JP6052260B2 - パターン形成方法およびパターン形成用基材 - Google Patents
パターン形成方法およびパターン形成用基材 Download PDFInfo
- Publication number
- JP6052260B2 JP6052260B2 JP2014201652A JP2014201652A JP6052260B2 JP 6052260 B2 JP6052260 B2 JP 6052260B2 JP 2014201652 A JP2014201652 A JP 2014201652A JP 2014201652 A JP2014201652 A JP 2014201652A JP 6052260 B2 JP6052260 B2 JP 6052260B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- film
- processed
- release layer
- substrate
- layer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 155
- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims description 134
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims description 285
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 133
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims description 123
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims description 123
- 230000008569 process Effects 0.000 claims description 64
- 229920001296 polysiloxane Polymers 0.000 claims description 32
- 239000004820 Pressure-sensitive adhesive Substances 0.000 claims description 22
- -1 polysiloxane Polymers 0.000 claims description 21
- 229920002379 silicone rubber Polymers 0.000 claims description 15
- 239000004945 silicone rubber Substances 0.000 claims description 15
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 47
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 47
- 239000011342 resin composition Substances 0.000 description 36
- 230000007261 regionalization Effects 0.000 description 22
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 21
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 21
- 238000003825 pressing Methods 0.000 description 21
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 15
- 230000005865 ionizing radiation Effects 0.000 description 14
- 239000012790 adhesive layer Substances 0.000 description 13
- 229920002545 silicone oil Polymers 0.000 description 11
- 238000007639 printing Methods 0.000 description 9
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 8
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 8
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 8
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 8
- 229920005992 thermoplastic resin Polymers 0.000 description 8
- 239000012530 fluid Substances 0.000 description 7
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 7
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 6
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 6
- 239000004205 dimethyl polysiloxane Substances 0.000 description 6
- 229920000435 poly(dimethylsiloxane) Polymers 0.000 description 6
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 5
- 239000000178 monomer Substances 0.000 description 5
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 5
- 238000005096 rolling process Methods 0.000 description 5
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 5
- 229920001187 thermosetting polymer Polymers 0.000 description 5
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 4
- 238000007607 die coating method Methods 0.000 description 4
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 4
- 238000005240 physical vapour deposition Methods 0.000 description 4
- 229920006289 polycarbonate film Polymers 0.000 description 4
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 3
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 3
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 description 3
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 3
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 3
- 238000007645 offset printing Methods 0.000 description 3
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 3
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 3
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 3
- 229910000881 Cu alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 2
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 229920001577 copolymer Polymers 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 2
- 238000007429 general method Methods 0.000 description 2
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 2
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 2
- SWELZOZIOHGSPA-UHFFFAOYSA-N palladium silver Chemical compound [Pd].[Ag] SWELZOZIOHGSPA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 2
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 2
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 2
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 description 2
- 238000007493 shaping process Methods 0.000 description 2
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 2
- 239000002344 surface layer Substances 0.000 description 2
- 238000004381 surface treatment Methods 0.000 description 2
- KWEKXPWNFQBJAY-UHFFFAOYSA-N (dimethyl-$l^{3}-silanyl)oxy-dimethylsilicon Chemical compound C[Si](C)O[Si](C)C KWEKXPWNFQBJAY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CDNNKGWZSNSADW-UHFFFAOYSA-N 2,2,4,4,6,6,8,8,10,10,12,12,14,14,16,16,18,18,20,20-icosamethyl-1,3,5,7,9,11,13,15,17,19-decaoxa-2,4,6,8,10,12,14,16,18,20-decasilacycloicosane Chemical compound C[Si]1(C)O[Si](C)(C)O[Si](C)(C)O[Si](C)(C)O[Si](C)(C)O[Si](C)(C)O[Si](C)(C)O[Si](C)(C)O[Si](C)(C)O[Si](C)(C)O1 CDNNKGWZSNSADW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ISXOGOLHEGHGQF-UHFFFAOYSA-N 2,2,4,4,6,6,8,8,10,10,12,12,14,14,16,16,18,18-octadecamethyl-1,3,5,7,9,11,13,15,17-nonaoxa-2,4,6,8,10,12,14,16,18-nonasilacyclooctadecane Chemical compound C[Si]1(C)O[Si](C)(C)O[Si](C)(C)O[Si](C)(C)O[Si](C)(C)O[Si](C)(C)O[Si](C)(C)O[Si](C)(C)O[Si](C)(C)O1 ISXOGOLHEGHGQF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 description 1
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 description 1
- 238000000018 DNA microarray Methods 0.000 description 1
- XMSXQFUHVRWGNA-UHFFFAOYSA-N Decamethylcyclopentasiloxane Chemical compound C[Si]1(C)O[Si](C)(C)O[Si](C)(C)O[Si](C)(C)O[Si](C)(C)O1 XMSXQFUHVRWGNA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- IUMSDRXLFWAGNT-UHFFFAOYSA-N Dodecamethylcyclohexasiloxane Chemical compound C[Si]1(C)O[Si](C)(C)O[Si](C)(C)O[Si](C)(C)O[Si](C)(C)O[Si](C)(C)O1 IUMSDRXLFWAGNT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N Fluorine atom Chemical compound [F] YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920000877 Melamine resin Polymers 0.000 description 1
- 239000004640 Melamine resin Substances 0.000 description 1
- 239000004372 Polyvinyl alcohol Substances 0.000 description 1
- 229920001807 Urea-formaldehyde Polymers 0.000 description 1
- 229920002433 Vinyl chloride-vinyl acetate copolymer Polymers 0.000 description 1
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 1
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- 238000007611 bar coating method Methods 0.000 description 1
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 1
- 239000012620 biological material Substances 0.000 description 1
- 239000006227 byproduct Substances 0.000 description 1
- 238000004040 coloring Methods 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 238000004132 cross linking Methods 0.000 description 1
- 125000004122 cyclic group Chemical group 0.000 description 1
- 238000000354 decomposition reaction Methods 0.000 description 1
- 230000032798 delamination Effects 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 230000018109 developmental process Effects 0.000 description 1
- 125000000118 dimethyl group Chemical group [H]C([H])([H])* 0.000 description 1
- XUKFPAQLGOOCNJ-UHFFFAOYSA-N dimethyl(trimethylsilyloxy)silicon Chemical compound C[Si](C)O[Si](C)(C)C XUKFPAQLGOOCNJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 description 1
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000001153 fluoro group Chemical group F* 0.000 description 1
- 230000006870 function Effects 0.000 description 1
- XKJMJYZFAWYREL-UHFFFAOYSA-N hexadecamethylcyclooctasiloxane Chemical compound C[Si]1(C)O[Si](C)(C)O[Si](C)(C)O[Si](C)(C)O[Si](C)(C)O[Si](C)(C)O[Si](C)(C)O[Si](C)(C)O1 XKJMJYZFAWYREL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HTDJPCNNEPUOOQ-UHFFFAOYSA-N hexamethylcyclotrisiloxane Chemical compound C[Si]1(C)O[Si](C)(C)O[Si](C)(C)O1 HTDJPCNNEPUOOQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UQEAIHBTYFGYIE-UHFFFAOYSA-N hexamethyldisiloxane Chemical compound C[Si](C)(C)O[Si](C)(C)C UQEAIHBTYFGYIE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 1
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000007641 inkjet printing Methods 0.000 description 1
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 1
- 238000007733 ion plating Methods 0.000 description 1
- 150000002736 metal compounds Chemical class 0.000 description 1
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 239000006082 mold release agent Substances 0.000 description 1
- HMMGMWAXVFQUOA-UHFFFAOYSA-N octamethylcyclotetrasiloxane Chemical compound C[Si]1(C)O[Si](C)(C)O[Si](C)(C)O[Si](C)(C)O1 HMMGMWAXVFQUOA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CXQXSVUQTKDNFP-UHFFFAOYSA-N octamethyltrisiloxane Chemical compound C[Si](C)(C)O[Si](C)(C)O[Si](C)(C)C CXQXSVUQTKDNFP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 1
- 230000035699 permeability Effects 0.000 description 1
- 239000005011 phenolic resin Substances 0.000 description 1
- 229920003229 poly(methyl methacrylate) Polymers 0.000 description 1
- 229920003216 poly(methylphenylsiloxane) Polymers 0.000 description 1
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 1
- 229920001225 polyester resin Polymers 0.000 description 1
- 239000004645 polyester resin Substances 0.000 description 1
- 238000006116 polymerization reaction Methods 0.000 description 1
- 239000004926 polymethyl methacrylate Substances 0.000 description 1
- 229920005672 polyolefin resin Polymers 0.000 description 1
- 229920002451 polyvinyl alcohol Polymers 0.000 description 1
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 1
- 238000002203 pretreatment Methods 0.000 description 1
- 239000000047 product Substances 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- GSANOGQCVHBHIF-UHFFFAOYSA-N tetradecamethylcycloheptasiloxane Chemical compound C[Si]1(C)O[Si](C)(C)O[Si](C)(C)O[Si](C)(C)O[Si](C)(C)O[Si](C)(C)O[Si](C)(C)O1 GSANOGQCVHBHIF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920006337 unsaturated polyester resin Polymers 0.000 description 1
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 description 1
- 238000007738 vacuum evaporation Methods 0.000 description 1
Images
Landscapes
- Manufacturing Of Electric Cables (AREA)
- Manufacturing Of Printed Circuit Boards (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Description
本発明のパターン形成方法は、基材上に離型材料を含有する離型層をパターン状に形成する離型層形成工程と、上記基材および上記離型層上に被加工膜を形成する被加工膜形成工程と、上記離型層上の上記被加工膜を除去する被加工膜除去工程とを有し、上記基材上に上記被加工膜をパターン状に形成することを特徴とする方法である。
図1(a)〜(g)は、本発明のパターン形成方法の一例を示す工程図である。まず、図1(a)に示すように、基材1と、基体11上に、少なくとも表面に離型材料を有する凸部12がパターン状に形成された凸版10とを準備し、図1(b)に示すように、基材1表面に凸版10の凸部12を押し当てる。これにより、凸部12表面の離型材料が基材1表面に移行し、図1(c)に示すように、基材1上に離型材料から構成される離型層2が形成される。次いで、図1(d)に示すように、基材1の全面に離型層2を覆うように被加工膜3を形成する。次に、図1(e)に示すように、第1基材21上に粘着層22が形成された粘着積層体20を準備し、図1(f)に示すように、粘着積層体20の粘着層22を被加工膜3に密着させる。その後、図1(g)に示すように、粘着積層体20を剥離する。この際、被加工膜3および離型層2の密着力は、被加工膜3および基材1の密着力よりも弱いため、離型層2上の被加工膜3が離型層2から引き離されて、粘着層22側に転移する。これにより、離型層2上の被加工膜3が除去され、基材1上に被加工膜3がパターン状に形成される。
また、離型層を微細なパターン状に形成することにより、被加工膜の高精細なパターニングが可能になる。
また、従来の反転オフセット印刷法やインクジェット法では連続印刷が困難であったが、本発明においては連続的なパターン形成が可能である。さらには、ロールツーロール方式により連続的なパターン形成も可能であり、さらなる生産性の向上を図ることができる。
本発明における離型層形成工程は、基材上に離型材料を含有する離型層をパターン状に形成する工程である。
例えば、図1(a)〜(c)に示すように、基体11上に、少なくとも表面に離型材料を有する凸部12がパターン状に形成された凸版10を用いて離型層2を形成する場合には、離型材料は、基材表面に凸版の凸部を押し当てた際に、凸部から基材表面に移行し得るものであることが好ましく、凸部の材料に応じて異なる。例えば、凸部がシリコーンゴムを含有する場合、離型材料としては、シリコーンゴムを含有する凸部から基材表面に移行し得るものであればよく、例えばシリコーンゴム製造時の未反応成分、未架橋成分および副生成物、シリコーンゴムの劣化による分解生成物、ならびに添加剤等が挙げられる。
これらの成分としては、例えばシリコーンを挙げることができ、具体的にはシリコーンオイルが挙げられる。より具体的には、シリコーンは低分子量ポリシロキサンであることが好ましい。低分子量ポリシロキサンは、重合度が10以下であるものである。低分子量ポリシロキサンの分子量は、例えば100〜10000の範囲内である。一般にシリコーンゴムは上述したような成分としてシリコーンオイル、特に低分子量ポリシロキサンを含んでいる。そのため、基材表面に凸版の凸部を押し当てることで、凸部に含まれるシリコーンオイル、特に低分子量ポリシロキサンを基材表面に移行させることができ、基材上にシリコーンオイル、中でも低分子量ポリシロキサンを含有する離型層をパターン状に形成することができる。
基体が凸部とは別体である場合、基体としては、例えばガラス基板、樹脂基板、セラミック基板、金属基板等を用いることができる。
図2(a)に例示する凸版10は、例えば賦形により作製することができる。この場合、凸版の作製が容易であり、また凸版を容易に複製することもできる。
また、図2(b)に例示する凸版10は、例えば基体11上に第1凸部12aがパターン状に形成された凸版を準備し、第1凸部12a上に、少なくとも表面に離型材料を有する第2凸部12bを形成することで得られる。この場合、少なくとも表面に離型材料を有する第2凸部の形成が容易であり、また基体および第1凸部の材料が制約を受けないため、材料の選択肢が広くなる。第2凸部の形成方法としては、例えば第1凸部上に離型材料を塗布する方法や、シート状のシリコーンゴムに第1凸部を押し当てる方法等が挙げられる。
また、図2(c)に例示する凸版10は、例えば表面に離型材料を有する表面層を有するブランケットを準備し、ブランケットの表面層をレーザー等でパターニングすることで得られる。この場合、レーザー等でパターニングを行うため、凸部のパターンを高精細に形成することができる。その結果、離型層のパターンを高精細に形成することができ、高精細な被加工膜のパターニングが可能になる。
離型層形成用塗工液を基材上にパターン状に塗布する場合、塗布方法としては、基材上に離型層形成用塗工液をパターン状に塗布することができる方法であればよく、例えばインクジェット法、スクリーン印刷法等が挙げられる。
また、離型層形成用塗工液を基材上に塗布した後、離型層をパターニングする場合、塗布方法としては、基材の全面に離型層形成用塗工液を塗布することができる方法であればよく、例えばスピンコート法、ダイコート法、バーコート法等、一般的な方法から適宜選択することができる。離型層のパターニング方法としては、例えばレーザーを用いる方法が挙げられる。
例えば、凸版を用いて離型層を形成する場合、離型層の厚みは30nm〜300nmの範囲内であることが好ましい。離型層の厚みが薄いと、十分な離型性が得られない場合がある。また、厚みが厚い離型層は、凸版を用いて離型層を形成する方法では形成が困難である。
また、離型層形成用塗工液を用いて離型層を形成する場合、離型層の厚みは500nm〜1000nmの範囲内であることが好ましい。離型層の厚みが薄いと、十分な離型性が得られない場合がある。また、後述の被加工膜除去工程後も基材上に離型層が残るため、離型層の厚みが厚いと、被加工膜上に別の層を形成するのが困難になる場合がある。また、離型層の厚みが厚いと、液だれ等、隣接する被加工膜に悪影響を及ぼし、高精細なパターンの形成が困難になる場合がある。
中でも、基材は、被加工膜との密着性を高めるために、表面処理が施されたものである、あるいは、表面にアンカーコート層が形成されたものであることが好ましい。表面処理方法としては、例えばUV−オゾン処理、真空紫外光照射、プラズマ照射等が挙げられる。基材および被加工膜の密着性が高い場合には、後述の被加工膜除去工程での基材からの被加工膜の剥がれを抑制することができる。
本発明における被加工膜形成工程は、上記基材および上記離型層上に被加工膜を形成する工程である。
本発明における被加工膜除去工程は、上記離型層上の上記被加工膜を除去する工程である。
本態様の被加工膜除去工程は、第1基材上に粘着層が形成された粘着積層体を用い、上記被加工膜表面に上記粘着積層体の上記粘着層を接触させる接触工程と、上記粘着積層体を剥離する剥離工程とを有する。
以下、本態様の被加工膜除去工程における各工程について説明する。
本態様における接触工程では、第1基材上に粘着層が形成された粘着積層体を用い、上記被加工膜表面に上記粘着積層体の上記粘着層を接触させる。
粘着層の厚みとしては、所望の粘着性が得られれば特に限定されるものではなく、例えば25μm〜100μm程度とすることができる。
本態様における剥離工程では、上記粘着積層体を剥離する。粘着積層体を剥離する際に、離型層上の被加工膜を除去することができ、基材上に被加工膜をパターン状に形成することができる。
なお、図1(g)においては、離型層2が形成されていない領域の被加工膜3は粘着層22側に転移していないが、図示しないが、離型層2が形成されていない領域の被加工膜3の一部も粘着層22側に転移し、層間剥離が生じていてもよい。
本態様の被加工膜除去工程は、第2基材上に流動性を有する樹脂層が形成された樹脂積層体を用い、上記被加工膜表面に上記樹脂積層体の上記樹脂層を接触させる接触工程と、上記被加工膜に接触している上記樹脂層を硬化する硬化工程と、上記樹脂積層体を剥離する剥離工程とを有する。
以下、本態様の被加工膜除去工程における各工程について説明する。
本態様における接触工程では、第2基材上に流動性を有する樹脂層が形成された樹脂積層体を用い、上記被加工膜表面に上記樹脂積層体の上記樹脂層を接触させる。
ここで、「電離放射線硬化性樹脂組成物」とは、電離放射線の照射により硬化するものをいう。「電離放射線」とは、電磁波または荷電粒子線のうち、分子を重合あるいは架橋し得るエネルギー量子を有するものをいい、例えば、紫外線や電子線の他、可視光線、X線、γ線等の電磁波、α線等の荷電粒子線が挙げられる。
本態様における硬化工程では、上記被加工膜に接触している上記樹脂層を硬化する。
本態様における剥離工程では、上記樹脂積層体を剥離する。樹脂積層体を剥離する際に、離型層上の被加工膜を除去することができ、基材上に被加工膜をパターン状に形成することができる。
樹脂積層体を剥離する際には、樹脂層を硬化状態とする。例えば熱可塑性樹脂組成物を用いる場合には、樹脂層の流動性がなくなる程度まで冷却したままにすればよい。
本発明のパターン形成方法の用途としては、例えば、トランジスタやダイオード等の半導体素子における電極、半導体層、絶縁層の形成、タッチパネルセンサにおける電極、配線の形成、太陽電池における背面電極の形成、有機EL素子における背面電極の形成、不揮発性メモリの電極およびポリマー層の形成、圧力センサーの電極およびポリマー層の形成、配線基板における配線の形成、カラーフィルタにおける着色層および遮光部の形成、バイオチップの作製等を挙げることができる。特に、本発明のパターン形成方法は、電子デバイスにおいてパターンの微細化が要求される電極、配線等の形成に好適に用いることができる。
本発明のパターン形成用基材は、基材と、上記基材上にパターン状に形成され、離型材料を含有する離型層とを有することを特徴とするものである。
本発明のパターン形成装置は、基材上に被加工膜をパターン状に形成するものであって、基材上に離型材料を含有する離型層をパターン状に形成する離型層形成手段と、上記基材および上記離型層上に被加工膜を形成する被加工膜形成手段と、上記離型層上の上記被加工膜を除去する被加工膜除去手段とを有することを特徴とするものである。
本発明における離型層形成手段は、基材上に離型材料を含有する離型層をパターン状に形成するものである。
なお、凸版については、上記「A.パターン形成方法」に詳しく記載したので、ここでの説明は省略する。
パターニング手段としては、離型層をパターニングできるものであればよく、例えばレーザー装置が挙げられる。
本発明における被加工膜形成手段は、上記基材および上記離型層上に被加工膜を形成するものである。
本発明における被加工膜除去手段は、上記離型層上の上記被加工膜を除去するものである。
本態様の被加工膜除去手段は、第1基材上に粘着層が形成された粘着積層体と、上記粘着積層体の上記粘着層が上記被加工膜表面に接触するよう、上記粘着積層体を移動させる移動手段とを有する。
以下、本態様の被加工膜除去手段における各構成について説明する。
粘着積層体については、上記「A.パターン形成方法」に詳しく記載したので、ここでの説明は省略する。
移動手段は、上記粘着積層体の上記粘着層が上記被加工膜表面に接触するよう、上記粘着積層体を移動させるものである。
移動手段は、粘着積層体の粘着層を被加工膜表面に圧着させることができるものであればよく、例えば粘着積層体を保持して搬送する圧胴等が挙げられる。
本態様の被加工膜除去手段は、第2基材上に流動性を有する樹脂層が形成された樹脂積層体と、上記樹脂積層体の上記樹脂層が上記被加工膜表面に接触するよう、上記樹脂積層体を移動させる手段と、上記被加工膜に接触している上記樹脂層を硬化する硬化手段とを有する。
以下、本態様の被加工膜除去手段における各構成について説明する。
樹脂層積層体については、上記「A.パターン形成方法」に詳しく記載したので、ここでの説明は省略する。
移動手段は、上記樹脂積層体の上記樹脂層が上記被加工膜表面に接触するよう、上記樹脂積層体を移動させるものである。
移動手段は、樹脂積層体の樹脂層を被加工膜表面に圧着させることができるものであればよく、例えば図6(b)〜(c)に示すように、樹脂積層体30を被加工膜3に沿って搬送する一対の搬送ロール36c、36dと、樹脂積層体30を第2基材31側から被加工膜3に向けて押圧する押圧ロール34とを有するもの等が挙げられる。また、押圧ロールは、一対の搬送ロールの間で回転移動しながら樹脂積層体を被加工膜に向けて押圧するよう構成されていてもよい。これにより、離型層および被加工膜が形成された基材が静止状態にある場合であっても、離型層上の被加工膜を樹脂層側に転移させることができる。
硬化手段は、上記被加工膜に接触している上記樹脂層を硬化するものである。
硬化手段は、樹脂組成物の種類等に応じて異なる。例えば電離放射線硬化性樹脂組成物を用いる場合には紫外線や電子線等の電離放射線を照射する照射手段、熱硬化性樹脂組成物を用いる場合にはヒーター等の加熱手段が用いられる。また、熱可塑性樹脂組成物を用いる場合には冷却手段が用いられる。
まず、ポリジメチルシロキサンを主成分とするブランケットを基材に押し当てて、基材上に離型層を形成する方式にて検証した。
基材にはポリカーボネートフィルムを使用した。ポリカーボネートフィルムとしては、前処理としてウシオ電機社製エキシマ照射ユニットを用いて3分間のVUV処理を実施したものと実施していないものとを用いた。まず、基材に対してブランケットを押し当てることにより、30mm□のベタ状の離型層を形成した。この際、離型層の厚みは、ブランケットの厚みおよび押し当て回数により調整した。次いで、基材および離型層上に、スパッタリング法により銀パラジウム銅合金(APC)を厚みが100nmになるように成膜し、被加工膜を形成した。その後、30mm□の枠内にカッターを用いて幅1mm間隔にて縦5本×横5本の碁盤目を形成した。次に、被加工膜まで形成した上記基材表面を、昭和トレーディング社製のクリーンローラーYC−12Pで2kgの荷重をかけながらなぞり、離型層上に形成された被加工膜を除去した。
(剥がれ率)=(被加工膜が除去された個数)×4
結果を表1に示す。
次に、離型層をダイコート法により形成する方式にて検証した。
基材にはポリカーボネートフィルムを使用した。ポリカーボネートフィルムとしてはVUV処理を施していないものを用いた。まず、基材上に、信越化学工業社製のシリコーンオイルKF96をダイコート法により塗布し、30mm□のベタ状の離型層を形成した。次いで、基材および離型層上に、スパッタリング法により銀パラジウム銅合金(APC)を厚みが100nmになるように成膜し、被加工膜を形成した。次に、実施例1と同様にして、離型層上の被加工膜を除去した。
2 … 離型層
3 … 被加工膜
10 … 凸版
11 … 基体
12 … 凸部
20 … 粘着積層体
21 … 第1基材
22 … 粘着層
30 … 樹脂積層体
31 … 第2基材
32 … 樹脂層
40 … パターン形成用基材
Claims (7)
- 基材上に離型材料を含有する離型層をパターン状に形成する離型層形成工程と、
前記基材および前記離型層上に被加工膜を形成する被加工膜形成工程と、
前記離型層上の前記被加工膜を除去する被加工膜除去工程と
を有し、前記基材上に前記被加工膜をパターン状に形成することを特徴とするパターン形成方法。 - 前記離型層形成工程では、基体上に、少なくとも表面に前記離型材料を有する凸部がパターン状に形成された凸版を用い、前記基材表面に前記凸版の前記凸部を押し当てることを特徴とする請求項1に記載のパターン形成方法。
- 前記凸部がシリコーンゴムを含有することを特徴とする請求項2に記載のパターン形成方法。
- 前記離型材料がシリコーンであることを特徴とする請求項1から請求項3までのいずれかに記載のパターン形成方法。
- 前記シリコーンが低分子量ポリシロキサンであることを特徴とする請求項4に記載のパターン形成方法。
- 前記被加工膜除去工程は、第1基材上に粘着層が形成された粘着積層体を用い、前記被加工膜表面に前記粘着積層体の前記粘着層を接触させる接触工程と、前記粘着積層体を剥離する剥離工程とを有することを特徴とする請求項1から請求項5までのいずれかに記載のパターン形成方法。
- 前記被加工膜除去工程は、第2基材上に流動性を有する樹脂層が形成された樹脂積層体を用い、前記被加工膜表面に前記樹脂積層体の前記樹脂層を接触させる接触工程と、前記被加工膜に接触している前記樹脂層を硬化する硬化工程と、前記樹脂積層体を剥離する剥離工程とを有することを特徴とする請求項1から請求項5までのいずれかに記載のパターン形成方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2014201652A JP6052260B2 (ja) | 2014-09-30 | 2014-09-30 | パターン形成方法およびパターン形成用基材 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2014201652A JP6052260B2 (ja) | 2014-09-30 | 2014-09-30 | パターン形成方法およびパターン形成用基材 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2016072132A JP2016072132A (ja) | 2016-05-09 |
JP6052260B2 true JP6052260B2 (ja) | 2016-12-27 |
Family
ID=55867101
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2014201652A Expired - Fee Related JP6052260B2 (ja) | 2014-09-30 | 2014-09-30 | パターン形成方法およびパターン形成用基材 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP6052260B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN109154784B (zh) * | 2016-05-19 | 2021-06-11 | 株式会社尼康 | 基板支承装置、曝光装置、及图案化装置 |
Family Cites Families (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2003124050A (ja) * | 2001-10-11 | 2003-04-25 | Toyo Metallizing Co Ltd | 電子部品用金属膜転写フィルム |
-
2014
- 2014-09-30 JP JP2014201652A patent/JP6052260B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2016072132A (ja) | 2016-05-09 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US10632726B2 (en) | Selective continuous transferring apparatus based on adhesion-controlled film | |
EP2904636B1 (en) | Method and system for providing a releasable substrate on a carrier | |
TWI278694B (en) | Method for supporting a flexible substrate and method for manufacturing a flexible display | |
JP5341966B2 (ja) | パターン転写方法及びパターン転写装置、これを適用したフレキシブルディスプレイパネル、フレキシブル太陽電池、電子本、薄膜トランジスター、電磁波遮蔽シート、フレキシブル印刷回路基板 | |
KR101444604B1 (ko) | 클리쉐 및 이를 포함하는 인쇄 장치 | |
US20110244116A1 (en) | Selective nanoparticle assembly systems and methods | |
US20110209749A1 (en) | Pattern transfer method and apparatus, flexible display panel, flexible solar cell, electronic book, thin film transistor, electromagnetic-shielding sheet, and flexible printed circuit board applying thereof | |
JP2013502330A5 (ja) | ||
JP2010511998A (ja) | ペーストパターン形成方法およびそれに用いる転写フィルム | |
US20150243829A1 (en) | Tools and methods for producing nanoantenna electronic devices | |
TW201220974A (en) | Stencils for high-throughput micron-scale etching of substrates and processes of making and using the same | |
CN102625590A (zh) | 一种电路板阻焊加工方法 | |
JP6052260B2 (ja) | パターン形成方法およびパターン形成用基材 | |
Liang et al. | Femtosecond Laser Patterning Wettability‐Assisted PDMS for Fabrication of Flexible Silver Nanowires Electrodes | |
US8877298B2 (en) | Printing using a structure coated with ultraviolet radiation responsive material | |
TW201544447A (zh) | 用於凸印一奈米結構之方法及裝置 | |
TW202024784A (zh) | 用於製造壓印微影的印模的方法、用於壓印微影的印模、用於卷對卷基板處理設備的壓印輥子、及卷對卷基板處理設備 | |
JP2007201056A (ja) | 薄膜トランジスタ及びその製造方法 | |
JP6146647B2 (ja) | 印刷方法、前記印刷方法を用いて、複数の導電性配線が形成された導電性基材を製造する方法、および印刷装置 | |
JP6384102B2 (ja) | 機能性素子の製造方法および印刷装置 | |
JP2008207374A (ja) | 樹脂モールドおよび樹脂モールドを利用した印刷版の製造方法 | |
JP5516196B2 (ja) | 薄膜トランジスタの製造方法 | |
KR20170040070A (ko) | 금속 스탬프 제조 방법 | |
US20240053677A1 (en) | Apparatus and Method for Structured Replication and Transfer | |
KR20160012809A (ko) | 임프린트 공정을 이용하여 패턴형성영역에 정렬된 패턴을 형성하는 방법 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20160615 |
|
A871 | Explanation of circumstances concerning accelerated examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A871 Effective date: 20160615 |
|
A975 | Report on accelerated examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971005 Effective date: 20160711 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20160719 |
|
A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20160915 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20161011 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20161101 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20161114 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 6052260 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |