎖アルキル基を表し、Ｒ２及びＲ３はそれぞれ水素またはメチル基を表し、Ｘはハロゲンを表し、ｎは１〜５を表し、ａ、ｂ及びｃは各単量体のモル分率であって、それぞれ０．１〜０．９を表す。）
  2. 前記Ｒ１はメチルで、Ｒ２はメチルで、Ｒ３は水素で、Ｘは４−臭素で、ｎは１である、請求項１に記載の有機反射防止膜重合体。
  3. 下記一般式（３）のアクロレイン系単量体、下記一般式（４）のアルキルアクリレイト系単量体及び下記一般式（５）のハロゲン化スチレン系単量体を有機溶媒に溶かし、ここに重合開始剤を添加した後、真空状態の下に６０〜７０℃の温度で４〜８時間重合反応を行う工程と、
    上記重合反応から得られた共重合体を、パラトルエンスルホン酸触媒下に、６０〜８０℃の温度で２０〜３０時間、Ｒ１ＯＨで表示されるアルコール（Ｒ１は、Ｃ１〜Ｃ５の直鎖または側鎖アルキル基を表す。）と反応させることで、下記一般式（１）の重合体を製造する工程と、
    を含む、有機反射防止膜重合体の製造方法。

    （３）

    （４）

    （５）

    （１）
    （式中、Ｒ１はＣ１〜Ｃ５の直鎖または側鎖アルキル基を表し、Ｒ２及びＲ３はそれぞれ水素またはメチル基を表し、Ｘはハロゲンを表し、ｎは１〜５を表し、ａ、ｂ及びｃは各単量体のモル分率であって、それぞれ０．１〜０．９を表す。）
  4. 前記有機溶媒には、プロピレングリコールメチルエーテルアセテート（ＰＧＭＥＡ）、テトラヒドラフラン（ＴＨＦ）、シクロヘキサノン、ジメチルホルムアミド、ジメチルスルホキシド、ジオキサン、メチルエチルケトン、ベンゼン、トルエン及びキシレンからなるグループより選ばれた１またはそれ以上を混合して使用する、請求項３に記載の有機反射防止膜重合体の製造方法。
  5. 前記重合開始剤には、２，２−アゾビスイソブチロニトリル（ＡＩＢＮ）、ベンゾイルペルオキシド、アセチルペルオキシド、ラウリルペルオキシド、ｔ−ブチルペルアセテート、ｔ−ブチルヒドロペルオキシド及びジ−ｔ−ブチルペルオキシドからなるグループより選ばれたいずれかを使用する、請求項３に記載の有機反射防止膜重合体の製造方法。
  6. 下記一般式（１）で表示され、２０００〜１０００００の重量平均分子量を有する重合体と、下記一般式（２）で表示されるポリビニルフェノール重合体と、熱酸発生剤と、有機溶媒とを含む、有機反射防止膜組成物。

    （１）
    （式中、Ｒ１はＣ１〜Ｃ５の直鎖または側鎖アルキル基を表し、Ｒ２及びＲ３はそれぞれ水素またはメチル基を表し、Ｘはハロゲンを表し、ｎは１〜５を表し、ａ、ｂ及びｃは各単量体のモル分率であって、それぞれ０．１〜０．９を表す。）

    （２）
  7. 前記熱酸発生剤には、下記一般式（６）の構造を有する２−ヒドロキシヘキシルパラトルエンスルホネートを使用する、請求項６に記載の有機反射防止膜組成物。

    （６）
  8. 前記ポリビニルフェノール重合体は、組成物に含まれる上記一般式（１）の重合体の１００重量部に対して５０〜２００重量部で含まれる、請求項６に記載の有機反射防止膜組成物。
  9. 前記熱酸発生剤は、組成物に含まれる上記一般式（１）の重合体の１００重量部に対して１０〜２００重量部で含まれる、請求項７に記載の有機反射防止膜組成物。
  10. 前記有機溶媒は、組成物に含まれる上記一般式（１）の重合体及びポリビニルフェノール重合体の合計量１００重量部に対して１０００〜１００００重量部で含まれる、請求項６に記載の有機反射防止膜組成物。
  11. 請求項６乃至１０のいずれか１項による有機反射防止膜組成物を、被エッチング層上部に塗布する工程と、
    前記結果物に対してベーク工程を行い架橋結合を形成させることで有機反射防止膜を形成する工程と、
    前記形成された有機反射防止膜の上部に、フォトレジストを塗布し、露光後に現像してフォトレジストパターンを形成する工程と、
    を含む、フォトレジストのパターン形成方法。
  12. 前記ベーク工程は、１５０〜３００℃の温度で１〜５分間行う、請求項１１に記載のフォトレジストのパターン形成方法。
  13. 前記フォトレジストパターンの形成工程中に、露光する前や後にベーク工程をさらに行う、請求項１１に記載のフォトレジストのパターン形成方法。
  14. 前記ベーク工程は、７０〜２００℃の温度で行う、請求項１３に記載のフォトレジストのパターン形成方法。
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