JP2010506992A - 反射防止コーティング組成物 - Google Patents
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Abstract
【課題】
架橋可能なポリマー、高分子架橋剤および熱酸発生剤を含む吸収性反射防止コーティング組成物、ならびに反射防止コーティング組成物を使用して画像を形成する方法を提供する。
【解決手段】
(i) 熱酸発生剤;
(ii) 芳香族基を少なくとも1つ含む架橋可能なポリマー; および、
(iii) 構造 (6)の少なくとも1つの単位を含む高分子架橋剤、
【化1】
(式中、R11〜R13は、独立にH、(C1- C6)アルキルおよび芳香族基から選択し、ならびに、R14およびR15は、独立に(C1-C10)アルキルである)
を含む反射防止コーティング組成物。また、本発明の反射防止コーティング組成物を撮像する方法。
【選択図】 なし
Description
(iii) 構造 (6)の少なくとも1つの単位を含む高分子架橋剤、
アクロレイン160 g、テトラヒドロフラン (THF) 500 gおよびアゾビスイソブチロニトリル (AIBN) 3.2 gを、攪拌機および凝縮器を備えた適したフラスコの中に仕込んだ。1時間窒素パージした後に、反応混合物を65°Cで23 時間攪拌した。反応混合物を冷却して室温にした後に、混合物をエーテル中に流し込んだ。得られた固体を濾過によって単離した。次いで、固体を反応フラスコ中のメタノール500 gに溶解した。シュウ酸1 gを加えた後に、反応混合物65°Cで20 時間攪拌した。冷却して室温にした後に、反応溶液を攪拌しながら水中に流し込んだ 。得られた白色ポリマーを濾過によって単離しそして真空オーブン中で一晩乾燥させた。ポリマーについてのプロトンNMR結果は、下記であった: 1H NMR (ppm): 1.0-2.0 (3H)、3.2-3.4 (6H)、および4.2-4.6 (1H)。
78469 テキサス州、コーパスクリスティ、クラークロード1901 DuPont Corporation, Corpus Christi Technical Centerから入手できるビニルベンゼン/4-ヒドロキシスチレンコポリマー1.5 g、および例1に記載するポリマー(PDMP) 0.5 gを、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセタート(PGMEA)とプロピレングリコールモノメチルエーテル(PGME)との混合物(PGMEA/PGME 70/30) に溶解して全固形分の10.0 重量%を達成した。それに、熱酸発生剤であるドデシルベンゼンスルホン酸 (DBSA) 40 mgを加えた。材料が完全に可溶性になるまで、混合物を混合させた。0.2 μm膜濾過器を用いて、均一な溶液を濾過した。この濾過した溶液を、8”(20 cm)ケイ素ウエハー上で1200 rpmでスピンコートした。被覆したウエハーをホットプレート上で225°Cで90 秒間ベークした。次いで、J. A. Woollam Co. Inc.製のVASE Ellipsometerを用いて、nおよびk値を測定した。193 nm放射線用の Si含有フィルムの光学定数nおよびkは、それぞれ1. 66 および 0.86であった。
上記配合例 2 の溶液をはだかのケイ素ウエハー上にスピンコートしそして250°Cで90 秒間ベークして硬化させた。スピン速度を調節してベークプロセスの後に、フィルム厚さ250nmを達成するようにした。配合例 2の硬化されたフィルムの上に、反射防止コーティング溶液であるAZ Electronic Material USA Corp. から入手できるAZ(登録商標)EXP ArF-S10Aをスピンコートした。250°Cにおいて90 秒間のハードベークを適用して反射防止コーティングを硬化させた。フィルムスタックに、ポジティブ型作動193 nmフォトレジスト配合物、またAZ Electronic Material USA Corp. から入手できるAZ(登録商標)AX2110Pをスピンコートしそして100 °Cで60 秒間ソフトベークしてフィルム厚さ190nmをもたらした。次いで、フォトレジストを、6%ハーフトーン位相シフトマスクを有するNikon 306Dスキャナー (開口数0.85およびダイポール照射)によって露光した。露光した後に、ウエハーに、110°Cにおいて60 秒間後露光ベーク工程を施した。撮像したフォトレジストを、次いで、テトラメチルアンモニウムヒドロキシドの2.38重量%水溶液によって30秒間現像した。次いで、線および空間パターンを走査型電子顕微鏡によって観測した。フォトレジストは、 スカムおよびフォトレジスト残渣がない、75 nm (ピッチ1:1) に至るまでの優れた解像度を示した。
アセトキシスチレン(16.22g, 0.5モル)を500mLフラスコに入れ、3-ヒドロキシアダマンチルメタクリラート(HAdMA) (23.63g, 0.5モル) 、AIBN 1.20g、およびTHF 119gを加えそして窒素下で69°Cにおいて7時間加熱した。反応の後に、ポリマーを酸性にした脱イオン水 (DI) 水 (1.5リットル、約0.1%HCl)から単離し、DI水で何回も洗浄し、オーブン内で真空下で乾燥させた。ポリマー (39g)をメタノール (固体20%) に再溶解し、濃HCl 0.5gを加えそして4時間還流した。ポリマーをDI 水 (1.5 リットル)から単離しそしてDI水で何回も洗浄しそして真空下で乾燥させた。収量は33g 収量であり、重量平均分子量は14,127であり、多分散性は1.62であり、そして熱ガラス転移温度、Tg、は169°Cであった。
アセトキシスチレン (16.22g, 0.5 モル) を500mLフラスコに取り、アダマンチルメタクリラート(AdMA) (22.03g, 0.5モル)、AIBN 1.50g, および THF 119gを加えそして窒素下で69°Cにおいて7時間加熱した。反応の後に、メタノール120gを加えそしてHCl (37%) 1gもまた、加えそして4時間還流した。ポリマーをDI 水から単離し、DI水で何回も洗浄し、オーブン内で真空下で乾燥させた。ポリマー 30g、Mw=9923、多分散性=1.82、および Tg=182°Cを生じた。
例 2に記載するポリマー1.5 gおよび例 1に記載するPDMP 0.5 gを、エチルラクタート (EL) とプロピレングリコールモノメチルエーテル(PGME)との混合物(EL/PGME 90/10)に溶解して全固形分10.0 重量%を達成した。それに、熱酸発生剤であるDBSA 40mg、を加えた。材料すべてが可溶性になるまで、混合物を混合させた。0.2 μm膜濾過器を用いて、均一な溶液を濾過した。この濾過した溶液を、8”(20 cm)ケイ素ウエハー上で1200 rpmでスピンコートした。被覆したウエハーをホットプレート上で225°Cで90 秒間ベークした。次いで、J. A. Woollam Co. Inc.製のVASE Ellipsometerを用いて、nおよびk値を測定した。193 nm放射線用の Si含有フィルムの光学定数nおよびkは、それぞれ1.632および 0.348であった。
DuPont Corporationから入手できるビニルベンゼン/4-ヒドロキシスチレンコポリマー0.47 g、置換されたポリアクリルポリマーTG-6072 0.47 g (三菱レーヨン株式会社、日本、108-8506東京港区港南1丁目6-41) および例1に記載するPDMP 0.31 gを、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセタート(PGMEA)とプロピレングリコールモノメチルエーテル(PGME)との混合物(PGMEA/PGME 70/30) に溶解して全固形分10.0 重量%を達成した。それに、熱酸発生剤であるDBSA 40mg、を加えた。溶液が完全に可溶性になるまで、材料を混合させた。0.2 μm膜濾過器を通して、均一な溶液を濾過した。この濾過した溶液を、8”(20 cm)ケイ素ウエハー上で1200 rpmでスピンコートした。被覆したウエハーをホットプレート上で225°Cで90 秒間ベークした。次いで、J. A. Woollam Co. Inc.製のVASE Ellipsometerを用いて、nおよびk値を測定した。193 nm放射線用の上記のフィルムの光学定数nおよびkは、それぞれ1.87および 0.22であった。
Claims (11)
- 熱酸発生剤 が、ヨードニウム塩、トシラート、ベンゼンスルホン酸塩の誘導体、およびナフタレンスルホン酸塩の誘導体から選択される、請求項1〜6のいずれか一に記載の組成物。
- (ii)において、窒素がない芳香族基が、置換されたもしくは非置換のフェニル、置換されたもしくは非置換のナフチル、置換されたもしくは非置換のアントラシル、および置換されたもしくは非置換の単環式複素環式芳香族化合物から選択されることができる、請求項1〜7のいずれか一に記載の組成物。
- 下記の工程:
a) 請求項1〜8のいずれか一に記載の反射防止コーティング組成物から反射防止コーティングを基板上に形成し;
b) 反射防止コーティングの上にフォトレジストのコーティングを形成し;
c) フォトレジストを露光装置によって像様露光し;および、
d) コーティングをアルカリ現像水溶液によって現像する
を含むフォトレジストを撮像する方法。 - 像様露光用放射線が248nm, 193nm および 157nmからから選択する、請求項9記載の方法。
- 現像液がテトラメチルアンモニウムヒドロキシドの水溶液である、請求項9または10記載の方法。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US11/550,459 US7666575B2 (en) | 2006-10-18 | 2006-10-18 | Antireflective coating compositions |
US11/550,459 | 2006-10-18 | ||
PCT/IB2007/003110 WO2008047217A2 (en) | 2006-10-18 | 2007-10-15 | Antireflective coating compositions |
Related Child Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2013059894A Division JP2013156647A (ja) | 2006-10-18 | 2013-03-22 | 反射防止コーティング組成物 |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2010506992A true JP2010506992A (ja) | 2010-03-04 |
JP2010506992A5 JP2010506992A5 (ja) | 2011-12-08 |
JP5418906B2 JP5418906B2 (ja) | 2014-02-19 |
Family
ID=39253631
Family Applications (2)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2009532907A Expired - Fee Related JP5418906B2 (ja) | 2006-10-18 | 2007-10-15 | 反射防止コーティング組成物 |
JP2013059894A Pending JP2013156647A (ja) | 2006-10-18 | 2013-03-22 | 反射防止コーティング組成物 |
Family Applications After (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2013059894A Pending JP2013156647A (ja) | 2006-10-18 | 2013-03-22 | 反射防止コーティング組成物 |
Country Status (10)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US7666575B2 (ja) |
EP (1) | EP2082287B1 (ja) |
JP (2) | JP5418906B2 (ja) |
KR (1) | KR101420460B1 (ja) |
CN (2) | CN103353706A (ja) |
AT (1) | ATE497608T1 (ja) |
DE (1) | DE602007012359D1 (ja) |
MY (1) | MY145768A (ja) |
TW (1) | TWI408185B (ja) |
WO (1) | WO2008047217A2 (ja) |
Families Citing this family (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
TWI414893B (zh) * | 2006-03-14 | 2013-11-11 | Jsr Corp | 底層膜形成用組成物及圖型之形成方法 |
US7666575B2 (en) * | 2006-10-18 | 2010-02-23 | Az Electronic Materials Usa Corp | Antireflective coating compositions |
KR101220074B1 (ko) * | 2010-09-01 | 2013-01-08 | 금호석유화학 주식회사 | 유기 반사 방지막용 흡광제 및 이를 포함하는 유기 반사 방지막용 조성물 |
US8623589B2 (en) * | 2011-06-06 | 2014-01-07 | Az Electronic Materials Usa Corp. | Bottom antireflective coating compositions and processes thereof |
JP2018025649A (ja) * | 2016-08-09 | 2018-02-15 | アーゼッド・エレクトロニック・マテリアルズ(ルクセンブルグ)ソシエテ・ア・レスポンサビリテ・リミテ | 下層反射防止膜形成組成物 |
US20200348592A1 (en) * | 2019-04-30 | 2020-11-05 | Rohm And Haas Electronic Materials Llc | Resist underlayer compositions and methods of forming patterns with such compositions |
CN112680052B (zh) * | 2020-12-23 | 2022-06-28 | 上海飞凯材料科技股份有限公司 | 一种抗反射涂料组合物及其应用 |
US20220406593A1 (en) * | 2021-05-27 | 2022-12-22 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Coating composition for photolithography |
CN115403976B (zh) * | 2022-08-19 | 2023-04-18 | 嘉庚创新实验室 | 一种抗反射涂层组合物 |
Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2001192411A (ja) * | 1999-12-23 | 2001-07-17 | Hyundai Electronics Ind Co Ltd | 乱反射防止膜用重合体とその製造方法 |
JP2002530696A (ja) * | 1998-11-18 | 2002-09-17 | クラリアント・インターナシヨナル・リミテッド | 深紫外線フォトレジスト用の反射防止膜用コーティング組成物 |
JP2003195509A (ja) * | 2001-12-18 | 2003-07-09 | Hynix Semiconductor Inc | 乱反射防止膜組成物、これを利用したフォトレジストパターンの形成方法及び半導体素子 |
JP2004029706A (ja) * | 2002-06-24 | 2004-01-29 | Hynix Semiconductor Inc | 有機反射防止膜組成物及びこれを利用したフォトレジストのパターン形成方法 |
JP2005010486A (ja) * | 2003-06-19 | 2005-01-13 | Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd | レジストパターン形成方法 |
JP2005015763A (ja) * | 2003-06-27 | 2005-01-20 | Hynix Semiconductor Inc | フォトレジスト重合体、フォトレジスト組成物、フォトレジストパターン形成方法及び半導体素子 |
JP2007128036A (ja) * | 2005-10-31 | 2007-05-24 | Hynix Semiconductor Inc | 有機反射防止膜重合体、これを含む有機反射防止膜組成物及びこれを用いたフォトレジストのパターン形成方法 |
Family Cites Families (27)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3474054A (en) * | 1966-09-13 | 1969-10-21 | Permalac Corp The | Surface coating compositions containing pyridine salts or aromatic sulfonic acids |
US4200729A (en) * | 1978-05-22 | 1980-04-29 | King Industries, Inc | Curing amino resins with aromatic sulfonic acid oxa-azacyclopentane adducts |
US4251665A (en) * | 1978-05-22 | 1981-02-17 | King Industries, Inc. | Aromatic sulfonic acid oxa-azacyclopentane adducts |
US4491628A (en) * | 1982-08-23 | 1985-01-01 | International Business Machines Corporation | Positive- and negative-working resist compositions with acid generating photoinitiator and polymer with acid labile groups pendant from polymer backbone |
EP0440374B1 (en) * | 1990-01-30 | 1997-04-16 | Wako Pure Chemical Industries Ltd | Chemical amplified resist material |
US5187019A (en) * | 1991-09-06 | 1993-02-16 | King Industries, Inc. | Latent catalysts |
US5843624A (en) * | 1996-03-08 | 1998-12-01 | Lucent Technologies Inc. | Energy-sensitive resist material and a process for device fabrication using an energy-sensitive resist material |
US6808859B1 (en) | 1996-12-31 | 2004-10-26 | Hyundai Electronics Industries Co., Ltd. | ArF photoresist copolymers |
US6849377B2 (en) | 1998-09-23 | 2005-02-01 | E. I. Du Pont De Nemours And Company | Photoresists, polymers and processes for microlithography |
DE19956531A1 (de) * | 1998-11-27 | 2000-05-31 | Hyundai Electronics Ind | Vernetzer für ein Photoresist und diesen enthaltende Photoresistzusammensetzung |
US6790587B1 (en) * | 1999-05-04 | 2004-09-14 | E. I. Du Pont De Nemours And Company | Fluorinated polymers, photoresists and processes for microlithography |
KR100400243B1 (ko) * | 1999-06-26 | 2003-10-01 | 주식회사 하이닉스반도체 | 유기 반사방지 중합체 및 그의 제조방법 |
KR100574482B1 (ko) * | 1999-09-07 | 2006-04-27 | 주식회사 하이닉스반도체 | 유기 난반사 방지막용 조성물과 이의 제조방법 |
KR100427440B1 (ko) | 1999-12-23 | 2004-04-17 | 주식회사 하이닉스반도체 | 유기 반사방지 화합물 및 그의 제조방법 |
KR100549574B1 (ko) * | 1999-12-30 | 2006-02-08 | 주식회사 하이닉스반도체 | 유기 반사 방지막용 중합체 및 그의 제조방법 |
WO2001098834A1 (fr) | 2000-06-21 | 2001-12-27 | Asahi Glass Company, Limited | Composition de reserve |
US6447980B1 (en) * | 2000-07-19 | 2002-09-10 | Clariant Finance (Bvi) Limited | Photoresist composition for deep UV and process thereof |
JP3800538B2 (ja) * | 2001-02-09 | 2006-07-26 | 旭硝子株式会社 | レジスト組成物 |
US6723488B2 (en) * | 2001-11-07 | 2004-04-20 | Clariant Finance (Bvi) Ltd | Photoresist composition for deep UV radiation containing an additive |
KR100480235B1 (ko) | 2002-07-18 | 2005-04-06 | 주식회사 하이닉스반도체 | 유기 반사방지막 조성물 및 이를 이용한 포토레지스트의패턴 형성 방법 |
KR100832247B1 (ko) * | 2002-11-27 | 2008-05-28 | 주식회사 동진쎄미켐 | 유기 난반사 방지막 조성물 및 이를 이용한 패턴 형성방법 |
KR100570206B1 (ko) | 2003-10-15 | 2006-04-12 | 주식회사 하이닉스반도체 | 유기 반사방지막용 광 흡수제 중합체 및 이의 제조 방법과상기 중합체를 포함하는 유기 반사 방지막 조성물 |
US7416821B2 (en) * | 2004-03-12 | 2008-08-26 | Fujifilm Electronic Materials, U.S.A., Inc. | Thermally cured undercoat for lithographic application |
US7816071B2 (en) * | 2005-02-10 | 2010-10-19 | Az Electronic Materials Usa Corp. | Process of imaging a photoresist with multiple antireflective coatings |
US20070298349A1 (en) * | 2006-06-22 | 2007-12-27 | Ruzhi Zhang | Antireflective Coating Compositions Comprising Siloxane Polymer |
US7704670B2 (en) * | 2006-06-22 | 2010-04-27 | Az Electronic Materials Usa Corp. | High silicon-content thin film thermosets |
US7666575B2 (en) * | 2006-10-18 | 2010-02-23 | Az Electronic Materials Usa Corp | Antireflective coating compositions |
-
2006
- 2006-10-18 US US11/550,459 patent/US7666575B2/en active Active
-
2007
- 2007-09-19 TW TW096134930A patent/TWI408185B/zh active
- 2007-10-15 EP EP07825410A patent/EP2082287B1/en not_active Not-in-force
- 2007-10-15 DE DE602007012359T patent/DE602007012359D1/de active Active
- 2007-10-15 JP JP2009532907A patent/JP5418906B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2007-10-15 CN CN2013102542861A patent/CN103353706A/zh active Pending
- 2007-10-15 AT AT07825410T patent/ATE497608T1/de not_active IP Right Cessation
- 2007-10-15 KR KR1020097007741A patent/KR101420460B1/ko active IP Right Grant
- 2007-10-15 CN CN2007800389319A patent/CN101529336B/zh active Active
- 2007-10-15 WO PCT/IB2007/003110 patent/WO2008047217A2/en active Application Filing
- 2007-10-15 MY MYPI20091557A patent/MY145768A/en unknown
-
2013
- 2013-03-22 JP JP2013059894A patent/JP2013156647A/ja active Pending
Patent Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2002530696A (ja) * | 1998-11-18 | 2002-09-17 | クラリアント・インターナシヨナル・リミテッド | 深紫外線フォトレジスト用の反射防止膜用コーティング組成物 |
JP2001192411A (ja) * | 1999-12-23 | 2001-07-17 | Hyundai Electronics Ind Co Ltd | 乱反射防止膜用重合体とその製造方法 |
JP2003195509A (ja) * | 2001-12-18 | 2003-07-09 | Hynix Semiconductor Inc | 乱反射防止膜組成物、これを利用したフォトレジストパターンの形成方法及び半導体素子 |
JP2004029706A (ja) * | 2002-06-24 | 2004-01-29 | Hynix Semiconductor Inc | 有機反射防止膜組成物及びこれを利用したフォトレジストのパターン形成方法 |
JP2005010486A (ja) * | 2003-06-19 | 2005-01-13 | Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd | レジストパターン形成方法 |
JP2005015763A (ja) * | 2003-06-27 | 2005-01-20 | Hynix Semiconductor Inc | フォトレジスト重合体、フォトレジスト組成物、フォトレジストパターン形成方法及び半導体素子 |
JP2007128036A (ja) * | 2005-10-31 | 2007-05-24 | Hynix Semiconductor Inc | 有機反射防止膜重合体、これを含む有機反射防止膜組成物及びこれを用いたフォトレジストのパターン形成方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
TWI408185B (zh) | 2013-09-11 |
DE602007012359D1 (de) | 2011-03-17 |
CN103353706A (zh) | 2013-10-16 |
US7666575B2 (en) | 2010-02-23 |
KR20090068332A (ko) | 2009-06-26 |
TW200831621A (en) | 2008-08-01 |
EP2082287A2 (en) | 2009-07-29 |
WO2008047217A2 (en) | 2008-04-24 |
WO2008047217A8 (en) | 2009-04-23 |
MY145768A (en) | 2012-04-13 |
KR101420460B1 (ko) | 2014-07-28 |
WO2008047217A3 (en) | 2008-07-03 |
CN101529336B (zh) | 2013-08-21 |
CN101529336A (zh) | 2009-09-09 |
JP2013156647A (ja) | 2013-08-15 |
EP2082287B1 (en) | 2011-02-02 |
JP5418906B2 (ja) | 2014-02-19 |
ATE497608T1 (de) | 2011-02-15 |
US20080096125A1 (en) | 2008-04-24 |
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TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
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A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
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S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
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