TWI336488B - Supporting plate, apparatus and method for stripping supporting plate - Google Patents

Description

1336488 (1) 九、發明說明 【發明所屬之技術領域】 本發明，係有關於在將半導體晶圓薄型化時所使用的 支持板’進而，係有關於將半導體晶圓由上述支持板剝離 之剝離裝置及剝離方法。 【先前技術】 1C卡’或是行動電話，係被要求有薄型化、小型化 及輕量化，爲了滿足此要求，關於所組入之半導體晶片， 亦需要爲厚度薄之半導體晶片。因此，成爲半導體晶片之 基礎的晶圓厚度，在現階段雖係爲125/zm〜1504ΙΠ，但 是於下一個世代所使用之晶片，其厚度係認爲應被要求爲 25//m〜50/zm。 於先前技術中，半導體晶圓之薄型化，舉例而言，係 由如圖8所示之工程來進行。 亦即是’首先，在半導體晶圓之電路（元件）形成面 (A面）貼上保護膠帶，並將其反轉，將半導體晶圓之背 面（B面）以磨床來硏削使其薄型化。接下來，將此被薄 板化之半導體晶圓背面’固定在以切割框所保持之切割帶 上’以此狀態，將覆蓋半導體晶圓之電路（元件）形成面 (A面）的保護膠帶剝離。而後，藉由切割裝置來對每個 晶片作叻離。 此種方法’係被揭示於專利文獻1中。 另外’於專利文獻1中’作爲保護膠帶，係使用耐熱 -5- (2) (2)1336488 性保護膠帶，在剝離時，係在此保護膠帶之一端黏著有強 黏性膠帶，而將其從半導體晶圓拉扯剝離。 又，於專利文獻2中，係記載有：代替保護膠帶，係 使用在氮化鋁-氮化硼氣孔燒結體含浸有梯形矽寡聚合物 的保護基板，在使用熱可塑性薄膜將此保護基板與半導體 晶圓接著的同時，在剝離時，係將其進入8 0 °C的純水內， 並保持3小時後，將其剝離。 又，在專利文獻3中，係記載有：作爲保護基板，使 用有實質上爲與半導體晶圓相同熱膨脹率的氧化鋁、氮化 鋁、氮化硼、氮化矽等之材料。 又，在專利文獻3中，亦提案有：使用聚醯亞胺等之 熱可塑性樹脂來將保護基板與半導體晶圓接著，並以磨床 來使其薄板化之後，在剝離時，使用將其浸泡於水、胺又 或是水與胺之混合溶液中之方法，或是使用水蒸氣之方法 〇 [專利文獻1]日本國特開2002-270676號公報 [專利文獻2]日本國特開2002-203821號公報 [專利文獻3]日本國特開2001-077304號公報 【發明內容】 [發明所欲解決之課題] 於上述之各先前技術中，在將半導體晶圓從支持板（ 保護膠帶）剝離時’難以使溶劑浸入支持板（保護膠帶） 與半導體晶圓之間，而在剝離時係爲費時。 -6- (3) (3)1336488 又’亦會產生有：將支持板（保護膠帶）與半導體晶 圓接著的熱可塑性薄膜並未完全溶解，而黏著殘留在支持 板又或是半導體晶圓之其中一方的情況。 如此這般，會產生接著劑之殘渣，而於剝離時，容易 在半導體晶圓上產生割裂或缺陷。 於此，本申請人係提案有：作爲支持板，使用在厚度 方向形成有多數之貫通孔者。圖9，係爲說明將此支持板 剝離之方法。 此方法，首先，係將溶劑供給平板1 02，經由Ο型環 101，而重疊於支持板100的上面。接下來，從溶劑供給管 103，將溶劑供給至以支持板100、Ο型環101以及溶劑供 給平板102所包圍之空間S內。藉由此，經由形成於支持 板100之貫通孔104，將接著劑層105溶解。 在使用有此種形成多數之貫通孔的支持板時，雖能在 短時間內確實地將接著劑除去，但卻產生了新的問題。 亦即是，如圖1 〇所示，溶劑會從支持板之周圍邊緣部 漏至外側，而在切割帶上落下大量之溶劑，使切割帶在短 時間內便劣化。 又，被供給至空間S之新溶劑的一部份，係未使用便 被直接回收，因此剝離效率差。 又，就算是接著劑完全被溶解的狀況，作爲用以將半 導體晶圓從支持板剝離的裝置，若是使用指狀裝置等，則 會有對電路形成面造成傷害之虞。 有鑑於上述之點，本發明，係提供一種：舉例而言， (4) (4)1336488 在將基板薄型化之後，能將基板從支持板在短時間內容易 地剝離之支持板，支持板之剝離裝置，以及剝離方法》 [用以解決課題之手段] 本發明所關連之支持板，係爲在其中一面，經由接著 劑而與基板之電路形成面相互貼合，其特徵爲，具備有： 在支持板之中央附近，於厚度方向被形成之第1貫通孔； 和被形成於支持板之與接著劑層相接之一方的面，與前述 第1貫通孔相通連的溝；和在支持板之周圍邊緣部，於厚 度方向被形成，與溝相互通連之第2貫通孔。 若藉由本發明之支持板，則由於具備有：在支持板之 中央附近，於厚度方向被形成之第1貫通孔：和與被形成 於支持板之與接著劑層相接之一方的面之貫通孔相通連的 溝；和在支持板之周圍邊緣部，於厚度方向被形成，與溝 相互通連之第2貫通孔 > 因此，舉例而言’以第1貫通孔係 被供給溶劑之孔，第2貫通孔係爲溶液被排出之孔的方式 構成，而在實際上將基板薄型化之後’將基板從支持板剝 離時，能將溶劑迅速且全面地供給至基板與支持板相互貼 合之接著劑處，而能在短時間內將支持板剝離。 又，舉例而言，採用：將第2貫通孔作爲被供給溶劑 之孔，將第1貫通孔作爲溶劑被排出之孔的構成時’亦可 得到相同之作用。 本發明之剝離裝置，係爲將經由接著劑而與基板之電 路元件形成面相互貼合的支持板剝離之剝離裝置’其構成 -8- (5) (5)1336488 爲：此剝離裝置係具備有平板，該平板，係具備有：於其 中央拊近在厚度方向被形成之第1貫通孔；和於其周圍邊 緣部，被形成於厚度方向之第2貫通孔；和於其徑方向， 被形成於前述第1貫通孔和第2貫通孔之間，用以吸著支持 板的孔。 若藉由本發明之支持板，則由於剝離裝置具備有平板 ，而此平板具備有：在其中央附近，於厚度方向被形成之 第1貫通孔；和於其周圍邊緣部，於厚度方向被形成之第2 貫通孔；和於其徑方向，被形成於第1貫通孔和第2貫通孔 之間，用以吸著支持板的孔，因此，舉例而言，以第1貫 通孔係被供給溶劑之孔，第2貫通孔係爲溶液被排出之孔 的方式構成，而在實際上將基板薄型化之後，將基板從支 持板剝離時，能將溶劑迅速且全面地供給至基板與支持板 相互貼合之接著劑處，而能在短時間內將支持板剝離。 又，舉例而言，採用：將第2貫通孔作爲被供給溶劑 之孔，將第1貫通孔作爲溶劑被排出之孔的構成時，亦可 得到相同之作用。 本發明之剝離方法，係將經由接著劑而與基板的電路 元件形成面相互貼著之支持板，使用剝離裝置來剝離之剝 離方法，其特徵爲，具備有：從外部將溶劑供給至平板之 第1貫通孔的步驟；和將溶劑經由支持板之第1貫通孔，提 供至與該第1貫通孔相互通連之溝的步驟；和藉由溶劑， 將與基板接觸之面的接著劑溶解的步驟；和將把接著劑層 溶解後之溶劑，經由支持板之第2貫通孔，而從平板之第2 -9- (6) (6)1336488 貫通孔排出的步驟。 若藉由上述之本發明的剝離方法，由於具備有：從外 部將溶劑供給至平板之第1貫通孔的步驟：和將溶劑經由 支持板之第1貫通孔，提供至與該第1貫通孔相互通連之溝 的步驟；和藉由溶劑，將與基板接觸之面的接著劑溶解的 步驟；和將把接著劑層溶解後之溶劑，經由支持板之第2 貫通孔，而從平板之第2貫通孔排出的步驟，因此能將溶 劑迅速且全面地供給至基板與支持板相互貼合之接著劑處 ，而能在短時間內將支持板剝離。 又，本發明之剝離方法，係將經由接著劑而與基板的 電路元件形成面相互貼著之支持板，使用剝離裝置來剝離 之剝離方法，其特徵爲，具備有：從外部將溶劑供給至平 板之第2貫通孔的步驟；和將溶劑經由支持板之第2貫通孔 ，提供至與該第2貫通孔相互通連之溝的步驟；和藉由溶 劑，將與基板接觸之面的接著劑溶解的步驟；和將把接著 劑層溶解後之溶劑，經由支持板之第1貫通孔，而從平板 之第1貫通孔排出的步驟。 若藉由上述之本發明的剝離方法，由於具備有：從外 部將溶劑供給至平板之第2貫通孔的步驟；和將溶劑經由 支持板之第2貫通孔，提供至與該第2貫通孔相互通連之溝 的步驟；和藉由溶劑，將與基板接觸之面的接著劑溶解的 步驟：和將把接著劑層溶解後之溶劑’經由支持板之第1 貫通孔，而從平板之第1貫通孔排出的步驟，因此能將溶 劑迅速且全面地供給至基板與支持板相互貼合之接著劑處 -10- (7) (7)1336488 ，而能在短時間內將支持板剝離。 [發明效果] 若藉由本發明，則能將溶劑迅速且全面地供給至基板 與支持板相互貼合之接著劑處，而能在短時間內將支持板 剝離，因此能收將處理時間縮短之效果。 因此，能實現適合於高信賴性且能縮短處理時間之支 持板、支持板之剝離裝置、以及剝離方法。 【實施方式】 以下，根據添附之圖面，對本發明之實施形態作說明 〇 圖1，係爲展示本發明之支持板的其中一種實施形態 的槪略構成圖，圖2，係爲用以說明溝形成方法的步驟圖 〇 本實施形態的支持板1，係如圖1所示，由玻璃板、陶 瓷板或是金屬板等所形成。 雖未圖示，但於此支持板1之其中一方的面，係經由 接著劑層，而與半導體晶圓W之電路形成面相互貼合。 而後，在本實施形態中，特別是支持板1，係以如下 述所示而構成。 具體而言，在支持板1之中央附近（中央部），從外 部被供給溶劑之第1貫通孔2,係貫通於厚度方向而被形成 。此貫通孔2，舉例而言，係被形成有複數。另外，在圖1 -11 - (8) (8)1336488 所示之情況中，雖係展示有4個的貫通孔2，但貫通孔2之 數量並不限定於此。 又，在支持板1之與半導體晶圓W相互貼合之一方的 面，係被形成有與貫通孔2相連通之溝3。此溝3，係於其 中一面，涵蓋直到外周爲止的大略全部區域而被形成。還 有，相對於例如厚度〇.7mm之支持板1，溝3係從其中一方 之面的表面起形成約〇.3mm的深度。於此，溝3的深度， 係有必要爲在將支持板1與半導體晶圓W相互貼合時。不 會被介於存在於此之間的接著劑層完全埋沒的程度之深度 。此，係爲了在接著劑層與溝3的底面之間製造出些許的 空隙，而使得在如後所述之將溶劑作供給時，能順著此空 隙而使溶劑迅速的流動。 又，在支持板1之周圍邊緣部，與溝3通連，將溶劑排 出至外部（回收）之第2貫通孔4，係貫通於厚度方向而被 形成。此貫通孔4，舉例而言，係在支持板1之周圍外緣部 被形成有複數。 由以上之構成，於支持板1中，將溶劑從外部供給之 第1貫通孔2，與將溶劑排出至外部之第2貫通孔4 ’係成爲 經由溝3而相互連通。 溝3，係如圖1中之其中一部份的擴大圖所示，被形成 爲格子狀。此溝3，由於係如上述所示，將第1貫通孔2與 第2貫通孔4相互通連，因此舉例而言，從外部向第1貫通 孔2所供給之溶劑，係經由此格子狀的溝3，從中央附近朝 向周圍邊緣部（外周部）而流動，並到達第2貫通孔4° -12- (9) (9)1336488 於此，使用圖2之步驟圖，簡單說明形成具有格子狀 之溝3的支持板1之方法》 首先，舉例而言，準備玻璃板，在欲形成溝3之其中 一方的面，塗布乾薄膜光阻劑（步驟1)。 接下來，使用格子狀之遮罩，對乾薄膜光阻劑進行曝 光及顯像處理（參考步驟2及步驟3)。 藉由此，在剝離板之其中一面，被形成有格子狀之乾 薄膜光阻劑（用以形成格子狀之溝3的光阻遮罩）。 接下來，在將周圍邊緣部作保護之後，將格子狀的乾 薄膜光阻劑作爲遮罩，藉由噴砂法，將玻璃板切削（參考 步驟4及5 )。 藉由此，在玻璃板之其中一面，被形成有於其表面具 有特定之深度的格子狀之溝3。 接下來，在玻璃基板之另外一面，塗布乾薄膜光阻劑 (參考步驟6)。而後，使用用以形成第1貫通孔2及第2貫 通孔4之遮罩，對乾薄膜光阻劑進行曝光及顯像處理（參 考步驟7及步驟8 )。 藉由此，在玻璃基板之另外一面形成相當於第1貫通 孔及第2貫通孔之乾薄膜光阻劑（用以形成第1貫通孔2及 第2貫通孔4之光阻遮罩）。 接下來，在將周圍邊緣部作保護後（參考步驟9)， 將用以形成第1貫通孔2及第2貫通孔4之光阻劑作爲遮罩， 藉由噴砂法來切削玻璃板（參考步驟10)。 而後，藉由將玻璃基板上洗淨（參考步驟11)，於玻 -13- (10) (10)1336488 璃基板之另外一面，在中央附近，形成有貫通厚度方向之 第1貫通孔2，於周圍邊緣部，形成有貫通厚度方向之第2 貫通孔4。 另外，於圖2所示之步驟中，雖係展示先形成溝3後， 再形成第1貫通孔2及第2貫通孔4之情況，但是亦可採用相 反之步驟。 又，除了噴砂法之外，亦可使用乾蝕刻法或濕蝕刻法 ’來形成格子狀之溝。但是，在使用此些方法時，雖亦依 存於溝的寬幅、深度等之條件，但相較於噴砂法，係難以 形成均勻的溝。從此些觀點而言，係以噴砂法爲較合適。 若藉由本實施形態之支持板1，則於中央附近，在厚 度方向形成有從外部供給溶劑之貫通孔2，在與接著劑接 觸之一面，形成有與第1貫通孔2相互通連之格子狀的溝3 ，在周圍邊緣部，於厚度方向，形成有在與溝3相互通連 的同時，將溶劑排出至外部之第2貫通孔4，因此，在實際 使用如後所述之剝離裝置及剝離方法，來將半導體晶圓W 從支持板1剝離時，能將溶劑迅速且全面地供給至將晶圓 W與支持板1相互貼合的接著劑上。藉由此，舉例而言， 相較於使用先前技術之支持板的情況，能在短時間內將支 持板1剝離。 亦即是，先前之支持板的構造，由於係爲在厚度方向 形成有多數之貫通孔的構成，因此接著劑係從與各貫通孔 相接的部分開始溶解。故而，直到所有溶劑到達接著劑之 全體爲止，係爲費時。 -14- (11) (11)1336488 然而若是本實施形態之支持板1的情況，則由於在與 接著劑接觸之面的大略所有區域上，形成有格子狀的溝3 ，因此從第1貫通孔2所供給之溶劑，係經由與此貫通孔2 相互通連之格子狀的溝3，而流向周圍邊緣部，因此溶劑 會迅速地到達接著劑之全部區域。 故而，舉例而言，相較於使用先前技術之支持板的情 況，能在短時間內將支持板1剝離。 又，由於並未像先前技術一般，在厚度方向形成有多 數的貫通孔，因此在使用如後所述之剝離裝置及剝離方法 ，來實際將支持板1從半導體晶圓w剝離時，能以真空吸 著沒有形成孔之部分而將其保持之。藉由此，能簡化將支 持板1從半導體晶圓w剝離的步驟。 又，由於並未像先前技術一般在厚度方向形成有多數 之貫通孔，因此作爲支持板1’能提高其強度’和先前之 支持板相比較，能更提高其再利用率。 又，在如此這般將支持板1從半導體晶圓W剝離時’ 並不會對晶圓w施加過度的力，因此不容易在晶圓w上 產生碎裂或是缺陷。 藉由此，於此種被與支持板1相互貼合的半導體晶圓 w中，舉例而言，可在使晶圓w薄型化之後，再在使用 磨床硏磨後之面，舉例而言’形成第2的電路。 接下來，說明本實施形態之支持板1的其他實施形態 於上述之實施形態的支持板1中’溝3的形狀雖係爲格 -15- 0 (12) (12)1336488 子狀，但在本實施形態之支持板1中，亦可使溝3的形狀爲 鋸齒狀（參考圖3(a)之溝的擴大圖以及圖3(b)之周圍 邊緣部的擴大圖）。 亦即是，於本實施形態之支持板1中，溝之形狀係將 如圖1所示的格子狀之溝3，在每一列錯開特定之間隔而構 成。 就算在如此這般形成鋸齒狀之溝3的情況，亦和格子 狀之溝3的情況相同，能經由鋸齒狀之溝3，將溶劑迅速且 全面地供給至晶圓W與支持板1相互貼合的接著劑處。藉 由此，和使用先前之支持板的情況相比較，能在短時間內 將支持板1從基板剝離。另外，在形成此種形狀之溝3時， 亦可與圖2所示之步驟相同地來進行。 接下來，說明本實施形態之支持板的另外其他實施形 態。 本實施形態之支持板1，係將溝的形狀形成爲蜂巢狀 。具體而言，係將溝3形成龜殻花紋狀（六角形狀）（參 考圖4(a)之溝的擴大圖以及圖4(b)之周圍邊緣部的擴 大圖）。 如此這般在將溝3形成爲龜殼花紋狀的情況，相較於 上述之格子狀的溝3或是鋸齒狀的溝3的情況，能經由龜殻 花紋狀之溝3,將溶劑迅速且全面地供給至晶圓W與支持 板1相互貼合的接著劑處。藉由此，和使用先前之支持板 的情況相比較，能在短時間內將支持板1從基板剝離。 其中之一的理由，係因爲在將溝3作爲龜殼花紋狀時 -16- (14) (14)1336488 10’係被升降機構所支持，而被構成爲能在上下方向以特 定之衝程來升降。 於平板10’係在中央部，形成有由外部而被供給溶劑 之第1貫通孔（溶劑供給孔）12。又，在周圍邊緣部，係 形成有將溶解接著劑層後之溶劑排出至外部之第2貫通孔 (溶劑排出孔）14。又，在徑方向，於第1貫通孔12與第2 貫通孔1 4之間’係被形成有孔1 3。此孔1 3係被作爲真空抽 氣孔，與支持板1鄰接之側，係成爲凹部15。第1貫通孔12 ，雖未圖示’但舉例而言，係藉由管而與溶劑供給手段相 連接。 在此種構成之平板10，當透過孔13，藉由真空吸著而 將支持板1及與此支持板1相互貼合的半導體晶圓W吸著 時，溶劑供給孔1 2，係與支持板1之第1貫通孔2相連接。 又，溶劑排出孔14，係與支持板1之第2貫通孔4相連接。 又，孔13係與支持板1之未形成有第1貫通孔2與第2貫通孔 4之處相接。 接下來，說明使用此種構成之剝離裝置2 0而將支持板 1從半導體晶圓W剝離的情況。 首先，將平板10推壓付著於支持板1之上面，使平板 10之溶劑供給孔12與支持板之第1貫通孔2—致（相連接） 。又，使溶劑排出孔14與支持板1之第2貫通孔4—致（相 連接）（圖5所示之狀態）。 接下來，於此種狀態中，藉由溶劑供給手段（未圖示 )，將溶劑供給至平板10之溶劑供給孔12。 -18- (15) (15)1336488 藉由此，溶劑係經由溶劑供給孔1 2，流向支持板1之 第1貫通孔2，並從此貫通孔2，流向與其通連之龜殼花紋 狀的溝3。 此時，如上述所示，由於溝3係直到支持板之周圍邊 緣部爲止，涵蓋幾乎全面而被形成，因此溶劑係迅速地流 動至接著劑層5的全面，而將接著劑層5溶解。 而後，將接著劑層5溶解之溶劑，係經由被形成於支 持板1之周圍邊緣部，並與溝3相互通連之第2貫通孔4，流 向平板1〇之溶劑排出孔14。而被排出至外部（回收）。 而後（經過特定之時間後），將半導體晶圓W從支 持板1剝離。 此時，經由平板10之真空抽取孔13，將凹部15內作減 壓，以將支持板1真空吸著於平板1〇的狀態下，使平板1〇 上升。藉由此，僅有半導體晶圓W被殘留在切割帶7上， 而僅有支持板1被剝離。另外’切割帶7係在具有黏著性的 同時，被保持在框6上。 若藉由本實施形態之剝離裝置及剝離方法’則從平板 1 〇之溶劑供給孔1 2所供給之溶劑’係經由支持板1之第1貫 通孔2，並經由與此貫通孔2相互通連之龜殼花紋狀的溝3 ，而流向周圍邊緣部。而後’此溶劑係經由支持板1的周 圍邊緣部之第2貫通孔4 ’流向平板10之溶劑排出孔14 ’而 被排出至外部。 如此這般，藉由溝3’由於能使溶劑迅速地到達接著 劑層5之全面，因此，舉例而言’相較於使用先前之支持 -19- (17) (17)1336488 複之說明。 於此種構成之情況中，亦能得到與將溶劑供給至上述 中央附近，而從周圍邊緣部將溶劑排出時相同的作用。 另外，於本實施形態之剝離裝置20中，雖係針對如圖 5所示之將平板10設置於支持板1之上面的情況作說明，但 是亦可爲如圖7所示，使平板10接觸於支持板1之下面的構 造。 於此情況，於平板1 〇雖係形成有溶劑供給孔1 2，但即 使不形成溶劑排出孔1 4亦可。 另外，本發明，係不限定於上述實施形態，只要是在 不脫離本發明之要旨內的範圍，可採用種種其他的構成。 【圖式簡單說明】 [圖1]展示本發明之支持板的一種實施形態的槪略構 成圖。 [圖2]用以說明格子狀之溝的擴大圖 [圖3]用以說明鋸齒狀之溝的擴大圖 [圖4]用以說明蜂巢狀之溝的擴大圖 [圖5]展示本發明之支持板的剝離裝置之一種實施形 態的槪略構成圖。 [圖6]圖5之上面圖 [圖7]展示剝離裝置之其他實施形態的圖 [圖8]說明先前之剝離方法的圖（其之1 ) [圖9]說明先前之剝離方法的圖（其之2) -21 - (18)1336488 [圖1 〇]說明先前之問題點的圖 【主要元件符號說明】 1 :支持板 2 :第1貫通孔 3 :溝 4 :第2貫通孔

5 :接著劑層 6 :框 7 :切割帶 10 :平板 1 2 :溶劑供給孔 13 :孔

1 4 :溶劑排出孔 1 5 :凹部 20 :剝離裝置 W :半導體晶圓 -22-

Claims (1)

1336488 (1) 十、申請專利範圍 1. 一種支持板，係爲在其中一面，經由接著劑而與基 板之電路形两面相互貼合，其特徵爲，具備有： 在前述支持板之中央附近，被形成於厚度方向之第1 貫通孔i和 被形成於與前述支持板之前述接著劑層相接的前述其 中一面’之與前述第1貫通孔相通連的溝；和 在前述支持板之周圍邊緣部，被形成於厚度方向，之 與前述溝相互通連之第2貫通孔。 2 ·如申請專利範圍第1項所記載之支持板，其中，前 述溝之形狀，係被形成爲格子狀、鋸齒狀又或是蜂巢狀。 3·如申請專利範圍第1項又或是第2項所記載之支持板 ，其中，前述第1貫通孔，係爲溶劑被供給之孔，前述第2 貫通孔，係爲溶劑被排出之孔。 4. 如申請專利範圍第1項又或是第2項所記載之支持板 ，其中，前述第2貫通孔，係爲溶劑被供給之孔，前述第1 貫通孔，係爲溶劑被排出之孔。 5. —種剝離裝置，係爲將經由接著劑而與基板之電路 元件形成面相互貼合的支持板剝離之剝離裝置，其特徵爲 前述剝離裝置係具備有平板，該平板，係具備有： 在其中央附近，被形成於厚度方向之第1貫通孔；和 在其周圍邊緣部，被形成於厚度方向之第2貫通孔； 和 -23- (2) (2)1336488 於其徑方向，被形成於前述第1貫通孔和第2貫通孔之 間，用以吸著支持板的孔。 6.如申請專利範圍第5項所記載之剝離裝置，其中， 前述第1貫通孔，係爲藉由溶劑供給手段而被供給溶劑之 孔，前述第2貫通孔，係爲溶劑被排出之孔。 7 .如申請專利範圍第5項所記載之剝離裝置，其中， 前述第2貫通孔，係爲藉由溶劑供給手段而被供給溶劑之 孔，前述第1貫通孔，係爲溶劑被排出之孔。 8 .如申請專利範圍第6項又或是第7項所記載之剝離裝 置，其中，前述第1貫通孔，在身爲藉由溶劑供給手段而 被供給溶劑之孔的同時，亦爲藉由氣體供給手段而被供給 氣體之孔。 9·一種剝離方法，係將經由接著劑而與基板的電路元 件形成面相互貼著之如申請專利範圍第1項所記載之支持 板’使用如申請專利範圍第5項所記載之剝離裝置來剝離 ，其特徵爲，具備有： 從外部將溶劑供給至前述平板之第1貫通孔的步驟； 和 將前述溶劑，經由前述支持板之第1貫通孔，提供至 與該第1貫通孔相互通連之溝的步驟；和 藉由前述溶劑，將與基板接觸之面的接著劑層溶解的 步驟；和 將把前述接著劑層溶解後之前述溶劑，經由前述支持 板之第2貫通孔，而從前述平板之第2貫通孔排出的步驟。 -24- (3) 1336488 . 1 0.如申請專利範圍第9項所記載之剝離方法，其中， 在進行了藉由前述溶劑而將與基板接觸之面的接著劑層溶 解的步驟後’立刻進行藉由外部將氣體供給至前述平板之 第1貫通孔’並將前述氣體經由前述支持板之第1貫通孔， 而供給至與該第1貫通孔相互通連之溝的步驟。 11· —種剝離方法，係將經由接著劑而與基板的電路 元件形成面相互貼著之如申請專利範圍第1項所記載之支 φ 持板’使用如申請專利範圍第5項所記載之剝離裝置來剝 離，其特徵爲，具備有： 從外部將溶劑供給至前述平板之第2貫通孔的步驟； 和 將前述溶劑’經由前述支持板之第2貫通孔，提供至 與該第2貫通孔相互通連之溝的步驟；和 藉由前述溶劑，將與基板接觸之面的接著劑層溶解的 步驟；和 ^ 將把前述接著劑層溶解後之前述溶劑，經由前述支持 板之第1貫通孔’而從前述平板之第1貫通孔排出的步驟。 1 2_如申請專利範圍第1 1項所記載之剝離方法，其中 ，在進行了藉由前述溶劑而將與基板接觸之面的接著劑層 溶解的步驟後’立刻進行藉由外部將氣體供給至前述平板 之第2貫通孔’並將前述氣體經由前述支持板之第2 孔’而供給至與該第2貫通孔相互通連之溝的步驟。 -25-