JP2007088457A - 対称アレイを製造する方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】それぞれが接点領域によって隣りと分離されている複数のワード線領域と、ワード線領域内にあり、且つ少なくとも部分的に接点領域にあるONO層と、スペーサーが周辺領域に形成されるときに、接点領域内のONO層の下のシリコンを保護するために、生成される保護要素とを含んでいる不揮発性メモリ装置を提供する。
【解決手段】接点領域内のONO層の下のシリコンを保護するために生成される保護要素と、を含んでいる。不揮発性メモリ装置は、それぞれが接点領域によって隣りと分離されている複数のワード線領域と、高さが、隣接するビット線酸化物の間の距離の少なくとも四分の一であるビット線酸化物と、を含んでいる。
【選択図】図4
【解決手段】接点領域内のONO層の下のシリコンを保護するために生成される保護要素と、を含んでいる。不揮発性メモリ装置は、それぞれが接点領域によって隣りと分離されている複数のワード線領域と、高さが、隣接するビット線酸化物の間の距離の少なくとも四分の一であるビット線酸化物と、を含んでいる。
【選択図】図4
Description
本発明は、概括的には、対称メモリアレイに、より具体的には、その中の接点領域に関する。
本出願は、2005年9月8日出願の米国仮特許出願第60/714,852号の恩典を請求し、その全体を参考文献としてここに援用する。
対称メモリアレイは、当該技術では既知である。図1に対称メモリアレイの1つの型式を示しているが、これは、広くNROM(窒化物読み取り専用メモリ)アレイに用いられている。このメモリアレイは、アレイを通して縦に伸張するビット線10の列と、ビット線10を横切るワード線12の行を有している。ワード線12は、区画14に分類され、各区画14は、接点領域16によって隣りと分けられている。
接点領域16の接点18は、通常は、金属線(図示せず)とビット線10の間を接続することによって、ビット線10に電力を供給する。接点18は、通常は大きいためため、ワード線12の間の標準的な間隔内に嵌め込むことができない。或る型式のアレイでは、各接点領域16は、1つのワード線12の空間と、その隣接する両方のワード線までの間隔とを占有している。
以下の特許及び特許出願は、NROMセル用の二重ポリシリコン処理(DPP)について説明しており、Hwangへの米国特許第2004/0157393号は、小さな寸法の構成要素の望ましくない影響を低減又は最小化しようと試みているSONOS型の不揮発性メモリセル用の製造工程について説明している。Willerらへの米国特許第6,686,242 B2号は、彼らが請求するNROMセルを4F2の面積内で実装できることについて説明している。本発明の譲受者に譲渡されている米国特許第11/247,733号は、NROMセルを製造するための更なる工程について説明している。
DPP処理では、第1ポリシリコン層が列状に堆積され、その列の間にビット線10が植え込まれる。ビット線酸化物(図示せず)は、第1ポリシリコン列の間の空間に堆積され、ビット線10を覆うブロック状の列として形成される。次いで、ワード線12が、第2ポリシリコン層として堆積され、第1ポリシリコン層の列を、ビット線10の間で島に切断する。NROMセルでは、ONO層(図示せず)は、ポリシリコン層の堆積の前にアレイ全体の上に被せられており、ビット線10の上から取り除かれる。
NROMアレイに対する共通の実施事項は、ワード線の抵抗を下げるために、第2ポリシリコン層をシリサイド化することである。これは、第2ポリシリコン層を、堆積後、ワード線のパターン化前に、シリサイド化することを伴っている。通常、このために、タングステンシリサイドが用いられる。その後、二重層は、切られてワード線になる。
「サリサイド」として知られている自己整列シリサイド化は、ワード線のシリサイド化に代わる方法である。この処理では、先ずワード線がパターン化され、次に第1ポリシリコン層をエッチングしてワード線が生成され、その後アレイ上に酸化物のスペーサーが作られる。それが完了した後、アレイがシリサイド化される。シリサイド化は、第2ポリシリコンワード線に自己整列する。ワード線の領域では、酸化物のスペーサーは通常生成されないことに注目頂きたい。代わりに、スペーサー用の酸化物が、ワード線の間の隙間を完全に埋める。シリサイド化処理では、銅又はニッケルシリサイドが通常用いられる。
ポリシリコンのサリサイド化の間に、露出しているシリコンも同様にサリサイド化されることは、業界では知られている。これが、ビット線接点領域の大きな問題である。ビット線領域が、STI(シリコントレンチ分離)又は他の誘電層によって保護されていない場合、この層のサリサイド化が漏洩経路を作り出す。
NROMセルについては、本発明と共通の譲受者に譲渡されている米国特許第6,649,972号など、多くの特許に記載されており、同特許の開示をここに援用する。当てはまる範囲で、NROMに関わる記述は、具体的には、NVM装置に用いられるSONOS(シリコン−酸化物−窒化物−酸化物−シリコン)、MNOS(金属−窒化物−酸化物−シリコン)、MONOS(金属−酸化物−窒化物−酸化物−シリコン)などを含む関連する酸化物−窒化物の技術を含むよう意図されている。NROM及び関連技術に関するこの他の記述は、2005年にSaifun Semiconductorによって発行され、http://siliconnexus.comで呈示されている資料「不揮発性メモリ技術」と、http://klabs.org/richcontent/MemoryContent/nvmt symp/nvmts 2000/presentations/bu white sonos lehigh univ.pdfで見られる「Scaled SONOS不揮発性メモリ装置の設計案」と、http://klabs.org/richcontent/MemoryContent/nvmt symp/nvmts 2000/papers/adams d.pdfで見られる「宇宙及び軍事用のSONOS不揮発性半導体メモリ」と、http://research.phillips.com/technologies/ics/nvmemories/index.html.で見られる「Philipsリサーチ−技術 埋め込み式不揮発性メモリ」と、http://ece.nus edu.sg/stfpage/elezhucx/myweb/NVM.pdfで見られる「半導体メモリ:不揮発性メモリ(NVM)」と、に記載されており、それらの全ての全体を、参考文献としてここに援用する。
米国仮特許出願第60/714,852号
米国特許第2004/0157393号
米国特許第11/247,733号
米国特許第6,649,972号
「不揮発性メモリ技術」2005年Saifun Semiconductor発行、http://siliconnexus.com
「Scaled SONOS不揮発性メモリ装置の設計案」http://klabs.org/richcontent/MemoryContent/nvmt symp/nvmts 2000/presentations/bu white sonos lehigh univ.pdf
「宇宙及び軍事用のSONOS不揮発性半導体メモリ」http://klabs.org/richcontent/MemoryContent/nvmt symp/nvmts 2000/papers/adams d.pdf
「Philipsリサーチ−技術 埋め込み式不揮発性メモリ」http://research.phillips.com/technologies/ics/nvmemories/index.html.
「半導体メモリ:不揮発性メモリ(NVM)」http://ece.nus edu.sg/stfpage/elezhucx/myweb/NVM.pdf
本発明の好適な実施形態によれば、それぞれが接点領域によって隣りと分離されている複数のワード線領域と、ワード線領域内にあり、且つ少なくとも部分的には接点領域内にある、酸化物−窒化物−酸化物(ONO)層と、スペーサーが周辺領域に形成されるときに、接点領域内のONO層の下のシリコンを保護するために、生成される保護要素と、を含んでいる不揮発性メモリ装置が提供されている。
更に、本発明の好適な実施形態によれば、保護要素は、酸化物、窒化物、及び、酸化物−窒化物−酸化物の内の1つで形成されている。
更に、本発明の好適な実施形態によれば、スペーサーは、50−150nm厚さのライナーで形成されている。
更に、本発明の好適な実施形態によれば、ワード線領域は、サリサイド化したワード線又はシリサイド化したワード線の何れかを含んでいる。サリサイド化したワード線は、銅又はニッケルシリサイドによってサリサイド化され、シリサイド化したワード線は、タングステンシリサイドによってシリサイド化されている。
本発明の好適な実施形態によれば、それぞれが接点領域によって隣りと分離されている複数のワード線領域と、高さが、隣接するビット線酸化物の間の距離の少なくとも四分の一であるビット線酸化物と、を含んでいる不揮発性メモリ装置が提供されている。
更に、本発明の好適な実施形態によれば、装置は、更に、少なくとも接点領域のビット線酸化物の間に保護要素を含んでいる。
更に、本発明の好適な実施形態によれば、ワード線領域は、サリサイド化したワード線又はシリサイド化したワード線の何れかを含んでいる。サリサイド化したワード線は、銅又はニッケルシリサイドによってサリサイド化され、シリサイド化したワード線は、タングステンシリサイドによってシリサイド化されている。
本発明と見なされる主題は、特許請求の範囲で具体的に指摘し明確に請求している。しかしながら、本発明は、構成と作用の方法の両方、並びにその目的、特徴及び利点に関して、添付図面と共に以下の詳細な説明を参照すれば、良く理解できるであろう。
図面を単純且つ明確にするために、図示の各要素は、必ずしも同じ縮尺で描いてはいない。例えば、明確にするため、幾つかの要素の寸法を、他の要素に比べて誇張している。更に、適切と考えられる場合は、各図面を通して、同一又は同類の要素を示すのに、参照番号を繰り返し使用している。
以下の詳細な説明では、本発明を完全に理解頂けるように、数多くの具体的な細部について記載している。しかしながら、当業者には理解頂けるように、本発明は、これら具体的な細部に従わずとも実施することができる。また、本発明が曖昧にならないように、周知の方法、手順及び構成要素については、詳細に説明していない。
出願人は、サリサイド化処理が、対称メモリアレイの接点領域に欠点を有することを理解している。
さて、図2Aと2Bは、二重ポリシリコン処理(DPP)メモリアレイの、接点を生成する前の等角図である。図2は、20と標示されている接点領域と、その隣接するワード線領域22を示している。3つのワード線24が、ビット線酸化物26に垂直に、その上に配置されている。ワード線24の間には、酸化物スペーサー処理の間に生成された、酸化物充填材27がある。図2Aは、これも酸化物スペーサー処理の間に生成された酸化物スペーサー30及び32を示しており、第1酸化物スペーサー30は、接点領域20の縁部に形成されており、第2酸化物スペーサー32は、接点領域20内の、ビット線酸化物26の両側に形成されている。ビット線酸化物26の間の空間には、酸化物−窒化物−酸化物(ONO)層28がある。ONO層28とビット線酸化物26は、ワード線区画22では、ワード線24又は酸化物充填材27の何れかに覆われているので、目には見えない(但し、ONO層28は、図2Aの側面の断面では見えている)。
出願人は、スペーサーとワード線の一方又は両方(第1及び第2ポリシリコン層)のエッチングはONO層28Bを過剰にエッチングするので、サリサイド化処理が、接点領域20に深刻な損傷をもたらすことを、理解している。ワード線エッチングは、ONO層28の上部の酸化物を取り除くのに対して、スペーサーエッチングは、底部の酸化物の一部又は全部を除去しない場合でも、少なくとも窒化物層を取り除く。
ONO層28Bが損傷を受けると、接点領域20では、ONO層28B(図2A)の下にある31と標示されているシリコンが現れる。図2Bは、ONO層28Bが、34と標示されている位置では底部の酸化物層までエッチングされ、シリコン31が、酸化物スペーサー30及び32の縁部の溝35に現れている状態を示している。その結果、次のサリサイド化処理の間に、シリコン31がシリサイド化する。シリサイド化したシリコン31は、(図2Aと2Bではビット線酸化物26によって覆われている)隣接するビット線10の間に導電経路を形成し、隣接するビット線10の間に電気的短絡を生じさせる。
出願人は、スペーサー30及び32を作る段階は、メモリアレイの相補形の金属酸化物半導体(CMOS)周辺(図示せず)にスペーサーを生成する段階と同じであることを、理解している。次に、図3Aと3Bは、メモリアレイの周辺におけるCMOSスペーサー42の生成を示している。ポリシリコン線は周辺に互いに遠く離れているので、図3Aは、2つの広く間隔を空けて配置されたポリシリコンゲート41を示している。CMOSスペーサー42を作る際は、通常、先ずライナー40を堆積させるが、このライナー40は、酸化物、窒化物又はONOであり、相当に厚く、通常は、ビット線酸化物26の厚さ程度か、又はそれよりも厚い。例えば、ライナー40は、50−150nmの厚さである。次に、ライナー40に異方性エッチバックが施され、その際、平坦な面は、平坦でない面より相当に早くエッチされるので、楔形のスペーサー42ができる(図3B)。ライナー40は厚いので、スペーサー42は幅広くなる。
エッチバックは、ライナー40がポリシリコンゲート41の上から除去されると、停止するよう設計されている。アレイのワード線24(図2Aと2B)は、ワード線領域22内で互いに近接しているので、隣接するワード線の間のエッチバックは、エッチングが停止されるまでに、ワード線24の間のONO層28Aまで到達することはない。実際、図2Aと2Bに示しているように、エッチバックしても、ワード線24の間に、酸化物充填材として図示されている充填材27が残る。しかしながら、接点領域20では、ワード線が無く、図2Bに示している先行技術では、エッチバックがONO層28Bまで続いている。従って、図2Bには層28Bが示されていない。代わりに、その底部の酸化物層34だけが示されており、スペーサー30と32がシリコン31まで伸張している。
ライナー40は、周辺とメモリアレイの両方を含んでいるチップを覆っている。CMOS周辺の一部分を示している図3Aを見ると分かるように、ライナー40は、ワード線41の様な平坦な要素の上では平坦で、要素の間に窪み43を有している。要素が互いに近いほど、窪みは小さい。出願人は、図2Aと2Bに示す接点領域20が十分に高い要素を有している場合、ライナー40は、中に非常に浅い窪みを有していることを、理解している。その様な窪みは、エッチバックしても、ONO層28までエッチングするほどには深くなく、従って、接点領域20には、スペーサーは、殆ど又は全く形成されない。このことが、シリコン31をエッチバックの際の損傷から守る。
出願人は、ビット線酸化物26の高さを引き上げると、高い要素になることを理解している。これを図4Aと4Bに示しており、これについて説明するする。この実施形態では、36で標示されているビット線酸化物は、先行技術のビット線酸化物26より高い。図4Aは、図2Aと2Bの接点領域20内にある様なビット線酸化物36の、ライナー40を堆積させた後の状態を示している。ライナー40には窪み43Aがある。
先行技術では、ビット線酸化物26(図2Aと2B)は、酸化物が対処でき、通常は30−50nmであり、電圧の関数として画定されていた。高いビット線酸化物36は、更に、ビット線10の間の距離D(図4A)と、ライナーの厚さで画定されている。例えば、ビット線酸化物36の高さ(図4Aと4B)は、追加的に、ビット線10の間の距離Dの、1/4−1の様な一部分として画定してもよい。例えば、ビット線10の間の距離Dが120nmの場合は、ビット線36は、高さが1/2D又は60nmである。
図4Bは、接点領域20内のビット線酸化物36の、CMOSスペーサーエッチング段階後の状態を示しており、このエッチングは、アレイと周辺領域で同時に行われる。窪み43Aは、比較的小さく、ライナー40の平坦面よりゆっくりとエッチングされるので、窪み43Aは、エッチングの間にあまり変わらないか、又は僅かに大きくなる。窪み43Aの深さがビット線酸化物36の高さより小さい状態から始められる限り、スペーサーエッチング段階がONO層28Bまでエッチングすることはなく、ONO層28Bの上に保護層46が残る。
通常、ライナーの厚さは、CMOS周辺の標準的な処理によって決められる。本発明では、ビット線酸化物36の高さの、ビット線の間の距離Dに対する比率は、ライナーの厚さと、部分的にはビット線酸化物36の部分的エッチングとなるあらゆる処理段階とに依って決まる。
先に述べた処理は、サリサイド化処理による実施に限定されるものではない旨理解頂きたい。接点領域内のシリコン31を保護することは、損傷の原因に関係なく重要である。従って、ビット線の高さを高くするのは、標準的なシリサイド化処理によってシリサイド化されるワード線にとって有用であり、及び/又は、接点領域20内のシリコン31の一般的な保護として有用である。
以上、本発明の幾つかの特徴を図示し説明してきたが、当業者には、多くの修正、置換、変更及び等価物が想起されるであろう。従って、特許請求の範囲は、そのような修正及び変更の全てを、本発明の真の精神の範囲内に含まれるものとして包含するよう意図している旨理解されたい。
Claims (16)
- 不揮発性メモリ装置において、
それぞれが接点領域によって隣りと分離されている複数のワード線領域と、
前記ワード線領域内にあり、且つ少なくとも部分的には前記接点領域内にある、酸化物−窒化物−酸化物(ONO)層と、
スペーサーが周辺領域に形成されるときに、前記接点領域内の前記ONO層の下のシリコンを保護するために、生成される保護要素と、を備えている不揮発性メモリ装置。 - 前記保護要素は、酸化物、窒化物、及び、酸化物−窒化物−酸化物の内の1つで形成されている、請求項1に記載の装置。
- 前記スペーサーは、50−150nmの厚さのライナーで形成されている、請求項1に記載の装置。
- 前記ワード線領域は、サリサイド化されたワード線を備えている、請求項1に記載の装置。
- 前記ワード線領域は、シリサイド化されたワード線を備えている、請求項1に記載の装置。
- 前記ワード線は、銅シリサイドでサリサイド化されている、請求項4に記載の装置。
- 前記ワード線は、ニッケルシリサイドでサリサイド化されている、請求項4に記載の装置。
- 前記ワード線は、タングステンシリサイドでシリサイド化されている、請求項5に記載の装置。
- 不揮発性メモリ装置において、
それぞれが接点領域によって隣りと分離されている複数のワード線領域と、
高さが、隣接するビット線酸化物の間の距離の少なくとも四分の一であるビット線酸化物と、を備えている不揮発性メモリ装置。 - 少なくとも前記接点領域内の前記ビット線酸化物の間に、保護要素を備えている、請求項9に記載の装置。
- 前記保護要素は、酸化物、窒化物、及び、酸化物−窒化物−酸化物の内の1つで形成されている、請求項10に記載の装置。
- 前記ワード線領域は、サリサイド化されたワード線を備えている、請求項11に記載の装置。
- 前記ワード線領域は、シリサイド化されたワード線を備えている、請求項11に記載の装置。
- 前記ワード線は、銅シリサイドでサリサイド化されている、請求項12に記載の装置。
- 前記ワード線は、ニッケルシリサイドでサリサイド化されている、請求項12に記載の装置。
- 前記ワード線は、タングステンシリサイドでシリサイド化されている、請求項11に記載の装置。
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