JP2007103595A - 半導体チップ切出し方法および半導体チップ - Google Patents

半導体チップ切出し方法および半導体チップ Download PDF

Info

Publication number
JP2007103595A
JP2007103595A JP2005290229A JP2005290229A JP2007103595A JP 2007103595 A JP2007103595 A JP 2007103595A JP 2005290229 A JP2005290229 A JP 2005290229A JP 2005290229 A JP2005290229 A JP 2005290229A JP 2007103595 A JP2007103595 A JP 2007103595A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
semiconductor chip
cutting
semiconductor
holding
cutting method
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2005290229A
Other languages
English (en)
Japanese (ja)
Other versions
JP2007103595A5 (enExample
Inventor
Tomofumi Kiyomoto
智文 清元
Katsuyuki Ono
勝之 小野
Muneo Harada
宗生 原田
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Tokyo Electron Ltd
Original Assignee
Tokyo Electron Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Tokyo Electron Ltd filed Critical Tokyo Electron Ltd
Priority to JP2005290229A priority Critical patent/JP2007103595A/ja
Priority to PCT/JP2006/319667 priority patent/WO2007040190A1/ja
Priority to TW095136785A priority patent/TW200731373A/zh
Publication of JP2007103595A publication Critical patent/JP2007103595A/ja
Publication of JP2007103595A5 publication Critical patent/JP2007103595A5/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • H10P54/00—
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B81—MICROSTRUCTURAL TECHNOLOGY
    • B81C—PROCESSES OR APPARATUS SPECIALLY ADAPTED FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF MICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS
    • B81C1/00—Manufacture or treatment of devices or systems in or on a substrate
    • B81C1/00865—Multistep processes for the separation of wafers into individual elements
    • B81C1/00888—Multistep processes involving only mechanical separation, e.g. grooving followed by cleaving
    • H10P72/74—

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Dicing (AREA)
  • Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
  • Micromachines (AREA)
JP2005290229A 2005-10-03 2005-10-03 半導体チップ切出し方法および半導体チップ Pending JP2007103595A (ja)

Priority Applications (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2005290229A JP2007103595A (ja) 2005-10-03 2005-10-03 半導体チップ切出し方法および半導体チップ
PCT/JP2006/319667 WO2007040190A1 (ja) 2005-10-03 2006-10-02 半導体チップ切出し方法および半導体チップ
TW095136785A TW200731373A (en) 2005-10-03 2006-10-03 Semiconductor chip and cut-out method therefor

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2005290229A JP2007103595A (ja) 2005-10-03 2005-10-03 半導体チップ切出し方法および半導体チップ

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2007103595A true JP2007103595A (ja) 2007-04-19
JP2007103595A5 JP2007103595A5 (enExample) 2008-07-17

Family

ID=37906231

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2005290229A Pending JP2007103595A (ja) 2005-10-03 2005-10-03 半導体チップ切出し方法および半導体チップ

Country Status (3)

Country Link
JP (1) JP2007103595A (enExample)
TW (1) TW200731373A (enExample)
WO (1) WO2007040190A1 (enExample)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2008284651A (ja) * 2007-05-18 2008-11-27 Dainippon Printing Co Ltd メンブレン構造体の製造方法
JP2011146717A (ja) * 2010-01-18 2011-07-28 Semiconductor Components Industries Llc 半導体ダイを形成する方法
DE102023111777A1 (de) * 2023-05-05 2024-11-07 Technische Universität Chemnitz, Körperschaft des öffentlichen Rechts Verfahren zur Herstellung eines mikromechanischen Ultraschallwandlers und zugehöriger Ultraschallwandler

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2009113165A (ja) * 2007-11-07 2009-05-28 Tokyo Electron Ltd 微小構造体デバイスの製造方法
JP7143019B2 (ja) * 2018-06-06 2022-09-28 株式会社ディスコ ウェーハの加工方法

Citations (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH04159712A (ja) * 1990-10-23 1992-06-02 Mitsubishi Electric Corp 半導体装置の製造方法
JPH04297056A (ja) * 1991-03-08 1992-10-21 Sony Corp 半導体装置の製造方法
JPH06112236A (ja) * 1992-09-25 1994-04-22 Mitsubishi Electric Corp 半導体装置およびその製造方法
JPH06151588A (ja) * 1992-11-09 1994-05-31 Japan Energy Corp 半導体装置の製造方法
JPH097975A (ja) * 1995-06-22 1997-01-10 Hitachi Ltd 半導体装置およびその製造方法
JPH1154478A (ja) * 1997-06-05 1999-02-26 Tokai Rika Co Ltd シリコン基板における陽極化成方法及び表面型の加速度センサの製造方法
JP2000340527A (ja) * 1999-05-28 2000-12-08 Horiba Ltd 半導体素子の分離方法
JP2000346648A (ja) * 1999-06-08 2000-12-15 Sumitomo Precision Prod Co Ltd 半導体デバイスとその製造方法
JP2001076599A (ja) * 1999-09-02 2001-03-23 Tokai Rika Co Ltd マイクロリードスイッチ、マイクロリードスイッチ体及びマイクロリードスイッチ部材の製造方法
JP2002033765A (ja) * 2000-07-17 2002-01-31 Matsushita Electric Ind Co Ltd リンクトリスト方式バッファメモリ制御装置およびその制御方法
JP2002093752A (ja) * 2000-09-14 2002-03-29 Tokyo Electron Ltd 半導体素子分離方法及び半導体素子分離装置
JP2005161516A (ja) * 2003-11-05 2005-06-23 Akustica Inc 超薄形状のｍｅｍｓマイクロホン及びマイクロスピーカ

Patent Citations (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH04159712A (ja) * 1990-10-23 1992-06-02 Mitsubishi Electric Corp 半導体装置の製造方法
JPH04297056A (ja) * 1991-03-08 1992-10-21 Sony Corp 半導体装置の製造方法
JPH06112236A (ja) * 1992-09-25 1994-04-22 Mitsubishi Electric Corp 半導体装置およびその製造方法
JPH06151588A (ja) * 1992-11-09 1994-05-31 Japan Energy Corp 半導体装置の製造方法
JPH097975A (ja) * 1995-06-22 1997-01-10 Hitachi Ltd 半導体装置およびその製造方法
JPH1154478A (ja) * 1997-06-05 1999-02-26 Tokai Rika Co Ltd シリコン基板における陽極化成方法及び表面型の加速度センサの製造方法
JP2000340527A (ja) * 1999-05-28 2000-12-08 Horiba Ltd 半導体素子の分離方法
JP2000346648A (ja) * 1999-06-08 2000-12-15 Sumitomo Precision Prod Co Ltd 半導体デバイスとその製造方法
JP2001076599A (ja) * 1999-09-02 2001-03-23 Tokai Rika Co Ltd マイクロリードスイッチ、マイクロリードスイッチ体及びマイクロリードスイッチ部材の製造方法
JP2002033765A (ja) * 2000-07-17 2002-01-31 Matsushita Electric Ind Co Ltd リンクトリスト方式バッファメモリ制御装置およびその制御方法
JP2002093752A (ja) * 2000-09-14 2002-03-29 Tokyo Electron Ltd 半導体素子分離方法及び半導体素子分離装置
JP2005161516A (ja) * 2003-11-05 2005-06-23 Akustica Inc 超薄形状のｍｅｍｓマイクロホン及びマイクロスピーカ

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2008284651A (ja) * 2007-05-18 2008-11-27 Dainippon Printing Co Ltd メンブレン構造体の製造方法
JP2011146717A (ja) * 2010-01-18 2011-07-28 Semiconductor Components Industries Llc 半導体ダイを形成する方法
KR101908910B1 (ko) * 2010-01-18 2018-10-17 세미컨덕터 콤포넨츠 인더스트리즈 엘엘씨 반도체 다이의 형성 방법
DE102023111777A1 (de) * 2023-05-05 2024-11-07 Technische Universität Chemnitz, Körperschaft des öffentlichen Rechts Verfahren zur Herstellung eines mikromechanischen Ultraschallwandlers und zugehöriger Ultraschallwandler

Also Published As

Publication number Publication date
TW200731373A (en) 2007-08-16
WO2007040190A1 (ja) 2007-04-12

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP4480728B2 (ja) Ｍｅｍｓマイクの製造方法
CN101086956B (zh) 半导体装置的制造方法
US9064950B2 (en) Fabrication method for a chip package
US10384934B2 (en) MEMS device and method of manufacturing a MEMS device
JP4744463B2 (ja) 半導体装置の製造方法
CN1740087B (zh) 半导体装置的单片化方法
JP2009529795A (ja) 集積回路を製造する方法
JP4519804B2 (ja) 半導体装置の作製方法
JP7719056B2 (ja) 膜を使用してキャビティを封止する方法
JP2019004053A (ja) 半導体装置およびその製造方法
JP5568824B2 (ja) 半導体装置の製造方法
JP2007103595A (ja) 半導体チップ切出し方法および半導体チップ
JP2010003796A (ja) 半導体装置及びその製造方法
CN107452677A (zh) 半导体结构及其制造方法
US10029913B2 (en) Removal of a reinforcement ring from a wafer
CN109052307A (zh) 晶圆结构及晶圆加工方法
CN102386198A (zh) 制造光学传感器的方法
CN113307222B (zh) 微机电系统及其制造方法
CN114988345B (zh) 微机电系统和制造方法
JP2006196588A (ja) マイクロマシン及び静電容量型センサの製造方法
JP2007152554A (ja) 半導体装置
JP2012033713A (ja) 空洞半導体基板、ならびに空洞半導体基板および半導体素子の製造方法
JP2008166588A (ja) チップ切り出し方法及び治具
JP2007110015A (ja) 半導体ウェーハの製造方法及び半導体ウェーハ
JP2017216354A (ja) 半導体装置の製造方法

Legal Events

Date Code Title Description
A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20080604

A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20080604

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20110405

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20110527

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20110628

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20110823

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20111004

A02 Decision of refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02

Effective date: 20120228