JP2007031834A - メッキ法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】窒素、硫黄および窒素と硫黄の混合から選択されるヘテロ原子を含む化合物の、エーテル結合を含有するポリエポキシド化合物との反応生成物であるレベリング剤を含有する銅メッキ浴であって、電子デバイスの表面上およびかかる基体上の開口部中に銅を堆積させる銅メッキ浴が提供される。かかるメッキ浴は、電解質濃度の範囲全体にわたって実質的に平面的な基体表面上に銅層を堆積させる。このような銅メッキ浴を用いて銅層を堆積させる方法も開示される。
【選択図】なし
Description
R−O−(CXYCX’Y’O)nR’
式中、RおよびR’は独立して、H、(C2−C20)アルキル基および(C6−C10)アリール基から選択され;X、Y、X’およびY’のそれぞれは独立して、水素、アルキル、例えばメチル、エチルもしくはプロピル、アリール、例えばフェニル、またはアルアルキル、例えばベンジルから選択され;nは5〜100000の整数である。典型的には、X、Y、X’およびY’の1以上は水素である。特に好適な抑制剤としては、商業的に入手可能なポリプロピレングリコールコポリマーおよびポリエチレングリコールコポリマーが挙げられ、これらには、エチレンオキシド−プロピレンオキシド(「EO/PO」)コポリマーおよびブチルアルコール−エチレンオキシド−プロピレンオキシドコポリマーが包含される。好適なブチルアルコール−エチレンオキシド−プロピレンオキシドコポリマーは、1500〜10000の重量平均分子量を有するものである。このような抑制剤が用いられる場合、これらは典型的には浴の重量基準で1〜10000ppm、好ましくは5〜10000ppmの範囲の量で存在する。
イミダゾール(225g)を反応容器中、水(563mL)中に溶解させた。混合物を撹拌しながら80℃に加熱した。撹拌を続けながら、607.5mLの1,4−ブタンジオールジグリシジルエーテル(「BDE」)(下式を有するジエポキシ官能性化合物である)の60.8%水中溶液を反応容器に82.7mL/分の速度で添加した。BDEの添加後、撹拌しながら混合物の温度を95℃±3℃に5.5〜6時間維持した。加熱後、混合物を16〜18時間撹拌した。次いで、硫酸を用いて反応生成物混合物のpHを6〜7の値にした。反応生成物を次いで適当な容器に移し、必要に応じてDI水で希釈した。この反応生成物は2.5未満の多分散性および約14000のMwを有していた。
使用したレベラーが、イミダゾールとBDEの1:0.6反応生成物であり、この反応生成物は2700〜2900のMn値、4500〜4700のMw値および1.6〜1.7の多分散性を有していたことを除いて、実施例1の手順を繰り返した。
硫酸銅として40g/Lの銅、10g/Lの硫酸、50ppmの塩化物イオン、10mL/Lの促進剤および3mL/Lの抑制剤を組み合わせることにより、銅メッキ浴を調製した。促進剤は、スルホン酸基を有し、1000未満の分子量を有するジスルフィド化合物であった。抑制剤は、5000未満の分子量を有し、末端ヒドロキシル基を有するEO/POコポリマーであった。メッキ浴は実施例1からの1mL/Lの反応生成物も含有していた。
硫酸銅五水和物として75g/Lの銅、190g/Lの硫酸、50ppmの塩化物イオン、1〜5ppmの促進剤および500ppmの抑制剤を組み合わせることにより、銅メッキ浴を調製した。促進剤は、スルホン酸基を有し、1000未満の分子量を有するジスルフィド化合物であった。抑制剤は、5000の未満の分子量を有するEO/POコポリマーであった。メッキ浴は、250〜300ppmの実施例2からの反応生成物もレベリング剤として含有していた。
スルーホール(直径0.3mm)を有する厚さ1.6mmのPCBを、実施例4による銅メッキ浴を用いてメッキした。各浴の促進剤の量は2から4ppmまで様々であった。レベリング剤の量は、250から300ppmまで様々であった。浴の温度は25℃であった。3ASDの電流密度を各浴に50分間適用した。PCB上の目標の銅堆積物の厚さは33μmであった。浴の均一電着性は約73〜83%の幅があった。レベリング剤が異なる以外は、同じ量で同じ成分(2ppm促進剤)を含有する従来型の商業的銅メッキ浴も同じ条件下で試験した。商業的浴は70%の均一電着性を有していた。
実施例4の銅メッキ浴を用いて、ブラインドビアホール(直径100μm、深さ60μm)を有するPCBをメッキした。各浴の促進剤の量は、3から4ppmまで様々であった。レベリング剤の量は、250から300ppmまで様々であった。浴の温度は25℃であった。2ASDの電流密度を各浴に80分間適用した。PCB上の目標の銅堆積物の厚さは35μmであった。ブラインドビアをメッキするための浴の均一電着性は約130〜140%の幅があった。図1は、3ppmの促進剤および300ppmのレベリング剤を含有する実施例4の浴を用いてメッキされたブラインドビアの断面を示す。この浴の均一電着性は約140%であった。
5×10cmのPCBを4つの銅メッキ浴のそれぞれに添加した。各浴は硫酸銅五水和物として75g/Lの銅、190/Lの硫酸、50ppmの塩化物イオン、および抑制剤として500ppmの5000未満の分子量を有するEO/POコポリマーを含有していた。浴1は、促進剤として、スルホン酸基を有し1000未満の分子量を有する3ppmのジスルフィド化合物およびレベリング剤として250ppmの実施例2からの反応生成物も含有していた。浴2は、促進剤が4ppmで存在する以外は浴1と同じであった。浴3はレベリング剤が300ppmで存在する以外は浴1と同じであった。浴4(比較例)は実施例5から得られる従来型の商業的銅メッキ浴であった。
Claims (7)
- プリント回路板上に銅を堆積させる方法であって、ブラインドビアを有するプリント回路板を、銅イオンの供給源;電解質;ならびに窒素、硫黄および窒素と硫黄の混合から選択されるヘテロ原子を含む化合物の、エーテル結合を含有するポリエポキシド化合物との反応生成物であるレベリング剤;を含む銅電気メッキ浴と接触させ;次いで、銅層を基体上に堆積させるために充分な時間、電流密度を適用することを含み、ここにおいて、該反応生成物が2.5未満の多分散性を有する方法。
- 多分散性が2未満である請求項1記載の方法。
- ヘテロ原子を含む化合物がアミンである請求項1記載の方法。
- アミンが、ジアルキルアミン、トリアルキルアミン、アリールアルキルアミン、ジアリールアミン、イミダゾール、トリアゾール、テトラゾール、ベンズイミダゾール、ベンゾトリアゾール、ピペリジン、モルホリン、ピペラジン、ピリジン、オキサゾール、ベンズオキサゾール、ピリミジン、キノリン、およびイソキノリンから選択される請求項3記載の方法。
- プリント回路板がさらにスルーホールを含む請求項1記載の方法。
- 銅電気メッキ浴が、70%の均一電着性を有する請求項1記載の方法。
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