JP2007092064A5 - - Google Patents
Download PDFInfo
- Publication number
- JP2007092064A5 JP2007092064A5 JP2006257391A JP2006257391A JP2007092064A5 JP 2007092064 A5 JP2007092064 A5 JP 2007092064A5 JP 2006257391 A JP2006257391 A JP 2006257391A JP 2006257391 A JP2006257391 A JP 2006257391A JP 2007092064 A5 JP2007092064 A5 JP 2007092064A5
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- polishing
- polishing composition
- acid
- oxidant
- abrasive
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 238000005498 polishing Methods 0.000 claims description 44
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 23
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 9
- 239000002253 acid Substances 0.000 claims description 7
- 239000007800 oxidant agent Substances 0.000 claims description 7
- 150000003851 azoles Chemical class 0.000 claims description 6
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims description 5
- 239000008119 colloidal silica Substances 0.000 claims description 4
- MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N hydrogen peroxide Chemical compound OO MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 230000001590 oxidative Effects 0.000 claims description 4
- 159000000001 potassium salts Chemical class 0.000 claims description 4
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicium dioxide Chemical group O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- QRUDEWIWKLJBPS-UHFFFAOYSA-N benzotriazole Chemical compound C1=CC=C2N[N][N]C2=C1 QRUDEWIWKLJBPS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- LAGFUXOTKFAPEC-UHFFFAOYSA-N 1-(2-methylphenyl)-1,2,4-triazole Chemical compound CC1=CC=CC=C1N1N=CN=C1 LAGFUXOTKFAPEC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- ULRPISSMEBPJLN-UHFFFAOYSA-N 2H-tetrazol-5-amine Chemical compound NC1=NN=NN1 ULRPISSMEBPJLN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- VQTVFIMEENGCJA-UHFFFAOYSA-N 4,5-dimethyl-1H-pyrazole Chemical compound CC=1C=NNC=1C VQTVFIMEENGCJA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 150000003863 ammonium salts Chemical class 0.000 claims description 2
- 150000007522 mineralic acids Chemical class 0.000 claims description 2
- 150000007524 organic acids Chemical class 0.000 claims description 2
- 235000005985 organic acids Nutrition 0.000 claims description 2
- 159000000000 sodium salts Chemical class 0.000 claims description 2
- 238000005296 abrasive Methods 0.000 claims 2
- KAESVJOAVNADME-UHFFFAOYSA-N pyrrole Chemical compound C=1C=CNC=1 KAESVJOAVNADME-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 2
- DBVJJBKOTRCVKF-UHFFFAOYSA-N Didronel Chemical compound OP(=O)(O)C(O)(C)P(O)(O)=O DBVJJBKOTRCVKF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 5
- 239000006061 abrasive grain Substances 0.000 description 4
- -1 nickel phosphorus Chemical compound 0.000 description 2
- KRKNYBCHXYNGOX-UHFFFAOYSA-K 2qpq Chemical compound [O-]C(=O)CC(O)(CC([O-])=O)C([O-])=O KRKNYBCHXYNGOX-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 1
- MBKDYNNUVRNNRF-UHFFFAOYSA-N Medronic acid Chemical compound OP(O)(=O)CP(O)(O)=O MBKDYNNUVRNNRF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000007513 acids Chemical class 0.000 description 1
- 230000002950 deficient Effects 0.000 description 1
- 238000007772 electroless plating Methods 0.000 description 1
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 235000021317 phosphate Nutrition 0.000 description 1
- NJRWNWYFPOFDFN-UHFFFAOYSA-L phosphonate(2-) Chemical compound [O-][P]([O-])=O NJRWNWYFPOFDFN-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 150000003013 phosphoric acid derivatives Chemical class 0.000 description 1
- 230000003746 surface roughness Effects 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Description
上記の目的を達成するために、本発明は、砥粒と、酸と、酸化剤と、アゾール類とを含有してなり、前記砥粒がコロイダルシリカであり、前記酸が1−ヒドロキシエチリデン−1,1−ジホスホン酸であり、前記酸化剤が過酸化水素であり、前記アゾール類がベンゾトリアゾール、トリルトリアゾール、5−アミノ−1H−テトラゾール、及びジメチルピラゾールから選ばれる少なくとも一種を含む、磁気ディスク用基板を研磨する用途で使用される研磨用組成物を提供する。
コロイダルシリカ、酸、酸化剤、アゾール類及びその誘導体から選ばれる化合物、カリウム塩、並びに水を適宜に混合することにより参考例1〜14,16〜22,24,25、実施例15,23及び比較例1〜18の研磨用組成物を調製した。参考例1〜14,16〜22,24,25、実施例15,23及び比較例1〜18の研磨用組成物中のコロイダルシリカ、酸、酸化剤、アゾール類及びその誘導体から選ばれる化合物、並びにカリウム塩の詳細は表1〜3に示すとおりである。
表1〜3の“研磨速度”欄には、参考例1〜14,16〜22,24,25、実施例15,23及び比較例1〜18の各研磨用組成物を用いて、磁気ディスク用基板を下記研磨条件で研磨したときに、下記計算式により求められる研磨速度について評価した結果を示す。“研磨速度”欄中、1(優)は研磨速度が0.1μm/分以上であったことを示し、2(良)は0.07μm/分以上0.1μm/分未満、3(やや不良)は0.04μm/分以上0.07μm/分未満、4(不良)は0.04μm/分未満であったことを示す。
研磨条件
研磨対象物: ニッケルリン無電解メッキ層を備え、表面粗さRaの値が6Åである直径約95mm(3.5インチ)の磁気ディスク用基板10枚
研磨機: スピードファム(株)の両面研磨機“SFDL−9B”
研磨パッド: FILWEL(株)の“FJM−01”
研磨荷重: 7.8kPa(80g/cm2)
下定盤回転数: 30rpm
研磨用組成物の供給速度: 40mL/分
研磨時間: 8分間
計算式
研磨速度[μm/分]=研磨による基板の重量減少量[g]/(基板面積[cm2]×ニッケルリンメッキの密度[g/cm3]×研磨時間[分])×104
表1〜3の“スクラッチ”欄には、参考例1〜14,16〜22,24,25、実施例15,23及び比較例1〜18の各研磨用組成物を用いて上記研磨条件で研磨した磁気ディスク用基板において計測されるスクラッチの個数について評価した結果を示す。“スクラッチ”欄中、1(優)は、VISION PSYTEC社の“MicroMax VMX2100”を用いて計測されるスクラッチの個数が20未満であったことを示し、2(良)は20以上40未満、3(やや不良)は40以上60未満、4(不良)は60以上であったことを示す。
研磨対象物: ニッケルリン無電解メッキ層を備え、表面粗さRaの値が6Åである直径約95mm(3.5インチ)の磁気ディスク用基板10枚
研磨機: スピードファム(株)の両面研磨機“SFDL−9B”
研磨パッド: FILWEL(株)の“FJM−01”
研磨荷重: 7.8kPa(80g/cm2)
下定盤回転数: 30rpm
研磨用組成物の供給速度: 40mL/分
研磨時間: 8分間
計算式
研磨速度[μm/分]=研磨による基板の重量減少量[g]/(基板面積[cm2]×ニッケルリンメッキの密度[g/cm3]×研磨時間[分])×104
表1〜3の“スクラッチ”欄には、参考例1〜14,16〜22,24,25、実施例15,23及び比較例1〜18の各研磨用組成物を用いて上記研磨条件で研磨した磁気ディスク用基板において計測されるスクラッチの個数について評価した結果を示す。“スクラッチ”欄中、1(優)は、VISION PSYTEC社の“MicroMax VMX2100”を用いて計測されるスクラッチの個数が20未満であったことを示し、2(良)は20以上40未満、3(やや不良)は40以上60未満、4(不良)は60以上であったことを示す。
・ 研磨用組成物中の前記アゾール類の含有量が0.005〜1質量%である前記研磨用組成物。
・ 前記砥粒の平均粒子径が0.005〜1μmである前記研磨用組成物。
・ 研磨用組成物中の前記砥粒の含有量が0.01〜40質量%である前記研磨用組成物。
・ 研磨用組成物中の前記酸の含有量が0.01〜40質量%である前記研磨用組成物。
・ 研磨用組成物中の前記酸化剤の含有量が0.1〜5質量%である前記研磨用組成物。
・ 無機酸及び有機酸のナトリウム塩、カリウム塩及びアンモニウム塩から選ばれる前記少なくとも一種の化合物が、リン酸塩、ホスホン酸塩及びクエン酸塩から選ばれる少なくとも一種の化合物である前記研磨用組成物。
・ 磁気ディスク用基板の研磨方法であって、
前記研磨用組成物を用意する工程と、
前記研磨用組成物を用いて磁気ディスク用基板を研磨する工程と
を備える方法。
前記研磨用組成物を用意する工程と、
前記研磨用組成物を用いて磁気ディスク用基板を研磨する工程と
を備える方法。
Claims (3)
- 砥粒と、酸と、酸化剤と、アゾール類とを含有してなり、前記砥粒がコロイダルシリカであり、前記酸が1−ヒドロキシエチリデン−1,1−ジホスホン酸であり、前記酸化剤が過酸化水素であり、前記アゾール類がベンゾトリアゾール、トリルトリアゾール、5−アミノ−1H−テトラゾール、及びジメチルピラゾールから選ばれる少なくとも一種を含む、磁気ディスク用基板を研磨する用途で使用される研磨用組成物。
- 前記アゾール類がベンゾトリアゾールを含む請求項1に記載の研磨用組成物。
- 無機酸及び有機酸のナトリウム塩、カリウム塩及びアンモニウム塩から選ばれる少なくとも一種の化合物をさらに含有する請求項1又は請求項2に記載の研磨用組成物。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US11/238,256 US20070068902A1 (en) | 2005-09-29 | 2005-09-29 | Polishing composition and polishing method |
US11/238,256 | 2005-09-29 |
Related Child Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2012020207A Division JP5775470B2 (ja) | 2005-09-29 | 2012-02-01 | 研磨用組成物 |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2007092064A JP2007092064A (ja) | 2007-04-12 |
JP2007092064A5 true JP2007092064A5 (ja) | 2012-03-15 |
JP5025204B2 JP5025204B2 (ja) | 2012-09-12 |
Family
ID=37434808
Family Applications (3)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2006257391A Active JP5025204B2 (ja) | 2005-09-29 | 2006-09-22 | 研磨用組成物及び磁気ディスク用基板の製造方法 |
JP2012020207A Active JP5775470B2 (ja) | 2005-09-29 | 2012-02-01 | 研磨用組成物 |
JP2013181661A Active JP5816663B2 (ja) | 2005-09-29 | 2013-09-02 | スクラッチ低減方法及びスクラッチ低減剤 |
Family Applications After (2)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2012020207A Active JP5775470B2 (ja) | 2005-09-29 | 2012-02-01 | 研磨用組成物 |
JP2013181661A Active JP5816663B2 (ja) | 2005-09-29 | 2013-09-02 | スクラッチ低減方法及びスクラッチ低減剤 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (2) | US20070068902A1 (ja) |
JP (3) | JP5025204B2 (ja) |
CN (1) | CN1939994A (ja) |
GB (1) | GB2430680A (ja) |
MY (1) | MY150651A (ja) |
Families Citing this family (17)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP5204226B2 (ja) * | 2008-06-13 | 2013-06-05 | 株式会社フジミインコーポレーテッド | アルミニウム酸化物粒子及びそれを含有する研磨用組成物 |
JP5473544B2 (ja) * | 2008-11-06 | 2014-04-16 | 花王株式会社 | 磁気ディスク基板用研磨液組成物 |
GB2477067B (en) * | 2008-11-06 | 2012-10-17 | Kao Corp | Polishing liquid composition for magnetic disk substrate |
CN101463292B (zh) * | 2008-11-28 | 2011-11-02 | 江苏海迅实业集团股份有限公司 | 一种车船玻璃表面处理剂 |
TWI454561B (zh) * | 2008-12-30 | 2014-10-01 | Uwiz Technology Co Ltd | A polishing composition for planarizing the metal layer |
JP5473587B2 (ja) * | 2009-12-24 | 2014-04-16 | 花王株式会社 | 磁気ディスク基板用研磨液組成物 |
JP5657247B2 (ja) * | 2009-12-25 | 2015-01-21 | 花王株式会社 | 研磨液組成物 |
CN103160207A (zh) * | 2011-12-16 | 2013-06-19 | 安集微电子(上海)有限公司 | 一种金属化学机械抛光浆料及其应用 |
JP6101444B2 (ja) * | 2012-08-01 | 2017-03-22 | 株式会社フジミインコーポレーテッド | 研磨用組成物及びそれを用いた磁気ディスク用基板の製造方法 |
JP6015259B2 (ja) * | 2012-09-06 | 2016-10-26 | 旭硝子株式会社 | 情報記録媒体用ガラス基板の製造方法および磁気ディスクの製造方法 |
JP6110716B2 (ja) * | 2013-04-11 | 2017-04-05 | 山口精研工業株式会社 | Ni−Pメッキされたアルミ磁気ディスク基板仕上げ研磨用研磨剤組成物、Ni−Pメッキされたアルミ磁気ディスク基板の研磨方法、Ni−Pメッキされたアルミ磁気ディスク基板の製造方法、及びNi−Pメッキされたアルミ磁気ディスク基板 |
JP2014101518A (ja) * | 2014-01-06 | 2014-06-05 | Fujimi Inc | 研磨用組成物、研磨方法、及び研磨パッドの弾力性低下抑制方法 |
JP6415967B2 (ja) * | 2014-12-22 | 2018-10-31 | 花王株式会社 | 研磨液組成物 |
US20190077991A1 (en) * | 2015-10-09 | 2019-03-14 | Fujimi Incorporated | Polishing composition and polishing method using same, and method for producing polishing-completed object to be polished using same |
CN106916536B (zh) * | 2015-12-25 | 2021-04-20 | 安集微电子(上海)有限公司 | 一种碱性化学机械抛光液 |
JP6775453B2 (ja) * | 2017-03-23 | 2020-10-28 | 山口精研工業株式会社 | 磁気ディスク基板用研磨剤組成物 |
JP7246231B2 (ja) * | 2019-03-29 | 2023-03-27 | 株式会社フジミインコーポレーテッド | 研磨用組成物および磁気ディスク基板製造方法 |
Family Cites Families (35)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2725192B2 (ja) * | 1988-12-09 | 1998-03-09 | 株式会社フジミインコーポレーテッド | 研磨剤組成物 |
US5428721A (en) * | 1990-02-07 | 1995-06-27 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Data processing apparatus for editing image by using image conversion |
US5391258A (en) * | 1993-05-26 | 1995-02-21 | Rodel, Inc. | Compositions and methods for polishing |
US5575885A (en) * | 1993-12-14 | 1996-11-19 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Copper-based metal polishing solution and method for manufacturing semiconductor device |
JP3397501B2 (ja) * | 1994-07-12 | 2003-04-14 | 株式会社東芝 | 研磨剤および研磨方法 |
US5858813A (en) * | 1996-05-10 | 1999-01-12 | Cabot Corporation | Chemical mechanical polishing slurry for metal layers and films |
US6126853A (en) * | 1996-12-09 | 2000-10-03 | Cabot Microelectronics Corporation | Chemical mechanical polishing slurry useful for copper substrates |
US5954997A (en) * | 1996-12-09 | 1999-09-21 | Cabot Corporation | Chemical mechanical polishing slurry useful for copper substrates |
JP4053165B2 (ja) * | 1998-12-01 | 2008-02-27 | 株式会社フジミインコーポレーテッド | 研磨用組成物およびそれを用いた研磨方法 |
KR100447551B1 (ko) * | 1999-01-18 | 2004-09-08 | 가부시끼가이샤 도시바 | 복합 입자 및 그의 제조 방법, 수계 분산체, 화학 기계연마용 수계 분산체 조성물 및 반도체 장치의 제조 방법 |
DE60034474T2 (de) * | 1999-08-13 | 2008-01-10 | Cabot Microelectronics Corp., Aurora | Poliersystem und verfahren zu seiner verwendung |
US7041599B1 (en) * | 1999-12-21 | 2006-05-09 | Applied Materials Inc. | High through-put Cu CMP with significantly reduced erosion and dishing |
US6569215B2 (en) * | 2000-04-17 | 2003-05-27 | Showa Denko Kabushiki Kaisha | Composition for polishing magnetic disk substrate |
JP2002075927A (ja) * | 2000-08-24 | 2002-03-15 | Fujimi Inc | 研磨用組成物およびそれを用いた研磨方法 |
JP2002164307A (ja) * | 2000-11-24 | 2002-06-07 | Fujimi Inc | 研磨用組成物およびそれを用いた研磨方法 |
JP2002198331A (ja) * | 2000-12-26 | 2002-07-12 | Jsr Corp | 研磨方法 |
JP2002231666A (ja) * | 2001-01-31 | 2002-08-16 | Fujimi Inc | 研磨用組成物およびそれを用いた研磨方法 |
JP2002270546A (ja) * | 2001-03-07 | 2002-09-20 | Hitachi Chem Co Ltd | 導体用研磨液及びこれを用いた研磨方法 |
US7160432B2 (en) * | 2001-03-14 | 2007-01-09 | Applied Materials, Inc. | Method and composition for polishing a substrate |
JP4231632B2 (ja) * | 2001-04-27 | 2009-03-04 | 花王株式会社 | 研磨液組成物 |
SG144688A1 (en) * | 2001-07-23 | 2008-08-28 | Fujimi Inc | Polishing composition and polishing method employing it |
US20040253809A1 (en) * | 2001-08-18 | 2004-12-16 | Yao Xiang Yu | Forming a semiconductor structure using a combination of planarizing methods and electropolishing |
EP1445796B1 (en) * | 2001-10-26 | 2008-02-20 | Asahi Glass Company Ltd. | Polishing compound, method for production thereof and polishing method |
JP2003297779A (ja) * | 2002-03-29 | 2003-10-17 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | 研磨用組成物並びに研磨方法 |
JP4083502B2 (ja) * | 2002-08-19 | 2008-04-30 | 株式会社フジミインコーポレーテッド | 研磨方法及びそれに用いられる研磨用組成物 |
JP2004153086A (ja) * | 2002-10-31 | 2004-05-27 | Showa Denko Kk | 金属研磨組成物、金属膜の研磨方法および基板の製造方法 |
JP4202157B2 (ja) * | 2003-02-28 | 2008-12-24 | 株式会社フジミインコーポレーテッド | 研磨用組成物 |
US6918820B2 (en) * | 2003-04-11 | 2005-07-19 | Eastman Kodak Company | Polishing compositions comprising polymeric cores having inorganic surface particles and method of use |
JP4618987B2 (ja) * | 2003-05-26 | 2011-01-26 | 日立化成工業株式会社 | 研磨液及び研磨方法 |
JP2005064285A (ja) * | 2003-08-14 | 2005-03-10 | Hitachi Chem Co Ltd | Cmp用研磨液及び研磨方法 |
JP2005136256A (ja) * | 2003-10-31 | 2005-05-26 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | 研磨用組成物 |
US20050097825A1 (en) * | 2003-11-06 | 2005-05-12 | Jinru Bian | Compositions and methods for a barrier removal |
TWI288046B (en) * | 2003-11-14 | 2007-10-11 | Showa Denko Kk | Polishing composition and polishing method |
JP2005268664A (ja) * | 2004-03-19 | 2005-09-29 | Fujimi Inc | 研磨用組成物 |
US20060000808A1 (en) * | 2004-07-01 | 2006-01-05 | Fuji Photo Film Co., Ltd. | Polishing solution of metal and chemical mechanical polishing method |
-
2005
- 2005-09-29 US US11/238,256 patent/US20070068902A1/en not_active Abandoned
-
2006
- 2006-09-22 JP JP2006257391A patent/JP5025204B2/ja active Active
- 2006-09-27 MY MYPI20064221 patent/MY150651A/en unknown
- 2006-09-28 GB GB0619096A patent/GB2430680A/en not_active Withdrawn
- 2006-09-28 CN CNA2006101421605A patent/CN1939994A/zh active Pending
-
2007
- 2007-09-14 US US11/855,665 patent/US20080003928A1/en not_active Abandoned
-
2012
- 2012-02-01 JP JP2012020207A patent/JP5775470B2/ja active Active
-
2013
- 2013-09-02 JP JP2013181661A patent/JP5816663B2/ja active Active
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP2007092064A5 (ja) | ||
JP5025204B2 (ja) | 研磨用組成物及び磁気ディスク用基板の製造方法 | |
US8241516B2 (en) | Substrate for magnetic disk | |
JP3856843B2 (ja) | 磁気記録媒体基板用研磨材組成物及びこれを用いた磁気記録媒体基板の製造方法 | |
JP5925454B2 (ja) | 磁気ディスク基板用研磨液組成物 | |
TW524836B (en) | Composition and method for planarizing surfaces | |
TWI582224B (zh) | 研磨液組合物 | |
JP2009513028A5 (ja) | ||
CN101970595A (zh) | 一种化学机械抛光液 | |
JP2013042132A5 (ja) | ||
JP2917066B2 (ja) | 研磨剤組成物 | |
JP3877924B2 (ja) | 磁気ディスク基板研磨用組成物 | |
JP4255976B2 (ja) | 磁気ディスク基板用研磨液組成物 | |
JP2016084428A (ja) | 研磨液組成物 | |
JP3825827B2 (ja) | 研磨用組成物、磁気ディスク基板の研磨方法、及び製造方法 | |
CN113913115B (zh) | 一种硅通孔阻挡层碱性抛光液 | |
JP2008094982A (ja) | メモリーハードディスク基板用研磨液組成物 | |
JP4074126B2 (ja) | 研磨用組成物 | |
JP6362395B2 (ja) | 研磨用組成物および磁気ディスク基板製造方法 | |
JP3680022B2 (ja) | 磁気ディスク基板研磨液 | |
JP2005008875A (ja) | 研磨用組成物および研磨方法 | |
JP4095798B2 (ja) | 研磨用組成物 | |
JP6101444B2 (ja) | 研磨用組成物及びそれを用いた磁気ディスク用基板の製造方法 | |
JP2007136583A (ja) | 磁気ディスク用基板の製造方法 | |
JP2012176493A (ja) | 研磨方法及び基板の製造方法 |