JP4346560B2 - 上部反射防止膜(Top Anti−Reflective Coating;TARC)の重合体およびこの製造方法、並びにこれを含む上部反射防止膜の組成物 - Google Patents
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Description
t−ブチルアクリレート10g、アクリル酸4g、3−ハイドロキシプロピルメタクリレート6gおよびAIBN 0.4gをPGMEA溶媒200gに入れ、60℃で8時間重合反応させた。この重合反応が終了すると、エーテルを加えて沈澱させた後、フィルタリングして真空乾燥し、下記化3に示される、白色固体状のt−ブチルアクリレート−アクリル酸−3−ハイドロキシプロピルメタクリレート共重合体を17g得た。図1に前記重合体に対するNMRグラフを示す。
前記実施例1で製造した重合体2.5gと、アミノ酸の一種であるL−プロリン0.04gとを100gのノルマルブタノールに溶かしてイマージョンリソグラフィ用上部反射防止膜の組成物を製造した。
前記実施例2で製造した上部反射防止膜の組成物を、ウエハー上に2000rpmでコーティングした。このとき、厚さは46.4nmで、193nmの波長の光に対する透過度は96%で、屈折率は1.62であった。
前記実施例2で製造した上部反射防止膜の組成物を、JSRのAR1221J感光膜(220nm)上に2000rpmでコーティングした。このとき、厚さは、266.4nmであった。すなわち、本発明による上部反射防止膜の組成物が感光膜を溶解していないことが分かる。
前記実施例4で製造したフォトレジスト膜および上部反射防止膜が形成されたウエハーを蒸溜水に約5分間浸漬し、ウエハーを乾燥した後、その厚さを測定した。このとき、厚さは266.7nmであって、水に浸漬する前に比べて約0.3nmの厚さが増加したことが分かる。すなわち、本発明による上部反射防止膜の組成物が水によって溶解されない、またはほとんど膨潤されていないことが分かる。
前記実施例4で製造されたフォトレジスト膜および上部反射防止膜が形成されたウエハーを2.38wt%のTMAH現像液に約1分間現像し、蒸溜水で洗浄した後、その厚さを測定した。このとき、厚さは、220nmであって、上部反射防止膜の組成物が現像液によって完全に溶解されたことが分かる。
Claims (14)
- 請求項1記載の上部反射防止膜の三元共重合体において、
前記重合体は、2,000〜10,000の重量平均分子量を有する上部反射防止膜の三元共重合体。 - t−ブチルアクリレート単量体、アクリル酸単量体および3−ハイドロキシプロピルメタクリレート単量体を有機溶媒に溶解し、重合開始剤を添加した後、真空状態、温度55℃〜65℃で6〜12時間前記各単量体をフリーラジカル重合することを特徴とする請求項1記載の上部反射防止膜の三元共重合体の製造方法。
- 前記有機溶媒には、プロピレングリコールメチルエーテルアセテート(PGMEA)、テトラハイドロフラン、シクロヘキサノン、ジメチルホルムアミド、ジメチルスルホキシド、ジオキサン、メチルエチルケトン、エチルアセテート、ベンゼン、トルエンおよびキシレンからなるグループから選択された一つ以上の溶媒を使用する請求項3記載の上部反射防止膜の三元共重合体の製造方法。
- 前記重合開始剤には、2,2’−アゾビスイソブチロニトリル(AIBN)、ベンゾイルペルオキシド、アセチルペルオキシド、ラウリルペルオキシド、t−ブチルペルアセテート、t−ブチルハイドロペルオキシドおよびジ−t−ブチルペルオキシドからなるグループから選択されたものを使用する請求項3または請求項4記載の上部反射防止膜の三元共重合体の製造方法。
- 前記上部反射防止膜の三元共重合体の量を基準に、1,000〜10,000重量%のノルマルブタノールに前記重合体を溶解して製造される請求項6記載の上部反射防止膜の組成物。
- 前記上部反射防止膜の三元共重合体の量を基準に、1〜20重量%のL−プロリンをさらに含む請求項6または請求項7記載の上部反射防止膜の組成物。
- 屈折率は、1.4乃至2.0である請求項6乃至請求項8のいずれか一つに記載の上部反射防止膜の組成物。
- 半導体素子の製造工程に使用される請求項6乃至請求項9のいずれか一つに記載の上部反射防止膜の組成物。
- (a)所定の下部構造が形成された半導体基板上にフォトレジスト膜を塗布する段階と、
(b)前記フォトレジスト膜の上部に請求項6乃至請求項9のいずれか一つによる上部反射防止膜の組成物を塗布し、ベークして上部反射防止膜を形成する段階と、
(c)前記フォトレジスト膜に対する露光および現像を行ってフォトレジストパターンを形成する段階と、を含む半導体素子のパターン形成方法。 - 前記ベーク工程は、70〜200℃の温度で行われる請求項11記載の半導体素子のパターン形成方法。
- 前記露光工程における光源に対する媒質は、水である請求項11または請求項12記載の半導体素子のパターン形成方法。
- 前記現像工程は、0.01乃至5重量%のテトラメチルアンモニウムヒドロキシド(TMAH)水溶液を現像液に用いて行われる請求項11乃至請求項13のいずれか一つに記載の半導体素子のパターン形成方法。
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JP4551704B2 (ja) * | 2004-07-08 | 2010-09-29 | 富士フイルム株式会社 | 液浸露光用保護膜形成組成物及びそれを用いたパターン形成方法 |
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CN1786830A (zh) * | 2004-12-09 | 2006-06-14 | 三洋电机株式会社 | 抗蚀剂图案形成方法 |
JP5203575B2 (ja) * | 2005-05-04 | 2013-06-05 | ローム・アンド・ハース・エレクトロニック・マテリアルズ,エル.エル.シー. | コーティング組成物 |
KR100640643B1 (ko) * | 2005-06-04 | 2006-10-31 | 삼성전자주식회사 | 포토레지스트용 탑 코팅 조성물과 이를 이용한포토레지스트 패턴 형성 방법 |
KR100722984B1 (ko) * | 2005-12-05 | 2007-05-30 | 제일모직주식회사 | 반도체 미세 갭 필용 중합체 및 이를 이용한 반도체 미세갭 필용 조성물 |
KR100717511B1 (ko) * | 2005-11-02 | 2007-05-11 | 제일모직주식회사 | 반도체 미세 갭 필용 중합체 및 이를 이용한 조성물 |
US20070117040A1 (en) * | 2005-11-21 | 2007-05-24 | International Business Machines Corporation | Water castable-water strippable top coats for 193 nm immersion lithography |
KR101321150B1 (ko) * | 2005-11-29 | 2013-10-22 | 신에쓰 가가꾸 고교 가부시끼가이샤 | 레지스트 보호막 재료 및 패턴 형성 방법 |
US7538858B2 (en) * | 2006-01-11 | 2009-05-26 | Micron Technology, Inc. | Photolithographic systems and methods for producing sub-diffraction-limited features |
JP2007206229A (ja) * | 2006-01-31 | 2007-08-16 | Renesas Technology Corp | レジストパターン形成方法および半導体装置の製造方法 |
TWI485064B (zh) * | 2006-03-10 | 2015-05-21 | 羅門哈斯電子材料有限公司 | 用於光微影之組成物及製程 |
US7771913B2 (en) * | 2006-04-04 | 2010-08-10 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Resist composition and patterning process using the same |
JP4861237B2 (ja) * | 2006-05-26 | 2012-01-25 | 信越化学工業株式会社 | レジスト保護膜材料及びパターン形成方法 |
US7759047B2 (en) | 2006-05-26 | 2010-07-20 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Resist protective film composition and patterning process |
JP5162934B2 (ja) * | 2007-03-23 | 2013-03-13 | Jsr株式会社 | 上層反射防止膜形成用組成物及びレジストパターン形成方法 |
WO2008126625A1 (ja) * | 2007-03-23 | 2008-10-23 | Jsr Corporation | 上層反射防止膜形成用樹脂及び上層反射防止膜形成用組成物並びにレジストパターン形成方法 |
CN102143990B (zh) * | 2008-09-02 | 2014-04-02 | 第一毛织株式会社 | 用于填充半导体装置内小间隙的化合物、包含该化合物的组合物及制造半导体电容器的方法 |
JP2013061648A (ja) * | 2011-09-09 | 2013-04-04 | Rohm & Haas Electronic Materials Llc | フォトレジスト上塗り組成物および電子デバイスを形成する方法 |
CN103666165B (zh) * | 2013-09-11 | 2015-12-09 | 东莞上海大学纳米技术研究院 | 有机氟硅仿生防污树脂制备方法及制品 |
CN104765250A (zh) * | 2015-04-15 | 2015-07-08 | 四川云盾光电科技有限公司 | 一种微图形成形方法 |
Family Cites Families (14)
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DE3148051A1 (de) * | 1981-12-04 | 1983-06-09 | Basf Ag, 6700 Ludwigshafen | Einbrennlacke mit hohem feststoffgehalt |
US5614590A (en) * | 1992-09-17 | 1997-03-25 | Herberts Gesellschaft Mit Beschrankterhaftung | Coating agents, process for their preparation and their use for the preparation of transparent top layers on multilayer coatings |
US6165684A (en) | 1996-12-24 | 2000-12-26 | Fuji Photo Film Co., Ltd. | Bottom anti-reflective coating material composition and method for forming resist pattern using the same |
JP3852889B2 (ja) | 1998-09-24 | 2006-12-06 | 富士写真フイルム株式会社 | フォトレジスト用反射防止膜材料組成物 |
KR100574482B1 (ko) * | 1999-09-07 | 2006-04-27 | 주식회사 하이닉스반도체 | 유기 난반사 방지막용 조성물과 이의 제조방법 |
KR100400331B1 (ko) * | 1999-12-02 | 2003-10-01 | 주식회사 하이닉스반도체 | 포토레지스트 오버코팅용 조성물 및 이를 이용한포토레지스트 패턴 형성방법 |
KR100355604B1 (ko) * | 1999-12-23 | 2002-10-12 | 주식회사 하이닉스반도체 | 난반사 방지막용 중합체와 그 제조방법 |
KR100687850B1 (ko) * | 2000-06-30 | 2007-02-27 | 주식회사 하이닉스반도체 | 유기반사방지막 조성물 및 그의 제조방법 |
JP4146755B2 (ja) * | 2003-05-09 | 2008-09-10 | 松下電器産業株式会社 | パターン形成方法 |
TWI347741B (en) * | 2003-05-30 | 2011-08-21 | Asml Netherlands Bv | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
US7579135B2 (en) * | 2003-08-11 | 2009-08-25 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Lithography apparatus for manufacture of integrated circuits |
US7432042B2 (en) * | 2003-12-03 | 2008-10-07 | United Microelectronics Corp. | Immersion lithography process and mask layer structure applied in the same |
US20050147920A1 (en) * | 2003-12-30 | 2005-07-07 | Chia-Hui Lin | Method and system for immersion lithography |
US20050202351A1 (en) * | 2004-03-09 | 2005-09-15 | Houlihan Francis M. | Process of imaging a deep ultraviolet photoresist with a top coating and materials thereof |
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