JP2007067167A - サポートプレート、サポートプレートの剥離装置及び剥離方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 一方の面に接着剤を介して基板の回路形成面が貼り合わされるサポートプレート1であって、サポートプレート1の中央付近において厚み方向に形成された第1の貫通孔2と、サポートプレート1の接着剤層と接触する一方の面に形成された第1の貫通孔2に連通する溝3と、サポートプレート1の周縁部において厚み方向に形成された溝3に連通する第2の貫通孔4とを有するようにする。
【選択図】 図1
Description
即ち、先ず、半導体ウェーハの回路(素子)形成面(A面)に保護テープを貼り付け、これを反転して半導体ウェーハの裏面(B面)をグラインダーで研削して薄板化する。次に、この薄板化された半導体ウェーハの裏面を、ダイシングフレームに保持されているダイシングテープ上に固定し、この状態で半導体ウェーハの回路(素子)形成面(A面)を覆っている保護テープを剥離する。そしてこの後、ダイシング装置によりチップ毎に切り離すようにしている。
このような方法は特許文献1に開示されている。
なお、特許文献1では、保護テープとして耐熱性保護テープを用い、剥離する際にはこの保護テープの一端に強粘着テープを粘着して薄板化した半導体ウェーハから引き剥がすようにしている。
また特許文献3では、保護基板と半導体ウェーハとをポリイミドなどの熱可塑性樹脂を用いて接着し、グラインダーで薄板化した後、剥離する場合には水、アミン又は水とアミンの混合溶液中に浸漬する方法、或いは水蒸気を用いる方法が提案されている。
また、サポートプレート(保護テープ)と半導体ウェーハとを接着している熱可塑性フィルムが完全に溶けずにサポートプレート又は半導体ウェーハの一方にくっついたまま残ってしまうことがある。
このように、接着剤の残渣が生じる剥離する際に半導体ウェーハに割れや欠けが生じ易い。
この方法は、先ず、サポートプレート100の上面にOリング101を介して溶剤供給プレート102を重ねる。次に、サポートプレート100、Oリング101及び溶剤供給プレート102で囲まれる空間Sに溶剤供給管103から溶剤を供給する。これにより、サポートプレート100に形成した貫通孔104を介して接着剤層105を溶解するようにしたものである。
即ち、図10に示すように、サポートプレートの周縁部から溶剤が外側に漏れ、ダイシングテープに大量の溶剤が落下し、ダイシングテープが短時間のうちに劣化してしまう。
また、空間Sに供給された新規な溶剤の一部はそのまま回収されてしまい剥離効率が悪い。
また、接着剤が完全に溶解した場合でも、半導体ウェーハからサポートプレートを剥離するための装置としてフィンガー等を用いると回路形成面を傷つけてしまう虞がある。
また、例えば第2の貫通孔は溶剤が供給される孔であり、第1の貫通孔は溶剤が排出される孔である構成とした場合もこれと同様の作用を得ることができる。
また、例えば、第2の貫通孔は溶剤が供給される孔であり、第1の貫通孔は溶剤が排出される孔である構成とした場合もこれと同様の作用を得ることができる。
従って、高信頼性で処理時間を短縮化させるに好適なサポートプレート、サポートプレートの剥離装置及び剥離方法を実現することができる。
図1は、本発明に係るサポートプレートの一実施の形態を示す概略構成図であり、図2は、溝の形成方法を説明するための工程図である。
このサポートプレート1の一方の面には、図示しないが、接着剤層を介して半導体ウェーハWの回路形成面が貼り合わされる。
具体的には、サポートプレート1の中央付近(中央部)に外部より溶剤が供給される第1の貫通孔2が厚み方向に貫通して形成されている。この貫通孔2は例えば複数形成されている。なお、図1に示す場合では4つの貫通孔2を示したが貫通孔2の数はこれに限定されない。
また、サポートプレート1の半導体ウェーハWが貼り合わされる一方の面には、貫通孔2と連通する溝3が形成されている。この溝3は、一方の面において外周迄の略全域に亘って形成されている。因みに、例えば厚さ0.7mmのサポートプレート1に対し、溝3は一方の面の表面から0.3mmの深さで形成されている。ここで、溝3の深さは、サポートプレート1と半導体ウェーハWとを貼り合せた際に間に介在される接着剤層で完全に埋まらない程度の深さが必要となる。これは、接着剤層と溝3の底面との間に僅かな隙間をつくることで、後述するように溶剤が供給された際にこの隙間をつたって溶剤が速やかに流れるようになるためである。
また、サポートプレート1の周縁部には、溝3と連通し溶剤が外部へ排出(回収)される第2の貫通孔4が厚み方向に貫通して形成されている。この貫通孔4は例えばサポートプレート1の周縁部に複数形成されている。
以上の構成から、サポートプレート1においては、外部より溶剤が供給される第1の貫通孔2と溶剤が外部へと排出される第2の貫通孔4とが溝3を介して連通されていることになる。
次に、格子状のフォトマスクを用いて、ドライフィルムレジストに対して露光及び現像処理を行う(ステップ2及び3参照)。
これにより、ガラス板の一方の面には格子状のドライフィルムレジスト(格子状の溝3形成用のレジストマスク)が形成される。
これにより、ガラス基板の一方の面にはその表面から所定の深さに格子状の溝3が形成される。
そして、第1の貫通孔2及び第2の貫通孔4形成用のフォトマスクを用いて、ドライフィルムレジストに対して露光及び現像処理を行う(ステップ7及びステップ8参照)。
これにより、ガラス板の他方の面には第1の貫通孔2及び第2の貫通孔4に相当するドライフィルムレジスト(第1の貫通孔2及び第2の貫通孔4形成用のレジストマスク)が形成される。
この後、ガラス基板上を洗浄することにより(ステップ11参照)、ガラス基板の他方の面においては中央付近に厚み方向に貫通する第1の貫通孔2が形成され、周縁部分に厚み方向に貫通する第2の貫通孔4が形成される。
また、サンドブラスト法以外にもドライエッチング法やウェットエッチング法を用いて格子状の溝を形成することもできる。しかし、これらの方法を用いた場合、溝の幅、深さ等にもよるがサンドブラスト法に比べて均一な溝の形成が難しい。このような点から溝3の形成にはサンドブラスト法が好適である。
しかしながら、本実施の形態におけるサポートプレート1の場合、接着剤に接する面の略全域に格子状の溝3が形成されているため、第1の貫通孔2から供給された溶剤はこの貫通孔2と連通する格子状の溝3を介して周縁部へと流れ、接着剤の全てに溶剤が速やかに満遍なく行き渡る。
従って、例えば従来のサポートプレートを用いた場合に比べて短時間でサポートプレート1を剥離することが可能になる。
これにより、このようなサポートプレート1が貼り合わされた半導体ウェーハWにおいては、例えばウェーハWが薄板化された後グラインダーをかけた面を例えば第2の回路形成面とすることが可能になる。
上述した実施の形態のサポートプレート1では溝3の形状を格子状としたが、本実施の形態のサポートプレート1では、溝3の形状を千鳥状にすることもできる(図3(a)の溝の拡大図及び図3(b)の周縁部の拡大図参照)。
すなわち、本実施の形態のサポートプレート1では、溝の形状は図1に示した格子状の溝3において列毎に所定の間隔ずらした構成である。
なお、このような形状の溝3を形成する場合も図2に示した工程と同様にして行うことができる。
本実施の形態のサポートプレート1は溝の形状がハニカム形状に形成されている。具体的には溝3が亀の子形状(正六角形)に形成されている(図4(a)の溝の拡大図及び図4(b)の周縁部の拡大図参照)。
なお、このような亀の子形状の溝3を形成する場合も図2に示した工程と同様にして行うことができる。
具体的には、図示せざるも、半導体ウェーハWが貼り合わされるガラス基板の表面を0.05mm〜0.1mm程度荒らした構成とする。なお、その他の構成は上述した各実施の形態のサポートプレート1の場合と同様であるので重複説明は省略する。
このような構成のサポートプレートとした場合は、第1の貫通孔2から溶剤が毛細管現象を利用して全面に浸透する。これにより上述した各溝3を有するサポートプレート1の場合と同様の作用を得ることが出来る。
なお、本実施の形態においては、図4に示した亀の子形状の溝3を有するサポートプレート1を用いた場合を挙げて説明する。
これにより、溶剤は溶剤供給孔12を介してサポートプレート1の第1の貫通孔2へと流れ、この貫通孔2から連通する亀の子状の溝3へと流れる。
この際、上述したように、溝3はサポートプレート1の周縁部迄に至る略全面に亘って形成されているので、溶剤は接着剤層5の全面に速やかに満遍なく行き渡り接着剤層5を溶解する。
この際、プレート10の真空引き孔13を介して凹部15内を減圧し、サポートプレート1をプレート10に真空吸着せしめた状態でプレート10を上昇せしめる。これにより、半導体ウェーハWのみはダイシングテープ7に残りサポートプレート1のみが剥離される。なおダイシングテープ7は粘着性を有すると共にフレーム6に保持されている。
このように、溝3により接着剤層5の全てに溶剤を速やかに満遍なく行き渡らせることができるため、例えば従来のサポートプレートを用いた場合に比べて短時間でサポートプレート1を剥離することができる。
このような場合、プレート10の溶剤供給孔3を通じてサポートプレート1の第1の貫通孔2へ気体(エア)を供給することで、上述した表面張力を解消させて(破いて)サポートプレート1をさらに剥がし易くすることも可能である。
このような方法を実現させるためは、上述した構成の剥離装置において、例えば気体供給手段を設け、プレート10の溶剤供給孔3へと通じる溶剤供給手段からのチューブに気体供給手段からのチューブを繋ぐようにすることで可能である。
この場合は、上述した各サポートプレート1において、周縁部に形成された第2の貫通孔4が外部から溶剤が供給される孔となり中央付近に形成された第1の貫通孔2が外部に溶剤が排出される孔となる。
また、剥離装置20のプレート10においても、周縁部に形成された第2の貫通孔14が外部から溶剤が供給される孔となり中央付近に形成された第1の貫通孔12が外部に溶剤が排出される孔となる。
その他の構成は上述した構成と同様であるので重複説明は省略する。
このような構成とした場合においても、上述した中央付近に溶剤を供給して周縁部から溶剤を排出させる場合と同様の作用を得ることができる。
この場合は、プレート10では溶剤供給孔12を形成しているが溶剤排出孔14は形成しなくても構わない。
Claims (12)
- 一方の面に接着剤を介して基板の回路形成面が貼り合わされるサポートプレートであって、
前記サポートプレートの中央付近において厚み方向に形成された第1の貫通孔と、
前記サポートプレートの前記接着剤層と接する前記一方の面に形成された前記第1の貫通孔に連通する溝と、
前記サポートプレートの周縁部において厚み方向に形成された前記溝に連通する第2の貫通孔とを有することを特徴とするサポートプレート。 - 請求項1に記載のサポートプレートにおいて、前記溝の形状が、格子状、千鳥状又はハニカム状に形成されていることを特徴とするサポートプレート。
- 請求項1又は2に記載のサポートプレートにおいて、前記第1の貫通孔は溶剤が供給される孔であり、前記第2の貫通孔は溶剤が排出される孔であることを特徴とするサポートプレート。
- 請求項1又は2に記載のサポートプレートにおいて、前記第2の貫通孔は溶剤が供給される孔であり、前記第1の貫通孔は溶剤が排出される孔であることを特徴とするサポートプレート。
- 基板の回路素子形成面に接着剤を介して貼り合わされたサポートプレートを剥離する剥離装置において、
前記剥離装置はプレートを備えており、該プレートは、その中央付近において厚み方向に形成された第1の貫通孔と、その周縁部において厚み方向に形成された第2の貫通孔と、その径方向において前記第1の貫通孔と前記第2の貫通孔との間に形成されたサポートプレートを吸着するための孔とを有することを特徴とする剥離装置。 - 請求項5に記載の剥離装置において、前記第1の貫通孔は溶剤供給手段より溶剤が供給される孔であり、前記第2の貫通孔は溶剤が排出される孔であることを特徴とする剥離装置。
- 請求項5に記載の剥離装置において、前記第2の貫通孔は溶剤供給手段より溶剤が供給される孔であり、前記第1の貫通孔は溶剤が排出される孔であることを特徴とする剥離装置。
- 請求項6又は7に記載の剥離装置において、前記第1の貫通孔は溶剤供給手段より溶剤が供給される孔であると共に気体供給手段より気体が供給される孔であることを特徴とする剥離装置。
- 基板の回路素子形成面に接着剤を介して貼り合わされた請求項1に記載のサポートプレートを、請求項5に記載の剥離装置を用いて剥離する剥離方法において、
前記プレートの第1の貫通孔に外部より溶剤を供給する工程と、
前記溶剤を、前記サポートプレートの第1の貫通孔を介して、該第1の貫通孔に連通する溝に行き渡らせる工程と、
前記溶剤により基板と接する面の接着剤層を溶解させる工程と、
前記接着剤層を溶解した前記溶剤を前記サポートプレートの第2の貫通孔を介して
前記プレートの第2の貫通孔から排出させる工程とを有することを特徴とする剥離方
法。 - 請求項9に記載の剥離方法において、前記溶剤により基板と接する面の接着剤層を溶解させる工程を行った直後、前記プレートの第1の貫通孔に外部より気体を供給し、前記気体を前記サポートプレートの第1の貫通孔を介して該第1の貫通孔に連通する溝に行き渡らせる工程を行うことを特徴とする剥離方法。
- 基板の回路素子形成面に接着剤を介して貼り合わされた請求項1に記載のサポートプレートを、請求項5に記載の剥離装置を用いて剥離する剥離方法において、
前記プレートの第2の貫通孔に外部より溶剤を供給する工程と、
前記溶剤を前記サポートプレートの第2の貫通孔を介して該第2の貫通孔に連通する溝に行き渡らせる工程と、
前記溶剤により基板と接する面の接着剤層を溶解させる工程と、
前記接着剤層を溶解した前記溶剤を前記サポートプレートの第1の貫通孔を介して前記プレートの第1の貫通孔から排出させる工程とを有することを特徴とする剥離方法。 - 請求項11に記載の剥離方法において、前記溶剤により基板と接する面の接着剤層を溶解させる工程を行った直後、前記プレートの第2の貫通孔に外部より気体を供給し、前記気体を前記サポートプレートの第2の貫通孔を介して該第2の貫通孔に連通する溝に行き渡らせる工程を行うことを特徴とする剥離方法。
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