JP2007051326A - 電子ビーム蒸着装置、当該装置を用いて行う基板の表面への蒸着被膜の形成方法、ピアス式電子銃、および、ピアス式電子銃のビーム状態のモニタ方法 - Google Patents
電子ビーム蒸着装置、当該装置を用いて行う基板の表面への蒸着被膜の形成方法、ピアス式電子銃、および、ピアス式電子銃のビーム状態のモニタ方法 Download PDFInfo
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- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 title claims abstract description 60
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 title claims abstract description 34
- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims abstract description 20
- 238000012544 monitoring process Methods 0.000 title claims abstract description 19
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 17
- 238000000151 deposition Methods 0.000 title abstract description 21
- 230000008021 deposition Effects 0.000 claims description 24
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 17
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 claims description 6
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 abstract description 6
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 28
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 10
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 9
- 238000005566 electron beam evaporation Methods 0.000 description 6
- 238000000313 electron-beam-induced deposition Methods 0.000 description 4
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 3
- 238000012423 maintenance Methods 0.000 description 3
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 2
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 238000000609 electron-beam lithography Methods 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 230000005596 ionic collisions Effects 0.000 description 1
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 1
- 238000011144 upstream manufacturing Methods 0.000 description 1
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- Electron Sources, Ion Sources (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
【解決手段】 本発明の電子ビーム蒸着装置は、電子ビームに起因乃至由来する電子を捕捉するためのセンサがビームパスの近傍に設置され、センサによって捕捉された電子に基づく電流および/または電圧を検出することで、ビーム状態をモニタするようにしたピアス式電子銃を備えてなることを特徴とする。
【選択図】 図1
Description
また、請求項2記載の蒸着装置は、請求項1記載の蒸着装置において、ピアス式電子銃を、センサによるビーム状態のモニタ結果を集束コイルに供給される電流にフィードバックすることで、ビームの直径を制御することができるようにし、これにより蒸着レートを制御できるようにしたことを特徴とする。
また、本発明の基板の表面への蒸着被膜の形成方法は、請求項3記載の通り、請求項1または2記載の電子ビーム蒸着装置を用いて行うことを特徴とする。
また、本発明のピアス式電子銃は、請求項4記載の通り、電子ビームに起因乃至由来する電子を捕捉するためのセンサをビームパスの近傍に備えており、センサによって捕捉された電子に基づく電流および/または電圧を検出することで、ビーム状態をモニタするようにしたことを特徴とする。
また、本発明のピアス式電子銃のビーム状態のモニタ方法は、請求項5記載の通り、ピアス式電子銃のビームパスの近傍に、電子ビームに起因乃至由来する電子を捕捉するためのセンサを設置し、センサによって捕捉された電子に基づく電流および/または電圧を検出することで、ビーム状態をモニタすることを特徴とする。
2 カソード
3 ウェネルト
4 アノード
5 イオンコレクタ
6 電圧検出手段
6’センサ
7 フローレジスタ
8 集束コイル
9 揺動コイル
X 電子ビーム
Y 逆流イオン
A 貫通孔
B 捕集孔
11 蒸着室
12 ピアス式電子銃
13 電子ビーム
14 ハース
15 蒸発流
20 基板
Claims (5)
- 蒸着室に、蒸着材料を充填するためのハースと、ハースに充填した蒸着材料に電子ビームを照射するためのピアス式電子銃を備え、蒸着材料に電子ビームを照射することで蒸着材料を蒸発させてハース上方の基板の表面に蒸着被膜を形成するための電子ビーム蒸着装置であって、ピアス式電子銃が、電子ビームに起因乃至由来する電子を捕捉するためのセンサをビームパスの近傍に備えており、センサによって捕捉された電子に基づく電流および/または電圧を検出することで、ビーム状態をモニタするようにしたことを特徴とする蒸着装置。
- ピアス式電子銃を、センサによるビーム状態のモニタ結果を集束コイルに供給される電流にフィードバックすることで、ビームの直径を制御することができるようにし、これにより蒸着レートを制御できるようにしたことを特徴とする請求項1記載の蒸着装置。
- 請求項1または2記載の電子ビーム蒸着装置を用いて行うことを特徴とする基板の表面への蒸着被膜の形成方法。
- 電子ビームに起因乃至由来する電子を捕捉するためのセンサをビームパスの近傍に備えており、センサによって捕捉された電子に基づく電流および/または電圧を検出することで、ビーム状態をモニタするようにしたことを特徴とするピアス式電子銃。
- ピアス式電子銃のビームパスの近傍に、電子ビームに起因乃至由来する電子を捕捉するためのセンサを設置し、センサによって捕捉された電子に基づく電流および/または電圧を検出することで、ビーム状態をモニタすることを特徴とするピアス式電子銃のビーム状態のモニタ方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2005237009A JP4972299B2 (ja) | 2005-08-17 | 2005-08-17 | 電子ビーム蒸着装置、および、当該装置を用いて行う基板の表面への蒸着被膜の形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2007051326A true JP2007051326A (ja) | 2007-03-01 |
JP4972299B2 JP4972299B2 (ja) | 2012-07-11 |
Family
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Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2005237009A Active JP4972299B2 (ja) | 2005-08-17 | 2005-08-17 | 電子ビーム蒸着装置、および、当該装置を用いて行う基板の表面への蒸着被膜の形成方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
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JP (1) | JP4972299B2 (ja) |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
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A621 | Written request for application examination |
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FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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