JP2007046150A - 電子部品用リード線及び該リード線よりなるフラットケーブル - Google Patents
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Abstract
【課題】 Sn主体のメッキを有しつつも、有毒な鉛を全く含有せず、低コストでウィスカの発生がより確実に防止できる電子部品用リード線及び該リード線よりなるフラットケーブルを提供せんとする。
【解決手段】 導電基体1と、その表面を被覆するSnとBi、Cu、Ag又はZnとのSn合金メッキ層2と、その上層に形成されたZnメッキ、Agメッキ、SnZn合金メッキ、SnAg合金メッキ又はSnBi合金メッキの上層メッキ3とで構成した。Bi、Cu、Ag又はZnの濃度は0.1〜15重量%に設定され、Sn合金メッキ層2と上層メッキ3の合計厚みは0.5〜20μmに設計されている。
【選択図】 図1
【解決手段】 導電基体1と、その表面を被覆するSnとBi、Cu、Ag又はZnとのSn合金メッキ層2と、その上層に形成されたZnメッキ、Agメッキ、SnZn合金メッキ、SnAg合金メッキ又はSnBi合金メッキの上層メッキ3とで構成した。Bi、Cu、Ag又はZnの濃度は0.1〜15重量%に設定され、Sn合金メッキ層2と上層メッキ3の合計厚みは0.5〜20μmに設計されている。
【選択図】 図1
Description
本発明は、電子部品用リード線とそれを使用したフラットケーブルに関し、さらに詳しくは、有毒な鉛を使用せず、短絡原因の防止効果がある電子部品用リード線とフラットケーブルに関する。
Sn(スズ)メッキは、ハンダ付け性を向上させるための皮膜、或いはエッチングレジスト用の皮膜として、弱電工業用部品や電子工業部品などに広く使用されている。
Snメッキはウィスカの発生が知られており、例えばフラットケーブルの間隔が極めて狭いフレキシブルフラットケーブルでは、このウィスカが短絡の原因となるケースがある。
Snメッキはウィスカの発生が知られており、例えばフラットケーブルの間隔が極めて狭いフレキシブルフラットケーブルでは、このウィスカが短絡の原因となるケースがある。
この短絡防止の策としては、アニール処理などの熱処理をしたり、Snメッキ皮膜を、金メッキやSnPb合金メッキなどの他のメッキ皮膜で代替する方法などが知られている。
しかしながら、このような従来の熱処理だけでは、ウィスカの発生を十分に防止できない。また、金メッキは、ウィスカは発生しないもののコストアップとなり、SnPb合金メッキは、鉛を使用している為に環境保全の見地から好ましくない。そこで、近年SnBi(ビスマス)合金メッキが注目されているが(例えば、特許文献1参照。)、ウィスカの発生防止の点では十分でない。
そこで、本発明が前述の状況に鑑み、解決しようとするところは、Sn主体のメッキを有しつつも、有毒な鉛を全く含有せず、低コストでウィスカの発生がより確実に防止できる電子部品用リード線及び該リード線よりなるフラットケーブルを提供することを目的としている。
本発明は、前述の課題解決のために、導電基体上に、Bi、Cu(銅)、Ag(銀)、Zn(亜鉛)のうち少なくとも1種を0.1〜15重量%含有するSn合金メッキを形成し、その上層に、Znメッキ、Agメッキ、SnZn合金メッキ、SnAg合金メッキ又はSnBi合金メッキを形成してなる電子部品用リード線を構成した。ここで、さらにリフロー処理等の熱処理し、スズが拡散された合金層が形成されるものが好ましい。
また、前記Sn合金メッキと、その上層のZnメッキ、Agメッキ、SnZn合金メッキ、SnAg合金メッキ又はSnBi合金メッキとの合計の厚みが、0.5〜20μmであることが好ましい。
また、本発明は、これら電子部品用リード線を用いて製作したフラットケーブルをも構成した。ここで、フラットケーブルに圧延された後における、前記Sn合金メッキと、その上層のZnメッキ、Agメッキ、SnZn合金メッキ、SnAg合金メッキ又はSnBi合金メッキとの合計の厚みが、0.1〜3μmとなるものが好ましく、さらにアニール処理などの熱処理をしたものが好ましい。
本発明のリード線又はそれを用いたフラットケーブルは、導電基体上に、Bi、Cu、Ag、Znのうち少なくとも1種を0.1〜15重量%含有するSn合金メッキを形成したので、Pbフリーとなり環境にやさしく、ウィスカ抑制効果が得られるとともに、その上層にZnメッキ、Agメッキ、SnZn合金メッキ、SnAg合金メッキ又はSnBi合金メッキを形成したので、より確実にウィスカ発生を防止できる。
また、リフロー処理やアニール処理等の熱処理を施し、上層のZnメッキ、Agメッキ、SnZn合金メッキ、SnAg合金メッキ又はSnBi合金メッキにもスズを拡散させて合金層を形成したので、電気的特性を維持できる。
また、リード線におけるSn合金メッキとその上層のZnメッキ又はAgメッキとの合計の厚みを0.5〜20μmとし、また、フラットケーブルに圧延された後における、前記Sn合金メッキと、その上層のZnメッキ、Agメッキ、SnZn合金メッキ、SnAg合金メッキ又はSnBi合金メッキとの合計の厚みが、0.1〜3μmとしたので、同じく電気的特性を維持しつつウィスカの発生を確実に防止できる。
次に、本発明の実施形態について、図面を用いて詳細に説明する。
図1はリード線、図2はフラットケーブルの断面構造を示し、図1(a)は、第1実施形態のリード線、図1(b)は第2実施形態のリード線、図2(a)は第3実施形態のフラットケーブル、図2(b)は第4実施形態のフラットケーブルを示している。図中符号1は導電基体、2はSn合金メッキ層、3は上層メッキ、4は合金層を示している。
第1実施形態のリード線Aは、図1(a)に示すように、導電基体1と、その表面を被覆するSnとBi、Cu、Ag又はZnとのSn合金メッキ層2(下地メッキ)と、その上層に形成されたZnメッキ、Agメッキ、SnZn合金メッキ、SnAg合金メッキ又はSnBi合金メッキの上層メッキ3とで構成されている。
導電基体1としては、銅線、または、黄銅、リン青銅のような銅合金線が用いられ、CP線のような鉄線の表面が銅または銅合金で被覆されている線であっても良い。
Sn合金メッキ層2におけるBi、Cu、Ag又はZnは、複数種含有する場合は平均濃度であるが、0.1〜15重量%に設定され、また、このSn合金メッキ層2とその上層に形成された上層メッキ3の合計の厚みは0.5〜20μmの範囲内におさまるように設計されている。
SnにBi、Cu、Ag、Znの少なくとも1種を含有させることでウィスカーの発生をある程度防止できるが、上記含有率が0.1重量%未満であるとウィスカー防止効果が十分に得られず、15重量%より大きいとSn合金メッキ層2が硬くなり、ひび割れなどの不都合が生じ易くなり、コストも大きくなる。
本発明は、このSn合金メッキ層2の上に、さらにZnメッキ、Agメッキ、SnZn合金メッキ、SnAg合金メッキ又はSnBi合金メッキからなる上層メッキ3を施すことにより、電気的特性を損なうことなくウィスカーの発生をより確実に防止できるのである。ただし、この上層メッキの層はあまり厚いと電気的特性が低下するため、好ましくは2μm以下、より好ましくは0.5μm以下に設定される。例えば、ZnSn合金からなるメッキ層2と、その上層にZnメッキを施したものでは、Sn合金メッキ層2と上層メッキ3を合せた全体におけるZnの濃度は、15重量%を超える濃度となる場合もあることは勿論である。この点、以下の他の実施形態でも同じである。
次に、第2実施形態のリード線Bは、上記第1実施形態のSn合金メッキ層2とその上層のZnメッキ、Agメッキ、SnZn合金メッキ、SnAg合金メッキ又はSnBi合金メッキの上層メッキ3とが、リフロー処理などの熱処理によってスズが拡散した合金層4に変化したものである。
次に、第3実施形態のフラットケーブルCは、リード線Aを使用して伸線圧延機で作製されたものであり、第4実施形態のフラットケーブルDは、リード線Bを使用して伸線圧延機で作製されたものである。
これらフラットケーブルに圧延された後のSn合金メッキ層2と上層メッキ3との合計の厚みは、好ましくは0.1〜3μmであり、より好ましくは0.3〜0.7μmである。
尚、第4実施形態のフラットケーブルDは、フラットケーブルCに対して通電アニールなどの熱処理を施すことにより作製することもできる。
これらフラットケーブルに圧延された後のSn合金メッキ層2と上層メッキ3との合計の厚みは、好ましくは0.1〜3μmであり、より好ましくは0.3〜0.7μmである。
尚、第4実施形態のフラットケーブルDは、フラットケーブルCに対して通電アニールなどの熱処理を施すことにより作製することもできる。
線径0.6mmの銅線(導電基体)に、電解脱脂、酸洗浄の前処理を行った後に、石原薬品製のメッキ薬品を使用してSn・Bi合金電気メッキを施しSn合金メッキ層(下地メッキ)を形成する。
続いて、電気Znメッキを行って上層メッキを形成して二層構造のメッキを有するリード線を構成する。そして、サイカワ製の伸線圧延機で伸線と圧延と通電アニール処理を行い、フラットケーブルを作成する。
線径0.6mmの銅線(導電基体)に、電解脱脂、酸洗浄の前処理を行った後に、日鉱メタルプレーティング製のメッキ薬品を使用してSn・Zn合金電気メッキを施しSn合金メッキ層(下地メッキ)を形成する。
続いて、電気Znメッキを行って上層メッキを形成して二層構造のメッキを有するリード線を構成する。そして、上記伸線圧延機で伸線と圧延と通電アニール処理を行い、フラットケーブルを作成する。
線径0.6mmの銅線(導電基体)に、電解脱脂、酸洗浄の前処理を行った後に、上村工業製のメッキ液を使用してSn・Cu合金電気メッキを施しSn合金メッキ層(下地メッキ)を形成する。
続いて、電気Znメッキを行って上層メッキを形成して二層構造のメッキを有するリード線を構成する。そして、上記伸線圧延機で伸線と圧延と通電アニール処理を行い、フラットケーブルを作成する。
線径0.6mmの銅線(導電基体)に電解脱脂、酸洗浄の前処理を行った後に、石原薬品製のメッキ薬品を使用してSn・Ag合金電気メッキを施しSn合金メッキ層(下地メッキ)を形成する。
続いて、電気Znメッキを行って上層メッキを形成して二層構造のメッキを有するリード線を構成する。そして、上記伸線圧延機で伸線と圧延と通電アニール処理を行い、フラットケーブルを作成する。
線径0.6mmの銅線(導電基体)に電解脱脂、酸洗浄の前処理を行った後に、石原薬品製のメッキ薬品を使用してSn・Bi合金電気メッキを施しSn合金メッキ層(下地メッキ)を形成する。
続いて、メルテックス製のメッキ液を使用して電気Agメッキを行って上層メッキを形成して二層構造のメッキを有するリード線を構成する。そして、上記伸線圧延機で伸線と圧延と通電アニール処理を行い、フラットケーブルを作成する。
線径0.6mmの銅線(導電基体)に電解脱脂、酸洗浄の前処理を行った後に、石原薬品製のメッキ薬品を使用してSn・Bi合金電気メッキを施しSn合金層(下地メッキ)を形成する。
続いて、日鉱メタルプレーティング製のメッキ液を使用してSn・Zn合金メッキを形成して二層構造のメッキを有するリード線を構成する。そして、上記伸線圧延機で伸線と圧延と通電アニール処理を行い、フラットケーブルを作成する。
線径0.6mmの銅線(導電基体)に電解脱脂、酸洗浄の前処理を行った後に、日鉱メタルプレーティング製のメッキ液を使用してSn・Zn合金電気メッキを施しSn合金層(下地メッキ)を形成する。
続いて、日鉱メタルプレーティング製のメッキ液を使用して、下地メッキより高濃度Zn%のSn・Zn合金メッキを形成して二層構造のメッキを有するリード線を構成する。そして、上記伸線圧延機で伸線と圧延と通電アニール処理を行い、フラットケーブルを作成する。
線径0.6mmの銅線(導電基体)に電解脱脂、酸洗浄の前処理を行った後に、日鉱メタルプレーティング製のメッキ液を使用してSn・Zn合金電気メッキを施しSn合金層(下地メッキ)を形成する。
続いて、石原薬品製のメッキ液を使用してSn・Bi合金メッキを形成して二層構造のメッキを有するリード線を構成する。そして、上記伸線圧延機で伸線と圧延と通電アニール処理を行い、フラットケーブルを作成する。
(比較例1〜3)
線径0.6mmの銅線(導電基体)に電解脱脂、酸洗浄の前処理を行った後に、石原薬品製のメッキ薬品を使用して電気Snメッキを施し、Snメッキを有するリード線を構成する。そして、上記伸線圧延機で伸線と圧延と通電アニール処理を行い、フラットケーブルを作成する。
線径0.6mmの銅線(導電基体)に電解脱脂、酸洗浄の前処理を行った後に、石原薬品製のメッキ薬品を使用して電気Snメッキを施し、Snメッキを有するリード線を構成する。そして、上記伸線圧延機で伸線と圧延と通電アニール処理を行い、フラットケーブルを作成する。
(比較例4)
線径0.6mmの銅線(導電基体)に電解脱脂、酸洗浄の前処理を行った後に、実施例1と同じ石原薬品製のメッキ薬品を使用してSn・Bi合金メッキを施し、該合金メッキを有するリード線を構成する。そして、上記伸線圧延機で伸線と圧延と通電アニール処理を行い、フラットケーブルを作成する。
線径0.6mmの銅線(導電基体)に電解脱脂、酸洗浄の前処理を行った後に、実施例1と同じ石原薬品製のメッキ薬品を使用してSn・Bi合金メッキを施し、該合金メッキを有するリード線を構成する。そして、上記伸線圧延機で伸線と圧延と通電アニール処理を行い、フラットケーブルを作成する。
(比較例5)
線径0.6mmのCu線(導電基体)に電解脱脂、酸洗浄の前処理を行った後に、実施例2と同じ日鉱メタルプレーティング製のメッキ薬品を使用してSn・Zn合金メッキを施し、該合金メッキを有するリード線を構成する。そして、上記伸線圧延機で伸線と圧延と通電アニール処理を行い、フラットケーブルを作成する。
線径0.6mmのCu線(導電基体)に電解脱脂、酸洗浄の前処理を行った後に、実施例2と同じ日鉱メタルプレーティング製のメッキ薬品を使用してSn・Zn合金メッキを施し、該合金メッキを有するリード線を構成する。そして、上記伸線圧延機で伸線と圧延と通電アニール処理を行い、フラットケーブルを作成する。
これら実施例1〜8、比較例1〜5の各フラットケーブルに対し、それぞれ評価の為にラミネート加工を行い、リフロー処理したSnメッキのコネクタに嵌合し、室温で放置し、1000時間後にウィスカの発生を日立製作所製の走査型電子顕微鏡で確認して評価した。
各実施例及び比較例の評価結果は、下の表1のとおりである。
表1中の下地メッキ、上層メッキの厚み、合計の厚みは、フラットケーブルに圧延する前のリード線における厚みであり、ウィスカ評価結果における最大長さ(μm)は、発生しているウィスカの中で最長のウィスカの長さであり、発生率(%)は、(ウィスカ発生導体の本数)/(評価導体の総数)である。
表1中の下地メッキ、上層メッキの厚み、合計の厚みは、フラットケーブルに圧延する前のリード線における厚みであり、ウィスカ評価結果における最大長さ(μm)は、発生しているウィスカの中で最長のウィスカの長さであり、発生率(%)は、(ウィスカ発生導体の本数)/(評価導体の総数)である。
表1より、次のことが明らかである。
(1) 実施例1〜8は、いずれもウィスカ最大長さが20μm以下でウィスカ発生率が10%以下である。比較例4、5と比べても、より確実にウィスカの発生を防止できることが分かる。
(2) 比較例1〜5で明らかな様に、いずれもウィスカ最大長が50μm以上で発生率が20%以上である。比較例1〜3と比較例4、5とを比べると、Sn−Bi合金メッキ、Sn−Zn合金メッキを採用することによるウィスカ防止効果が確認できるが、実施例1〜8の効果と比較するとその差は大きく、比較例4、5の効果が不十分であることがよくわかる。
(1) 実施例1〜8は、いずれもウィスカ最大長さが20μm以下でウィスカ発生率が10%以下である。比較例4、5と比べても、より確実にウィスカの発生を防止できることが分かる。
(2) 比較例1〜5で明らかな様に、いずれもウィスカ最大長が50μm以上で発生率が20%以上である。比較例1〜3と比較例4、5とを比べると、Sn−Bi合金メッキ、Sn−Zn合金メッキを採用することによるウィスカ防止効果が確認できるが、実施例1〜8の効果と比較するとその差は大きく、比較例4、5の効果が不十分であることがよくわかる。
A、B リード線
C、D フラットケーブル
1 導電基体
2 Sn合金メッキ層(下地メッキ)
3 上層メッキ
4 合金層
C、D フラットケーブル
1 導電基体
2 Sn合金メッキ層(下地メッキ)
3 上層メッキ
4 合金層
Claims (6)
- 導電基体上に、Bi、Cu、Ag、Znのうち少なくとも1種を0.1〜15重量%含有するSn合金メッキを形成し、その上層に、Znメッキ、Agメッキ、SnZn合金メッキ、SnAg合金メッキ又はSnBi合金メッキを形成してなる電子部品用リード線。
- 請求項1記載の電子部品用リード線に、リフロー処理等の熱処理を施してなる電子部品用リード線。
- 前記Sn合金メッキと、その上層のZnメッキ、Agメッキ、SnZn合金メッキ、SnAg合金メッキ又はSnBi合金メッキとの合計の厚みが、0.5〜20μmである請求項1又は2記載の電子部品用リード線。
- 請求項1〜3の何れか1項に記載の電子部品用リード線を用いて製作したフラットケーブル。
- フラットケーブルに圧延された後における、前記Sn合金メッキと、その上層のZnメッキ、Agメッキ、SnZn合金メッキ、SnAg合金メッキ又はSnBi合金メッキとの合計の厚みが、0.1〜3μmとなる請求項4記載のフラットケーブル。
- 請求項4又は5記載のフラットケーブルに、アニール処理などの熱処理をしてなるフラットケーブル。
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Cited By (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2009263785A (ja) * | 2008-03-31 | 2009-11-12 | Furukawa Electric Co Ltd:The | 接続部品用金属材料およびその製造方法 |
JP2009263786A (ja) * | 2008-03-31 | 2009-11-12 | Furukawa Electric Co Ltd:The | 接続部品用金属材料およびその製造方法 |
JP2010015692A (ja) * | 2008-06-30 | 2010-01-21 | Sumitomo Electric Ind Ltd | フラットケーブル及びその製造方法 |
JP2011192652A (ja) * | 2006-04-06 | 2011-09-29 | Hitachi Cable Ltd | 配線用導体及び端末接続部並びにPbフリーはんだ合金 |
JP5679216B2 (ja) * | 2009-06-29 | 2015-03-04 | オーエム産業株式会社 | 電気部品の製造方法 |
WO2015147213A1 (ja) * | 2014-03-26 | 2015-10-01 | 新日鉄住金マテリアルズ株式会社 | 導電体及び太陽電池用インターコネクター |
JP2018059153A (ja) * | 2016-10-05 | 2018-04-12 | Dowaメタルテック株式会社 | Snめっき材およびその製造方法 |
Families Citing this family (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN101308713B (zh) * | 2007-05-16 | 2012-04-11 | 住友电气工业株式会社 | 扁平电缆 |
CN102082001B (zh) * | 2009-11-30 | 2013-12-18 | 住友电气工业株式会社 | 扁平电缆及其制造方法 |
JP2012124025A (ja) * | 2010-12-08 | 2012-06-28 | Hitachi Cable Ltd | めっき被覆銅線およびその製造方法 |
CN103103525B (zh) * | 2012-11-26 | 2016-02-03 | 晶锋集团股份有限公司 | 一种镀层中不含铅的铝导线的制造方法 |
CN104392773B (zh) * | 2014-11-13 | 2016-06-08 | 无锡信大气象传感网科技有限公司 | 铜合金导电线和制造方法 |
CN109509731A (zh) * | 2017-09-14 | 2019-03-22 | 屏东科技大学 | 半导体的锡银接合结构及其制造方法 |
CN111261317B (zh) * | 2020-04-09 | 2021-08-31 | 江东合金技术有限公司 | 一种特种电缆用高性能抗氧化铜导体材料的制备方法 |
Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH11330340A (ja) * | 1998-05-21 | 1999-11-30 | Hitachi Ltd | 半導体装置およびその実装構造体 |
JP2000123637A (ja) * | 1998-10-15 | 2000-04-28 | Hitachi Cable Ltd | 電子部品用リード |
JP2000156450A (ja) * | 1998-11-19 | 2000-06-06 | Hitachi Cable Ltd | 電子部品用リード |
JP2002317295A (ja) * | 2001-04-19 | 2002-10-31 | Furukawa Electric Co Ltd:The | リフロー処理Sn合金めっき材料、それを用いた嵌合型接続端子 |
JP2005048205A (ja) * | 2003-07-29 | 2005-02-24 | Fujikura Ltd | フレキシブルフラットケーブル、フレキシブルプリント配線基板等の電解めっき端子部とコネクタ嵌合部の熱処理方法 |
JP2005216749A (ja) * | 2004-01-30 | 2005-08-11 | Hitachi Cable Ltd | フラットケーブル用導体及びその製造方法並びにフラットケーブル |
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Patent Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH11330340A (ja) * | 1998-05-21 | 1999-11-30 | Hitachi Ltd | 半導体装置およびその実装構造体 |
JP2000123637A (ja) * | 1998-10-15 | 2000-04-28 | Hitachi Cable Ltd | 電子部品用リード |
JP2000156450A (ja) * | 1998-11-19 | 2000-06-06 | Hitachi Cable Ltd | 電子部品用リード |
JP2002317295A (ja) * | 2001-04-19 | 2002-10-31 | Furukawa Electric Co Ltd:The | リフロー処理Sn合金めっき材料、それを用いた嵌合型接続端子 |
JP2005048205A (ja) * | 2003-07-29 | 2005-02-24 | Fujikura Ltd | フレキシブルフラットケーブル、フレキシブルプリント配線基板等の電解めっき端子部とコネクタ嵌合部の熱処理方法 |
JP2005216749A (ja) * | 2004-01-30 | 2005-08-11 | Hitachi Cable Ltd | フラットケーブル用導体及びその製造方法並びにフラットケーブル |
Cited By (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2011192652A (ja) * | 2006-04-06 | 2011-09-29 | Hitachi Cable Ltd | 配線用導体及び端末接続部並びにPbフリーはんだ合金 |
JP2009263785A (ja) * | 2008-03-31 | 2009-11-12 | Furukawa Electric Co Ltd:The | 接続部品用金属材料およびその製造方法 |
JP2009263786A (ja) * | 2008-03-31 | 2009-11-12 | Furukawa Electric Co Ltd:The | 接続部品用金属材料およびその製造方法 |
JP2010015692A (ja) * | 2008-06-30 | 2010-01-21 | Sumitomo Electric Ind Ltd | フラットケーブル及びその製造方法 |
JP5679216B2 (ja) * | 2009-06-29 | 2015-03-04 | オーエム産業株式会社 | 電気部品の製造方法 |
WO2015147213A1 (ja) * | 2014-03-26 | 2015-10-01 | 新日鉄住金マテリアルズ株式会社 | 導電体及び太陽電池用インターコネクター |
JP2018059153A (ja) * | 2016-10-05 | 2018-04-12 | Dowaメタルテック株式会社 | Snめっき材およびその製造方法 |
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