KR101527984B1 - 서포트 플레이트, 그 제조 방법 및 기판 처리 방법 - Google Patents

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도오꾜오까고오교 가부시끼가이샤
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Abstract

처리 후의 웨이퍼를 서포트 플레이트로부터 박리하는 공정을 지연시키지 않고 안정적으로 실시할 수 있는 서포트 플레이트를 실현한다. 본 발명의 서포트 플레이트는, 접착제를 개재하여 기판을 지지하는 서포트 플레이트로서, 접착제와 접하는 면을 갖는 판상부와, 접착제와 접하는 상기 면 상에 형성된 스페이서를 포함한다.

Description

서포트 플레이트, 그 제조 방법 및 기판 처리 방법{SUPPORT PLATE, METHOD FOR PRODUCING THE SAME, AND METHOD FOR PROCESSING SUBSTRATE}
본 발명은, 서포트 플레이트 및 그 제조 방법, 그리고 당해 서포트 플레이트를 사용한 기판 처리 방법에 관한 것이다.
최근, 휴대 전화, 디지털 AV 기기 및 IC 카드 등의 고기능화에 수반하여, 탑재되는 반도체 칩의 소형화, 박형화 및 고집적화에 대한 요구가 높아지고 있다. 이 요구를 만족시키기 위해서는, 장착되는 반도체 칩에 대해서도 박형의 반도체 칩으로 하지 않으면 안된다. 이 때문에, 반도체 칩의 기본이 되는 반도체 웨이퍼의 두께 (막두께) 는, 현상황에서는 125 ∼ 150 ㎛ 정도이지만, 차세대 칩용으로는 25 ∼ 50 ㎛ 정도로 하지 않으면 안된다고 한다.
그러나, 25 ∼ 50 ㎛ 정도로까지 연마된 반도체 웨이퍼는, 두께가 얇아지기 때문에, 그 강도는 약해져 크랙 및 휨이 발생하기 쉬워진다. 그 때문에, 연마되는 반도체 웨이퍼에 보호 기판 (이하, 서포트 플레이트라고 한다) 이라고 하는 유리 또는 경질 플라스틱 등을 첩합 (貼合) 함으로써, 반도체 웨이퍼의 강도를 유지하여, 크랙의 발생 및 반도체 웨이퍼에 휨이 발생하는 것을 방지하는 방법이 개발되어 있다 (예를 들어, 특허문헌 1 참조).
상기 방법에서는, 기판의 회로 형성면에 접착제액을 도포한 후, 당해 접착제액을 예비 건조시켜 접착제층으로서의 형상 유지를 가능하게 하고, 이어서, 서포트 플레이트를 상기 접착제층에 가압하여 일체화시키고, 이 가압과 동시에 또는 가압이 종료된 후에, 상기 접착제층을 건조시킴으로써, 기판을 서포트 플레이트에 첩부한다.
일본국 공개특허공보 「공개특허공보 2005－191550호 (헤이세이 17년 7월 14일 공개)」
그러나, 종래의 상기 방법에서는, 처리 후의 웨이퍼를 서포트 플레이트로부터 박리하는 공정이 지연되는 경우가 있다.
구체적으로는, 접착제를 개재하여 서포트 플레이트에 지지된 웨이퍼는, 접착제의 건조 공정이나 웨이퍼의 처리 중에, 자중 (自重) 에 의해 서포트 플레이트측에 가라앉는 경우가 있다. 서포트 플레이트에는, 통상, 처리 후의 웨이퍼를 서포트 플레이트로부터 박리할 때에, 접착제의 용해액을 흐르게 하기 위한 관통공이 형성되어 있기 때문에, 이 가라앉음에 의해 접착제가 당해 구멍으로 들어갈 수 있다. 그 결과, 웨이퍼를 서포트 플레이트로부터 박리할 때에, 접착제의 용해액의 유량이 제한되어 박리 공정이 지연되는 경우가 있다.
본 발명은, 상기 문제점을 감안하여 이루어진 것으로, 그 목적은, 처리 후의 웨이퍼를 서포트 플레이트로부터 박리하는 공정을 지연시키지 않고 안정적으로 실시할 수 있는 서포트 플레이트를 실현하는 것에 있다.
본 발명에 관련된 서포트 플레이트는, 상기 과제를 해결하기 위해서, 접착제를 개재하여 기판을 지지하는 서포트 플레이트로서, 접착제와 접하는 면을 갖는 판상부와, 접착제와 접하는 상기 면 상에 형성된 스페이서를 포함하는 것을 특징으로 하고 있다.
상기 구성에 의하면, 접착제와 접하는 상기 면 상에 스페이서를 포함하기 때문에, 기판의 서포트 플레이트측에 대한 가라앉음을 억제할 수 있다. 그리고, 서포트 플레이트에는, 통상, 처리 후의 웨이퍼를 서포트 플레이트로부터 박리할 때에 접착제의 용해액을 흐르게 하기 위한 관통공이 형성되어 있기 때문에, 이 가라앉음에 의해 접착제가 당해 구멍으로 들어가는 것을 억제할 수 있다. 그 결과, 웨이퍼를 서포트 플레이트로부터 박리할 때에, 접착제의 용해액을 안정적으로 흐르게 할 수 있어, 박리 공정을 안정적으로 실시할 수 있다. 따라서, 상기 구성에 의하면, 처리 후의 웨이퍼를 서포트 플레이트로부터 박리하는 공정을 지연시키지 않고 안정적으로 실시할 수 있다는 효과를 나타낸다.
본 발명에 관련된 기판 처리 방법은, 상기 과제를 해결하기 위해서, 본 발명에 관련된 상기 서포트 플레이트를 이용하여 기판을 지지한 후, 당해 기판을 처리하는 것을 특징으로 하고 있다.
상기 방법에 의하면, 상기 서포트 플레이트를 이용하여 기판을 지지한 후에, 당해 기판을 처리하기 때문에, 기판의 서포트 플레이트측에 대한 가라앉음을 억제하여, 기판을 처리할 수 있다. 그리고, 서포트 플레이트에는, 통상, 처리 후의 웨이퍼를 서포트 플레이트로부터 박리할 때에 접착제의 용해액을 흐르게 하기 위한 관통공이 형성되어 있기 때문에, 이 가라앉음에 의해 접착제가 당해 구멍으로 들어가는 것을 억제할 수 있다. 그 결과, 웨이퍼를 서포트 플레이트로부터 박리할 때에, 접착제의 용해액을 안정적으로 흐르게 할 수 있다. 따라서, 상기 방법에 의하면, 처리 후의 웨이퍼를 서포트 플레이트로부터 박리하는 공정을 지연시키지 않고 안정적으로 실시할 수 있다는 효과를 나타낸다.
본 발명에 관련된 서포트 플레이트의 제조 방법은, 상기 과제를 해결하기 위해서, 본 발명에 관련된 상기 서포트 플레이트의 제조 방법으로서, 판상부 상에 포토레지스트 재료를 적층시켜 패터닝함으로써, 스페이서를 형성하는 것을 특징으로 하고 있다.
상기 방법에 의하면, 간편하게 본 발명에 관련된 상기 스페이서를 형성할 수 있다는 효과를 나타낸다.
본 발명에 관련된 서포트 플레이트는, 이상과 같이, 접착제를 개재하여 기판을 지지하는 서포트 플레이트로서, 접착제와 접하는 면을 갖는 판상부와, 접착제와 접하는 상기 면 상에 형성된 스페이서를 포함하는 것을 특징으로 하고 있다.
이로써, 처리 후의 웨이퍼를 서포트 플레이트로부터 박리하는 공정을 지연시키지 않고 안정적으로 실시할 수 있다는 효과를 나타낸다.
또, 본 발명에 관련된 기판 처리 방법은, 이상과 같이, 본 발명에 관련된 상기 서포트 플레이트를 이용하여 기판을 지지한 후, 당해 기판을 처리하는 것을 특징으로 하고 있다.
이로써, 처리 후의 웨이퍼를 서포트 플레이트로부터 박리하는 공정을 지연시키지 않고 안정적으로 실시할 수 있다는 효과를 나타낸다.
또한, 본 발명에 관련된 서포트 플레이트의 제조 방법은, 이상과 같이, 본 발명에 관련된 상기 서포트 플레이트의 제조 방법으로서, 판상부 상에 포토레지스트 재료를 적층시켜 패터닝함으로써, 스페이서를 형성하는 것을 특징으로 하고 있다.
이로써, 간편하게 본 발명에 관련된 상기 스페이서를 형성할 수 있다는 효과를 나타낸다.
도 1 은 본 실시 형태에 관련된 서포트 플레이트의 일례를 모식적으로 나타내는 사시도이다.
도 2 는 본 실시 형태에 관련된 서포트 플레이트의 일례를 모식적으로 나타내는 상면도이다.
도 3 은 본 실시 형태에 관련된 서포트 플레이트의 다른 일례를 모식적으로 나타내는 상면도이다.
도 4 는 본 실시 형태에 관련된 서포트 플레이트의 또 다른 일례를 모식적으로 나타내는 상면도이다.
발명을 실시하기 위한 형태
본 발명의 일 실시 형태에 대해 설명하면, 이하와 같다.
또한, 본 명세서에서는, 범위를 나타내는 「A ∼ B」 는, A 이상, B 이하인 것을 의미한다.
(I) 서포트 플레이트
도 1 은, 본 실시 형태에 관련된 서포트 플레이트 (10) 를 모식적으로 나타내는 사시도이며, 도 2 는, 본 실시 형태에 관련된 서포트 플레이트 (10) 를 모식적으로 나타내는 상면도이다.
또, 도 3 은, 본 실시 형태에 관련된 서포트 플레이트의 다른 일례인, 서포트 플레이트 (20) 를 모식적으로 나타내는 상면도이며, 도 4 는, 본 실시 형태에 관련된 서포트 플레이트의 또 다른 일례인, 서포트 플레이트 (30) 를 모식적으로 나타내는 상면도이다.
또한, 상기 도 1 ∼ 4 는, 어디까지나 본 실시 형태에 관련된 각 서포트 플레이트를 모식적으로 나타내는 것이며, 본 발명의 범위는 이들 도면의 축척에는 한정되지 않는다.
본 실시 형태에 관련된 서포트 플레이트 (10) 는, 접착제를 개재하여 기판을 지지하는 것이다. 그리고, 도 1, 2 에 나타내는 바와 같이, 상기 서포트 플레이트 (10) 는, 접착제와 접하는 면 (3) 을 갖는 판상부 (1) 와, 접착제와 접하는 상기 면 (3) 상에 형성된 스페이서 (2) 를 포함한다.
〔판상부〕
상기 판상부 (1) 에는, 처리 후의 웨이퍼를 서포트 플레이트 (10) 로부터 박리할 때에 접착제의 용해액을 흐르게 하기 위한 복수의 관통공 (도시 생략) 이 형성되어 있다. 이들 관통공의 내경은 특별히 한정되지 않지만, 예를 들어, 10 ∼ 1000 ㎛ 의 범위로 형성할 수 있다. 관통공의 수는, 서포트 플레이트 중, 관통공이 차지하는 비율이 20 ∼ 50 %, 바람직하게는 30 ∼ 40 % 가 되도록 형성하는 것이 바람직하다.
또, 상기 판상부 (1) 의 형상은, 판상이면 특별히 한정되지 않고, 그 표면의 형상이, 고정하는 기판과 동일 형상인 것이 바람직하다.
상기 판상부 (1) 의 두께 t 는, 종래 공지된 서포트 플레이트와 동일한 정도의 두께이면 특별히 한정되지는 않는다. 상기 판상부 (1) 의 재질은, 가열하에서, 접착제와 혼합되지 않고 또한 가스 등을 발생시키지 않는, 종래 공지된 서포트 플레이트에 이용되고 있는 재질이면 특별히 한정되지는 않는다. 예를 들어, 유리, 수지, 실리콘 등을 들 수 있으며, 유리인 것이 보다 바람직하다.
〔스페이서〕
본 실시 형태에 관련된 서포트 플레이트 (10) 에서는, 상기 스페이서 (2) 로서, 상기 판상부 (1) 의 외주를 따라 연속적으로 돌기된 돌기부 (5) 를 포함한다.
상기 돌기부 (5) 의 높이 h 는, 특별히 한정되지는 않지만, 5 ∼ 500 ㎛ 의 범위내인 것이 바람직하다. 또, 상기 돌기부 (5) 의 폭 w 는, 특별히 한정되지는 않지만, 10 ∼ 5000 ㎛ 의 범위내인 것이 바람직하다.
기판의 서포트 플레이트측에 대한 가라앉음을 보다 안정적으로 억제하는 관점에서, 상기 스페이서 (2) 로서, 도 3 에 나타내는 바와 같이, 추가로 복수의 기둥 형상체 (12) 를 형성해도 된다.
상기 기둥 형상체 (12) 의 높이는, 특별히 한정되지는 않지만, 5 ∼ 500 ㎛ 의 범위내인 것이 바람직하다. 상기 기둥 형상체 (12) 의 폭 혹은 직경 d 에 대해서도 특별히 한정되지는 않지만, 10 ∼ 5000 ㎛ 의 범위내인 것이 바람직하다. 또, 접착제와 접하는 상기 면 (3) 에 있어서의, 상기 기둥 형상체 (12) 와 접하는 면의 비율은, 50 ∼ 95 % 의 범위내인 것이 바람직하다.
상기 기둥 형상체 (12) 의 형상으로서는 기둥 형상이면 특별히 한정되지는 않고, 예를 들어, 삼각 기둥, 사각 기둥 등의 다각 기둥 형상, 원 기둥 형상을 들 수 있다.
또, 기판의 서포트 플레이트측에 대한 가라앉음을 보다 안정적으로 억제하는 관점에서, 상기 스페이서 (2) 로서, 도 4 에 나타내는 바와 같이, 상기 돌기부 (5) 와 더불어, 격자 형상으로 형성된, 복수의 판상물 (22) 을 추가로 형성해도 된다.
상기 판상물 (22) 의 높이는, 특별히 한정되지는 않지만, 5 ∼ 500 ㎛ 의 범위내인 것이 바람직하다. 상기 판상물 (22) 의 폭 w' 도, 특별히 한정되지는 않지만, 10 ∼ 5000 ㎛ 의 범위내인 것이 바람직하다. 접착제와 접하는 상기 면 (3) 에 있어서의, 상기 판상물 (22) 과 접하는 면의 비율은, 50 ∼ 95 % 의 범위내인 것이 바람직하다.
본 실시 형태에서는, 상기 스페이서 (2) (돌기부 (5), 기둥 형상체 (12), 판상물 (22)) 의 재질은, 상기 판상부 (1) 의 재질과 마찬가지로, 종래 공지된 서포트 플레이트에 이용되고 있는 재질이면 특별히 한정되지는 않는다. 예를 들어, 에폭시 수지 등의 수지, 유리, 실리콘 등을 들 수 있으며, 유리인 것이 보다 바람직하다. 또, 스페이서 (2) 를 복수 구비하는 경우에는, 각 스페이서 (2) 의 재질은 모두 동일하거나, 상이해도 된다.
이상과 같이, 본 실시 형태에 관련된 서포트 플레이트 (10), (20) 및 (30) 는, 접착제와 접하는 상기 면 (3) 상에 스페이서 (2) 를 구비하기 때문에, 기판의 서포트 플레이트측에 대한 가라앉음을 억제할 수 있다. 그리고, 이 가라앉음에 의해 접착제가 서포트 플레이트에 형성된 구멍으로 들어가는 것을 억제할 수 있다. 그 결과, 웨이퍼를 서포트 플레이트로부터 박리할 때에, 접착제의 용해액을 안정적으로 흐르게 할 수 있어 박리 공정을 안정적으로 실시할 수 있다.
또한, 상기 서술한 설명에서는, 상기 스페이서 (2) 로서, 상기 판상부 (1) 의 외주를 따라 연속적으로 돌기된 돌기부 (5) 를 구비한 경우, 그리고, 추가로 기둥 형상체 (12) 혹은 격자 형상으로 형성된, 복수의 판상물 (22) 을 구비한 경우에 대해 설명하였지만, 이들에 한정되는 것은 아니다.
스페이서 (2) 로서, 기둥 형상체 (12) 만을 형성하거나, 상기 판상물 (22) 만을 형성하거나 해도 되고, 기둥 형상체 (12) 와 상기 판상물 (22) 을 형성해도 되고, 상기 돌기부 (5), 기둥 형상체 (12) 및 상기 판상물 (22) 모두를 행성해도 된다. 기판의 서포트 플레이트측에 대한 가라앉음을 억제할 수 있으면, 본 실시 형태와 거의 동일한 효과가 얻어진다.
상기 서술한 바와 같이, 본 발명에 관련된 서포트 플레이트에서는, 상기 스페이서로서, 상기 판상부의 외주를 따라 연속적으로 돌기된 돌기부를 포함하는 것이 바람직하다.
상기 구성에 의하면, 기판의 서포트 플레이트측에 대한 가라앉음을 보다 억제할 수 있기 때문에, 처리 후의 웨이퍼를 서포트 플레이트로부터 박리하는 공정을 지연시키지 않고 보다 안정적으로 실시할 수 있다.
또, 본 발명에 관련된 서포트 플레이트에서는, 상기 스페이서로서, 추가로 복수의 기둥 형상체를 포함하는 것이 바람직하다.
상기 구성에 의하면, 기판의 서포트 플레이트측에 대한 가라앉음을 보다 억제할 수 있기 때문에, 처리 후의 웨이퍼를 서포트 플레이트로부터 박리하는 공정을 지연시키지 않고 보다 안정적으로 실시할 수 있다.
또한, 본 발명에 관련된 서포트 플레이트에서는, 상기 스페이서로서, 추가로 격자 형상으로 형성된, 복수의 판상물을 포함하는 것이 바람직하다.
상기 구성에 의하면, 기판의 서포트 플레이트측에 대한 가라앉음을 보다 억제할 수 있기 때문에, 처리 후의 웨이퍼를 서포트 플레이트로부터 박리하는 공정을 지연시키지 않고 보다 안정적으로 실시할 수 있다.
또, 본 발명에 관련된 서포트 플레이트에서는, 상기 판상부는 유리로 이루어지는 것이 바람직하다.
상기 구성에 의하면, 예를 들어, 판상부로부터 광을 조사하는 등의 처리를 실시할 수 있다.
(II) 서포트 플레이트의 제조 방법
본 실시 형태에 관련된 서포트 플레이트의 제조 방법은, 판상부 상에 포토레지스트 재료를 적층시켜 패터닝하여 스페이서를 형성함으로써 서포트 플레이트를 제조하는 방법이다.
서포트 플레이트의 상기 제조 방법은, 예를 들어, 판상부 제작 공정, 포토레지스트 도포 공정, 노광 공정, 및 현상 공정을 포함한다. 또한, 필요에 따라, 상기 노광 공정 후, 현상 공정 전에 노광 후 베이크 처리 공정을 실시해도 되고, 상기 현상 공정 후에 현상 후 베이크 처리 공정을 실시해도 된다.
〔판상부 제작 공정〕
판상부 제작 공정이란, 판상부를 제작하는 공정이다. 상기 판상부는, 종래 공지된 판상 서포트 플레이트를 사용할 수 있고, 종래 공지된 서포트 플레이트의 제조 방법에 의해 제작할 수 있다. 예를 들어, 일본국 공개특허공보 「공개특허공보 2008－258418호」 에 기재된 방법에 의해 제작할 수 있다.
〔포토레지스트 도포 공정〕
포토레지스트 도포 공정이란, 상기 판상부의 표면에 포토레지스트를 도포하는 공정이다.
포토레지스트의 상기 도포로서는, 종래 공지된 방법을 사용할 수 있고, 예를 들어, 상기 판상부를, 포토레지스트 중에 침지하는 방법 (딥 코트법), 액상 포토레지스트를 스핀 코트법에 의해 상기 판상부 상에 도포하는 방법, 필름상의 포토레지스트 (드라이 필름 레지스트) 를 래미네이트하는 방법 등을 들 수 있다.
상기 포토레지스트 재료로서는, 수지에 의해 스페이서를 제작하는 경우에는, 예를 들어, 에폭시계 포토레지스트를 바람직하게 사용할 수 있고, 유리에 의해 스페이서를 제작하는 경우에는, 예를 들어, 유리 분말을 함유한 포토레지스트를 사용할 수 있다.
또한, 유리 분말을 함유한 상기 포토레지스트를 사용하는 경우에는, 포토레지스트에 의한 패터닝 후에, 고온에서 유기물 성분을 태워날림으로써 유리의 스페이서를 형성할 수 있다.
〔노광 공정〕
노광 공정이란, 포토레지스트를 도포한 상기 판상부의 표면에, 노광함으로써 마스크 패턴을 전사하는 공정이다.
노광 조건은, 사용하는 레지스트 재료에 따라 적절히 설정할 수 있다. 예를 들어, 파장 200 ∼ 600 ㎚ 의 광을 사용할 수 있다. 노광량은 특별히 한정되지 않지만, 350 ㎚ 의 파장이면, 예를 들어, 50 ∼ 500 mJ/㎠ 의 범위에서 노광할 수 있다.
〔노광 후 베이크 처리 공정〕
노광 후 베이크 처리 공정이란, 노광 후의 상기 판상부를 베이크 처리하는 공정이다.
노광 후 베이크 처리 공정의 조건은, 사용하는 레지스트 재료에 따라 적절히 설정하면 되고, 예를 들어, 50 ∼ 250 ℃ 의 범위내, 1 ∼ 90 분간의 조건으로 실시할 수 있다.
〔현상 공정〕
현상 공정이란, 열처리 후의 상기 판상부에 있어서의 불필요한 부분을 현상액에 의해 용해시켜, 제거하는 공정이다.
상기 현상액으로서는, 예를 들어, PGMEA (프로필렌글리콜모노메틸에테르아세테이트), PGME (프로필렌글리콜모노메틸에테르), 시클로헥사논, 메틸아밀케톤 등을 사용할 수 있다.
〔현상 후 베이크 처리 공정〕
현상 후 베이크 처리 공정이란, 현상 후의 상기 판상부를 베이크 처리하는 공정이다.
현상 후 베이크 처리 공정의 조건은, 사용하는 레지스트 재료에 따라 적절히 설정하면 되고, 예를 들어, 50 ∼ 250 ℃ 의 범위내, 1 ∼ 90 분간의 조건으로 실시할 수 있다.
또한, 상기 서술한 설명에서는, 판상부 상에 포토레지스트 재료를 적층시켜 패터닝하여, 스페이서를 형성하여 서포트 플레이트를 제조하는 경우에 대해 설명하였지만, 이것에 한정되는 것은 아니다. 예를 들어, 판상부에 대해 기계적 가공을 실시함으로써, 스페이서를 제작해도 된다. 단, 본 실시 형태에 관련된 상기 서술한 방법에서는, 보다 간편하게, 높은 정밀도로 서포트 플레이트를 제작할 수 있기 때문에 보다 바람직하다.
(III) 기판 처리 방법
본 실시 형태에 관련된 기판의 처리 방법은, 상기 서술한, 본 실시 형태에 관련된 서포트 플레이트를 이용하여 기판을 지지한 후, 당해 기판을 처리하는 방법이다.
상기 처리 방법은, 예를 들어, 기판 고정 공정, 기판 처리 공정, 및 기판 박리 공정을 포함한다.
〔기판 고정 공정〕
기판 고정 공정이란, 처리하는 기판을, 접착제를 개재하여 서포트 플레이트에 고정시키는 공정이다.
예를 들어, 기판에 접착제액을 도포한 후, 당해 접착제액을 예비 건조시켜, 접착제층으로서의 형상을 유지시키고, 이어서, 서포트 플레이트를 상기 접착제층에 가압하여 일체화시키고, 이 가압과 동시에 또는 가압이 종료된 후에, 상기 접착제층을 건조시킴으로써, 처리하는 기판을, 접착제를 개재하여 서포트 플레이트에 고정시킬 수 있다.
상기 접착제액의 도포는, 예를 들어, 스핀 코트법, 스프레이 코트법, 바 코트법, 딥 코트법 등에 의해 실시할 수 있다. 또, 필름상 레지스트의 경우에는, 래미네이트 등에 의해 실시할 수 있다.
상기 접착제액으로서는, 예를 들어, 노볼락 수지, 에폭시 수지, 아미드 수지, 실리콘 수지, 아크릴 수지, 우레탄 수지, 폴리스티렌, 폴리비닐에테르, 폴리아세트산 비닐 및 그 변성물 또는 그들의 혼합물을 용제에 용해시킨 것 등의, 일본국 공개특허공보 「공개특허공보 2005－191550호」 에 거론되고 있는 각종 접착제액을 사용할 수 있다.
또, 상기 용제로서는 상기 물질을 용해시킬 수 있고, 균일하게 웨이퍼에 성막할 수 있는 것이 바람직하고, 예를 들어, 일본국 공개특허공보 「공개특허공보 2005－191550호」 에 거론되고 있는 각종 용제를 사용할 수 있다. 또 막두께의 균일성을 향상시키기 위해서 이들에 계면활성제를 첨가해도 된다.
상기 접착제이면, 예를 들어, 상기 예비 건조의 온도를 200 ℃ 이하 (40 ∼ 200 ℃), 건조 공정의 온도를 300 ℃ 이하 (40 ∼ 300 ℃) 로 할 수 있다.
〔기판 처리 공정〕
상기 기판 처리 공정이란, 서포트 플레이트에 고정된 기판에 대해 각종 처리를 실시하는 공정이다.
예를 들어, BG (백그라인딩) 처리 등의 박판화 처리, 가열 처리 공정, 리소그래피 공정 등의 기판에 실시하는 종래 공지된 처리를 들 수 있다.
〔기판 박리 공정〕
기판 박리 공정이란, 박리액에 의해 접착제를 용해시킴으로써, 처리를 실시한 상기 기판을 서포트 플레이트로부터 박리하는 공정이다.
상기 박리액으로서는, 일본국 공개특허공보 「공개특허공보 2005－191550호」 에 거론되는 종래 공지된 용제를 사용할 수 있다.
여기서, 본 실시 형태에 관련된 기판의 처리 방법에서는, 상기 서술한, 본 실시 형태에 관련된 서포트 플레이트를 이용하고 있기 때문에, 상기 기판 박리 공정을 지연시키지 않고 안정적으로 실시할 수 있다.
상기 서술한 바와 같이, 본 발명에 관련된 기판 처리 방법에서는, 상기 처리는, 서포트 플레이트에 의해 지지된 상기 기판을 가열 처리하는 것이 바람직하다.
상기 방법에 의하면, 기판의 서포트 플레이트측에 대한 가라앉음을 억제하여, 기판을 가열 처리할 수 있다.
실시예
이하, 실시예에 기초하여 본 발명을 보다 상세하게 설명하지만, 본 발명은 이하의 실시예에 한정되는 것은 아니다.
〔실시예 1〕
일본국 공개특허공보 「공개특허공보 2008－258418호」 에 기재된 방법에 의해, 유리로 이루어지는 판상물에 구멍을 뚫는 가공을 실시하여, 천공 판상물 (관통공의 내경 300 ㎛, 피치 500 ㎛) 을 제작하였다.
이어서, 상기 천공 판상물에, 드라이 필름 포토레지스트 (상품명 ：「TMMF (등록상표)－2010」, 도쿄 오카 공업사 제조) 를, 래미네이트 장치 (다이세이 라미네이터사 제조) 에 의해, 70 ℃, 속도 0.5 m/min, 압력 2.0 kg/㎠ 의 조건하에서 래미네이트를 실시하여, 10 ㎛ 의 포토레지스트층을 형성하였다.
그리고, 포토레지스트층을 형성한 상기 판상물에 대해, 평행광 노광기로 200 mJ/㎠ (350 ㎚) 의 광을 노광하고, 핫 플레이트로 90 ℃, 10 분 프리베이크 처리하였다. 계속해서, PGMEA (프로필렌글리콜모노메틸에테르아세테이트) 로 10 분간 현상을 실시하고, 200 ℃, 60 분간 베이크 처리함으로써, 도 1 에 나타내는 바와 같은, 판상부의 외주를 따라 연속적으로 돌기된, 높이 (h) 10 ㎛ 및 폭 (w) 1000 ㎛ 인 스페이서를 갖는 서포트 플레이트를 제작하였다.
이어서, 기판에 접착제 (상품명 ：「TZNR (등록상표)－A0006 PM」, 도쿄 오카 공업사 제조) 를 도포한 후, 당해 접착제를 110 ℃, 150 ℃, 200 ℃ 각 3 분의 조건으로 예비 건조시켜, 두께 30 ㎛ 의 접착제층을 형성하였다. 이어서, 제작한 상기 서포트 플레이트를 상기 접착제층에 가압하여 일체화시켰다. 그리고, (1) 처리전, (2) 150 ℃ 에서 1 h 처리 후, (3) 200 ℃ 에서 1 h 처리 후에 대해, 각각 서포트 플레이트와 기판의 거리 및 그 변화율을 구하였다. 결과를 표 1 에 나타낸다.
〔실시예 2〕
상기 포토레지스트가 적층되는 두께를 10 ㎛ 에서 30 ㎛ 로 변경한 것 이외는 실시예 1 과 동일한 조작을 실시하여, 도 1 에 나타내는 바와 같은, 높이 (h) 30 ㎛ 및 폭 (w) 1000 ㎛ 의 스페이서를 갖는 서포트 플레이트를 제작하였다.
그 후, 실시예 1 과 마찬가지로, 서포트 플레이트와 기판의 거리 및 그 변화율을 구하였다. 결과를 표 1 에 나타낸다.
〔비교예 1〕
스페이서를 형성하지 않는 것 이외는, 실시예 1 과 동일한 조작을 실시하여, 스페이서를 갖지 않는 서포트 플레이트를 제작하였다.
그 후, 실시예 1 과 마찬가지로, 서포트 플레이트와 기판의 거리 및 그 변화율을 구하였다. 결과를 표 1 에 나타낸다.

 스페이서 높이 (㎛)
 서포트 플레이트와
기판의 거리 (㎛)
 서포트 플레이트와
기판의 거리의 변화율 (%)
처리전 150 ℃ 1 h 처리 후 200 ℃ 1 h 처리 후 처리전 150 ℃ 1 h 처리 후 200 ℃ 1 h 처리 후
실시예1 10 20.5 20.5 20.5 100.0 100.0 100.0
실시예2 30 37.3 32.8 28.8 100.0 87.9 77.2
비교예1 0 15.3 9.0 5.2 100.0 58.8 34.0
표 1 에 나타내는 바와 같이, 실시예 1, 2 의 서포트 플레이트에서는, 스페이서를 갖지 않는 비교예 1 에 기재된 서포트 플레이트와 비교하여 가라앉음이 적었다. 특히, 실시예 1 의 서포트 플레이트에서는, 가라앉음은 전혀 발생하지 않았다. 이로써, 실시예 1, 2 의 서포트 플레이트에서는, 처리 후의 웨이퍼를 서포트 플레이트로부터 박리하는 공정을 지연시키지 않는다고 생각된다.
본 발명은 상기 서술한 각 실시형태에 한정되는 것이 아니고, 청구항에 나타낸 범위에서 다양한 변경이 가능하고, 상이한 실시형태에 각각 개시된 기술적 수단을 적절히 조합하여 얻어지는 실시형태에 대해서도 본 발명의 기술적 범위에 포함된다.
산업상의 이용 가능성
본 발명의 서포트 플레이트는, 처리 후의 웨이퍼를 서포트 플레이트로부터 박리하는 공정을 지연시키지 않고 안정적으로 실시할 수 있다. 이로써, 예를 들어, 서포트 플레이트를 사용한, 반도체 웨이퍼의 각종 처리에 바람직하게 사용할 수 있다.
2 스페이서
5 돌기부
10 서포트 플레이트
12 기둥 형상체
20 서포트 플레이트
22 판상물
30 서포트 플레이트

Claims (8)

  1. 접착제를 개재하여 기판을 지지하는 서포트 플레이트로서,
    접착제와 접하는 면을 갖는 판상부와,
    접착제와 접하는 상기 면 상에 형성된 스페이서를 포함하고,
    상기 스페이서로서, 상기 판상부의 외주를 따라 연속적으로 돌기된 돌기부를 포함하는 것을 특징으로 하는 서포트 플레이트.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 스페이서로서, 추가로 복수의 기둥 형상체를 포함하는 것을 특징으로 하는 서포트 플레이트.
  3. 제 1 항에 있어서,
    상기 스페이서로서, 추가로 격자 형상으로 형성된 복수의 판상물을 포함하는 것을 특징으로 하는 서포트 플레이트.
  4. 제 1 항 내지 제 3 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 판상부는 유리로 이루어지는 것을 특징으로 하는 서포트 플레이트.
  5. 제 1 항 내지 제 3 항 중 어느 한 항에 기재된 서포트 플레이트를 이용하여 기판을 지지한 후, 당해 기판을 처리하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 방법.
  6. 제 5 항에 있어서,
    상기 처리에서는, 서포트 플레이트에 의해 지지된 상기 기판을 가열 처리하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 방법.
  7. 제 1 항 내지 제 3 항 중 어느 한 항에 기재된 서포트 플레이트의 제조 방법으로서,
    판상부 상에 포토레지스트 재료를 적층시켜 패터닝함으로써, 스페이서를 형성하는 것을 특징으로 하는 서포트 플레이트의 제조 방법.
  8. 삭제
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