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Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4578507B2 (ja) 2007-07-02 2010-11-10 東京エレクトロン株式会社 半導体装置の製造方法、半導体製造装置及び記憶媒体
JP2010034415A (ja) 2008-07-30 2010-02-12 Hitachi High-Technologies Corp プラズマ処理方法
CN101740332B (zh) * 2008-11-13 2012-04-25 中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 一种半导体元件的蚀刻方法
CN101930916B (zh) * 2009-06-18 2012-11-28 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 形成沟槽的方法
JP5544893B2 (ja) 2010-01-20 2014-07-09 東京エレクトロン株式会社 基板処理方法及び記憶媒体
CN102376562B (zh) * 2010-08-24 2013-09-04 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 用于半导体工艺的灰化处理方法
CN102386088B (zh) * 2010-09-03 2014-06-25 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 用于去除半导体器件结构上的光致抗蚀剂层的方法
CN102610511A (zh) * 2012-03-21 2012-07-25 中微半导体设备(上海)有限公司 光刻胶的去除方法
JP7357237B2 (ja) * 2019-03-14 2023-10-06 パナソニックＩｐマネジメント株式会社 素子チップの製造方法
CN111681957B (zh) * 2020-07-24 2022-03-11 上海华虹宏力半导体制造有限公司 刻蚀方法及半导体器件的制造方法

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000195830A (ja) * 1998-12-28 2000-07-14 Mitsubishi Electric Corp 半導体製造装置、半導体製造装置のクリ―ニング方法、半導体装置の製造方法及び半導体装置
JP2001196376A (ja) * 2000-01-14 2001-07-19 Seiko Epson Corp 半導体装置の製造方法
JP2004119539A (ja) * 2002-09-25 2004-04-15 Sony Corp レジストパターンの除去方法
JP4558296B2 (ja) * 2003-09-25 2010-10-06 東京エレクトロン株式会社 プラズマアッシング方法

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