JP2007078679A - 探針形状評価用標準試料 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 ナノメートルサイズの探針の評価には、同等かそれ以下の大きさの分解能測定ツールが必要である。探針形状測定用の最小構造の大きさが100nm以下(典型的には図2に示す10nm)の標準試料を、測定に用いるプローブ顕微鏡で測定し、その画像データから分解能を導出する。
【選択図】 図2
Description
Claims (5)
- プローブ顕微鏡の探針形状評価用の標準試料であって、多層膜を選択性エッチングすることにより、線幅及び線間隔は、該多層膜の膜厚により規定され、線の高さは、該エッチングのエッチング量により規定されることを特徴とするプローブ顕微鏡の探針形状評価用の標準試料。
- 上記試料は、上記線幅が1から50nmであるナイフエッジ構造を有することを特徴とする請求項1に記載のプローブ顕微鏡の探針形状測定用の標準試料。
- 上記試料は、櫛型の周期構造を有していることを特徴とする請求項1に記載のプローブ顕微鏡の探針形状評価用の標準試料。
- 上記試料は、上記線幅が1から50nmであるナイフエッジ構造及び櫛型の周期構造を組み合わせたことを特徴とする請求項1に記載のプローブ顕微鏡の探針形状評価用の標準試料。
- 請求項2から4に記載された上記試料を複数枚張り合わせたことを特徴とするプローブ顕微鏡の探針形状測定用の標準試料。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2006220848A JP4803440B2 (ja) | 2005-08-16 | 2006-08-14 | 探針形状評価用標準試料 |
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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JP2005236156 | 2005-08-16 | ||
JP2005236156 | 2005-08-16 | ||
JP2006220848A JP4803440B2 (ja) | 2005-08-16 | 2006-08-14 | 探針形状評価用標準試料 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2007078679A true JP2007078679A (ja) | 2007-03-29 |
JP4803440B2 JP4803440B2 (ja) | 2011-10-26 |
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Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2006220848A Active JP4803440B2 (ja) | 2005-08-16 | 2006-08-14 | 探針形状評価用標準試料 |
Country Status (1)
Country | Link |
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JP (1) | JP4803440B2 (ja) |
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