JP2007042424A - 平面型表示装置 - Google Patents

Abstract

【課題】平面型表示装置撓みによって変形し、ゲッターボックスに引き剥がし力が加わっても、ゲッターボックスが剥離しない構造を有する平面型表示装置の提供。
【解決手段】平面型表示装置においては、第１パネルＣＰにゲッターボックス４０が接着されており、平面型表示装置を支持部６０Ａ，６０Ｂによって自由に支持したとき、ゲッターボックス４０の中心点を通る軸線をＸ軸、支持部６０Ａの座標を原点とし、更に、ゲッターボックス４０のＸ軸方向長さをｃ、ゲッターボックスが存在しないと仮定したときの、ゲッターボックスの中心点に該当する平面型表示装置の部分における曲率半径をｒとしたとき、以下の式（１）で求められる仮想浮き量ｔが３×１０^-2ｍｍ以下となるように、ゲッターボックスのＸ軸方向長さｃ、及び、ゲッターボックスの位置が決定される。

【選択図】 図２

Description

本発明は、平面型表示装置に関し、より具体的には、ゲッターボックスに特徴を有する平面型表示装置に関する。

現在主流の陰極線管（ＣＲＴ）に代わる画像表示装置として、平面型（フラットパネル形式）の表示装置が種々検討されている。このような平面型の表示装置として、液晶表示装置（ＬＣＤ）、エレクトロルミネッセンス表示装置（ＥＬＤ）、プラズマ表示装置（ＰＤＰ）を例示することができる。また、電子放出素子を備えたカソードパネルを組み込んだ平面型表示装置の開発も進められている。ここで、電子放出素子として、冷陰極電界電子放出素子、金属／絶縁膜／金属型素子（ＭＩＭ素子とも呼ばれる）、表面伝導型電子放出素子が知られており、これらの冷陰極電子源から構成された電子放出素子を備えたカソードパネルを組み込んだ平面型表示装置は、高解像度、高輝度のカラー表示、及び、低消費電力の観点から注目を集めている。

電子放出素子としての冷陰極電界電子放出素子を組み込んだ平面型表示装置である冷陰極電界電子放出表示装置（以下、表示装置と略称する場合がある）は、一般に、複数の冷陰極電界電子放出素子（以下、電界放出素子と略称する場合がある）を備えたカソードパネルＣＰと、電界放出素子から放出された電子との衝突により励起されて発光する蛍光体層を有するアノードパネルＡＰとが、高真空に維持された空間を介して対向配置され、カソードパネルＣＰとアノードパネルＡＰとが周縁部において枠体２６を介して接合された構成を有する。ここで、カソードパネルＣＰは、２次元マトリクス状に配列された各画素に対応した電子放出領域を有し、各電子放出領域には、１又は複数の電界放出素子が設けられている。電界放出素子として、スピント型、扁平型、エッジ型、平面型等を挙げることができる。

一例として、表示装置を分解した概念図を図１に示し、スピント型電界放出素子を有する従来の表示装置の概念的な一部端面図を図７に示し、カソードパネルＣＰ及びアノードパネルＡＰを分解したときのカソードパネルＣＰとアノードパネルＡＰの一部分の模式的な分解斜視図を図９に示す。尚、図１において、接合部位に斜線を付した。

この表示装置において、カソードパネルＣＰ及びアノードパネルＡＰの各々は、画素が配列され、実際の表示画面として機能する有効領域ＥＦ_C，ＥＦ_A（斜線を付す）と、有効領域ＥＦ_C，ＥＦ_Aを包囲し、画素を選択するための周辺回路等が形成された無効領域ＮＥ_C，ＮＥ_Aとに、機能上、大別される。かかる表示装置には、空間の真空度を維持するために、空間内の残留ガスを捕捉可能な材料から成るゲッター４２が配されている。ゲッター４２は、通常、カソードパネルＣＰ、アノードパネルＡＰの少なくともいずれかの無効領域ＮＥ_C，ＮＥ_Aに配されている。図示した例では、カソードパネルＣＰの無効領域ＮＥ_Cに、１又は複数の貫通孔４１が設けられ（図示した例では１つ）、貫通孔４１をカソードパネルＣＰの外側から塞ぐように配設されたゲッターボックス４０内にゲッター４２が収容されている。例えば、ガラスから作製されたゲッターボックス４０は、フリットガラスを用いて支持体１０に接着されている。無効領域ＮＥ_Cの他所には真空排気用の別の貫通孔５０が設けられており、この貫通孔５０には、真空排気後に封じ切られるチップ管とも呼ばれる排気管５１が取り付けられている。

表示装置を構成するスピント型電界放出素子は、支持体１０に形成されたカソード電極１１と、支持体１０及びカソード電極１１上に形成された絶縁層１２と、絶縁層１２上に形成されたゲート電極１３と、ゲート電極１３及び絶縁層１２に設けられた開口部１４（ゲート電極１３に設けられた第１開口部１４Ａ、及び、絶縁層１２に設けられた第２開口部１４Ｂ）と、開口部１４の底部に位置するカソード電極１１上に形成された円錐形の電子放出部１５から構成されている。

あるいは又、略平面状の電子放出部１５Ａを備えた、所謂扁平型電界放出素子を有する表示装置の概念的な一部端面図を図８に示す。この電界放出素子は、支持体１０上に形成されたカソード電極１１と、支持体１０及びカソード電極１１上に形成された絶縁層１２と、絶縁層１２上に形成されたゲート電極１３と、ゲート電極１３及び絶縁層１２に設けられた開口部１４（ゲート電極１３に設けられた第１開口部１４Ａ、及び、絶縁層１２に設けられた第２開口部１４Ｂ）と、開口部１４の底部に位置するカソード電極１１上に形成された電子放出部１５Ａから構成されている。電子放出部１５Ａは、例えば、マトリックスに一部分が埋め込まれた多数のカーボン・ナノチューブから構成されている。

これらの表示装置において、カソード電極１１は、ｘ方向（図７、図８あるいは図９のｘ方向参照）に延びる帯状であり、ゲート電極１３は、ｘ方向とは異なるｙ方向（図７、図８あるいは図９のｙ方向参照）に延びる帯状である。一般に、カソード電極１１とゲート電極１３とは、これらの両電極１１，１３の射影像が互いに直交する方向に各々帯状に形成されている。帯状のカソード電極１１と帯状のゲート電極１３とが重複する重複領域が、電子放出領域ＥＡであり、１サブピクセルに相当する。そして、係る電子放出領域ＥＡが、カソードパネルＣＰの有効領域ＥＦ_C（実際の表示部分として機能する領域）内に、通常、２次元マトリクス状に配列されている。

一方、アノードパネルＡＰは、基板２０上に所定のパターンを有する蛍光体層２２（具体的には、赤色発光蛍光体層２２Ｒ、緑色発光蛍光体層２２Ｇ、及び、青色発光蛍光体層２２Ｂ）が形成され、蛍光体層２２がアノード電極２４で覆われた構造を有する。これらの蛍光体層２２の間は、カーボン等の光吸収性材料から成る光吸収層（ブラックマトリックス）２３で埋め込まれており、表示画像の色濁り、光学的クロストークの発生を防止している。尚、図中、参照番号２１は隔壁を表し、参照番号２６は枠体を表す。図８及び図９においては、隔壁の図示を省略した。

１サブピクセルは、カソードパネル側の電子放出領域ＥＡと、電子放出領域ＥＡに対面したアノードパネル側の蛍光体層２２とによって構成されている。有効領域ＥＦ_C，ＥＦ_Aには、係る画素が、例えば数十万〜数百万個ものオーダーにて配列されている。尚、カラー表示の表示装置においては、１画素（１ピクセル）は、赤色発光サブピクセル、緑色発光サブピクセル、及び、青色発光サブピクセルの組から構成されている。

表示装置の組立においては、アノードパネルＡＰとカソードパネルＣＰとを、電子放出領域ＥＡと蛍光体層２２とが対向するように配置し、周縁部において、フリットガラス（図示せず）が塗布された枠体２６を用いて接合した後、アノードパネルＡＰ及びカソードパネルＣＰを加熱しながら、カソードパネルＣＰの無効領域ＮＥ_C（即ち、表示画面として機能する有効領域ＥＦ_Cを取り囲む領域）に相当する支持体１０の部分に設けられた貫通孔５０、及び、支持体１０に取り付けられたガラス管から成る排気管５１を介して、カソードパネルＣＰとアノードパネルＡＰによって挟まれた空間（より具体的には、カソードパネルＣＰとアノードパネルＡＰと枠体２６とによって囲まれた空間）を排気した後、排気管５１を封じ切る。次いで、ゲッター４２の加熱処理を行ってゲッター４２の活性化を図る。ゲッターボックス４０は、表示装置に１つ配置されている場合もあるし（例えば、特開２００１−１１０３０１参照）、複数配置されている場合もある（例えば、特開平５−２０５６６９号参照）。こうして、表示装置を作製することができるが、空間は高真空（例えば、１×１０^-3Ｐａ以下）となっている。

特開２００１−１１０３０１ 特開平５−２０５６６９号

ところで、先に述べたように、ゲッターボックス４０はカソードパネルＣＰの無効領域ＮＥ_Cに相当する支持体１０の部分にフリットガラスを用いて接着（シール）されている。表示装置の組み立てにおける熱プロセスの温度を出来る限り低くすることが、表示装置を構成する構成要素への損傷発生を防止するために望ましい。従って、ゲッターボックス４０を支持体１０に接着するために用いるフリットガラスも、焼成温度が４００゜Ｃ以下のものを用いることが望ましい。然るに、このような低温焼成タイプのフリットガラスは、接着（シール）後の濡れ性が非常に悪い。

例えば公称４２インチパネルでは、ガラス基板から成る支持体１０の寸法は、例えば、横×縦×厚さが１ｍ×０．５ｍ×２．８ｍｍであり、その重量は４ｋｇ程度である。そして、例えば、この支持体１０の両長辺を保持した場合の自重による支持体１０の撓み量は、支持体１０の中央部において０．４ｍｍにもなる。

そのため、表示装置の製造中、表示装置（あるいは支持体１０）の搬送等において、表示装置（あるいは支持体１０）が例えば自重による撓みによって変形し、ゲッターボックス４０に引き剥がし力が加わると、フリットガラスが剥離し、表示装置の気密性が保持できなくなるといった問題が生じる。

ゲッターボックスを支持体に接着するためのフリットガラスの接着強度向上、濡れ性改善によって、ゲッターボックスの支持体からの剥離を防止する方法は、未だに、低温焼成可能な適切なフリットガラスが実用化されていないため、実現されていない。また、支持体等が自重により変形しないように、金属板等、剛性の高い補強部材を支持体やゲッターボックス等に貼付ける方法も考えられるが、表示装置の製造プロセス中にあっては補強部材の存在が邪魔となり、実際の表示装置の製造プロセスに適用することは困難であるし、補強部材と支持体やゲッターボックスを構成する材料との間の熱膨張率の差に起因して、支持体やゲッターボックスに損傷が発生する場合がある。

従って、本発明の目的は、平面型表示装置（あるいは支持体等）の搬送等において、平面型表示装置（あるいは支持体等）が例えば自重による撓みによって変形し、ゲッターボックスに引き剥がし力が加わっても、ゲッターボックスが表示装置（あるいは支持体等）から剥離しない構造を有する平面型表示装置を提供することにある。

上記の目的を達成するための本発明の第１の態様に係る平面型表示装置は、電子を放出する電子放出領域が支持体に複数、形成されて成る第１パネルと、電子放出領域から放出された電子が衝突する蛍光体層及びアノード電極が基板に形成されて成る第２パネルとが、それらの周縁部において接合され、第１パネルと第２パネルとによって挟まれた空間が真空に保持された平面型表示装置であって、
第１パネル及び／又は第２パネルには、該空間に連通したゲッターボックスが接着されており、
平面型表示装置の対向する２辺に沿って平面型表示装置を支持部によって自由に支持したとき、
平面型表示装置の対向する該２辺の延びる方向をＹ軸方向、
Ｙ軸方向と直角の方向であって、ゲッターボックスの中心点を通る軸線をＸ軸、
Ｘ軸を含む仮想ＸＺ平面で平面型表示装置を切断したときの平面型表示装置が一方の支持部と接する部分の座標を（０，０，０）、
とし、更に、
ゲッターボックスのＸ軸方向長さをｃ、
ゲッターボックスが存在しないと仮定したときの、ゲッターボックスの中心点に該当する平面型表示装置の部分における曲率半径をｒ、
としたとき、
以下の式（１）で求められる仮想浮き量ｔが３×１０^-2ｍｍ以下となるように、ゲッターボックスのＸ軸方向長さｃ、及び、ゲッターボックスの位置が決定されることを特徴とする。

本発明の第１の態様に係る平面型表示装置にあっては、Ｘ軸上において、第１パネル及び／又は第２パネルには、１つのゲッターボックスが接着されている構成とすることもできるし、Ｘ軸上において、第１パネル及び／又は第２パネルには、複数のゲッターボックスが接着されており、各ゲッターボックスにおいて、前記式（１）で求められる仮想浮き量ｔが３×１０^-2ｍｍ以下となるように、各ゲッターボックスのＸ軸方向長さｃ、及び、ゲッターボックスの位置が決定される構成とすることもできる。尚、複数のゲッターボックスが接着されている場合には、複数のＸ軸、Ｙ軸方向、座標（０，０，０）等が存在する場合がある。

上記の目的を達成するための本発明の第２の態様に係る平面型表示装置は、電子を放出する電子放出領域が支持体に複数、形成されて成る第１パネルと、電子放出領域から放出された電子が衝突する蛍光体層及びアノード電極が基板に形成されて成る第２パネルとが、それらの周縁部において接合され、第１パネルと第２パネルとによって挟まれた空間が真空に保持された平面型表示装置であって、
第１パネル及び／又は第２パネルには、平面型表示装置の対向する２辺と平行な軸線上に配置され、該空間に連通したＮ個（但し、Ｎ≧３）のゲッターボックスが接着されており、
第ｎ番目のゲッターボックスの軸線方向長さをｃ_nとしたとき、
Ｎが偶数の場合、ｎ≦（Ｎ／２−１）においてｃ_n＞ｃ_(n+1)であり、（Ｎ／２＋１）≦ｎ≦（Ｎ−１）において、ｃ_n＜ｃ_(n+1)であり、
Ｎが奇数の場合、ｎ≦（Ｎ−１）／２においてｃ_n＞ｃ_(n+1)であり、（Ｎ＋１）／２≦ｎ≦（Ｎ−１）において、ｃ_n＜ｃ_(n+1)であることを特徴とする。

本発明の第２の態様に係る平面型表示装置にあっても、各ゲッターボックスにおいて、前記式（１）で求められる仮想浮き量ｔが３×１０^-2ｍｍ以下となるように、各ゲッターボックスの軸線方向長さｃ、及び、ゲッターボックスの位置が決定される構成とすることが好ましい。

上述した好ましい構成、形態を含む本発明の第１の態様あるいは第２の態様に係る平面型表示装置（以下、これらを総称して、単に、本発明の平面型表示装置と呼ぶ場合がある）にあっては、ゲッターボックス内にゲッターを配置する。ここで、ゲッターを構成する材料として、チタン（Ｔｉ）、ジルコニウム（Ｚｒ）、ニッケル（Ｎｉ）、バナジウム（Ｖ）、アルミニウム（Ａｌ）、鉄（Ｆｅ）、コバルト（Ｃｏ）、Ｚｒ−Ｎｉ合金、Ｔｉ−Ｚｒ−Ｖ−Ｆｅ合金、Ｔｉ−Ｚｒ−Ａｌ合金、Ｔｉ−Ｍｎ−Ｖ合金、カーボンファイバー及びグラファイトから成る群から選択された少なくとも１種類の、所謂非蒸発型のゲッター材料；バリウム（Ｂａ）、Ｂａ−Ａｌといった、所謂蒸発型のゲッター材料を挙げることができる。尚、非蒸発型のゲッター材料と蒸発型のゲッター材料を併用することもできる。蒸発型のゲッター材料にあっては、係るゲッター材料を加熱して、蒸発させ、ゲッターボックスの内壁に付着させる。一方、非蒸発型のゲッター材料にあっても、ゲッター材料を加熱することによって、ゲッター材料の活性化を図る。加熱方法として、例えば、レーザ光を使用した加熱、高周波を用いた加熱、加熱炉を用いた加熱、ランプを用いた加熱、電熱線を用いた加熱を挙げることができる。

第１パネルを構成する支持体として、あるいは又、第２パネルを構成する基板として、ガラス基板、表面に絶縁膜が形成されたガラス基板、石英基板、表面に絶縁膜が形成された石英基板、表面に絶縁膜が形成された半導体基板を挙げることができるが、製造コスト低減の観点からは、ガラス基板、あるいは、表面に絶縁膜が形成されたガラス基板を用いることが好ましい。ガラス基板として、高歪点ガラス、ソーダガラス（Ｎａ₂Ｏ・ＣａＯ・ＳｉＯ₂）、硼珪酸ガラス（Ｎａ₂Ｏ・Ｂ₂Ｏ₃・ＳｉＯ₂）、フォルステライト（２ＭｇＯ・ＳｉＯ₂）、鉛ガラス（Ｎａ₂Ｏ・ＰｂＯ・ＳｉＯ₂）、無アルカリガラスを例示することができる。ゲッターボックスも、これらの材料のいずれかから作製すればよい。あるいは又、ゲッターボックスを、後述するスペーサを構成する材料にて説明するセラミックスのいずれかから作製することもできる。

第１パネルと第２パネルとを周縁部において接合するが、接合は接着層を用いて行ってもよいし、あるいは、ガラスやセラミックス等の絶縁剛性材料から成る枠体と接着層とを併用して行ってもよい。枠体と接着層とを併用する場合には、枠体の高さを適宜選択することにより、接着層のみを使用する場合に比べ、第１パネルと第２パネルとの間の対向距離をより長く設定することが可能である。尚、接着層の構成材料としては、フリットガラスが一般的であるが、融点が１２０〜４００゜Ｃ程度の所謂低融点金属材料を用いてもよい。係る低融点金属材料としては、Ｉｎ（インジウム：融点１５７゜Ｃ）；インジウム−金系の低融点合金；Ｓｎ₈₀Ａｇ₂₀（融点２２０〜３７０゜Ｃ）、Ｓｎ₉₅Ｃｕ₅（融点２２７〜３７０゜Ｃ）等の錫（Ｓｎ）系高温はんだ；Ｐｂ_97.5Ａｇ_2.5（融点３０４゜Ｃ）、Ｐｂ_94.5Ａｇ_5.5（融点３０４〜３６５゜Ｃ）、Ｐｂ_97.5Ａｇ_1.5Ｓｎ_1.0（融点３０９゜Ｃ）等の鉛（Ｐｂ）系高温はんだ；Ｚｎ₉₅Ａｌ₅（融点３８０゜Ｃ）等の亜鉛（Ｚｎ）系高温はんだ；Ｓｎ₅Ｐｂ₉₅（融点３００〜３１４゜Ｃ）、Ｓｎ₂Ｐｂ₉₈（融点３１６〜３２２゜Ｃ）等の錫−鉛系標準はんだ；Ａｕ₈₈Ｇａ₁₂（融点３８１゜Ｃ）等のろう材（以上の添字は全て原子％を表す）を例示することができる。

第１パネルと第２パネルと枠体の三者を接合する場合、三者を同時に接合してもよいし、あるいは、第１段階で第１パネル又は第２パネルのいずれか一方と枠体とを接合し、第２段階で第１パネル又は第２パネルの他方と枠体とを接合してもよい。三者同時接合や第２段階における接合を高真空雰囲気中で行えば、第１パネルと第２パネルと枠体と接着層とにより囲まれた空間は、接合と同時に真空となる。あるいは、三者の接合終了後、第１パネルと第２パネルと枠体と接着層とによって囲まれた空間を排気し、真空とすることもできる。接合後に排気を行う場合、接合時の雰囲気の圧力は常圧／減圧のいずれであってもよく、また、雰囲気を構成する気体は、大気であっても、あるいは窒素ガスや周期律表０族に属するガス（例えばＡｒガス）を含む不活性ガスであってもよい。

排気を行う場合、排気は、第１パネル及び／又は第２パネルに予め接続されたチップ管とも呼ばれる排気管を通じて行うことができる。排気管は、典型的にはガラス管、あるいは、低熱膨張率を有する金属や合金［例えば、ニッケル（Ｎｉ）を４２重量％含有した鉄（Ｆｅ）合金や、ニッケル（Ｎｉ）を４２重量％、クロム（Ｃｒ）を６重量％含有した鉄（Ｆｅ）合金］から成る中空管から構成され、第１パネル及び／又は第２パネルの無効領域（平面型表示装置としての実用上の機能を果たす中央部の表示領域である有効領域を額縁状に包囲する領域）に設けられた貫通孔の周囲に、フリットガラス又は上述の低融点金属材料を用いて接合され、空間が所定の真空度に達した後、熱融着によって封じ切られ、あるいは又、圧着することにより封じられる。尚、封じる前に、平面型表示装置全体を一旦加熱してから降温させると、空間に残留ガスを放出させることができ、この残留ガスを排気により空間外へ除去することができるので好適である。

ゲッターボックスを第１パネル及び／又は第２パネルに接着するが、どの時点でゲッターボックスを第１パネル及び／又は第２パネルに接着するかは、本質的には、任意である。例えば、第１パネルと第２パネルと枠体の三者を接合する前に、第１パネルや第２パネルにゲッターボックスを接着してもよいし、第１パネルと第２パネルと枠体の三者を接合した後に、第１パネルや第２パネルにゲッターボックスを接着してもよいし、第１パネルと第２パネルと枠体の三者を接合する際に、併せて、第１パネルや第２パネルにゲッターボックスを接着してもよい。ゲッターボックスを、より具体的には、第１パネルに接着してもよいし、第２パネルに接着してもよいし、第１パネル及び第２パネルに接着してもよい。第１パネル及び／又は第２パネルへのゲッターボックスの接着には、フリットガラス、あるいは、上述した低融点金属材料を用いればよい。

平面型表示装置を冷陰極電界電子放出表示装置とする場合、電子放出領域を構成する冷陰極電界電子放出素子（以下、電界放出素子と略称する）は、第１パネル（カソードパネルと呼ぶ場合がある）に設けられ、
（ａ）支持体上に形成され、ｘ方向に延びる帯状のカソード電極、
（ｂ）カソード電極及び支持体上に形成された絶縁層、
（ｃ）絶縁層上に形成され、ｘ方向とは異なるｙ方向に延びる帯状のゲート電極、
（ｄ）カソード電極とゲート電極の重複する重複領域に位置するゲート電極及び絶縁層の部分に設けられ、底部にカソード電極が露出した開口部、及び、
（ｅ）開口部の底部に露出したカソード電極上に設けられた電子放出部、
から成る。

電界放出素子の型式は特に限定されず、スピント型電界放出素子（円錐形の電子放出部が、開口部の底部に位置するカソード電極の上に設けられた電界放出素子）や、扁平型電界放出素子（略平面の電子放出部が、開口部の底部に位置するカソード電極の上に設けられた電界放出素子）を挙げることができる。

カソードパネルにおいて、カソード電極の射影像とゲート電極の射影像とは直交することが、即ち、ｘ方向とｙ方向とは直交することが、冷陰極電界電子放出表示装置の構造の簡素化といった観点から好ましい。そして、カソード電極とゲート電極とが重複する重複領域は電子放出領域に該当し、電子放出領域が２次元マトリクス状に配列されており、各電子放出領域には、１又は複数の電界放出素子が設けられている。

冷陰極電界電子放出表示装置にあっては、カソード電極及びゲート電極に印加された電圧によって生じた強電界が電子放出部に加わる結果、量子トンネル効果により電子放出部から電子が放出される。そして、この電子は、第２パネル（アノードパネルと呼ぶ場合がある）に設けられたアノード電極によってアノードパネルへと引き付けられ、蛍光体層に衝突する。そして、蛍光体層への電子の衝突の結果、蛍光体層が発光し、画像として認識することができる。

冷陰極電界電子放出表示装置において、カソード電極はカソード電極制御回路に接続され、ゲート電極はゲート電極制御回路に接続され、アノード電極はアノード電極制御回路に接続されている。尚、これらの制御回路は周知の回路から構成することができる。実動作時、アノード電極制御回路の出力電圧Ｖ_Aは、通常、一定であり、例えば、５キロボルト〜１５キロボルトとすることができる。あるいは又、アノードパネルとカソードパネルとの間の距離をｄ₀（但し、０．５ｍｍ≦ｄ₀≦１０ｍｍ）としたとき、Ｖ_A／ｄ₀（単位：キロボルト／ｍｍ）の値は、０．５以上２０以下、好ましくは１以上１０以下、一層好ましくは４以上８以下を満足することが望ましい。冷陰極電界電子放出表示装置の実動作時、カソード電極に印加する電圧Ｖ_C及びゲート電極に印加する電圧Ｖ_Gに関しては、階調制御方式として電圧変調方式を採用することができる。

電界放出素子は、一般に、以下の方法で製造することができる。
（１）支持体上にカソード電極を形成する工程、
（２）全面（支持体及びカソード電極上）に絶縁層を形成する工程、
（３）絶縁層上にゲート電極を形成する工程、
（４）カソード電極とゲート電極との重複領域におけるゲート電極及び絶縁層の部分に開口部を形成し、開口部の底部にカソード電極を露出させる工程、
（５）開口部の底部に位置するカソード電極上に電子放出部を形成する工程。

あるいは又、電界放出素子は、以下の方法で製造することもできる。
（１）支持体上にカソード電極を形成する工程、
（２）カソード電極上に電子放出部を形成する工程、
（３）全面（支持体及び電子放出部上、あるいは、支持体、カソード電極及び電子放出部上）に絶縁層を形成する工程、
（４）絶縁層上にゲート電極を形成する工程、
（５）カソード電極とゲート電極との重複領域におけるゲート電極及び絶縁層の部分に開口部を形成し、開口部の底部に電子放出部を露出させる工程。

電界放出素子には収束電極が備えられていてもよい。即ち、例えばゲート電極及び絶縁層上には更に層間絶縁層が設けられ、層間絶縁層上に収束電極が設けられている電界放出素子、あるいは又、ゲート電極の上方に収束電極が設けられている電界放出素子とすることもできる。ここで、収束電極とは、開口部から放出され、アノード電極へ向かう放出電子の軌道を収束させ、以て、輝度の向上や隣接画素間の光学的クロストークの防止を可能とするための電極である。アノード電極とカソード電極との間の電位差が数キロボルト以上のオーダーであって、アノード電極とカソード電極との間の距離が比較的長い、所謂高電圧タイプの冷陰極電界電子放出表示装置において、収束電極は特に有効である。収束電極には、収束電極制御回路から相対的な負電圧（例えば、０ボルト）が印加される。収束電極は、必ずしも、カソード電極とゲート電極とが重複する重複領域に設けられた電子放出部あるいは電子放出領域のそれぞれを取り囲むように個別に形成されている必要はなく、例えば、電子放出部あるいは電子放出領域の所定の配列方向に沿って延在させてもよいし、電子放出部あるいは電子放出領域の全てを１つの収束電極で取り囲む構成としてもよく（即ち、収束電極を、冷陰極電界電子放出表示装置としての実用上の機能を果たす中央部の表示領域である有効領域の全体を覆う薄い１枚のシート状の構造としてもよく）、これによって、複数の電子放出部あるいは電子放出領域に共通の収束効果を及ぼすことができる。

スピント型電界放出素子にあっては、電子放出部を構成する材料として、モリブデン、モリブデン合金、タングステン、タングステン合金、チタン、チタン合金、ニオブ、ニオブ合金、タンタル、タンタル合金、クロム、クロム合金、及び、不純物を含有するシリコン（ポリシリコンやアモルファスシリコン）から成る群から選択された少なくとも１種類の材料を挙げることができる。スピント型電界放出素子の電子放出部は、真空蒸着法の他、例えばスパッタリング法や化学的気相成長法（ＣＶＤ法）によっても形成することができる。

扁平型電界放出素子にあっては、電子放出部を構成する材料として、カソード電極を構成する材料よりも仕事関数Φの小さい材料から構成することが好ましく、どのような材料を選択するかは、カソード電極を構成する材料の仕事関数、ゲート電極とカソード電極との間の電位差、要求される放出電子電流密度の大きさ等に基づいて決定すればよい。あるいは又、電子放出部を構成する材料として、係る材料の２次電子利得δがカソード電極を構成する導電性材料の２次電子利得δよりも大きくなるような材料から適宜選択してもよい。扁平型電界放出素子にあっては、特に好ましい電子放出部の構成材料として、炭素、より具体的にはアモルファスダイヤモンドやグラファイト、カーボン・ナノチューブ構造体（カーボン・ナノチューブ及び／又はグラファイト・ナノファイバー）、ＺｎＯウィスカー、ＭｇＯウィスカー、ＳｎＯ₂ウィスカー、ＭｎＯウィスカー、Ｙ₂Ｏ₃ウィスカー、ＮｉＯウィスカー、ＩＴＯウィスカー、Ｉｎ₂Ｏ₃ウィスカー、Ａｌ₂Ｏ₃ウィスカーを挙げることができる。尚、電子放出部を構成する材料は、必ずしも導電性を備えている必要はない。

カソード電極、ゲート電極、収束電極の構成材料として、アルミニウム（Ａｌ）、タングステン（Ｗ）、ニオブ（Ｎｂ）、タンタル（Ｔａ）、モリブデン（Ｍｏ）、クロム（Ｃｒ）、銅（Ｃｕ）、金（Ａｕ）、銀（Ａｇ）、チタン（Ｔｉ）、ニッケル（Ｎｉ）、コバルト（Ｃｏ）、ジルコニウム（Ｚｒ）、鉄（Ｆｅ）、白金（Ｐｔ）、亜鉛（Ｚｎ）等の金属；これらの金属元素を含む合金（例えばＭｏＷ）あるいは化合物（例えばＴｉＮ等の窒化物や、ＷＳｉ₂、ＭｏＳｉ₂、ＴｉＳｉ₂、ＴａＳｉ₂等のシリサイド）；シリコン（Ｓｉ）等の半導体；ダイヤモンド等の炭素薄膜；ＩＴＯ（酸化インジウム−錫）、酸化インジウム、酸化亜鉛等の導電性金属酸化物を例示することができる。また、これらの電極の形成方法として、例えば、電子ビーム蒸着法や熱フィラメント蒸着法といった蒸着法、スパッタリング法、ＣＶＤ法やイオンプレーティング法とエッチング法との組合せ；スクリーン印刷法；メッキ法（電気メッキ法や無電解メッキ法）；リフトオフ法；レーザアブレーション法；ゾル−ゲル法等を挙げることができる。スクリーン印刷法やメッキ法によれば、直接、例えば帯状のカソード電極やゲート電極を形成することが可能である。

絶縁層や層間絶縁層の構成材料として、ＳｉＯ₂、ＢＰＳＧ、ＰＳＧ、ＢＳＧ、ＡｓＳＧ、ＰｂＳＧ、ＳｉＯＮ、ＳＯＧ（スピンオングラス）、低融点ガラス、ガラスペーストといったＳｉＯ₂系材料；ＳｉＮ系材料；ポリイミド等の絶縁性樹脂を、単独あるいは適宜組み合わせて使用することができる。絶縁層や層間絶縁層の形成には、ＣＶＤ法、塗布法、スパッタリング法、スクリーン印刷法等の公知のプロセスが利用できる。

第１開口部（ゲート電極に形成された開口部）あるいは第２開口部（絶縁層に形成された開口部）の平面形状（支持体表面と平行な仮想平面で開口部を切断したときの形状）は、円形、楕円形、矩形、多角形、丸みを帯びた矩形、丸みを帯びた多角形等、任意の形状とすることができる。第１開口部の形成は、例えば、異方性エッチング、等方性エッチング、異方性エッチングと等方性エッチングの組合せによって行うことができ、あるいは又、ゲート電極の形成方法に依っては、第１開口部を直接形成することもできる。第２開口部の形成も、例えば、異方性エッチング、等方性エッチング、異方性エッチングと等方性エッチングの組合せによって行うことができる。

電界放出素子においては、電界放出素子の構造に依存するが、１つの開口部内に１つの電子放出部が存在してもよいし、１つの開口部内に複数の電子放出部が存在してもよいし、ゲート電極に複数の第１開口部を設け、係る第１開口部と連通する１つの第２開口部を絶縁層に設け、絶縁層に設けられた１つの第２開口部内に１又は複数の電子放出部が存在してもよい。

電界放出素子において、カソード電極と電子放出部との間に抵抗体膜を設けてもよい。抵抗体膜を設けることによって、電界放出素子の動作安定化、電子放出特性の均一化を図ることができる。抵抗体膜を構成する材料として、シリコンカーバイド（ＳｉＣ）やＳｉＣＮといったカーボン系材料、ＳｉＮ、アモルファスシリコン等の半導体材料、酸化ルテニウム（ＲｕＯ₂）、酸化タンタル、窒化タンタル等の高融点金属酸化物を例示することができる。抵抗体膜の形成方法として、スパッタリング法や、ＣＶＤ法やスクリーン印刷法を例示することができる。１つの電子放出部当たりの電気抵抗値は、概ね１×１０⁶〜１×１０¹¹Ω、好ましくは数十ギガΩとすればよい。

平面型表示装置において、アノード電極と蛍光体層の構成例として、（１）基板上に、アノード電極を形成し、アノード電極の上に蛍光体層を形成する構成、（２）基板上に、蛍光体層を形成し、蛍光体層上にアノード電極を形成する構成、を挙げることができる。尚、（１）の構成において、蛍光体層の上に、アノード電極と導通した所謂メタルバック膜を形成してもよい。また、（２）の構成において、アノード電極の上にメタルバック膜を形成してもよい。

アノード電極は、全体として１つのアノード電極から構成されていてもよいし、複数のアノード電極ユニットから構成されていてもよい。後者の場合、アノード電極ユニットとアノード電極ユニットとは抵抗体層によって電気的に接続されていることが好ましい。抵抗体層を構成する材料として、カーボン、シリコンカーバイド（ＳｉＣ）やＳｉＣＮといったカーボン系材料；ＳｉＮ系材料；酸化ルテニウム（ＲｕＯ₂）、酸化タンタル、窒化タンタル、酸化クロム、酸化チタン等の高融点金属酸化物；アモルファスシリコン等の半導体材料；ＩＴＯを挙げることができる。また、ＳｉＣ抵抗膜上に抵抗値の低いカーボン薄膜を積層するといった複数の膜の組み合わせにより、安定した所望のシート抵抗値を実現することも可能である。抵抗体層のシート抵抗値として、１×１０^-1Ω／□乃至１×１０¹⁰Ω／□、好ましくは１×１０³Ω／□乃至１×１０⁸Ω／□を例示することができる。アノード電極ユニットの数（Ｑ）は２以上であればよく、例えば、直線状に配列された蛍光体層の列の総数をｑ列としたとき、Ｑ＝ｑとし、あるいは、ｑ＝ｋ・Ｑ（ｋは２以上の整数であり、好ましくは１０≦ｋ≦１００、一層好ましくは２０≦ｋ≦５０）としてもよいし、一定の間隔をもって配設されるスペーサの数に１を加えた数とすることができるし、ピクセルの数あるいはサブピクセルの数と一致した数、あるいは、ピクセルの数あるいはサブピクセルの数の整数分の一とすることもできる。また、各アノード電極ユニットの大きさは、アノード電極ユニットの位置に拘わらず同じとしてもよいし、アノード電極ユニットの位置に依存して異ならせてもよい。全体として１つのアノード電極の上に抵抗体層を形成してもよい。

アノード電極（アノード電極ユニットを包含する）は、導電材料層を用いて形成すればよい。導電材料層の形成方法として、例えば、電子ビーム蒸着法や熱フィラメント蒸着法といった蒸着法、スパッタリング法、イオンプレーティング法、レーザアブレーション法といった各種の各種の物理的気相成長法（ＰＶＤ法）；各種のＣＶＤ法；スクリーン印刷法；メタルマスク印刷法；リフトオフ法；ゾル−ゲル法等を挙げることができる。即ち、導電材料から成る導電材料層を形成し、リソグラフィ技術及びエッチング技術に基づき、この導電材料層をパターニングしてアノード電極を形成することができる。あるいは又、アノード電極のパターンを有するマスクやスクリーンを介して導電材料をＰＶＤ法やスクリーン印刷法に基づき形成することによって、アノード電極を得ることもできる。尚、抵抗体層も同様の方法で形成することができる。即ち、抵抗体材料から抵抗体層を形成し、リソグラフィ技術及びエッチング技術に基づきこの抵抗体層をパターニングしてもよいし、あるいは、抵抗体層のパターンを有するマスクやスクリーンを介して抵抗体材料のＰＶＤ法やスクリーン印刷法に基づく形成により、抵抗体層を得ることができる。基板上（あるいは基板上方）におけるアノード電極の平均厚さ（後述するように隔壁を設ける場合、隔壁の頂面上におけるアノード電極の平均厚さ）として、３×１０^-8ｍ（３０ｎｍ）乃至５×１０^-7ｍ（０．５μｍ）、好ましくは５×１０^-8ｍ（５０ｎｍ）乃至３×１０^-7ｍ（０．３μｍ）を例示することができる。

アノード電極の構成材料として、モリブデン（Ｍｏ）、アルミニウム（Ａｌ）、クロム（Ｃｒ）、タングステン（Ｗ）、ニオブ（Ｎｂ）、タンタル（Ｔａ）、金（Ａｕ）、銀（Ａｇ）、チタン（Ｔｉ）、コバルト（Ｃｏ）、ジルコニウム（Ｚｒ）、鉄（Ｆｅ）、白金（Ｐｔ）、亜鉛（Ｚｎ）等の金属；これらの金属元素を含む合金あるいは化合物（例えばＴｉＮ等の窒化物や、ＷＳｉ₂、ＭｏＳｉ₂、ＴｉＳｉ₂、ＴａＳｉ₂等のシリサイド）；シリコン（Ｓｉ）等の半導体；ダイヤモンド等の炭素薄膜；ＩＴＯ（酸化インジウム−錫）、酸化インジウム、酸化亜鉛等の導電性金属酸化物を例示することができる。 尚、抵抗体層を形成する場合、抵抗体層の抵抗値を変化させない導電材料からアノード電極を構成することが好ましく、例えば、抵抗体層をシリコンカーバイド（ＳｉＣ）から構成した場合、アノード電極をモリブデン（Ｍｏ）から構成することが好ましい。

蛍光体層は、単色の蛍光体粒子から構成されていても、３原色の蛍光体粒子から構成されていてもよい。蛍光体層の配列様式は、例えば、ドット状である。具体的には、平面型表示装置がカラー表示の場合、蛍光体層の配置、配列として、デルタ配列、ストライプ配列、ダイアゴナル配列、レクタングル配列を挙げることができる。即ち、直線状に配列された蛍光体層の１列は、全てが赤色発光蛍光体層で占められた列、緑色発光蛍光体層で占められた列、及び、青色発光蛍光体層で占められた列から構成されていてもよいし、赤色発光蛍光体層、緑色発光蛍光体層、及び、青色発光蛍光体層が順に配置された列から構成されていてもよい。ここで、蛍光体層とは、第２パネル上において１つの輝点を生成する蛍光体領域であると定義する。また、１画素（１ピクセル）は、１つの赤色発光蛍光体層、１つの緑色発光蛍光体層、及び、１つの青色発光蛍光体層の集合から構成され、１サブピクセルは、１つの蛍光体層（１つの赤色発光蛍光体層、あるいは、１つの緑色発光蛍光体層、あるいは、１つの青色発光蛍光体層）から構成される。尚、隣り合う蛍光体層の間の隙間がコントラスト向上を目的とした光吸収層（ブラックマトリックス）で埋め込まれていてもよい。

蛍光体層は、発光性結晶粒子（例えば、粒径２〜１０ｎｍ程度の蛍光体粒子）から調製された発光性結晶粒子組成物を使用し、例えば、赤色の感光性の発光性結晶粒子組成物（赤色蛍光体スラリー）を全面に塗布し、露光、現像して、赤色発光蛍光体層を形成し、次いで、緑色の感光性の発光性結晶粒子組成物（緑色蛍光体スラリー）を全面に塗布し、露光、現像して、緑色発光蛍光体層を形成し、更に、青色の感光性の発光性結晶粒子組成物（青色蛍光体スラリー）を全面に塗布し、露光、現像して、青色発光蛍光体層を形成する方法にて形成することができる。あるいは又、赤色発光蛍光体スラリー、緑色発光蛍光体スラリー、青色発光蛍光体スラリーを順次塗布した後、各蛍光体スラリーを順次露光、現像して、各蛍光体層を形成してもよいし、スクリーン印刷法やインクジェット法、フロート塗布法、沈降塗布法、蛍光体フィルム転写法等により各蛍光体層を形成してもよい。基板上における蛍光体層の平均厚さは、限定するものではないが、３μｍ乃至２０μｍ、好ましくは５μｍ乃至１０μｍであることが望ましい。発光性結晶粒子を構成する蛍光体材料としては、従来公知の蛍光体材料の中から適宜選択して用いることができる。カラー表示の場合、色純度がＮＴＳＣで規定される３原色に近く、３原色を混合した際の白バランスがとれ、残光時間が短く、３原色の残光時間がほぼ等しくなる蛍光体材料を組み合わせることが好ましい。

蛍光体層からの光を吸収する光吸収層が、隣り合う蛍光体層の間、あるいは、隔壁と基板との間に形成されていることが、表示画像のコントラスト向上といった観点から好ましい。ここで、光吸収層は、所謂ブラックマトリックスとして機能する。光吸収層を構成する材料として、蛍光体層からの光を９０％以上吸収する材料を選択することが好ましい。このような材料として、カーボン、金属薄膜（例えば、クロム、ニッケル、アルミニウム、モリブデン等、あるいは、これらの合金）、金属酸化物（例えば、酸化クロム）、金属窒化物（例えば、窒化クロム）、耐熱性有機樹脂、ガラスペースト、黒色顔料や銀等の導電性粒子を含有するガラスペースト等の材料を挙げることができ、具体的には、感光性ポリイミド樹脂、酸化クロムや、酸化クロム／クロム積層膜を例示することができる。尚、酸化クロム／クロム積層膜においては、クロム膜が基板と接する。光吸収層は、例えば、真空蒸着法やスパッタリング法とエッチング法との組合せ、真空蒸着法やスパッタリング法、スピンコーティング法とリフトオフ法との組合せに、スクリーン印刷法、リソグラフィ技術等、使用する材料に依存して適宜選択された方法にて形成することができる。

蛍光体層から反跳した電子、あるいは、蛍光体層から放出された２次電子が他の蛍光体層に入射し、所謂光学的クロストーク（色濁り）が発生することを防止するために、あるいは又、蛍光体層から反跳した電子、あるいは、蛍光体層から放出された２次電子が隔壁を越えて他の蛍光体層に向かって侵入したとき、これらの電子が他の蛍光体層と衝突することを防止するために、隔壁を設けることが好ましい。

隔壁の形成方法として、スクリーン印刷法、ドライフィルム法、感光法、キャスティング法、サンドブラスト形成法を例示することができる。ここで、スクリーン印刷法とは、隔壁を形成すべき部分に対応するスクリーンの部分に開口が形成されており、スクリーン上の隔壁形成用材料をスキージを用いて開口を通過させ、基板上に隔壁形成用材料層を形成した後、係る隔壁形成用材料層を焼成する方法である。ドライフィルム法とは、基板上に感光性フィルムをラミネートし、露光及び現像によって隔壁形成予定部位の感光性フィルムを除去し、除去によって生じた開口に隔壁形成用材料を埋め込み、焼成する方法である。感光性フィルムは焼成によって燃焼、除去され、開口に埋め込まれた隔壁形成用材料が残り、隔壁となる。感光法とは、基板上に感光性を有する隔壁形成用材料層を形成し、露光及び現像によってこの隔壁形成用材料層をパターニングした後、焼成（硬化）を行う方法である。キャスティング法（型押し成形法）とは、ペースト状とした有機材料あるいは無機材料から成る隔壁形成用材料層を型（キャスト）から基板上に押し出すことで隔壁形成用材料層を形成した後、係る隔壁形成用材料層を焼成する方法である。サンドブラスト形成法とは、例えば、スクリーン印刷やメタルマスク印刷法、ロールコーター、ドクターブレード、ノズル吐出式コーター等を用いて隔壁形成用材料層を基板上に形成し、乾燥させた後、隔壁を形成すべき隔壁形成用材料層の部分をマスク層で被覆し、次いで、露出した隔壁形成用材料層の部分をサンドブラスト法によって除去する方法である。隔壁を形成した後、隔壁を研磨し、隔壁頂面の平坦化を図ってもよい。

隔壁における蛍光体層を取り囲む部分の平面形状（隔壁側面の射影像の内側輪郭線に相当し、一種の開口領域である）として、矩形形状、円形形状、楕円形状、長円形状、三角形形状、五角形以上の多角形形状、丸みを帯びた三角形形状、丸みを帯びた矩形形状、丸みを帯びた多角形等を例示することができる。これらの平面形状（開口領域の平面形状）が２次元マトリクス状に配列されることにより、格子状の隔壁が形成される。この２次元マトリクス状の配列は、例えば井桁様に配列されるものでもよいし、千鳥様に配列されるものでもよい。

隔壁形成用材料として、例えば、感光性ポリイミド樹脂や、酸化コバルト等の金属酸化物により黒色に着色した鉛ガラス、ＳｉＯ₂、低融点ガラスペーストを例示することができる。隔壁の表面（頂面及び側面）には、隔壁に電子ビームが衝突して隔壁からガスが放出されることを防止するための保護層（例えば、ＳｉＯ₂、ＳｉＯＮ、あるいは、ＡｌＮから成る）を形成してもよい。

第１パネルと第２パネルによって挟まれた空間は高真空となっている。従って、第１パネルと第２パネルとの間に、例えば、セラミック材料やガラスといった高抵抗材料から作製されたスペーサを配設しておかないと、大気圧によって平面型表示装置が損傷を受けてしまう。スペーサは、例えばセラミックスやガラスから構成することができる。スペーサをセラミックスから構成する場合、セラミックスとして、ムライトやアルミナ、チタン酸バリウム、チタン酸ジルコン酸鉛、ジルコニア、コーディオライト、硼珪酸塩バリウム、珪酸鉄、ガラスセラミックス材料、これらに、酸化チタンや酸化クロム、酸化鉄、酸化バナジウム、酸化ニッケルを添加したもの等を例示することができる。この場合、所謂グリーンシートを成形して、グリーンシートを焼成し、係るグリーンシート焼成品を切断することによってスペーサを製造することができる。また、スペーサを構成するガラスとして、ソーダライムガラスを挙げることができる。スペーサは、例えば、隔壁と隔壁との間に挟み込んで固定すればよく、あるいは又、例えば、第２パネルにスペーサ保持部を形成し、スペーサ保持部によって固定すればよい。

スペーサの表面には、帯電防止膜が設けられていてもよい。帯電防止膜を構成する材料は、その２次電子放出係数が１に近いことが好ましく、帯電防止膜を構成する材料として、グラファイト等の半金属、酸化物、ホウ化物、炭化物、硫化物、及び、窒化物等を用いることができる。例えば、グラファイト等の半金属及びＭｏＳｅ₂等の半金属元素を含む化合物、ＣｒＯ_x、ＣｒＡｌ_xＯ_y、Ｎｄ₂Ｏ₃、Ｌａ_xＢａ_2-xＣｕＯ₄、Ｌａ_xＢａ_2-xＣｕＯ₄、Ｌａ_xＹ_1-xＣｒＯ₃等の酸化物、ＡｌＢ₂、ＴｉＢ₂等のホウ化物、ＳｉＣ等の炭化物、ＭｏＳ₂、ＷＳ₂等の硫化物、及び、ＢＮ、ＴｉＮ、ＡｌＮ等の窒化物等を挙げることができるし、更には、例えば、特表２００４−５００６８８号公報等に記載されている材料等を用いることもできる。帯電防止膜は、単一の種類の材料から成るものであってもよいし、複数の種類の材料から成るものであってもよいし、単層構造であってもよいし、多層構造であってもよい。帯電防止膜は、スパッタリング法、真空蒸着法、ＣＶＤ法等、周知の方法に基づき形成することができる。

本発明において、電子放出領域を構成する電子放出素子として、冷陰極電界電子放出素子、金属／絶縁膜／金属型素子（ＭＩＭ素子）、表面伝導型電子放出素子を挙げることができる。また、平面型表示装置として、冷陰極電界電子放出素子を備えた平面型表示装置（冷陰極電界電子放出表示装置）、ＭＩＭ素子が組み込まれた平面型表示装置、表面伝導型電子放出素子が組み込まれた平面型表示装置を挙げることができる。

本発明の第１の態様に係る平面型表示装置にあっては、式（１）で求められる仮想浮き量ｔが３×１０^-2ｍｍ以下となるように、ゲッターボックスのＸ軸方向長さｃ、及び、ゲッターボックスの位置が決定されている。従って、平面型表示装置（あるいは支持体等）の搬送等において、平面型表示装置（あるいは支持体等）が、例えば自重による撓みによって変形し、ゲッターボックスに引き剥がし力が加わっても、ゲッターボックスが平面型表示装置（あるいは支持体等）から剥離することを防止することができる。また、一般に、平面型表示装置の中心線に近いほど、平面型表示装置（あるいは支持体等）の撓み量が大きくなる。本発明の第２の態様に係る平面型表示装置にあっては、平面型表示装置の中心線の近くに位置するゲッターボックスほど、その寸法が小さいので、平面型表示装置（あるいは支持体等）の搬送等において、平面型表示装置（あるいは支持体等）が、例えば自重による撓みによって変形し、ゲッターボックスに引き剥がし力が加わっても、ゲッターボックスが平面型表示装置（あるいは支持体等）から剥離することを防止することができる。

以下、図面を参照して、実施例に基づき本発明を説明する。

実施例１は、本発明の第１の態様に係る平面型表示装置に関する。ここで、実施例１の平面型表示装置は、より具体的には、冷陰極電界電子放出表示装置（以下、表示装置と略称する）から成る。実施例１の表示装置を構成する第１パネル（以下、カソードパネルＣＰと呼ぶ）及び第２パネル（以下、アノードパネルＡＰと呼ぶ）を分解したときの概念図は、図１に示したと同様である。尚、図１において、接合部位に斜線を付した。また、実施例１の表示装置を支持部によって支持するときの正面図及び左側面図を、それぞれ、図２の（Ａ）及び（Ｂ）に示し、実施例１の表示装置における撓みの状態等を説明するための支持体等の概念図を、図３の（Ａ）及び（Ｂ）に示す。ここで、スピント型冷陰極電界電子放出素子（以下、電界放出素子と呼ぶ）を有する実施例１あるいは後述する実施例２の表示装置の模式的な一部断面図は図７に示したと同様であり、扁平型電界放出素子を有する実施例１あるいは後述する実施例２の表示装置の模式的な一部断面図は図８に示したと同様である。また、第１パネル（カソードパネルＣＰ）及び第２パネル（アノードパネルＡＰ）を分解したときの第１パネル（カソードパネルＣＰ）と第２パネル（アノードパネルＡＰ）の一部分の模式的な分解斜視図は、図９に示したと同様である。

即ち、実施例１あるいは後述する実施例２の表示装置は、電子を放出する電子放出領域ＥＡが支持体１０に複数、形成されて成る第１パネル（カソードパネルＣＰ）と、電子放出領域ＥＡから放出された電子が衝突する蛍光体層２２及びアノード電極２４が基板２０に形成されて成る第２パネル（アノードパネルＡＰ）とが、それらの周縁部において接合され、第１パネル（カソードパネルＣＰ）と第２パネル（アノードパネルＡＰ）とによって挟まれた空間が真空に保持されている表示装置である。

ここで、実施例１あるいは後述する実施例２において、電子放出領域を構成する電界放出素子は、例えば、スピント型電界放出素子から構成されている。スピント型電界放出素子は、図７に示すように、
（ａ）支持体１０に形成されたカソード電極１１、
（ｂ）支持体１０及びカソード電極１１上に形成された絶縁層１２、
（ｃ）絶縁層１２上に形成されたゲート電極１３、
（ｄ）ゲート電極１３及び絶縁層１２に設けられた開口部１４（ゲート電極１３に設けられた第１開口部１４Ａ、及び、絶縁層１２に設けられた第２開口部１４Ｂ）、並びに、
（ｅ）開口部１４の底部に位置するカソード電極１１上に形成された円錐形の電子放出部１５、
から構成されている。

あるいは又、実施例１あるいは後述する実施例２にあっては、電界放出素子は、例えば扁平型電界放出素子から構成されている。扁平型電界放出素子は、図８に示すように、
（ａ）支持体１０上に形成されたカソード電極１１、
（ｂ）支持体１０及びカソード電極１１上に形成された絶縁層１２、
（ｃ）絶縁層１２上に形成されたゲート電極１３、
（ｄ）ゲート電極１３及び絶縁層１２に設けられた開口部１４（ゲート電極１３に設けられた第１開口部１４Ａ、及び、絶縁層１２に設けられた第２開口部１４Ｂ）、並びに、
（ｅ）開口部１４の底部に位置するカソード電極１１上に形成された電子放出部１５Ａ、
から構成されている。尚、電子放出部１５Ａは、例えば、マトリックスに一部分が埋め込まれた多数のカーボン・ナノチューブから構成されている。

カソードパネルＣＰにおいて、カソード電極１１は、ｘ方向に延びる帯状であり、ゲート電極１３は、ｘ方向とは異なるｙ方向に延びる帯状である。カソード電極１１とゲート電極１３とは、これらの両電極１１，１３の射影像が互いに直交する方向に各々帯状に形成されている。１サブピクセルに相当する電子放出領域ＥＡには、複数の電界放出素子が設けられている。また、絶縁層１２及びゲート電極１３上には層間絶縁層（図示せず）が設けられており、更には、収束電極（図示せず）が、電界放出素子の所定の配列方向に沿って層間絶縁層上に設けられており、複数の電界放出素子に共通の収束効果を及ぼすことができる。カソードパネルＣＰの無効領域ＮＥ_Cには、真空排気用の貫通孔５０が設けられており、この貫通孔５０には、真空排気後に封じ切られるチップ管とも呼ばれる排気管５１が取り付けられている。

実施例１あるいは後述する実施例２において、アノードパネルＡＰは、基板２０、並びに、この基板２０上に形成された蛍光体層２２（カラー表示の場合、赤色発光蛍光体層２２Ｒ、緑色発光蛍光体層２２Ｇ、青色発光蛍光体層２２Ｂ）、及び、蛍光体層２２を覆うアノード電極２４から構成されている。即ち、アノードパネルＡＰは、より具体的には、基板２０、基板２０上に形成された隔壁２１と隔壁２１との間の基板２０上に形成され、多数の蛍光体粒子から成る蛍光体層２２（赤色発光蛍光体層２２Ｒ、緑色発光蛍光体層２２Ｇ、青色発光蛍光体層２２Ｂ）、及び、蛍光体層２２上に形成されたアノード電極２４を備えている。アノード電極２４は、厚さ約７０ｎｍのアルミニウム（Ａｌ）から成り、有効領域ＥＦ_Aを覆う薄い１枚のシート状であり、隔壁２１及び蛍光体層２２を覆う状態で設けられている。蛍光体層２２と蛍光体層２２との間であって、隔壁２１と基板２０との間には、表示画像の色濁り、光学的クロストークの発生を防止するために、光吸収層（ブラックマトリックス）２３が形成されている。

隔壁２１とスペーサ２５と蛍光体層２２の配置状態の一例を模式的に図１０〜図１５に示す。尚、図７あるいは図８に示した表示装置における蛍光体層等の配列を、図１１あるいは図１３に示す構成としている。また、図１０〜図１５においてはアノード電極の図示を省略している。隔壁２１の平面形状としては、格子形状（井桁形状）、即ち、１サブピクセルに相当する、例えば平面形状が略矩形の蛍光体層２２の四方を取り囲む形状（図１０、図１１、図１２、図１３参照）、あるいは、略矩形の（あるいは帯状の）蛍光体層２２の対向する二辺と平行に延びる帯状形状を挙げることができる（図１４及び図１５参照）。尚、図１４に示す蛍光体層２２にあっては、蛍光体層２２Ｒ，２２Ｇ，２２Ｂを、図１４の上下方向に延びる帯状とすることもできる。隔壁２１の一部は、スペーサ２５を保持するためのスペーサ保持部としても機能する。

実施例１あるいは後述する実施例２において、カソード電極１１はカソード電極制御回路３１に接続され、ゲート電極１３はゲート電極制御回路３２に接続され、収束電極は収束電極制御回路（図示せず）に接続され、アノード電極２４はアノード電極制御回路３３に接続されている。これらの制御回路は周知の回路から構成することができる。表示装置の実動作時、アノード電極制御回路３３からアノード電極２４に印加されるアノード電圧Ｖ_Aは、通常、一定であり、例えば、５キロボルト〜１５キロボルトとすることができる。一方、表示装置の実動作時、カソード電極１１に印加する電圧Ｖ_C及びゲート電極１３に印加する電圧Ｖ_Gに関しては、
（１）カソード電極１１に印加する電圧Ｖ_Cを一定とし、ゲート電極１３に印加する電圧Ｖ_Gを変化させる方式
（２）カソード電極１１に印加する電圧Ｖ_Cを変化させ、ゲート電極１３に印加する電圧Ｖ_Gを一定とする方式
（３）カソード電極１１に印加する電圧Ｖ_Cを変化させ、且つ、ゲート電極１３に印加する電圧Ｖ_Gも変化させる方式
のいずれを採用してもよい。

表示装置の実動作時、カソード電極１１には相対的に負電圧（Ｖ_C）がカソード電極制御回路３１から印加され、ゲート電極１３には相対的に正電圧（Ｖ_G）がゲート電極制御回路３２から印加され、収束電極には収束電極制御回路から例えば０ボルトが印加され、アノード電極２４にはゲート電極１３よりも更に高い正電圧（アノード電圧Ｖ_A）がアノード電極制御回路３３から印加される。係る表示装置において表示を行う場合、例えば、カソード電極１１にカソード電極制御回路３１から走査信号を入力し、ゲート電極１３にゲート電極制御回路３２からビデオ信号を入力する。尚、カソード電極１１にカソード電極制御回路３１からビデオ信号を入力し、ゲート電極１３にゲート電極制御回路３２から走査信号を入力してもよい。カソード電極１１とゲート電極１３との間に電圧を印加した際に生ずる電界により、量子トンネル効果に基づき電子放出部１５，１５Ａから電子が放出され、この電子がアノード電極２４に引き付けられ、アノード電極２４を通過して蛍光体層２２に衝突する。その結果、蛍光体層２２が励起されて発光し、所望の画像を得ることができる。つまり、この表示装置の動作は、基本的に、ゲート電極１３に印加される電圧Ｖ_G、及びカソード電極１１に印加される電圧Ｖ_Cによって制御される。

第１パネル（カソードパネルＣＰ）と第２パネル（アノードパネルＡＰ）とによって挟まれた空間は真空状態（圧力：例えば１０^-3Ｐａ以下）とされている。そして、このような真空状態を保持するためには、表示装置にゲッターを備えておく必要がある。

そこで、具体的には、実施例１にあっては、ガラスから作製された１個のゲッターボックス４０が、第１パネルに該当するカソードパネルＣＰの無効領域ＮＥ_Cに相当する支持体１０の部分に、例えば、フリットガラスを用いて接着されている。そして、このゲッターボックス４０は、カソードパネルＣＰの無効領域ＮＥ_Cに相当する支持体１０の部分に設けられた１又は複数の貫通孔４１（図示した例では１つ）を介して、第１パネル（カソードパネルＣＰ）と第２パネル（アノードパネルＡＰ）とによって挟まれ、真空とされた空間に連通しており、貫通孔４１をカソードパネルＣＰの外側から塞ぐように配設されている。ゲッターボックス４０内に、先に説明した非蒸発型のゲッター材料あるいは蒸発型のゲッター材料から成るゲッター４２が収容されている。

ここで、図２の（Ａ）及び（Ｂ）、並びに、図３の（Ａ）及び（Ｂ）に示すように、表示装置の対向する２辺に沿って表示装置を支持部６０Ａ，６０Ｂによって自由に支持したとき、
（１）表示装置の対向するこれらの２辺の延びる方向をＹ軸方向、
（２）Ｙ軸方向と直角の方向であって、ゲッターボックス４０の中心点ＣＧを通る軸線をＸ軸（特に、図２の（Ｂ）参照））、
（３）Ｘ軸を含む仮想ＸＺ平面で表示装置を切断したときの表示装置が一方の支持部６０Ａと接する部分の座標を（０，０，０）、
とする。

また、ゲッターボックス４０のＸ軸方向長さをｃとし、ゲッターボックス４０が存在しないと仮定したときの、ゲッターボックス４０の中心点ＣＧに該当する表示装置の部分における曲率半径をｒとする（特に、図３の（Ｂ）参照）。尚、図３の（Ｂ）において、ゲッターボックス４０の中心点ＣＧに該当する表示装置の部分における曲率半径ｒの円（中心点を「Ｏ」で示す）を点線で図示する。また、図３の（Ｂ）において、撓んだ表示装置における支持体１０を実線の曲線で図示する。尚、撓んだ表示装置における支持体１０を実線の曲線を、以下、便宜上、「支持体の撓み曲線」と呼ぶ。また、図３の（Ｂ）において、点「ＥＧ」は、ゲッターボックス４０のＸ軸方向の一方の端部に相当する。更には、点「Ｒ」は、線分Ｏ−ＥＧと、中心点「Ｏ」であって曲率半径ｒの円との交点である。図３の（Ａ）には、「支持体の撓み曲線」を実線で図示し、接着すべきゲッターボックス４０を点線で図示する。

ここで、交点「Ｒ」を通り、線分ＣＧ−ＥＧ（ゲッターボックスの支持体との接触面に相当する）と平行な直線（一点鎖線で示す）を想定し、この直線と線分ＣＧ−ＥＧとの間の距離を、仮想浮き量（ｔ）とする。実際の浮き量（ｔ₀）は、点「ＥＧ」を通る法線と「支持体の撓み曲線」との交点から点「ＥＧ」までの距離であるが、「支持体の撓み曲線」は、４次の多項式で表される複雑な曲線であること、実際の浮き量（ｔ₀）と仮想浮き量（ｔ）の差異が小さいことから、実際の浮き量（ｔ₀）を仮想浮き量（ｔ）で代用する。

図３の（Ｂ）から、
（点Ｏから点ＣＧまでの距離）／（点Ｏから点ＥＧまでの距離）＝（ｒ−ｔ）／ｒ
である。ここで、
（点Ｏから点ＥＧまでの距離）＝［ｒ²＋（ｃ／２）²］^1/2
（点Ｏから点ＣＧまでの距離）＝ｒ
である。従って、仮想浮き量ｔは、以下の式（１）のとおりとなる。

ところで、表示装置が、表示装置の対向する２辺に沿って支持部６０Ａ，６０Ｂによって自由に支持されていると想定すると、この状態は、「等分布加重ｑが作用する場合の両端支持梁の撓み」に帰着する。但し、実際の表示装置の構成、構造は複雑であるので、単純化のために、表示装置の代わりに支持体１０を用いて、以下、議論、試験等を行う。例えば支持体１０からゲッターボックス４０が剥離するときの仮想浮き量ｔの値は、表示装置からゲッターボックス４０が剥離するときの仮想浮き量ｔの値と等価である。

支持体１０の各種パラメータの記号、単位を以下の表１に示す。

［表１］

点ＣＧにおけるＸ座標の値を「Ｘ」とする。ところで、曲率半径ｒは、
１／ｒ＝Ｍ／（Ｅ・Ｉ） （２）
で表すことができる。ここで、「Ｅ」、「Ｉ」は表１に示したとおりである。また、「Ｍ」は曲げモーメントであり、
Ｍ＝ｑ・Ｌ（Ｌ−Ｘ）／２ （３）
で表すことができる。ここで、「ｑ」、「Ｌ」は表１に示したとおりである。従って、式（１）、式（２）及び式（３）から、「Ｘ」の値をパラメータとした仮想浮き量ｔの値が求まる。

支持体１０を構成するガラス基板のヤング率（Ｅ）が７３×１０⁹Ｎ／ｍ²、支持体の板厚（ｈ）が１．１ｍｍである場合の各種パラメータの値を以下の表２に示す。また、支持体１０を構成するガラス基板のヤング率（Ｅ）が７８×１０⁹Ｎ／ｍ²、支持体の板厚（ｈ）が２．８ｍｍである場合の各種パラメータの値を以下の表３に示す。

［表２］

［表３］

そして、表４に示す仕様の支持体１０とゲッターボックス４０との組立体を作製し、支持体１０を、支持体のＹ軸方向と平行に延びる支持部によって自由に支持したとき、ゲッターボックス４０が支持体１０から剥離するか否かを調べた。尚、ゲッターボックス４０の中心点ＣＧは、支持体１０のＸ軸方向長さの二等分点上に位置する。即ち、仕様−１及び仕様−２にあっては、「Ｘ」の値は２５０ｍｍであり、仕様−３及び仕様−４にあっては、「Ｘ」の値は１５０ｍｍである。剥離試験の結果を表４に示すが、「○」印は、剥離が生じないことを意味し、「×」印は、剥離が生じたことを意味する。また、式（１）、式（２）及び式（３）から、「Ｘ」の値をパラメータとした仮想浮き量ｔの値を表４に示す。試験結果から、式（１）で求められる仮想浮き量ｔが３×１０^-2ｍｍ以下ならば、ゲッターボックス４０が支持体１０から剥離しないことが判った。

［表４］

次に、表２及び表３に示した各種パラメータの値を有する２種類のガラス基板から成る支持体１０を用いたと想定して、支持体１０のＸ軸方向長さ（Ｌ）を３００ｍｍから１０００ｍｍまで、１００ｍｍ刻みで変化させ、且つ、ゲッターボックス４０の中心点ＣＧのＸ座標の値を５０ｍｍ刻みで変化させたとき、仮想浮き量ｔの値が３×１０^-2ｍｍ以下となるためのゲッターボックスのＸ軸方向長さｃを求めた結果を、それぞれ、表５及び表６に示す。

［表５］

［表６］

このように、表２及び表３に示した各種パラメータの値を有する２種類のガラス基板から成る支持体１０を用いたと想定した場合、式（１）で求められる仮想浮き量ｔが３×１０^-2ｍｍ以下となるように、ゲッターボックス４０のＸ軸方向長さｃ、及び、ゲッターボックス４０の位置を決定すれば、表示装置（あるいは支持体等）の搬送等において表示装置（あるいは支持体等）が、例えば自重による撓みによって変形し、ゲッターボックス４０に引き剥がし力が加わっても、ゲッターボックス４０が表示装置（あるいは支持体等）から剥離することを防止することができる。

実施例２は、実施例１の変形であり、更には、本発明の第２の態様に係る平面型表示装置に関する。実施例１にあっては、ゲッターボックスを１個とした。一方、実施例２にあっては、支持体１０を下方から眺めた模式図を図４の（Ａ）に示すように、Ｘ軸上において、第１パネルであるカソードパネルＣＰの無効領域ＮＥ_Cには、複数（具体的には３個）のゲッターボックス４０Ａ，４０Ｂが接着されており、各ゲッターボックス４０Ａ，４０Ｂにおいて、前記式（１）で求められる仮想浮き量ｔが３×１０^-2ｍｍ以下となるように、各ゲッターボックス４０Ａ，４０ＢのＸ軸方向長さｃ、及び、ゲッターボックス４０Ａ，４０Ｂの位置が決定される。尚、Ｘ軸、Ｙ軸方向、座標（０，０，０）は、この例においては、それぞれ、１つ、存在する。

あるいは又、第１パネル（カソードパネルＣＰ）には、表示装置の対向する２辺と平行な軸線上に配置され、空間に連通したＮ個（但し、Ｎ≧３であり、図示した例では、Ｎ＝３）のゲッターボックス４０Ａ，４０Ｂが接着されており、
第ｎ番目のゲッターボックスの軸線方向長さをｃ_nとしたとき、
Ｎが偶数の場合、ｎ≦（Ｎ／２−１）においてｃ_n＞ｃ_(n+1)であり、（Ｎ／２＋１）≦ｎ≦（Ｎ−１）において、ｃ_n＜ｃ_(n+1)であり、
Ｎが奇数の場合、ｎ≦（Ｎ−１）／２においてｃ_n＞ｃ_(n+1)であり、（Ｎ＋１）／２≦ｎ≦（Ｎ−１）において、ｃ_n＜ｃ_(n+1)である。

例えば、表５に示したように、Ｌ＝５００ｍｍの場合、ゲッターボックス４０Ａの中心点ＣＧのＸ座標の値を１００ｍｍ、ゲッターボックス４０Ｂの中心点ＣＧのＸ座標の値を２５０ｍｍとしたとき、ゲッターボックス４０ＡのＸ軸方向長さｃを５６ｍｍ以下、ゲッターボックス４０ＢのＸ軸方向長さｃを４４ｍｍ以下とすれば、ゲッターボックス４０Ａ，４０Ｂに引き剥がし力が加わっても、ゲッターボックス４０Ａ，４０Ｂが表示装置（あるいは支持体等）から剥離することを確実に防止することができる。

支持体１０を下方から眺めた模式図である図４の（Ｂ）〜（Ｃ）、図５の（Ａ）〜（Ｃ）、図６の（Ａ）〜（Ｂ）に、実施例２におけるゲッターボックスの配置位置の変形例を示す。

図４の（Ｂ）に示す例にあっては、第１パネルであるカソードパネルＣＰの無効領域ＮＥ_Cであって、表示装置の対向する２辺の近傍に位置する２つの領域には、複数（具体的には、６個）のゲッターボックス４０Ａ，４０Ｂが接着されており、Ｘ軸、Ｙ軸方向、座標（０，０，０）は、この例においては、それぞれ、２つ、存在する。

図４の（Ｃ）に示す例にあっては、第１パネルであるカソードパネルＣＰの有効領域ＥＦ_Cには、複数（具体的には、３個）のゲッターボックス４０Ａ，４０Ｂが接着されており、Ｘ軸、Ｙ軸方向、座標（０，０，０）は、この例においては、それぞれ、１つ、存在する。尚、ゲッターボックス４０，４０Ｂによって塞がれ、カソードパネルＣＰに設けられた貫通孔（図示せず）は、電子放出領域以外の支持体１０の部分に設けられている。

図５の（Ａ）に示す例にあっては、第１パネルであるカソードパネルＣＰの無効領域ＮＥ_Cであって、表示装置の対向する２辺の内の一方の近傍に位置する領域には、複数（具体的には、４個）のゲッターボックス４０Ａ，４０Ｂが接着されており、Ｘ軸、Ｙ軸方向、座標（０，０，０）は、この例においては、それぞれ、１つ、存在する。

図５の（Ｂ）に示す例にあっては、第１パネルであるカソードパネルＣＰの無効領域ＮＥ_Cであって、表示装置の対向する２辺の近傍に位置する２つの領域には、複数（具体的には、８個）のゲッターボックス４０Ａ，４０Ｂが接着されており、Ｘ軸、Ｙ軸方向、座標（０，０，０）は、この例においては、それぞれ、２つ、存在する。

図５の（Ｃ）に示す例にあっては、第１パネルであるカソードパネルＣＰの有効領域ＥＦ_Cには、複数（具体的には、４個）のゲッターボックス４０Ａ，４０Ｂが接着されており、Ｘ軸、Ｙ軸方向、座標（０，０，０）は、この例においては、それぞれ、１つ、存在する。尚、ゲッターボックス４０，４０Ｂによって塞がれ、カソードパネルＣＰに設けられた貫通孔（図示せず）は、電子放出領域以外の支持体１０の部分に設けられている。

図６の（Ａ）に示す例にあっては、第１パネルであるカソードパネルＣＰの無効領域ＮＥ_Cであって、表示装置の４辺の近傍に位置する４つの領域には、複数（具体的には、１０個）のゲッターボックス４０Ａ，４０Ｂ，４０Ｃが接着されており、Ｘ軸、Ｙ軸方向、座標（０，０，０）は、この例においては、それぞれ、７つ、存在する。

図６の（Ｂ）に示す例にあっては、第１パネルであるカソードパネルＣＰの無効領域ＮＥ_Cであって、表示装置の４辺の近傍に位置する４つの領域、及び、有効領域ＥＦ_Cには、複数（具体的には、１２個）のゲッターボックス４０Ａ，４０Ｂ，４０Ｃ，４０Ｄが接着されており、Ｘ軸、Ｙ軸方向、座標（０，０，０）は、この例においては、それぞれ、７つ、存在する。

以上、本発明を、好ましい実施例に基づき説明したが、本発明はこれらの実施例に限定されるものではない。実施例にて説明した平面型表示装置、カソードパネルやアノードパネル、冷陰極電界電子放出表示装置や冷陰極電界電子放出素子の構成、構造は例示であり、適宜変更することができるし、アノードパネルやカソードパネル、冷陰極電界電子放出表示装置や冷陰極電界電子放出素子の製造方法も例示であり、適宜変更することができる。更には、アノードパネルやカソードパネルの製造において使用した各種材料も例示であり、適宜変更することができる。表示装置においては、専らカラー表示を例にとり説明したが、単色表示とすることもできる。場合によっては、収束電極の形成を省略することもできる。

電界放出素子においては、専ら１つの開口部に１つの電子放出部が対応する形態を説明したが、電界放出素子の構造に依っては、１つの開口部に複数の電子放出部が対応した形態、あるいは、複数の開口部に１つの電子放出部が対応する形態とすることもできる。あるいは又、ゲート電極に複数の第１開口部を設け、絶縁層に係る複数の第１開口部に連通した第２開口部を設け、１又は複数の電子放出部を設ける形態とすることもできる。

表面伝導型電子放出素子と通称される電子放出素子から電子放出領域を構成することもできる。この表面伝導型電子放出素子は、例えばガラスから成る支持体上に酸化錫（ＳｎＯ₂）、金（Ａｕ）、酸化インジウム（Ｉｎ₂Ｏ₃）／酸化錫（ＳｎＯ₂）、カーボン、酸化パラジウム（ＰｄＯ）等の導電材料から成り、微小面積を有し、所定の間隔（ギャップ）を開けて配された一対の電極がマトリクス状に形成されて成る。それぞれの電極の上には炭素薄膜が形成されている。そして、一対の電極の内の一方の電極に行方向配線が接続され、一対の電極の内の他方の電極に列方向配線が接続された構成を有する。一対の電極に電圧を印加することによって、ギャップを挟んで向かい合った炭素薄膜に電界が加わり、炭素薄膜から電子が放出される。係る電子をアノードパネル上の蛍光体層に衝突させることによって、蛍光体層が励起されて発光し、所望の画像を得ることができる。あるいは又、金属／絶縁膜／金属型素子から電子放出領域を構成することもできる。

図１は、実施例１及び従来の平面型表示装置を構成する第１パネル（カソードパネル）及び第２パネル（アノードパネル）を分解したときの概念図である。 図２の（Ａ）及び（Ｂ）は、それぞれ、実施例１の平面型表示装置を支持体によって支持するときの正面図及び左側面図である。 図３の（Ａ）及び（Ｂ）は、実施例１の平面型表示装置における撓みの状態等を説明するための支持体等の概念図である。 図４の（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）は、それぞれ、実施例２の平面型表示装置における支持体等の模式的な斜視図である。 図５の（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）は、それぞれ、実施例２の平面型表示装置の変形例における支持体等の模式的な斜視図である。 図６の（Ａ）、（Ｂ）は、それぞれ、実施例２の平面型表示装置の別の変形例における支持体等の模式的な斜視図である。 図７は、スピント型冷陰極電界電子放出素子を有する冷陰極電界電子放出表示装置から成る平面型表示装置の概念的な一部端面図である。 図８は、扁平型冷陰極電界電子放出素子を有する冷陰極電界電子放出表示装置から成る平面型表示装置の概念的な一部端面図である。 図９は、冷陰極電界電子放出表示装置におけるカソードパネルとアノードパネルの一部分の模式的な分解斜視図である。 図１０は、平面型表示装置を構成する第２パネルにおける隔壁、スペーサ及び蛍光体層の配置を模式的に示す配置図である。 図１１は、平面型表示装置を構成する第２パネルにおける隔壁、スペーサ及び蛍光体層の配置を模式的に示す配置図である。 図１２は、平面型表示装置を構成する第２パネルにおける隔壁、スペーサ及び蛍光体層の配置を模式的に示す配置図である。 図１３は、平面型表示装置を構成する第２パネルにおける隔壁、スペーサ及び蛍光体層の配置を模式的に示す配置図である。 図１４は、平面型表示装置を構成する第２パネルにおける隔壁、スペーサ及び蛍光体層の配置を模式的に示す配置図である。 図１５は、平面型表示装置を構成する第２パネルにおける隔壁、スペーサ及び蛍光体層の配置を模式的に示す配置図である。

符号の説明

ＣＰ・・・カソードパネル（第１パネル）、ＡＰ・・・アノードパネル（第２パネル）、ＥＡ・・・電子放出領域、１０・・・支持体、１１・・・カソード電極、１２・・・絶縁層、１３・・・ゲート電極、１４・・・開口部、１４Ａ・・・第１開口部、１４Ｂ・・・第２開口部、１５，１５Ａ・・・電子放出部、２０・・・基板、２１・・・隔壁、２２，２２Ｒ，２２Ｇ，２２Ｂ・・・蛍光体層、２３・・・光吸収層（ブラックマトリックス）、２４・・・アノード電極、２５・・・スペーサ、２６・・・枠体、３１・・・カソード電極制御回路、３２・・・ゲート電極制御回路、３３・・・アノード電極制御回路、４０・・・ゲッターボックス、４１・・・貫通孔、４２・・・ゲッター、５０・・・貫通孔、５１・・・排気管、６０Ａ，６０Ｂ・・・支持部、ＣＧ・・・ゲッターボックスの中心点、ＥＧ・・・ゲッターボックスの端部、Ｏ・・・曲率半径ｒの円の中心点

Claims (4)

1. 電子を放出する電子放出領域が支持体に複数、形成されて成る第１パネルと、電子放出領域から放出された電子が衝突する蛍光体層及びアノード電極が基板に形成されて成る第２パネルとが、それらの周縁部において接合され、第１パネルと第２パネルとによって挟まれた空間が真空に保持された平面型表示装置であって、
   第１パネル及び／又は第２パネルには、該空間に連通したゲッターボックスが接着されており、
   平面型表示装置の対向する２辺に沿って平面型表示装置を支持部によって自由に支持したとき、
   平面型表示装置の対向する該２辺の延びる方向をＹ軸方向、
   Ｙ軸方向と直角の方向であって、ゲッターボックスの中心点を通る軸線をＸ軸、
   Ｘ軸を含む仮想ＸＺ平面で平面型表示装置を切断したときの平面型表示装置が一方の支持部と接する部分の座標を（０，０，０）、
   とし、更に、
   ゲッターボックスのＸ軸方向長さをｃ、
   ゲッターボックスが存在しないと仮定したときの、ゲッターボックスの中心点に該当する平面型表示装置の部分における曲率半径をｒ、
   としたとき、
   以下の式（１）で求められる仮想浮き量ｔが３×１０^-2ｍｍ以下となるように、ゲッターボックスのＸ軸方向長さｃ、及び、ゲッターボックスの位置が決定されることを特徴とする平面型表示装置。
   

   
2. Ｘ軸上において、第１パネル及び／又は第２パネルには、１つのゲッターボックスが接着されていることを特徴とする請求項１に記載の平面型表示装置。
3. Ｘ軸上において、第１パネル及び／又は第２パネルには、複数のゲッターボックスが接着されており、
   各ゲッターボックスにおいて、前記式（１）で求められる仮想浮き量ｔが３×１０^-2ｍｍ以下となるように、各ゲッターボックスのＸ軸方向長さｃ、及び、ゲッターボックスの位置が決定されることを特徴とする請求項１に記載の平面型表示装置。
4. 電子を放出する電子放出領域が支持体に複数、形成されて成る第１パネルと、電子放出領域から放出された電子が衝突する蛍光体層及びアノード電極が基板に形成されて成る第２パネルとが、それらの周縁部において接合され、第１パネルと第２パネルとによって挟まれた空間が真空に保持された平面型表示装置であって、
   第１パネル及び／又は第２パネルには、平面型表示装置の対向する２辺と平行な軸線上に配置され、該空間に連通したＮ個（但し、Ｎ≧３）のゲッターボックスが接着されており、
   第ｎ番目のゲッターボックスの軸線方向長さをｃ_nとしたとき、
   Ｎが偶数の場合、ｎ≦（Ｎ／２−１）においてｃ_n＞ｃ_(n+1)であり、（Ｎ／２＋１）≦ｎ≦（Ｎ−１）において、ｃ_n＜ｃ_(n+1)であり、
   Ｎが奇数の場合、ｎ≦（Ｎ−１）／２においてｃ_n＞ｃ_(n+1)であり、（Ｎ＋１）／２≦ｎ≦（Ｎ−１）において、ｃ_n＜ｃ_(n+1)であることを特徴とする平面型表示装置。
   

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